JPH06267130A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH06267130A JPH06267130A JP5347693A JP5347693A JPH06267130A JP H06267130 A JPH06267130 A JP H06267130A JP 5347693 A JP5347693 A JP 5347693A JP 5347693 A JP5347693 A JP 5347693A JP H06267130 A JPH06267130 A JP H06267130A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光磁気記録媒体の磁気光学効果を劣
化させることなく保磁力を向上させることを目的とす
る。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は、Ｃｏ100-x Ｍx
（但し、ＭはＭｎ，Ｃｒの少なくとも一種から成り、ｘ
は原子％で表され０＜ｘ≦３０である。）と貴金属を交
互に積層した多層膜を具備したことを特徴とする。
化させることなく保磁力を向上させることを目的とす
る。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は、Ｃｏ100-x Ｍx
（但し、ＭはＭｎ，Ｃｒの少なくとも一種から成り、ｘ
は原子％で表され０＜ｘ≦３０である。）と貴金属を交
互に積層した多層膜を具備したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度光磁気記録媒体
に使用される、磁気モ−メントが膜面に対して垂直に配
向した多層膜に関するものである。
に使用される、磁気モ−メントが膜面に対して垂直に配
向した多層膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を有し、室温より高いキュリ−温度を有する磁性膜は、
レ−ザ−光等の光ビ−ムを照射することによって数μｍ
2 以下の領域に情報を記録、再生、消去することがで
き、高密度の磁気記録媒体として用いることができる。
この時の再生手段としては、光磁気効果であるカ−回転
角やファラデ−回転角の大きさを光ビ−ムから検出する
ものである。この様な記録媒体として、ＭｎＢｉ等の多
結晶薄膜、Ｂｉ置換ＹＩＧ（ビスマス置換イットリウム
鉄ガ−ネット）等の化合物単結晶薄膜、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類
−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）の非晶質合金膜などがある。
ＭｎＢｉ等の多結晶金属薄膜はキュリ−温度（Ｔｃ）を
利用して書き込みが行われるが、Ｔｃが 360℃程度と高
いため、書き込みに大きなエネルギ−を要する欠点があ
る。また、多結晶体であるため化学量論的な組成の薄膜
を作製する必要があり、製造が困難であるという欠点も
ある。また、Ｂｉ置換ＹＩＧ等はＧＧＧ（ガドリニウム
ガリウムガ−ネット）単結晶基板上での膜形成が必要と
されるため、この基板の状態に磁気特性が影響されやす
いこと、大面積の基板を得にくい等の欠点がある。これ
に対し、ＴｂＦｅ，ＧｄＣｏ等の希土類−遷移金属の非
晶質合金膜は，任意の大きさの磁性膜が形成できるこ
と、組成制御が容易であること、結晶粒界がないため再
生Ｓ／Ｎ比が良好である等の利点を有し、近年研究が盛
んである。しかしながらこのＲＥ−ＴＭ膜は高密度記録
に必須な短波長領域でのファラデ−効果およびカ−効果
が小さく、Ｓ／Ｎ比が充分でなく、また、耐蝕性に劣る
等の問題があった。
を有し、室温より高いキュリ−温度を有する磁性膜は、
レ−ザ−光等の光ビ−ムを照射することによって数μｍ
2 以下の領域に情報を記録、再生、消去することがで
き、高密度の磁気記録媒体として用いることができる。
この時の再生手段としては、光磁気効果であるカ−回転
角やファラデ−回転角の大きさを光ビ−ムから検出する
ものである。この様な記録媒体として、ＭｎＢｉ等の多
結晶薄膜、Ｂｉ置換ＹＩＧ（ビスマス置換イットリウム
鉄ガ−ネット）等の化合物単結晶薄膜、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類
−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）の非晶質合金膜などがある。
ＭｎＢｉ等の多結晶金属薄膜はキュリ−温度（Ｔｃ）を
利用して書き込みが行われるが、Ｔｃが 360℃程度と高
いため、書き込みに大きなエネルギ−を要する欠点があ
る。また、多結晶体であるため化学量論的な組成の薄膜
を作製する必要があり、製造が困難であるという欠点も
ある。また、Ｂｉ置換ＹＩＧ等はＧＧＧ（ガドリニウム
ガリウムガ−ネット）単結晶基板上での膜形成が必要と
されるため、この基板の状態に磁気特性が影響されやす
いこと、大面積の基板を得にくい等の欠点がある。これ
に対し、ＴｂＦｅ，ＧｄＣｏ等の希土類−遷移金属の非
晶質合金膜は，任意の大きさの磁性膜が形成できるこ
と、組成制御が容易であること、結晶粒界がないため再
生Ｓ／Ｎ比が良好である等の利点を有し、近年研究が盛
んである。しかしながらこのＲＥ−ＴＭ膜は高密度記録
に必須な短波長領域でのファラデ−効果およびカ−効果
が小さく、Ｓ／Ｎ比が充分でなく、また、耐蝕性に劣る
等の問題があった。
【０００３】一方、最近新しい垂直磁化膜として、Ｃｏ
／Ｐｔ，Ｃｏ／Ｐｄ等を数オングストロ−ムオ−ダ−の
周期で積層させた多層膜が光磁気記録媒体や垂直磁気記
録媒体として注目されている。これら多層膜は、従来の
ＲＥ−ＴＭ膜の欠点である耐蝕性の点で非常に優れてい
る。また、将来的な高記録密度化を考えた場合、短波長
レ−ザ−での記録・再生が必要になるが、これら多層膜
は短波長領域での光磁気特性もＲＥ−ＴＭ膜より著しく
優れている。このように優れた磁気光学特性を示すＣｏ
／Ｐｔ多層膜であるが、唯一の欠点として保磁力の問題
が残されている。通常、光磁気記録媒体として使用する
には２〜３ｋＯｅ以上の保磁力が必要となるが、例え
ば、{Pt(11.3A)/Co(3.8A)}10多層膜の場合、保磁力は３
００Ｏｅ前後しかなく条件が満たされていない。
／Ｐｔ，Ｃｏ／Ｐｄ等を数オングストロ−ムオ−ダ−の
周期で積層させた多層膜が光磁気記録媒体や垂直磁気記
録媒体として注目されている。これら多層膜は、従来の
ＲＥ−ＴＭ膜の欠点である耐蝕性の点で非常に優れてい
る。また、将来的な高記録密度化を考えた場合、短波長
レ−ザ−での記録・再生が必要になるが、これら多層膜
は短波長領域での光磁気特性もＲＥ−ＴＭ膜より著しく
優れている。このように優れた磁気光学特性を示すＣｏ
／Ｐｔ多層膜であるが、唯一の欠点として保磁力の問題
が残されている。通常、光磁気記録媒体として使用する
には２〜３ｋＯｅ以上の保磁力が必要となるが、例え
ば、{Pt(11.3A)/Co(3.8A)}10多層膜の場合、保磁力は３
００Ｏｅ前後しかなく条件が満たされていない。
【０００４】一般に、垂直磁化膜の保磁力を増加させる
ためには、垂直磁気異方性を増加させる必要がある。上
述のような多層膜が持つ垂直磁気異方性Ｋｕ´は以下の
ように表すことができる。
ためには、垂直磁気異方性を増加させる必要がある。上
述のような多層膜が持つ垂直磁気異方性Ｋｕ´は以下の
ように表すことができる。
【０００５】Ｋｕ´＝Ｋｕ−２πＭｓ2 （Ｋｕ：垂直
磁気異方性定数，Ｍｓ：飽和磁化）…（１） そこでこれまで保磁力を改善するために、結晶性を向上
させＫｕを大きくするべく、基板上に１００Ａ以上のＰ
ｔ下地層を形成するなどの手段が講じられてきた。しか
しながら、これは同時に基板側からの磁気光学効果（カ
−回転角）を減少させるという大きなデメリットがあっ
た。このため、厚い下地層を形成することなく、また熱
処理などの手段を使うことなく保磁力を向上させる方法
が望まれていた。
磁気異方性定数，Ｍｓ：飽和磁化）…（１） そこでこれまで保磁力を改善するために、結晶性を向上
させＫｕを大きくするべく、基板上に１００Ａ以上のＰ
ｔ下地層を形成するなどの手段が講じられてきた。しか
しながら、これは同時に基板側からの磁気光学効果（カ
−回転角）を減少させるという大きなデメリットがあっ
た。このため、厚い下地層を形成することなく、また熱
処理などの手段を使うことなく保磁力を向上させる方法
が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、これ
までのＣｏ／Ｐｔなどの多層膜は、従来のＲＥ−ＴＭ膜
と比べて耐蝕性、短波長領域での磁気光学特性は優れて
いるものの、実用化に際して保磁力Ｈｃが十分でないと
いう問題があった。このような問題を解決するために、
本発明は磁気光学特性に優れた多層膜のカ−回転角を減
少させることなく、保磁力を向上させることを目的とす
る。
までのＣｏ／Ｐｔなどの多層膜は、従来のＲＥ−ＴＭ膜
と比べて耐蝕性、短波長領域での磁気光学特性は優れて
いるものの、実用化に際して保磁力Ｈｃが十分でないと
いう問題があった。このような問題を解決するために、
本発明は磁気光学特性に優れた多層膜のカ−回転角を減
少させることなく、保磁力を向上させることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】発明者らは、磁
気光学特性に優れたＣｏ／Ｐｔなどの多層膜において、
光学的に不利なＰｔなどの下地層を形成することなしに
保磁力を向上させるために鋭意研究を行ったところ、Ｃ
ｏ層中に所定量以下のＭｎ或いはＣｒを添加することが
効果的であることを見出した。
気光学特性に優れたＣｏ／Ｐｔなどの多層膜において、
光学的に不利なＰｔなどの下地層を形成することなしに
保磁力を向上させるために鋭意研究を行ったところ、Ｃ
ｏ層中に所定量以下のＭｎ或いはＣｒを添加することが
効果的であることを見出した。
【０００８】（１）式の右辺第二項は反磁界に伴う静磁
エネルギ−であり、この項を小さくすることでも垂直磁
気異方性Ｋｕ´を高めることができる。すなわち、Ｋｕ
´を増加させる一つの手段として飽和磁化Ｍｓを下げる
ことが考えられる。しかしながら、例えばＭｓを下げる
手段としてＣｏを非磁性元素で置換することが考えられ
るが、一般には同時にＫｕも小さくなってしまい、Ｃｏ
を非磁性元素で置換することは必ずしもＫｕ´の増大に
はつながらない。それどころか磁気光学効果を大幅に低
下させることにもつながる。しかしながら、Ｃｏを所定
量以下のＭｎ或いはＣｒで置換した磁性層と貴金属層を
積層することにより、Ｋｕは変化せずにＭｓを小さくす
ることができることがわかった。
エネルギ−であり、この項を小さくすることでも垂直磁
気異方性Ｋｕ´を高めることができる。すなわち、Ｋｕ
´を増加させる一つの手段として飽和磁化Ｍｓを下げる
ことが考えられる。しかしながら、例えばＭｓを下げる
手段としてＣｏを非磁性元素で置換することが考えられ
るが、一般には同時にＫｕも小さくなってしまい、Ｃｏ
を非磁性元素で置換することは必ずしもＫｕ´の増大に
はつながらない。それどころか磁気光学効果を大幅に低
下させることにもつながる。しかしながら、Ｃｏを所定
量以下のＭｎ或いはＣｒで置換した磁性層と貴金属層を
積層することにより、Ｋｕは変化せずにＭｓを小さくす
ることができることがわかった。
【０００９】すなわち本発明の光磁気記録媒体は、Ｃｏ
100-x Ｍx 層（但し、ＭはＭｎ，Ｃｒの少なくとも一種
から成り、ｘは原子％で表され０＜ｘ≦３０である。）
と貴金属層を交互に積層した多層膜を具備したことを特
徴とする。
100-x Ｍx 層（但し、ＭはＭｎ，Ｃｒの少なくとも一種
から成り、ｘは原子％で表され０＜ｘ≦３０である。）
と貴金属層を交互に積層した多層膜を具備したことを特
徴とする。
【００１０】ここでＭは、Ｍｎ，Ｃｒの少なくとも一種
から成っており、ｘを原子％で表すと０＜ｘ≦３０とな
ることが必要である。特に、Ｍｎの場合は３≦ｘ≦１
０、Ｃｒの場合は０．１≦ｘ≦１０が望ましく、この時
に保磁力の増加が顕著である。またＭはＣｏ100-x Ｍx
層（以下ＣｏＭ層）中に必ずしも均一に分散、合金化し
ている必要はなく、界面以外に分散させたり、Ｃｏ層、
ＣｏＭ層、貴金属層を交互に積層しても保磁力に対して
大きな効果が得られる。
から成っており、ｘを原子％で表すと０＜ｘ≦３０とな
ることが必要である。特に、Ｍｎの場合は３≦ｘ≦１
０、Ｃｒの場合は０．１≦ｘ≦１０が望ましく、この時
に保磁力の増加が顕著である。またＭはＣｏ100-x Ｍx
層（以下ＣｏＭ層）中に必ずしも均一に分散、合金化し
ている必要はなく、界面以外に分散させたり、Ｃｏ層、
ＣｏＭ層、貴金属層を交互に積層しても保磁力に対して
大きな効果が得られる。
【００１１】これらＣｏＭ層、貴金属層の各膜厚は、３
〜２０Ａであることが好ましく、さらにこれらを積層す
ることにより得られる多層膜の全膜厚は２００Ａ以下で
あることが好ましい。また角型性を向上させるためには
積層数ｎは少ないほうが好ましい。また、これらの積層
膜を、非磁性層を介してさらに積層することで大きな磁
気光学効果が得られる。
〜２０Ａであることが好ましく、さらにこれらを積層す
ることにより得られる多層膜の全膜厚は２００Ａ以下で
あることが好ましい。また角型性を向上させるためには
積層数ｎは少ないほうが好ましい。また、これらの積層
膜を、非磁性層を介してさらに積層することで大きな磁
気光学効果が得られる。
【００１２】本発明による多層膜は例えばガラス、石
英、樹脂等の透明基板上、或いは結晶性を向上させるよ
うな非晶質薄膜を介して、通常の薄膜形成法、例えばＲ
Ｆ，ＤＣ，イオンビ−ム等の各種スパッタリング法、蒸
着法、ＭＢＥ法などで作成することができる。この時各
層は真空を破らずに連続して成膜するのが望ましいが、
各層の表面を十分清浄に保っておけば一旦大気にさらし
た後、第２層以降を成膜しても構わない。
英、樹脂等の透明基板上、或いは結晶性を向上させるよ
うな非晶質薄膜を介して、通常の薄膜形成法、例えばＲ
Ｆ，ＤＣ，イオンビ−ム等の各種スパッタリング法、蒸
着法、ＭＢＥ法などで作成することができる。この時各
層は真空を破らずに連続して成膜するのが望ましいが、
各層の表面を十分清浄に保っておけば一旦大気にさらし
た後、第２層以降を成膜しても構わない。
【００１３】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ 本実施例では、Ｃｏ100-x Ｍｎx 層と、貴金属層として
Ｐｔ層を交互に積層させた多層膜において、ｘの変化に
対する保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓの変化を調べた。
る。 実施例１ 本実施例では、Ｃｏ100-x Ｍｎx 層と、貴金属層として
Ｐｔ層を交互に積層させた多層膜において、ｘの変化に
対する保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓの変化を調べた。
【００１４】はじめに成膜手順を示す。チャンバ−内を
５×１０-6Torrまで排気した後、Ａｒガス分圧を５×１
０-3Torrとして成膜した。Ｃｏ100-x Ｍｎx 層はＣｏと
Ｍｎの同時ＤＣマグネトロンスパッタで、それぞれのタ
−ゲットに対するＤＣ電流比を変化させ０≦ｘ≦５０at
％の範囲でＣｏＭｎ合金の組成比を変えた。またＰｔ層
はＲＦマグネトロンスパッタで成膜した。基板はＳｉＯ
2 を用い室温で成膜を行った。
５×１０-6Torrまで排気した後、Ａｒガス分圧を５×１
０-3Torrとして成膜した。Ｃｏ100-x Ｍｎx 層はＣｏと
Ｍｎの同時ＤＣマグネトロンスパッタで、それぞれのタ
−ゲットに対するＤＣ電流比を変化させ０≦ｘ≦５０at
％の範囲でＣｏＭｎ合金の組成比を変えた。またＰｔ層
はＲＦマグネトロンスパッタで成膜した。基板はＳｉＯ
2 を用い室温で成膜を行った。
【００１５】まず１５ＡのＰｔ層を形成した後、５Ａの
ＣｏＭｎ層を形成し、これを繰り返しト−タル膜厚を１
５５Ａとした。以下この様な層構成を１５Ｐｔ／（５Ｃ
ｏＭｎ／１５Ｐｔ）7 と表す。図２はＶＳＭで測定した
保磁力ＨｃとＣｏＭｎ当たりの飽和磁化ＭCoMnのＭｎ濃
度依存性を示している。Ｍｎを添加しない場合の約３０
０Ｏｅから５at％以上のＭｎ添加によって約９００Ｏｅ
までＨｃが上昇した。また、この時のＭCoMnはＭｎ濃度
の増加と共に低下している。一方、膜面から測定したカ
−回転角（波長４００ｎｍ、以下同様）はＭｎの添加に
より若干増大の後、添加量が３０at％までほぼ一定であ
ったが、それ以上では低下した。この様な保磁力とカ−
回転角の結果からＣｏに対して３０at％以下のＭｎ添加
でカ−回転角を低下させることなく効果的に保磁力を増
加させることが可能であることがわかった。特に、３at
％以上１０at％以下のＭｎ添加が望ましい。以上のよう
にＣｏへのＭｎ添加はＣｏ／Ｐｔ多層膜の保磁力を効果
的に増加させることができる。 実施例２ 本実施例ではＣｏ100-x Ｃｒx とＰｔを交互に積層させ
た多層膜において、ｘの変化に対する保磁力Ｈｃ及び飽
和磁化Ｍｓの変化を調べた。ＣｏＣｒ合金層はＣｏとＣ
ｒの同時スパッタによって成膜し、その他の成膜手順は
実施例１と同様である。
ＣｏＭｎ層を形成し、これを繰り返しト−タル膜厚を１
５５Ａとした。以下この様な層構成を１５Ｐｔ／（５Ｃ
ｏＭｎ／１５Ｐｔ）7 と表す。図２はＶＳＭで測定した
保磁力ＨｃとＣｏＭｎ当たりの飽和磁化ＭCoMnのＭｎ濃
度依存性を示している。Ｍｎを添加しない場合の約３０
０Ｏｅから５at％以上のＭｎ添加によって約９００Ｏｅ
までＨｃが上昇した。また、この時のＭCoMnはＭｎ濃度
の増加と共に低下している。一方、膜面から測定したカ
−回転角（波長４００ｎｍ、以下同様）はＭｎの添加に
より若干増大の後、添加量が３０at％までほぼ一定であ
ったが、それ以上では低下した。この様な保磁力とカ−
回転角の結果からＣｏに対して３０at％以下のＭｎ添加
でカ−回転角を低下させることなく効果的に保磁力を増
加させることが可能であることがわかった。特に、３at
％以上１０at％以下のＭｎ添加が望ましい。以上のよう
にＣｏへのＭｎ添加はＣｏ／Ｐｔ多層膜の保磁力を効果
的に増加させることができる。 実施例２ 本実施例ではＣｏ100-x Ｃｒx とＰｔを交互に積層させ
た多層膜において、ｘの変化に対する保磁力Ｈｃ及び飽
和磁化Ｍｓの変化を調べた。ＣｏＣｒ合金層はＣｏとＣ
ｒの同時スパッタによって成膜し、その他の成膜手順は
実施例１と同様である。
【００１６】得られた１５Ｐｔ／（５ＣｏＣｒ／１５Ｐ
ｔ）7 多層膜を実施例１と同様に評価した。図３はＶＳ
Ｍで測定した保磁力ＨｃとＣｏＣｒ当たりの飽和磁化Ｍ
CoCrのＣｒ濃度依存性を示している。Ｃｒを添加しない
場合の約３００Ｏｅから３at％以上のＣｒ添加によって
約８５０ＯｅまでＨｃが上昇した。また、この時のＭ
CoCrはＣｒ濃度の増加と共に低下した。一方、膜面から
測定したカ−回転角はＭｎの添加により若干増大の後、
添加量が３０at％までほぼ一定であったが、それ以上で
は低下した。この様な保磁力とカ−回転角の結果からＣ
ｏに対して３０at％以下のＣｒ添加でカ−回転角を低下
させることなく効果的に保磁力を増加させることが可能
であることがわかった。特に、１０at％以下のＣｒ添加
が望ましい。以上のようにＣｏへのＣｒ添加はＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜の保磁力を効果的に増加させることができる。 実施例３ 本実施例では１５Ｐｔ／（５Ｃｏ95Ｍｎ5 ／１５Ｐｔ）
7 多層膜と１５Ｐｔ／（５Ｃｏ／１５Ｐｔ）7 多層膜に
おいてカ−・ヒステリシス・ル−プを比較した。成膜手
順は実施例１と同様である。
ｔ）7 多層膜を実施例１と同様に評価した。図３はＶＳ
Ｍで測定した保磁力ＨｃとＣｏＣｒ当たりの飽和磁化Ｍ
CoCrのＣｒ濃度依存性を示している。Ｃｒを添加しない
場合の約３００Ｏｅから３at％以上のＣｒ添加によって
約８５０ＯｅまでＨｃが上昇した。また、この時のＭ
CoCrはＣｒ濃度の増加と共に低下した。一方、膜面から
測定したカ−回転角はＭｎの添加により若干増大の後、
添加量が３０at％までほぼ一定であったが、それ以上で
は低下した。この様な保磁力とカ−回転角の結果からＣ
ｏに対して３０at％以下のＣｒ添加でカ−回転角を低下
させることなく効果的に保磁力を増加させることが可能
であることがわかった。特に、１０at％以下のＣｒ添加
が望ましい。以上のようにＣｏへのＣｒ添加はＣｏ／Ｐ
ｔ多層膜の保磁力を効果的に増加させることができる。 実施例３ 本実施例では１５Ｐｔ／（５Ｃｏ95Ｍｎ5 ／１５Ｐｔ）
7 多層膜と１５Ｐｔ／（５Ｃｏ／１５Ｐｔ）7 多層膜に
おいてカ−・ヒステリシス・ル−プを比較した。成膜手
順は実施例１と同様である。
【００１７】図４に２種類の多層膜の基板側から測定し
たヒステリシス・ル−プを示す。Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保
磁力３００Ｏｅに対してＣｏ95Ｍｎ5 ／Ｐｔ多層膜のそ
れは約８５０Ｏｅを示している。また、角型性、カ−回
転角とも劣化することなく垂直磁化膜として良好な特性
を示した。 実施例４ 本実施例では、５Ｐｔ／（５Ｃｏ90Ｍｎ10／５Ｐｔ／５
Ｃｏ90Ｍｎ10／１０Ｐｔ）2 多層膜とＣｏ／Ｐｔ多層膜
においてカ−・ヒステリシス・ル−プを比較した。成膜
手順は実施例１と同様である。。
たヒステリシス・ル−プを示す。Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保
磁力３００Ｏｅに対してＣｏ95Ｍｎ5 ／Ｐｔ多層膜のそ
れは約８５０Ｏｅを示している。また、角型性、カ−回
転角とも劣化することなく垂直磁化膜として良好な特性
を示した。 実施例４ 本実施例では、５Ｐｔ／（５Ｃｏ90Ｍｎ10／５Ｐｔ／５
Ｃｏ90Ｍｎ10／１０Ｐｔ）2 多層膜とＣｏ／Ｐｔ多層膜
においてカ−・ヒステリシス・ル−プを比較した。成膜
手順は実施例１と同様である。。
【００１８】図５に２種類の多層膜の基板側から測定し
たヒステリシス・ル−プを示す。Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保
磁力２７０Ｏｅに対してＣｏ90Ｍｎ10／Ｐｔ多層膜のそ
れは約９００Ｏｅを示している。また、角型性、カ−回
転角とも劣化することなく垂直磁化膜として良好な特性
を示した。 実施例５ 本実施例では、１５Ｐｔ／（２Ｃｏ／２Ｃｏ90Ｃｒ10／
２Ｃｏ／１５Ｐｔ）7多層膜と１５Ｐｔ／（６Ｃｏ／１
５Ｐｔ）7 多層膜においてカ−・ヒステリシス・ル−プ
を比較した。成膜手順は実施例１と同様である。
たヒステリシス・ル−プを示す。Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保
磁力２７０Ｏｅに対してＣｏ90Ｍｎ10／Ｐｔ多層膜のそ
れは約９００Ｏｅを示している。また、角型性、カ−回
転角とも劣化することなく垂直磁化膜として良好な特性
を示した。 実施例５ 本実施例では、１５Ｐｔ／（２Ｃｏ／２Ｃｏ90Ｃｒ10／
２Ｃｏ／１５Ｐｔ）7多層膜と１５Ｐｔ／（６Ｃｏ／１
５Ｐｔ）7 多層膜においてカ−・ヒステリシス・ル−プ
を比較した。成膜手順は実施例１と同様である。
【００１９】図６に２種類の多層膜の基板側から測定し
たヒステリシス・ル−プを示す。Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保
磁力３００Ｏｅに対してＣｏ／ＣｏＣｒ／Ｐｔ多層膜の
それは約１ｋＯｅを示している。また、角型性、カ−回
転角とも劣化することなく垂直磁化膜として良好な特性
を示した。
たヒステリシス・ル−プを示す。Ｃｏ／Ｐｔ多層膜の保
磁力３００Ｏｅに対してＣｏ／ＣｏＣｒ／Ｐｔ多層膜の
それは約１ｋＯｅを示している。また、角型性、カ−回
転角とも劣化することなく垂直磁化膜として良好な特性
を示した。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明により大きな保磁
力とカ−回転角を共に備える光磁気記録媒体を提供する
ことができる。そしてこれを用いることにより、極めて
高密度でＣ／Ｎ比が高く、安定したメモリ材料を提供す
ることができる。
力とカ−回転角を共に備える光磁気記録媒体を提供する
ことができる。そしてこれを用いることにより、極めて
高密度でＣ／Ｎ比が高く、安定したメモリ材料を提供す
ることができる。
【図１】 Ｃｏ100-x Ｍx ／Ｐｔ多層膜の層構成を示す
図。
図。
【図２】 実施例１における保磁力及び飽和磁化のＭｎ
濃度依存性を示す図。
濃度依存性を示す図。
【図３】 実施例２における保磁力及び飽和磁化のＣｒ
濃度依存性を示す図。
濃度依存性を示す図。
【図４】 実施例３におけるＣｏＭｎ／Ｐｔ多層膜のカ
−・ヒステリシス・ル−プを示す図。
−・ヒステリシス・ル−プを示す図。
【図５】 実施例４におけるＣｏＭｎ／Ｐｔ多層膜のカ
−・ヒステリシス・ル−プを示す図。
−・ヒステリシス・ル−プを示す図。
【図６】 実施例５におけるＣｏ／ＣｏＭｎ／Ｐｔ多層
膜のカ−・ヒステリシス・ル−プを示す図。
膜のカ−・ヒステリシス・ル−プを示す図。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｃｏ100-x Ｍx （但し、ＭはＭｎ，Ｃｒの
少なくとも一種から成り、ｘは原子％で表され０＜ｘ≦
３０である。）と貴金属を交互に積層した多層膜を具備
したことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347693A JPH06267130A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347693A JPH06267130A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267130A true JPH06267130A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12943912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347693A Pending JPH06267130A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267130A (ja) |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5347693A patent/JPH06267130A/ja active Pending
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