JPS63273236A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63273236A JPS63273236A JP10705187A JP10705187A JPS63273236A JP S63273236 A JPS63273236 A JP S63273236A JP 10705187 A JP10705187 A JP 10705187A JP 10705187 A JP10705187 A JP 10705187A JP S63273236 A JPS63273236 A JP S63273236A
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- Japan
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- magnetic
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は磁性膜が希土類金属ＲＥと遷移金属ＴＭとを交
互に複数層積層されたものである光磁気記録媒体に関す
る。
互に複数層積層されたものである光磁気記録媒体に関す
る。
近年、半導体レーザ光により磁気記録を行なう光磁気記
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。従来
、これら光磁気記録媒体としては遷移金属と希土類金属
との合金からなるアモルファス磁性合金膜、例えばＴｂ
Ｆｅ％ＧｄＣｏ。
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。従来
、これら光磁気記録媒体としては遷移金属と希土類金属
との合金からなるアモルファス磁性合金膜、例えばＴｂ
Ｆｅ％ＧｄＣｏ。
ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ等が盛んに研究されてい
る。これらアモルファス磁性合金膜は垂直磁気異方性を
示し、高密度記録が可能であり、保磁力Ｈｃが高く、し
かもキュリ一温度Ｔｃは低く光磁気メモリ材料には適し
ているものの、磁気光学効果が小さく、従ってＣ／Ｎ比
が満足できるものではなく、安定性も良くない等の問題
点を有するものであった。
る。これらアモルファス磁性合金膜は垂直磁気異方性を
示し、高密度記録が可能であり、保磁力Ｈｃが高く、し
かもキュリ一温度Ｔｃは低く光磁気メモリ材料には適し
ているものの、磁気光学効果が小さく、従ってＣ／Ｎ比
が満足できるものではなく、安定性も良くない等の問題
点を有するものであった。
本発明は上記の如き問題点を改善し、保磁力Ｈｅが高く
、記録再生特性が良く、メモリ安定性の良い光磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。
、記録再生特性が良く、メモリ安定性の良い光磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。
本発明の光磁気記録媒体は希土類金属ＲＥ（但し、ＲＥ
はＳｍ、 Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈａのう
ちから選ばれる少なくとも１種）と、遷移金属ＴＭ（但
し、ＴＭはＦａ、 Ｇｏ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕのう
ちから選ばれる少なくとも１種）とを磁性膜材料として
使用するものではあるが、これら希土類金属ＲＥと遷移
金属ＴＭとを合金化した薄膜としてではなく、単独にし
かも交互に所定厚さの薄膜として複数層積層して磁性膜
とするものである。
はＳｍ、 Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈａのう
ちから選ばれる少なくとも１種）と、遷移金属ＴＭ（但
し、ＴＭはＦａ、 Ｇｏ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕのう
ちから選ばれる少なくとも１種）とを磁性膜材料として
使用するものではあるが、これら希土類金属ＲＥと遷移
金属ＴＭとを合金化した薄膜としてではなく、単独にし
かも交互に所定厚さの薄膜として複数層積層して磁性膜
とするものである。
以下に本発明を添付図面を参照して説明する。
第１図において、基板１上には厚さ１〜３０人の超薄膜
の希土類金属ＲＥ２と厚さ１〜３０人の超薄膜の遷移金
属ＴＭ３とが交互に複数層積層された磁性膜（以下、Ａ
膜４とｂζう）、さらにその上に厚さ３０〜１００人の
超薄膜の希土類金属ＲＥ５と厚さ３０〜１００人の超薄
膜の遷移金属ＴＭ６とが交互に複数層積層された磁性膜
（以下、Ｂ膜７という）が形成されている。
の希土類金属ＲＥ２と厚さ１〜３０人の超薄膜の遷移金
属ＴＭ３とが交互に複数層積層された磁性膜（以下、Ａ
膜４とｂζう）、さらにその上に厚さ３０〜１００人の
超薄膜の希土類金属ＲＥ５と厚さ３０〜１００人の超薄
膜の遷移金属ＴＭ６とが交互に複数層積層された磁性膜
（以下、Ｂ膜７という）が形成されている。
Ａｖ４４を構成する希土類金属ＲＥ２および遷移金属Ｔ
Ｍ３はそれぞれ１〜３０人の超薄膜とすることが必要で
ある。１人より薄いとアモルファス膜と同様な磁気特性
を示し、逆に３０人より厚くなると垂直磁気異方性を示
さなくなる。そして、Ａ膜の厚さは１００〜５ｏｏｏ人
の範囲とすることが望ましい。このＡ膜の厚さが１００
人より薄いと膜の経時的な酸化劣化が生じやすくなり、
逆に５０００人より厚いと製造上、材料費が高くつく、
作製時間が長くかかる等の問題点が生じる。
Ｍ３はそれぞれ１〜３０人の超薄膜とすることが必要で
ある。１人より薄いとアモルファス膜と同様な磁気特性
を示し、逆に３０人より厚くなると垂直磁気異方性を示
さなくなる。そして、Ａ膜の厚さは１００〜５ｏｏｏ人
の範囲とすることが望ましい。このＡ膜の厚さが１００
人より薄いと膜の経時的な酸化劣化が生じやすくなり、
逆に５０００人より厚いと製造上、材料費が高くつく、
作製時間が長くかかる等の問題点が生じる。
また、Ｂ膜７を構成する希土類金属ＲＥ５および遷移金
属ＴＭ６はそれぞれ３０〜１００人の超薄膜とすること
が必要である。３０人より薄いと垂直磁気異方性を示し
、面内磁気異方性を示さなくなり、逆に１００人より厚
くなると磁気特性的に飽和して変化しない、そして、Ｂ
膜７の厚さは１００〜５０００人の範囲とすることが望
ましい。
属ＴＭ６はそれぞれ３０〜１００人の超薄膜とすること
が必要である。３０人より薄いと垂直磁気異方性を示し
、面内磁気異方性を示さなくなり、逆に１００人より厚
くなると磁気特性的に飽和して変化しない、そして、Ｂ
膜７の厚さは１００〜５０００人の範囲とすることが望
ましい。
このＢ膜７の厚さが１００人より薄いと膜の経時的な酸
化劣化が生じやすくなり、逆に５０００人より厚いと製
造上、材料費が高くつく、作製時間が長くかかる等の問
題点が生じる。
化劣化が生じやすくなり、逆に５０００人より厚いと製
造上、材料費が高くつく、作製時間が長くかかる等の問
題点が生じる。
本発明において好適に使用できる基板としてはガラス、
石英、プラスチック、セラミック等である。そして、こ
のような基板上に製膜する磁性膜はスパッタリング法、
蒸着法、イオンブレーティング法等で作製できる。
石英、プラスチック、セラミック等である。そして、こ
のような基板上に製膜する磁性膜はスパッタリング法、
蒸着法、イオンブレーティング法等で作製できる。
なお１本発明では基板１上にＡ膜４およびＢ膜７を積層
して構成されるものであるが、基板１とＡ膜４との間に
５００Å以下のＢ膜を設けても良く、あるいは膜の安定
性を良くするためにＢ膜の上および基板とＡ［［ｌとの
間にＳｉＮ、 ＳｉＯ、ムＱＮ等の保護膜を設けてもよ
い、さらに、反射構造にするために、Ｂ膜の上に断熱膜
（ＳｉＮ、 ＳｉＯ等）、反射膜（Ａｕ、 Ａｇ、 Ａ
Ｑ 、Ｃｕ、Ｃｒ等）を設けることも任意にできる。
して構成されるものであるが、基板１とＡ膜４との間に
５００Å以下のＢ膜を設けても良く、あるいは膜の安定
性を良くするためにＢ膜の上および基板とＡ［［ｌとの
間にＳｉＮ、 ＳｉＯ、ムＱＮ等の保護膜を設けてもよ
い、さらに、反射構造にするために、Ｂ膜の上に断熱膜
（ＳｉＮ、 ＳｉＯ等）、反射膜（Ａｕ、 Ａｇ、 Ａ
Ｑ 、Ｃｕ、Ｃｒ等）を設けることも任意にできる。
次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造例について説
明する。
明する。
製造に際しては２元マグネトロンスパッタリング装置を
用いた。この装置はターゲット電極が２つあり、それぞ
れにＲＦ電源が設けられており、同時に２つのターゲッ
トをスパッタリングできるようになっている。今回は１
つのターゲット電極の上に希土類金属ＲＥツタ−ットを
設け、もう１つのターゲット電極の上に遷移金属ＴＭケ
タ−ットを設けて同時にスパッタリングを行ない、ター
ゲット上部にある基板を回転させて、ＲＥ層とＴＭ層と
が交互に積層できるようにした。
用いた。この装置はターゲット電極が２つあり、それぞ
れにＲＦ電源が設けられており、同時に２つのターゲッ
トをスパッタリングできるようになっている。今回は１
つのターゲット電極の上に希土類金属ＲＥツタ−ットを
設け、もう１つのターゲット電極の上に遷移金属ＴＭケ
タ−ットを設けて同時にスパッタリングを行ない、ター
ゲット上部にある基板を回転させて、ＲＥ層とＴＭ層と
が交互に積層できるようにした。
Ａ膜およびＢ膜の作製条件は次のようにした。
（Ａ膜の作製）
残留ガス圧 ： １．０Ｘ１０−”ＴｏｒｒＡｒガス
圧 ： ５．０Ｘ１０−３Ｔｏｒｒターゲツト材
： Ｆｅ＠ｍ＠＠Ｃ０ｏａＬＧ＊Ｔｂ放電電力 ：
８００Ｗ（Ｆａｏ、、、Ｃｏ、、１．）。
圧 ： ５．０Ｘ１０−３Ｔｏｒｒターゲツト材
： Ｆｅ＠ｍ＠＠Ｃ０ｏａＬＧ＊Ｔｂ放電電力 ：
８００Ｗ（Ｆａｏ、、、Ｃｏ、、１．）。
２００Ｗ （Ｔｂ）
スパッタ時間 ： １０ｍ１ｎ（膜厚２５００人）基板
回転数 ： １８ｒｐｍ 基板 ニスライドガラス （Ｂ膜の作製） スパッタ時間 ：５ｍ１ｎ（膜厚１２００人）基板回転
数 ：３ｒｐｍ 他はＡ膜の作製条件と同じ 膜は同一スパッタ室内でＡ膜を作製したあとすぐに基板
回転数を変えて連続的にＢ膜を作製した。Ａ膜の場合、
Ｔｂの１層の厚みは６人、Ｆｅ。、□Ｇｏ、ｅ、ｓの１
層の厚みは８人であり、Ｂ膜の場合、Ｔｂの１層の厚み
は３６人ｔ Ｆａ、 ａｓｓ Ｃｏ、 ＠ｉＧの１層の
厚みは４８人である。
回転数 ： １８ｒｐｍ 基板 ニスライドガラス （Ｂ膜の作製） スパッタ時間 ：５ｍ１ｎ（膜厚１２００人）基板回転
数 ：３ｒｐｍ 他はＡ膜の作製条件と同じ 膜は同一スパッタ室内でＡ膜を作製したあとすぐに基板
回転数を変えて連続的にＢ膜を作製した。Ａ膜の場合、
Ｔｂの１層の厚みは６人、Ｆｅ。、□Ｇｏ、ｅ、ｓの１
層の厚みは８人であり、Ｂ膜の場合、Ｔｂの１層の厚み
は３６人ｔ Ｆａ、 ａｓｓ Ｃｏ、 ＠ｉＧの１層の
厚みは４８人である。
製膜されたＡ膜およびＢ膜の磁気特性を調べたところ、
それぞれ第２図および第３図のようになり、Ａ膜は非常
に角形性がよく、Ｈｅの大きい垂直磁化膜であり、一方
Ｂ膜はＨａの小さい面内磁化膜であることがわかる。こ
れらから本発明による光磁気記録媒体の構成を図示する
と第４図のようになり、垂直磁化膜に基板側からレーザ
光を照射して光磁気記録した磁気モーメントのパターン
は面内磁化膜があるために馬蹄形のループを作り、非常
に安定にメモリが保存されることがわかる。
それぞれ第２図および第３図のようになり、Ａ膜は非常
に角形性がよく、Ｈｅの大きい垂直磁化膜であり、一方
Ｂ膜はＨａの小さい面内磁化膜であることがわかる。こ
れらから本発明による光磁気記録媒体の構成を図示する
と第４図のようになり、垂直磁化膜に基板側からレーザ
光を照射して光磁気記録した磁気モーメントのパターン
は面内磁化膜があるために馬蹄形のループを作り、非常
に安定にメモリが保存されることがわかる。
以上のような本発明によれば、記録再生特性に優れ、し
かもメモリ安定性の良い光磁気記録媒体が得られるとい
う効果を有する。
かもメモリ安定性の良い光磁気記録媒体が得られるとい
う効果を有する。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の部分断面を示す
概略説明図である。 第２図はＡ膜の磁気ヒステリシス曲線図である。 第３＠はＢ膜の磁気ヒステリシス曲線図である。 第４図は本発明の記録媒体における磁気モーメントパタ
ーンを示す説明図である。 １・・・基 板 ２，５・・・希土類金属ＲＥ３
．６・・・遷移金属ＴＭ
概略説明図である。 第２図はＡ膜の磁気ヒステリシス曲線図である。 第３＠はＢ膜の磁気ヒステリシス曲線図である。 第４図は本発明の記録媒体における磁気モーメントパタ
ーンを示す説明図である。 １・・・基 板 ２，５・・・希土類金属ＲＥ３
．６・・・遷移金属ＴＭ
Claims (1)
- １、支持体上に磁性膜を有する光磁気記録媒体において
、磁性膜が、希土類金属ＲＥ（但し、ＲＥはＳｍ、Ｅｕ
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのうちから選ばれる少なくと
も１種）からなる１〜３０Åの超薄膜と遷移金属ＴＭ（
但し、ＴＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕのうちから
選ばれる少なくとも１種）からなる１〜３０Åの超薄膜
とが交互に複数層積層された磁性膜および希土類金属Ｒ
Ｅからなる３０〜１００Åの超薄膜と遷移金属ＴＭから
なる３０〜１００Åの超薄膜とが交互に複数層積層され
た磁性膜を積層したものであることを特徴とする光磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10705187A JPS63273236A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10705187A JPS63273236A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273236A true JPS63273236A (ja) | 1988-11-10 |
Family
ID=14449261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10705187A Pending JPS63273236A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63273236A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262741A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0369815A2 (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-23 | Research Development Corporation of Japan | A magneto-optical recording medium and the recording method therefor |
| US5536589A (en) * | 1991-02-08 | 1996-07-16 | Ricoh Company Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| US5547751A (en) * | 1992-04-10 | 1996-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP10705187A patent/JPS63273236A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262741A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0369815A2 (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-23 | Research Development Corporation of Japan | A magneto-optical recording medium and the recording method therefor |
| US5536589A (en) * | 1991-02-08 | 1996-07-16 | Ricoh Company Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| US5547751A (en) * | 1992-04-10 | 1996-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
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