JPS6137765B2 - - Google Patents
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- JPS6137765B2 JPS6137765B2 JP55050201A JP5020180A JPS6137765B2 JP S6137765 B2 JPS6137765 B2 JP S6137765B2 JP 55050201 A JP55050201 A JP 55050201A JP 5020180 A JP5020180 A JP 5020180A JP S6137765 B2 JPS6137765 B2 JP S6137765B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/133—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals
- H01F10/135—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、膜面内の一様磁化極性と逆向きの磁極をもつ
小さい反転磁区を形成させることによつて高密度
に情報を記録することができる磁性薄膜記録媒体
に関するものである。
し、膜面内の一様磁化極性と逆向きの磁極をもつ
小さい反転磁区を形成させることによつて高密度
に情報を記録することができる磁性薄膜記録媒体
に関するものである。
従来、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し光
ビームによりキユーリ温度あるいは磁気的補償温
度を利用して上述のような記録をすることが可能
な強磁性薄膜としてはMnBiに代表される多結晶
金属薄膜、Gd−Co，Gd−Feの非晶質金属薄膜、
GIGに代表される化合物単結晶薄膜がある。しか
しこれらの薄膜は、膜の製造が非常に困難であつ
たり、室温における保磁力が小さかつたり、非常
に高価であつたりして実用的ではなかつた。また
特開昭52−31703号公報においては15atom％〜
30atom％のTbを含む非晶質Tb−Fe系合金膜が
開示されている。この強磁性薄膜は室温で数
KOeもの大きい保磁力を有するので記録された
情報はきわめて安定である。しかしながらTbを
30atom％以上含む非晶質Tb−Fe系合金膜では保
磁力が小さいので磁性記録媒体として用いること
はできなかつた。
ビームによりキユーリ温度あるいは磁気的補償温
度を利用して上述のような記録をすることが可能
な強磁性薄膜としてはMnBiに代表される多結晶
金属薄膜、Gd−Co，Gd−Feの非晶質金属薄膜、
GIGに代表される化合物単結晶薄膜がある。しか
しこれらの薄膜は、膜の製造が非常に困難であつ
たり、室温における保磁力が小さかつたり、非常
に高価であつたりして実用的ではなかつた。また
特開昭52−31703号公報においては15atom％〜
30atom％のTbを含む非晶質Tb−Fe系合金膜が
開示されている。この強磁性薄膜は室温で数
KOeもの大きい保磁力を有するので記録された
情報はきわめて安定である。しかしながらTbを
30atom％以上含む非晶質Tb−Fe系合金膜では保
磁力が小さいので磁性記録媒体として用いること
はできなかつた。
本発明の目的は、Tbを30atom％以上含む非晶
質Tb−Fe系合金膜でも膜面と垂直な方向に磁化
容易軸を有し高保磁力を有する磁性薄膜記録媒体
を提供することである。
質Tb−Fe系合金膜でも膜面と垂直な方向に磁化
容易軸を有し高保磁力を有する磁性薄膜記録媒体
を提供することである。
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、30atom％以上のTbを含むTb−Fe系合金膜
を備えた磁性薄膜記録媒体である。Tb−Fe系合
金膜とは、TbとFeとの非晶質合金と、結晶相の
Tb金属、Tb−Fe合金、あるいはTb酸化物から
なるものである。膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を形成させるには、Tb，Feをスパツタリング法
あるいは真空蒸着法等によつて薄膜を形成させる
のが好ましい。薄膜を形成する基板としてはガラ
ス、シリコン、ポリエチレンテレフタレートなど
用いることができる。
し、30atom％以上のTbを含むTb−Fe系合金膜
を備えた磁性薄膜記録媒体である。Tb−Fe系合
金膜とは、TbとFeとの非晶質合金と、結晶相の
Tb金属、Tb−Fe合金、あるいはTb酸化物から
なるものである。膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を形成させるには、Tb，Feをスパツタリング法
あるいは真空蒸着法等によつて薄膜を形成させる
のが好ましい。薄膜を形成する基板としてはガラ
ス、シリコン、ポリエチレンテレフタレートなど
用いることができる。
また結晶相のTb金属、Tb−Fe合金あるいは
Tb酸化物等を非晶質Tb−Fe合金膜に混つて析出
させるには以下の２つの方法を用いるのがよい。
Tb酸化物等を非晶質Tb−Fe合金膜に混つて析出
させるには以下の２つの方法を用いるのがよい。
１ 上述の薄膜形成時に、薄膜を形成すべき基板
の温度を非晶質合金薄膜を作製する場合よりも
若干高い温度に保つことにより、薄膜中に一部
結晶を析出させる方法。具体的には、基板を冷
却するホルダーを冷却水によつて水冷する場合
に、冷却水の温度を調節する等によつて行な
う。
の温度を非晶質合金薄膜を作製する場合よりも
若干高い温度に保つことにより、薄膜中に一部
結晶を析出させる方法。具体的には、基板を冷
却するホルダーを冷却水によつて水冷する場合
に、冷却水の温度を調節する等によつて行な
う。
２ あらかじめ多めにTbを含むTb−Fe合金膜を
作製し、その後熱処理をしてTb金属あるいは
Tb化合物を析出させる方法。
作製し、その後熱処理をしてTb金属あるいは
Tb化合物を析出させる方法。
なお、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する
ためには膜面が500Å以上の薄膜とする必要があ
る。
ためには膜面が500Å以上の薄膜とする必要があ
る。
以下、本発明を実施例によつて説明する。対向
型RFスパツタ装置において、TbとFeとの組成比
が１対１のターゲツトを用いて、初期真空度３×
10-7torr以下にして、アルゴン圧６×10-4torr、
スパツタ圧４×10-2torr、スパツタ電圧600Wの
スパツタ条件で基板温度は非晶質合金薄膜を作製
する場合の水冷温度より若干高くしてスパツタリ
ングによりシリコン基板上に約4900Åの膜厚の
Tb−Fe系合金薄膜を作製した。
型RFスパツタ装置において、TbとFeとの組成比
が１対１のターゲツトを用いて、初期真空度３×
10-7torr以下にして、アルゴン圧６×10-4torr、
スパツタ圧４×10-2torr、スパツタ電圧600Wの
スパツタ条件で基板温度は非晶質合金薄膜を作製
する場合の水冷温度より若干高くしてスパツタリ
ングによりシリコン基板上に約4900Åの膜厚の
Tb−Fe系合金薄膜を作製した。
このTb−Fe系合金薄膜においてTbは43atom
％であつた。またＸ線回析による解析の結果、回
折ピークからロンボヘドラル晶系のTb金属の存
在が確認された。この薄膜の磁化−磁場曲線は図
に示されるとおり充分に大きな保磁力を有するこ
とが確認された。同様にTb−Fe系合金薄膜にお
いてTbが36atom％、58atom％、70atom％等の場
合でも充分に大きな保磁力を有することが確認さ
れた。すなわちTb−Fe系合金薄膜においてTbが
ほゞ30％以上の場合にも、保磁力が大きい。なお
Tbの組成比の大きい方の限界は、Tb−Fe系合金
薄膜が室温で強磁性を示す範囲であればよい。
％であつた。またＸ線回析による解析の結果、回
折ピークからロンボヘドラル晶系のTb金属の存
在が確認された。この薄膜の磁化−磁場曲線は図
に示されるとおり充分に大きな保磁力を有するこ
とが確認された。同様にTb−Fe系合金薄膜にお
いてTbが36atom％、58atom％、70atom％等の場
合でも充分に大きな保磁力を有することが確認さ
れた。すなわちTb−Fe系合金薄膜においてTbが
ほゞ30％以上の場合にも、保磁力が大きい。なお
Tbの組成比の大きい方の限界は、Tb−Fe系合金
薄膜が室温で強磁性を示す範囲であればよい。
以上説明したように本発明の磁性薄膜記録媒体
はTb−Fe系合金膜であつてもTbの組成比によつ
て保磁力が変化しないので、Tb組成比をげんみ
つに決める必要がなく薄膜作製がきわめて容易に
できる。また本発明によれば安価な磁性薄膜記録
媒体を実用化することができる。
はTb−Fe系合金膜であつてもTbの組成比によつ
て保磁力が変化しないので、Tb組成比をげんみ
つに決める必要がなく薄膜作製がきわめて容易に
できる。また本発明によれば安価な磁性薄膜記録
媒体を実用化することができる。
本発明を用いれば公知の各種の書き込み方法、
続み出し方法を用いることができるので高密度の
記録システムを実現することができる。
続み出し方法を用いることができるので高密度の
記録システムを実現することができる。
第１図は本発明の磁性薄膜記録媒体の磁化特性
曲線。
曲線。
Claims (1)
- １ 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、
30atom％以上のTbを含むTbとFeとの非晶質合
金と、結晶相のTb金属、Tb−Fe合金、あるいは
Tb酸化物からなる薄膜を備えたことを特徴とす
る磁性薄膜記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020180A JPS56146207A (en) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Magnetic thin-film recording medium |
| US06/254,687 US4367257A (en) | 1980-04-16 | 1981-04-16 | Thin magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020180A JPS56146207A (en) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Magnetic thin-film recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56146207A JPS56146207A (en) | 1981-11-13 |
| JPS6137765B2 true JPS6137765B2 (ja) | 1986-08-26 |
Family
ID=12852504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5020180A Granted JPS56146207A (en) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Magnetic thin-film recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56146207A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1185013A (en) * | 1981-01-14 | 1985-04-02 | Kenji Ohta | Magneto-optic memory medium |
| US4569881A (en) * | 1983-05-17 | 1986-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-layer amorphous magneto optical recording medium |
| US4833043A (en) * | 1983-05-17 | 1989-05-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
| US4721658A (en) * | 1984-04-12 | 1988-01-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126907A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic optical recording medium |
-
1980
- 1980-04-16 JP JP5020180A patent/JPS56146207A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126907A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56146207A (en) | 1981-11-13 |
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