JPH0619859B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0619859B2 JPH0619859B2 JP59027493A JP2749384A JPH0619859B2 JP H0619859 B2 JPH0619859 B2 JP H0619859B2 JP 59027493 A JP59027493 A JP 59027493A JP 2749384 A JP2749384 A JP 2749384A JP H0619859 B2 JPH0619859 B2 JP H0619859B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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Description
【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は０，１信号の形で２値化された情報を垂直磁化
膜の磁化の上向き下向きの形で記録し、記録された情報
を垂直磁化膜に照射した偏光が受ける磁気光学効果によ
り再生する光磁気記録媒体に関する。
膜の磁化の上向き下向きの形で記録し、記録された情報
を垂直磁化膜に照射した偏光が受ける磁気光学効果によ
り再生する光磁気記録媒体に関する。
（発明の背景） FeとCoとからなる遷移金属と、Dy，Tb，Gd等の希土類金
属とからなる非晶質磁性薄膜は、化学的に安定で、また
カー回転角（θK）が大きいので再生のＳ／Ｎ比が高く
なると期待されることから光磁気記録媒体に使用するこ
とが提案されている（例えば特開昭５８−１９６６３９
号参照）。
属とからなる非晶質磁性薄膜は、化学的に安定で、また
カー回転角（θK）が大きいので再生のＳ／Ｎ比が高く
なると期待されることから光磁気記録媒体に使用するこ
とが提案されている（例えば特開昭５８−１９６６３９
号参照）。
ところで、記録する場合にはいったん強い外部磁場で自
発磁化を上向き又は下向きに揃えておき、レーザー光線
を照射してその微小領域（ピットに相当）をキュリリ温
度（Tc）以上に加熱して、その部分の保磁力をゼロに
し、その上で弱い反転外部磁場（向きは媒体によって逆
向きの場合と順向きの場合がある）を印加し、その後レ
ーザー光線の照射を止めると、その微小領域の自発磁化
が反転し（反転は媒体によって加熱時に生じる場合と常
温に戻る途中で生じる場合がある）それにより０，１信
号の一方のピットが形成され記録が行なわれる。
発磁化を上向き又は下向きに揃えておき、レーザー光線
を照射してその微小領域（ピットに相当）をキュリリ温
度（Tc）以上に加熱して、その部分の保磁力をゼロに
し、その上で弱い反転外部磁場（向きは媒体によって逆
向きの場合と順向きの場合がある）を印加し、その後レ
ーザー光線の照射を止めると、その微小領域の自発磁化
が反転し（反転は媒体によって加熱時に生じる場合と常
温に戻る途中で生じる場合がある）それにより０，１信
号の一方のピットが形成され記録が行なわれる。
しかし、Fe−Co−希土類金属系の非晶質磁性薄膜はTcが
高く、結晶化温度（Tx）に近い。そのため、記録時にTc
以上に加熱されることにより、その部分が結晶化する傾
向が出てくる。そのため、再生時に光磁気特性が低下
し、その結果S/N比が低下してしまう。
高く、結晶化温度（Tx）に近い。そのため、記録時にTc
以上に加熱されることにより、その部分が結晶化する傾
向が出てくる。そのため、再生時に光磁気特性が低下
し、その結果S/N比が低下してしまう。
そこで記録時にTxに近ずくのを避けるために、低パワー
のレーザー光線の照射による、いわゆる補償点書込みを
用いなければならない。「補償点書込み」とは、垂直磁
化膜をTc以上に加熱せず、まだ保磁力が十分に残ってい
る状態で、その保持力より大きな反転外部磁場を印加し
て、磁化の向きを反転させてしまうことによりピットを
形成し、書込みを行なう方法である。しかし、この場
合、理由は不明であるが、Tcが高いFe−Co−希土類金属
系の非晶質垂直磁性薄膜を用いた光磁気記録媒体では、
ピットの形成が成されないか又は不十分でピットの形が
崩れていたり、前後のピットがつながってしまうなどの
欠点があり、実際には再生してもS/N比は結局低かっ
た。
のレーザー光線の照射による、いわゆる補償点書込みを
用いなければならない。「補償点書込み」とは、垂直磁
化膜をTc以上に加熱せず、まだ保磁力が十分に残ってい
る状態で、その保持力より大きな反転外部磁場を印加し
て、磁化の向きを反転させてしまうことによりピットを
形成し、書込みを行なう方法である。しかし、この場
合、理由は不明であるが、Tcが高いFe−Co−希土類金属
系の非晶質垂直磁性薄膜を用いた光磁気記録媒体では、
ピットの形成が成されないか又は不十分でピットの形が
崩れていたり、前後のピットがつながってしまうなどの
欠点があり、実際には再生してもS/N比は結局低かっ
た。
（発明の目的） 従って、本発明の目的は、前述の如くTcが高くθKが大
きいFe−Co−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜を主体と
する補償点書込み用光磁気記録媒体を改良し、S/N比を
向上させることにある。
きいFe−Co−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜を主体と
する補償点書込み用光磁気記録媒体を改良し、S/N比を
向上させることにある。
（発明の概要） Fe−Co−希土類金属系の磁性薄膜では遷移金属（Fe，C
o）の磁気モーメント↑と希土類金属の磁気モーメント との和が自発磁化 として外部に現われてくるが、希土類金属の中でもDy，
Tb及びGdは遷移金属原子と互いに反対向きの磁気モーメ
ントのカップル を作ることが知られている。従って、両モーメントの大
きさが等しいときに自発磁化 が見かけ上ゼロになる。このように自発磁化 が室温で見かけ上ゼロになるような組成を補償組成と言
う。
o）の磁気モーメント↑と希土類金属の磁気モーメント との和が自発磁化 として外部に現われてくるが、希土類金属の中でもDy，
Tb及びGdは遷移金属原子と互いに反対向きの磁気モーメ
ントのカップル を作ることが知られている。従って、両モーメントの大
きさが等しいときに自発磁化 が見かけ上ゼロになる。このように自発磁化 が室温で見かけ上ゼロになるような組成を補償組成と言
う。
そして、両モーメントの大きさが等しくないときは、大
小の差が外部に自発磁化として現われ、大きい方のモー
メントの向きによって垂直磁化膜全体の自発磁化は、上
向き か下向き かに決定される。
小の差が外部に自発磁化として現われ、大きい方のモー
メントの向きによって垂直磁化膜全体の自発磁化は、上
向き か下向き かに決定される。
本発明者らは、前述の如きTcが高くθKが大きいFe−Co
−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜について改良すべく
鋭意研究した結果、前記非晶質垂直磁化膜の上層又は下
層に特別な垂直磁化膜〔下記、膜(B)〕を設けることに
より、ピットの形成が十分でそのためS/Nの高い補償点
書込み用光磁気記録媒体を得ることができることを見い
出し、本発明を成すに至った。
−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜について改良すべく
鋭意研究した結果、前記非晶質垂直磁化膜の上層又は下
層に特別な垂直磁化膜〔下記、膜(B)〕を設けることに
より、ピットの形成が十分でそのためS/Nの高い補償点
書込み用光磁気記録媒体を得ることができることを見い
出し、本発明を成すに至った。
従って、本発明は、FeとCoとからなる遷移金属とDy，Tb
及びGdから選ばれる１種又は２種以上の希土類金属とか
らなり、かつ高いキュリー温度（TA）及び高いカー回転
角を有する非晶質垂直磁化膜(A)を主体とする光磁気記
録媒体に於いて、前記垂直磁化膜(A)の上層又は下層
に、FeとCoとからなる遷移金属とDy，Tb及びGdから選ば
れる１種又は２種以上の希土類金属とからなり、かつ高
いキュリー温度（TB）を有する非晶質垂直磁化膜であっ
て、しかも遷移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁
気モーメントとの大小関係が前記垂直磁化膜(A)のそれ
とは逆になっている垂直磁化膜(B)を前記磁化膜（Ａ）
に接して設けたことを特徴とする、光磁気記録媒体を提
供する。
及びGdから選ばれる１種又は２種以上の希土類金属とか
らなり、かつ高いキュリー温度（TA）及び高いカー回転
角を有する非晶質垂直磁化膜(A)を主体とする光磁気記
録媒体に於いて、前記垂直磁化膜(A)の上層又は下層
に、FeとCoとからなる遷移金属とDy，Tb及びGdから選ば
れる１種又は２種以上の希土類金属とからなり、かつ高
いキュリー温度（TB）を有する非晶質垂直磁化膜であっ
て、しかも遷移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁
気モーメントとの大小関係が前記垂直磁化膜(A)のそれ
とは逆になっている垂直磁化膜(B)を前記磁化膜（Ａ）
に接して設けたことを特徴とする、光磁気記録媒体を提
供する。
本発明の媒体に於いては、膜(A)と膜(B)との組成は、遷
移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁気モーメント
との大小関係が逆になるようにするため、一方の膜は補
償組成を境に希土類金属に対する遷移金属の原子数比を
大きく、つまり遷移金属リッチとし、他方の膜は希土類
金属リッチとする。
移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁気モーメント
との大小関係が逆になるようにするため、一方の膜は補
償組成を境に希土類金属に対する遷移金属の原子数比を
大きく、つまり遷移金属リッチとし、他方の膜は希土類
金属リッチとする。
その結果、初期化（書込み前に媒体全体の自発磁化の向
きを強い外部磁場を印加して一方に揃えること、言い換
えれば媒体全体を０，１信号の「０」状態にすること）
した場合、膜(A)も膜(B)も単層ではいずれも外部磁場の
向きに従って自発磁化の向きが揃い、一旦揃えば外部磁
場を取去っても、その向きは安定に保持されるのに対し
て、本発明の膜(A)／膜(B)からなる複層構造の媒体にあ
っては、初期化の外部磁場を印加中こそ外部磁場の方向
に従うものの、外部磁場を取去ると、膜(A)と(B)とは互
いに逆向きの自発磁化を示す。例えば 他方、書込み時にはレーザー光線を照射することにより
キュリー点に達しない温度に加熱し、まだ保磁力が残っ
ている状態で、その保磁力以上の反転外部磁場を印加
し、印加中にレーザー光線の照射を止めて常温又は常温
付近に戻し、その上で磁場印加を止めて、磁化の向きが
反転したピットを形成させる。この場合、反転外部磁場
の向きは、希土類リッチの単層膜（補償温度＊が室温よ
り高い）にあっては、初期化の外部磁場と同じ向きに
し、遷移金属リッチの単層膜（補償温度＊が室温より低
い）にあっては、初基期化の外部磁場と逆向きにする必
要があるが、本発明の複層構造の媒体にあっては、書込
み時の反転外部磁場の向きを予め決めることは難しいの
で予備実験により決定する。尚＊補償温度とは、ある組
成に於いて希土類金属の磁気モーメントと遷移金属のそ
れとが等しくなるような温度を言う。
きを強い外部磁場を印加して一方に揃えること、言い換
えれば媒体全体を０，１信号の「０」状態にすること）
した場合、膜(A)も膜(B)も単層ではいずれも外部磁場の
向きに従って自発磁化の向きが揃い、一旦揃えば外部磁
場を取去っても、その向きは安定に保持されるのに対し
て、本発明の膜(A)／膜(B)からなる複層構造の媒体にあ
っては、初期化の外部磁場を印加中こそ外部磁場の方向
に従うものの、外部磁場を取去ると、膜(A)と(B)とは互
いに逆向きの自発磁化を示す。例えば 他方、書込み時にはレーザー光線を照射することにより
キュリー点に達しない温度に加熱し、まだ保磁力が残っ
ている状態で、その保磁力以上の反転外部磁場を印加
し、印加中にレーザー光線の照射を止めて常温又は常温
付近に戻し、その上で磁場印加を止めて、磁化の向きが
反転したピットを形成させる。この場合、反転外部磁場
の向きは、希土類リッチの単層膜（補償温度＊が室温よ
り高い）にあっては、初期化の外部磁場と同じ向きに
し、遷移金属リッチの単層膜（補償温度＊が室温より低
い）にあっては、初基期化の外部磁場と逆向きにする必
要があるが、本発明の複層構造の媒体にあっては、書込
み時の反転外部磁場の向きを予め決めることは難しいの
で予備実験により決定する。尚＊補償温度とは、ある組
成に於いて希土類金属の磁気モーメントと遷移金属のそ
れとが等しくなるような温度を言う。
何故ならば、膜(B)の組成を変えて とした場合にはピットの形成は膜(A)単層のそれとほと
んど変らなかったからである。
んど変らなかったからである。
とろで遷移金属のCoは例えば第４図に示すようにTc及び
θKを大きくし、かつ化学的安定性を向上させるので、
膜(A)，(B)中のCo含有率はFeとCoの原子数合計１００原
子％に対して１〜９０原子％とすることが好ましい。
θKを大きくし、かつ化学的安定性を向上させるので、
膜(A)，(B)中のCo含有率はFeとCoの原子数合計１００原
子％に対して１〜９０原子％とすることが好ましい。
膜(A)と膜(B)とは特に同一の原子種からなる必要はない
が、本発明者らの研究によると、両者が同一の原子種か
らなる方がピット形成の上で好ましいことが判った。
が、本発明者らの研究によると、両者が同一の原子種か
らなる方がピット形成の上で好ましいことが判った。
膜(A)，膜(B)とも厚さは１００Å〜５０００Åもあれば
十分である。このように薄いので、両膜ともそれ自体公
知の薄膜形成技術例えば真空蒸着、スパッタリング，イ
オンビームスパッタリング，イオンプレーティングなど
によって容易に形成される。
十分である。このように薄いので、両膜ともそれ自体公
知の薄膜形成技術例えば真空蒸着、スパッタリング，イ
オンビームスパッタリング，イオンプレーティングなど
によって容易に形成される。
垂直磁化膜はそれ自体公知のように基板例えばガラス，
プラスチック，セラミック基板等の上に直接又は保護
膜，カー回転角増加用干渉膜，蓄熱層あるいは放熱層等
を形成させる。垂直磁化膜の上にも、それ自体公知のよ
うに保護膜，カー回転角増加用干渉膜，蓄熱層あるいは
放熱層等を形成させてもよい。
プラスチック，セラミック基板等の上に直接又は保護
膜，カー回転角増加用干渉膜，蓄熱層あるいは放熱層等
を形成させる。垂直磁化膜の上にも、それ自体公知のよ
うに保護膜，カー回転角増加用干渉膜，蓄熱層あるいは
放熱層等を形成させてもよい。
本発明の媒体に於いては、ピットの形成が十分であるこ
とに加えて、膜(A)も膜(B)も共にTcが高いので、いずれ
の膜側からも高強度の再生光を照射でき、また再生光の
照射により温度が上昇してもTcが高いためにTcよりは相
当に低く、そのためθKの低下が少なく（温度がTcに近
ずくと一般にθKが低下する）、照射するレーザー光線
の光強度をSTとすると、S/N比は 又はSt×θKに比例するので、本発明の媒体は極めてS/N
が高い。
とに加えて、膜(A)も膜(B)も共にTcが高いので、いずれ
の膜側からも高強度の再生光を照射でき、また再生光の
照射により温度が上昇してもTcが高いためにTcよりは相
当に低く、そのためθKの低下が少なく（温度がTcに近
ずくと一般にθKが低下する）、照射するレーザー光線
の光強度をSTとすると、S/N比は 又はSt×θKに比例するので、本発明の媒体は極めてS/N
が高い。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（実施例） (1) 垂直磁化膜の形成方法： 高周波３元マグネトロンスパッタリング装置を用い、３
個のターゲットのうち１つはGd円板の上に小さなTbチッ
プを配し、GdとTbとの面積比を変えることによって、生
成膜中のGd：Tbの組成比をコントロールし、残りの２つ
のターゲットはCo円板とFe円板を用い、３個のターゲッ
トに供給する高周波パワーを変えることによって（Gd＋
Tb）：Fe：Coの組成比をコントロールし、同時にスパッ
タリングすることによってGd−Tb−Fe−Coを元合金フェ
リ磁性垂直磁化膜を形成させる。
個のターゲットのうち１つはGd円板の上に小さなTbチッ
プを配し、GdとTbとの面積比を変えることによって、生
成膜中のGd：Tbの組成比をコントロールし、残りの２つ
のターゲットはCo円板とFe円板を用い、３個のターゲッ
トに供給する高周波パワーを変えることによって（Gd＋
Tb）：Fe：Coの組成比をコントロールし、同時にスパッ
タリングすることによってGd−Tb−Fe−Coを元合金フェ
リ磁性垂直磁化膜を形成させる。
基板はφ１８０mmのガラス板を用い、スパッタリングす
る前に予め逆スパッタリングを行なって基板表面をクリ
ーニングし、基板はスパッタリング中冷却してほぼ常温
以下に保つ。
る前に予め逆スパッタリングを行なって基板表面をクリ
ーニングし、基板はスパッタリング中冷却してほぼ常温
以下に保つ。
装置のチャンバー内は、いったん１０−７Torr台まで排
気した後、Arガス置換を行ない、スパッタリング中Arガ
ス圧を５×１０−３〜１×１０−２Torrに保つ。
気した後、Arガス置換を行ない、スパッタリング中Arガ
ス圧を５×１０−３〜１×１０−２Torrに保つ。
(2) 下層の垂直磁化膜(A)： 組成はGd１５ Tb２ Fe５２ Co３１であり、膜厚は約
３３２Åである。組成の数値は原子％であり、ここでは
希土類金属の磁気モーメントは遷移金属のそれより小さ
い。
３３２Åである。組成の数値は原子％であり、ここでは
希土類金属の磁気モーメントは遷移金属のそれより小さ
い。
この膜のカーヒステリシス曲線を第２図に示す。
(3) 上層の垂直磁化膜(B)： 組成はGd２１ Tb２ Fe４８ Co２９であり、膜厚は約
３７６Åである。ここでは、希土類金属の磁気モーメン
トは遷移金属のそれより大きい。
３７６Åである。ここでは、希土類金属の磁気モーメン
トは遷移金属のそれより大きい。
この膜をガラス基板上に形成したときのカーヒステリシ
ス曲線を第３図に示す。
ス曲線を第３図に示す。
尚、上層の膜形成は、下層の膜形成の後、真空状態を破
らずに続いて行なう。
らずに続いて行なう。
(4) カーヒステリシス曲線： 得られた２層構造を有する記録媒体のカーヒステリシス
曲線を第４図に示す。
曲線を第４図に示す。
(5) 初期化： 得られた２層構造を有する記録媒体に上向き の外部磁場（１０KOe）を印加して自発磁化の向きを に揃える。（尚、場合によっては下向き の外部磁場を印加して自発磁化の向きを に揃えてもよい。
（比較例１） 実施例と同様に実施例の(2)に記載した下層の垂直磁化
膜(A)（Gd１５ Tb２ Fe５２ Co３１）のみを同種基
板上に同じ膜厚に形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
膜(A)（Gd１５ Tb２ Fe５２ Co３１）のみを同種基
板上に同じ膜厚に形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
（比較例２） 実施例と同様に実施例の(2)に記載した下層の垂直磁化
膜(A)（Gd１５ Tb２ Fe５２ Co３１）を同種基板上
に約３５０Åの厚さに形成した後、真空状態を破らず
に、同じ組成の膜を同じ厚さに形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
膜(A)（Gd１５ Tb２ Fe５２ Co３１）を同種基板上
に約３５０Åの厚さに形成した後、真空状態を破らず
に、同じ組成の膜を同じ厚さに形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
（比較例３） 実施例と同様に実施例の(3)に記載した上層の垂直磁化
膜(B)（Gd２１ Tb２ Fe４８ Co２９）を同種基板上
に同じ膜厚に形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
膜(B)（Gd２１ Tb２ Fe４８ Co２９）を同種基板上
に同じ膜厚に形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
（比較例４） 実施例と同様に実施例の(3)に記載した上層の垂直磁化
膜(B)（Gd２１ Tb２ Fe４８ Co２９）を同種基板上
に約３５０Åの厚さに形成した後、真空状態を破らずに
同じ組成の膜を同じ厚さに形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
膜(B)（Gd２１ Tb２ Fe４８ Co２９）を同種基板上
に約３５０Åの厚さに形成した後、真空状態を破らずに
同じ組成の膜を同じ厚さに形成し、外部磁場 により自発磁化の向きを上向き に揃える。
（記録実験） (1) 自発磁化の向きが に揃った実施例の記録媒体を６００rpmで回転させなが
ら、記録媒体上で１２．６mWのパワーのレーザー光線を
記録すべき２値化情報に従って照射する。すると、照射
により加熱された微小領域（ピットに相当）は回転自在
の向きが となり、ここに於いて上向き の弱い外部磁場（２００Oe）を印加すると、その微小領
域の自発磁化の向きは となり、そしてレーザーの照射を止めて常温に戻して行
くと、その過程でその微小領域の自発磁化の向きは となり、この状態で外部磁場を除去しても、その微小領
域の自発磁化の向きは のままに安定に保持され、ピットが形成される。
ら、記録媒体上で１２．６mWのパワーのレーザー光線を
記録すべき２値化情報に従って照射する。すると、照射
により加熱された微小領域（ピットに相当）は回転自在
の向きが となり、ここに於いて上向き の弱い外部磁場（２００Oe）を印加すると、その微小領
域の自発磁化の向きは となり、そしてレーザーの照射を止めて常温に戻して行
くと、その過程でその微小領域の自発磁化の向きは となり、この状態で外部磁場を除去しても、その微小領
域の自発磁化の向きは のままに安定に保持され、ピットが形成される。
元の向き の部分を仮に０，１信号の「０」とすれば、 に反転したピットは「１」を表わす。情報はこのピット
の有無又はピット長の形で記録される。
の有無又はピット長の形で記録される。
(2) それに対して各比較例の媒体は、自発磁化が初期
状態で に揃っており、これらの媒体に対して、反転外部磁場を
印加して前項(1)と同様に記録した。
状態で に揃っており、これらの媒体に対して、反転外部磁場を
印加して前項(1)と同様に記録した。
この場合、０，１信号と形成されるピットと磁化の向き
との関係を模式的に表わすと別表第１表の如くなる。
との関係を模式的に表わすと別表第１表の如くなる。
（再生実験） (1) 記録された実施例及び比較例の媒体の垂直磁化膜
を偏光顕微鏡で観察した。
を偏光顕微鏡で観察した。
その結果、実施例の媒体ではピットの形が正しく、くっ
きりと形成されていたのに対して、各比較例の媒体で
は、ピットは形が乱れていたり、形成されない場合があ
ったりした。この様子を第４図(a)実施例の媒体、(b)比
較例１の媒体、(c)同２の媒体、(d)同３の媒体、(e)同
４の媒体に示す。
きりと形成されていたのに対して、各比較例の媒体で
は、ピットは形が乱れていたり、形成されない場合があ
ったりした。この様子を第４図(a)実施例の媒体、(b)比
較例１の媒体、(c)同２の媒体、(d)同３の媒体、(e)同
４の媒体に示す。
(2) また、記録された各媒体に対して記録時と同じ回
転数で回転させながら、記録媒体上で２．２mWのレーザ
ー光線を基板側から照射し、媒体からの反射光を偏光子
（アナライザー）を通してデイテクター（光電変換素
子）を受光して電気信号に変換することにより再生を行
ないS/N比を測定した。
転数で回転させながら、記録媒体上で２．２mWのレーザ
ー光線を基板側から照射し、媒体からの反射光を偏光子
（アナライザー）を通してデイテクター（光電変換素
子）を受光して電気信号に変換することにより再生を行
ないS/N比を測定した。
その結果を第２表に示す。
（発明の効果） 以上の通り、従来θKが大きく化学的に安定であった
が、TcがTxに近いために、結局補償点書込みとせざるを
得ず、そのため再生しても低いS/N比しか得られなかっ
たFe−Co−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜を主体とす
る光磁気記録媒体に対して、本発明に従い遷移金属の磁
気モーメントと希土類金属のそれとの大小関係が逆の垂
直磁化膜(B)を設けることにより、ピットの形成が十分
になされ、S/N比が向上する。
が、TcがTxに近いために、結局補償点書込みとせざるを
得ず、そのため再生しても低いS/N比しか得られなかっ
たFe−Co−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜を主体とす
る光磁気記録媒体に対して、本発明に従い遷移金属の磁
気モーメントと希土類金属のそれとの大小関係が逆の垂
直磁化膜(B)を設けることにより、ピットの形成が十分
になされ、S/N比が向上する。
尚、本発明の記録媒体は、磁気円二色性を利用した再生
方式（つまり、右又は左回り円偏光が磁化の向きが異な
ると反射率が相違することを利用した再生方式）にも有
効である。
方式（つまり、右又は左回り円偏光が磁化の向きが異な
ると反射率が相違することを利用した再生方式）にも有
効である。
第１図(1)はTb２６（Fe１００−ｘCox）７４からなる垂
直磁化膜に於いて、FeとCoの合計１００原子％に対して
Coの含有率（Ｘ原子％）を増加させたときのキュリー温
度Tc（゜K）の変化を表わすグラフである。 第１図(2)はTb１７（Fe１００−ｘCox）８３からなる垂
直磁化膜に於いて、FeとCoの合計１００原子％に対して
Coの含有率（Ｘ原子％）を増加させたときのカー回転角
θK（min）の変化を表わすグラフである。 第２図は本発明の実施例で使用した膜(A)単層のカーヒ
ステリシス曲線である。 第３図は、同じく膜(B)単層のカーヒステリシス曲線で
ある。 第４図は、下層が膜(A)、上層が膜(B)の２層構造のカー
ヒステリシス曲線である。 第５図は、実施例及び各比較例の記録媒体の垂直磁化膜
の表面を偏光顕微鏡で観察したときの模式図である。
直磁化膜に於いて、FeとCoの合計１００原子％に対して
Coの含有率（Ｘ原子％）を増加させたときのキュリー温
度Tc（゜K）の変化を表わすグラフである。 第１図(2)はTb１７（Fe１００−ｘCox）８３からなる垂
直磁化膜に於いて、FeとCoの合計１００原子％に対して
Coの含有率（Ｘ原子％）を増加させたときのカー回転角
θK（min）の変化を表わすグラフである。 第２図は本発明の実施例で使用した膜(A)単層のカーヒ
ステリシス曲線である。 第３図は、同じく膜(B)単層のカーヒステリシス曲線で
ある。 第４図は、下層が膜(A)、上層が膜(B)の２層構造のカー
ヒステリシス曲線である。 第５図は、実施例及び各比較例の記録媒体の垂直磁化膜
の表面を偏光顕微鏡で観察したときの模式図である。
Claims (2)
- 【請求項１】ＦｅとＣｏからなる遷移金属とＤｙ，Ｔｂ
及びＧｄから選ばれる１種又は２種以上の希土類金属と
からなり、かつ高いキュリー温度（ＴＡ）及び高いカー
回転角を有する非晶質垂直磁化膜（Ａ）を主体とする光
磁気記録媒体に於いて、前記垂直磁化膜（Ａ）の上層又
は下層に、ＦｅとＣｏとからなる遷移金属とＤｙ，Ｔｂ
及びＧｄから選ばれる１種又は２種以上の希土類金属と
からなり、かつ高いキュリー温度（ＴＢ）を有する非晶
質垂直磁化膜であって、しかも遷移金属の磁気モーメン
トと希土類金属の磁気モーメントとの大小関係が前記垂
直磁化膜（Ａ）のそれとは逆になっている垂直磁化膜
（Ｂ）を前記磁化膜（Ａ）に接して設けたことを特徴と
する光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記垂直磁化膜（Ｂ）が前記垂直磁化膜
（Ａ）と同一の原子種からなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027493A JPH0619859B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027493A JPH0619859B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60171652A JPS60171652A (ja) | 1985-09-05 |
| JPH0619859B2 true JPH0619859B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12222658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59027493A Expired - Lifetime JPH0619859B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619859B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137753A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 層状光磁気記録媒体とその製造法 |
| JPH07105082B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2646398B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1997-08-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 光磁気記録媒体 |
| JP3192281B2 (ja) * | 1993-06-21 | 2001-07-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の記録方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837608A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-04 | Canon Inc | 像読取装置 |
| JPS58196639A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-16 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS5960746A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59027493A patent/JPH0619859B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60171652A (ja) | 1985-09-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |