JP2707560B2 - 人工格子光磁気記録媒体 - Google Patents
人工格子光磁気記録媒体Info
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば書き換え可能な光磁気ディスク等に
適用する垂直磁化膜を有する人工格子光磁気記録媒体に
関わる。 〔発明の概要〕 本発明は、希土類元素を主体とする薄膜層と、遷移金
属を主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、その
各薄膜層の組成と膜厚関係の特定によってカー（Kerr）
ヒステリシスループの角型の良い垂直磁化膜による人工
格子光磁気記録媒体を構成する。 〔従来の技術〕 近年、光磁気記録媒体の開発が急関に活発化してい
る。この光磁気記録媒体の実用的な特性が得られる媒体
としては、アモルファス希土類−遷移金属合金薄膜によ
るものが注目されている。この種の光磁気記録媒体は、
一般には、その希土類−遷移金属合金のターゲット、或
いは希土類金属と遷移金属との複合ターゲットによるス
パッタリングによってアモルファス希土類−遷移金属合
金による垂直磁化膜を形成するという構成がとられる。
ところが、このような構成による光磁気記録媒体は、磁
束−磁界ヒステリシスループ、カーヒステリシスループ
等の角型が悪く、大きなカー回転角θＫや、高い保磁力
Hcが得難い。また、実用に供し得る程度の保磁力Hcを得
るには、その膜組成を、例えば室温程度を補償温度とす
るように選定する組成の極く近傍に選定することが必要
であり、実用組成範囲が極めて狭隘であった。 一方、例えば特開昭62−26659号公報に開示された光
磁気記録媒体では、超極薄の希土類金属薄膜と遷移金属
薄膜の積層構造を採って高い保磁力を有する光磁気記録
媒体を提供している。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、希土類金属を主体とする薄膜層と遷移金属
を主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、より高
い保磁力Hcを得ることができる。また、カーヒステリシ
スループの立上り、立ち下りの直線性にすぐれ、角型に
すぐれ磁気光学特性にすぐれた垂直磁化膜による人工格
子光磁気記録媒体を提供することができ、更にまた、垂
直磁化膜全体としての組成、つまり見掛上の組成の実用
範囲の狭隘の問題点の解決をはかる。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、基体上に、薄膜層Ａと薄膜層Ｂとが交互に
積層された周期構造を有する膜面と垂直方向に磁化容易
軸を有する垂直磁化膜を形成する。 薄膜層Ａ及びＢの各組成は、R,S,T,M,Nで各元素群を
表わし、これら各元素群R,S,T,M,Nの成分比（原子％）
をそれぞれx,y,z,xII,yIIとして表わすとき、 薄膜層Ｂは、Ｂ＝Rx・Sy・Tz, 薄膜層Ａは、Ａ＝MxII・NyII なる一般式を有する組成とする。そして、ここに x,y,z,xII,yIIは、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝100, 50ｘ100, ０ｙ50, ０ｚ20, 60xII100, ０yII40, とする。 更に、各元素群R,S,T,M,Nは、元素群Ｒが、Gd,Tb,Dy,
Hoのうちの少くとも１種以上の元素であり、元素群Ｓ
が、上記元素群Ｒ以外のScとＹとを含む希土類元素のう
ちの少くとも１種以上の元素であり、元素ＴがZrあり、
元素群Ｍが、Fe,Co,Niのうちの少くとも１種以上の元素
であり、元素群Ｎが、Nd,Crのうちの少くとも１種以上
の元素とされる。 そして、薄膜層Ａ及びＢの各膜厚を、それぞれａ
（Å）及びｂ（Å）とし、各膜厚の関係を第１図に示す
ように、ａ−ｂ直交座標系において（a,b）で表わすと
き、両膜厚ａ及びｂの関係が、点（イ）における（2,
6）から順に点（ロ）の（11,30），点（ハ）の（16,6
0），点（ニ）の（30,60），点（ホ）の（26,30），点
（ヘ）の（18,6），更に上記点（イ）（2,6）の各座標
点を結ぶ第１図に斜線をもって示す範囲内、更に好まし
くは、第１図における点（ト）の（3.5,6）と、点
（ロ）の（11,30）と、点（チ）の（16,6）と、点
（リ）の（3.5,6）とを結ぶ範囲内とする。 〔作用〕 上述した薄膜層Ａと、薄膜層Ｂとの点（イ）〜（ヘ）
によって囲まれた範囲の周期積層構造の人工格子構造に
よる垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体によれば、その
光磁気記録層、すなわち垂直磁化膜における磁気補償温
度Tcompを室温程度に選定することのできる全体として
の平均組成すなわち見掛け上の組成範囲が広がることが
確認され、また磁気光学的諸特性例えばカーヒステリシ
スカーブの角型比の向上、保磁力Hcの向上等がはかられ
る。 〔実施例〕 本発明による薄膜層Ａと薄膜層Ｂとが交互に積層され
た周期構造の人工格子光磁気記録膜の作製は、マグネト
ロンスパッター装置を用い得る。 このスパッタリング装置は、例えば第２図に示すよう
に、ベルジャ（図示せず）内に、軸心０−０′を中心と
して回転する基台（１）を設け、これの例えば下面に目
的とする光磁気記録媒体を構成する平滑ガラス基板より
成る基体（２）が配置される。そして、この基体（２）
に対向して軸心０−０′を中心に等角間隔、すなわち18
0゜の角間隔を保持して２個のスパッタ源（３）及び
（４）を配置する。これらスパッタ源（３）及び（４）
と基台（１）、すなわち基体（２）との間には、スパッ
タ源（３）及び（４）より夫々スパッタされる金属のス
パッタ位置を規制するマスク（５）を配置する。スパッ
タ源（３）及び（４）は、それぞれ前述した薄膜Ａ及び
Ｂの各組成金属ターゲット（６）及び（７）を有して成
る。これらターゲット（６）または（及び）（７）は、
対応する薄膜Ａまたは（及び）Ｂが、複合（合金）であ
る場合は、この組成に応じた合金ターゲットとすること
もできるし、例えば単一若しくは合金体上に他の単一ま
たは合金ペレットを載せて全体として所要の組成を有す
るようになし得る。（８）及び（９）はマグネットを示
す。 そして基台（１）を回転させながらターゲット（６）
及び（７）を負極側としてマスク（５）の窓（5a）及び
（5b）を通して基体（２）上に、これらの直流スパッタ
リングを行う。 このようにして基台（１）を回転させながら全体とし
て200〜10,000Åの厚さ、例えば5000Åの厚さの垂直磁
化膜を基体（２）上に形成して目的とする光磁気記録媒
体を作製する。このスパッタリングは次の条件下で行
う。 残留ガス圧 1.0×10-6torr Arガス圧 5×10-3torr 放電電力 ターゲット（６） 100W〜200W ターゲット（７） 200W〜800W 実施例１ 上述したスパッタリング方法によって、平滑ガラス板
より成る基体（２）上に垂直磁化膜、すなわち光磁気記
録膜を形成した。この場合、ターゲット（６）として薄
膜層Ａを構成するFe90Co10を用い、ターゲット（７）と
して薄膜層Ｂを構成するTbを用いた。また基体（２）上
における各薄膜層Ａの厚さは10Å、各薄膜層Ｂの厚さは
７Åとし、全体の厚さが約5000Åとなるように両薄膜層
Ａ及びＢを繰返し積層した。このようにして得た垂直磁
化膜全体としての平均組成は、Tb20.6（Fe90Co10）79.4
である。 比較例１ 実施例１と同様の方法によるものの、ターゲットとし
て、実施例１の磁性膜の平均組成とほぼ同組成のTbFeCo
合金の単一ターゲットを用いてガラス基板（２）上に光
磁気記録膜をスパッタリングによって形成した。 上述した実施例１及び比較例１によって得た各記録膜
の磁界Ｈに対するカー回転角θＫのヒステリシスループ
曲線の測定結果を第３図Ａ及びＢに示す。両曲線を比較
して明らかなように、実施例１のものは、比較例１のも
のに比してカーヒステリシスループの角型にすぐれてい
る。また、実施例１の場合保磁力Hc＝4.7kOe,カー回転
角θＫ＝0.42゜であり、同組成の比較例１の均一合金膜
のHc＝3.6kOe,θＫ＝0.36゜に比し大きな改善がみられ
た。 実施例２ 実施例１と同様の方法によるものの、第２図で説明し
たスパッタリング装置を用いて、その一方のターゲット
としてFeを用い、他方のターゲットとしてTbを用いて、
Feより成る薄膜層Ａと、Tbより成る薄膜層Ｂの繰返し積
層による光磁気記録膜を、ガラス基体（２）上に形成し
た。この場合において各薄膜層Ａ及びＢの各厚さを変更
して各試料を作製した。これら各試料の各薄膜層Ａ及び
Ｂの各厚さの関係を第４図に○印でプロットして示し
た。これら試料の光磁気特性の測定の結果、実線（太
線）曲線ａ上とその近傍の厚さ関係で、室温で、膜全体
として見掛上磁気補償温度領域となること、更にこれよ
りTb薄膜層Ｂの厚さを増加してTbの実質量を増していく
と、破線曲線ｂの近傍でこれより下側では室温で、保磁
力Hcが発散する領域からいわばFeリッチ（rich）側的特
性を示す垂直異方性を示す光磁気記録膜を作製できるこ
とが分かった。すなわち、前述の第１図に示したよう
に、第４図において、曲線ａおよびｂの近傍に相当する
各点イ，ロ，ハと、更にその下方のFeリッチの領域に相
当する点ニ，ホ，ヘにおいて、すなわちこれら各点イ−
ロ−ハ−ニ−ホ−ヘ−イによって囲まれた範囲で、つま
り、膜全体の平均組成において、従前の均一合金膜組成
では、得られない組成範囲で光磁気特性を示す垂直磁化
膜が得られる。 実施例３ 実施例１と同様の方法によるものの、薄膜層ＡをFeCo
15の厚さ10.2Åとし、薄膜層ＢをTbの厚さ8.2Åとし
た。尚、この場合の積層周期Ｐは、Ｐ＝18.2Åとし、垂
直磁化膜の全体としての平均組成は、Tb23（Fe85Co15）
77となる。 従来例１ 実施例１と同様の方法によるも薄膜層Ａを実施例３と
同様にFeCo15の厚さ10.2Åとするも、薄膜層Ｂを５〜10
Åの厚さとして前記特開昭62−26659号公報に開示の技
術思想に基く構成とした。この場合の積層周期Ｐは、Ｐ
＝15.8Åとした。この垂直磁化膜の全体的平均組成はTb
17（Fe85Co15）83となる。 これら実施例３及び従来例１による各垂直磁化膜のカ
ーヒステリシスループ特性は、それぞれ第５図Ａ及びＢ
に示すように測定された。これらを比較して明らかなよ
うに、本発明による実施例３は、従来例１に比し保磁力
Hcの向上がみられ、またその立上り、立下りの直線性に
すぐれていることがわかる。すなわち、実施例３のもの
においてはHc＝5.8kOeであり、従来例１のものについて
はHc＝2.8kOeであった。 実施例４ 実施例３と同様のFeCo薄膜層とTb薄膜層Ｂの繰返し積
層構造とするものの、両薄膜層Ａ及びＢの各膜厚を14.0
Å及び16.2Åとして周期ＰをＰ＝30.2Åとした。その平
均組成をTb29（Fe85Co15）71であった。 従来例２ 実施例４と同様の平均組成とするものの、薄膜層Ａの
厚さを4.2Å、薄膜層Ｂの厚さを4.6Åとして周期Ｐ＝8.
8Åとして、前記特開昭62−26659号公報に開示の技術思
想に基く構成とした。 実施例４の場合、Hc＝7.5kOeとなり、従来例２の場
合、Hc＝2.5kOeであった。そして、これら実施例４及び
従来例２の各ヒステリシス特性を第６図Ａ及びＢに示
す。これより明らかなように、本発明による実施例４は
すぐれた角型を示す。 実施例５ 実施例１と同様の方法によるものの、ターゲット
（６）としてFe90Co10を用い、ターゲット（７）として
Nd17Dy83を用いてFe90Co10の薄膜層Ａと、Nd17Dy83の薄
膜層Ｂの繰返し積層による垂直磁化膜を形成する。この
場合、薄膜層ＡとＢの各厚さtA及びtBは、tB/tA＝20Å/
13Åとした。 この実施例５による垂直磁化膜のカーループ特性を第
７図に示す。この場合においてもすぐれた角型比を有す
ることが分る。 また、実施例５と同様の方法により、薄膜層Ａ及びＢ
の各組成を変え、各厚さを変化させた表１に示す構成に
よる垂直磁化膜もまた第７図の特性と殆んど同様の特性
を示した。 尚、上述した各例においては、積層構造の磁性膜中の
薄膜層Ａ同士,B同士が、それぞれ同一組成のものを用い
た場合について説明したが、各薄膜層Ａ及び,Bが、交互
に配された構成を採るものの、各薄膜層Ａ及びＢの双方
または一方が前述した各薄膜層Ａ及びＢの条件を満す組
成の２種以上の複数種の組成の薄膜より成り、この複数
種の薄膜の単一層又は積層によって各薄膜層Ａ及びＢと
することができる。すなわち、基本的には薄膜層Ａ及び
Ｂの繰返し構成とするが、例えば薄膜層Ａを２種の薄膜
A1及びA2とし、A1A2−Ｂ−A1A2−Ｂ・・・とするとかA1
−Ｂ−A2−Ｂ−A1・・・とするなどの構成を採り得る。 〔発明の効果〕 上述したように本発明によれば、高いカー回転角
θＫ、高保磁力Hc、カーヒステリシスループの角型にす
ぐれた光磁気記録媒体を見掛上の組成を広範な組成から
選定することができることから、例えば使用態様、使用
条件に適合した最適な機械的、磁気的等の各種特性を有
する光磁気記録媒体の作製が可能となり、実用上大きな
利益をもたらす。
適用する垂直磁化膜を有する人工格子光磁気記録媒体に
関わる。 〔発明の概要〕 本発明は、希土類元素を主体とする薄膜層と、遷移金
属を主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、その
各薄膜層の組成と膜厚関係の特定によってカー（Kerr）
ヒステリシスループの角型の良い垂直磁化膜による人工
格子光磁気記録媒体を構成する。 〔従来の技術〕 近年、光磁気記録媒体の開発が急関に活発化してい
る。この光磁気記録媒体の実用的な特性が得られる媒体
としては、アモルファス希土類−遷移金属合金薄膜によ
るものが注目されている。この種の光磁気記録媒体は、
一般には、その希土類−遷移金属合金のターゲット、或
いは希土類金属と遷移金属との複合ターゲットによるス
パッタリングによってアモルファス希土類−遷移金属合
金による垂直磁化膜を形成するという構成がとられる。
ところが、このような構成による光磁気記録媒体は、磁
束−磁界ヒステリシスループ、カーヒステリシスループ
等の角型が悪く、大きなカー回転角θＫや、高い保磁力
Hcが得難い。また、実用に供し得る程度の保磁力Hcを得
るには、その膜組成を、例えば室温程度を補償温度とす
るように選定する組成の極く近傍に選定することが必要
であり、実用組成範囲が極めて狭隘であった。 一方、例えば特開昭62−26659号公報に開示された光
磁気記録媒体では、超極薄の希土類金属薄膜と遷移金属
薄膜の積層構造を採って高い保磁力を有する光磁気記録
媒体を提供している。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、希土類金属を主体とする薄膜層と遷移金属
を主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、より高
い保磁力Hcを得ることができる。また、カーヒステリシ
スループの立上り、立ち下りの直線性にすぐれ、角型に
すぐれ磁気光学特性にすぐれた垂直磁化膜による人工格
子光磁気記録媒体を提供することができ、更にまた、垂
直磁化膜全体としての組成、つまり見掛上の組成の実用
範囲の狭隘の問題点の解決をはかる。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、基体上に、薄膜層Ａと薄膜層Ｂとが交互に
積層された周期構造を有する膜面と垂直方向に磁化容易
軸を有する垂直磁化膜を形成する。 薄膜層Ａ及びＢの各組成は、R,S,T,M,Nで各元素群を
表わし、これら各元素群R,S,T,M,Nの成分比（原子％）
をそれぞれx,y,z,xII,yIIとして表わすとき、 薄膜層Ｂは、Ｂ＝Rx・Sy・Tz, 薄膜層Ａは、Ａ＝MxII・NyII なる一般式を有する組成とする。そして、ここに x,y,z,xII,yIIは、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝100, 50ｘ100, ０ｙ50, ０ｚ20, 60xII100, ０yII40, とする。 更に、各元素群R,S,T,M,Nは、元素群Ｒが、Gd,Tb,Dy,
Hoのうちの少くとも１種以上の元素であり、元素群Ｓ
が、上記元素群Ｒ以外のScとＹとを含む希土類元素のう
ちの少くとも１種以上の元素であり、元素ＴがZrあり、
元素群Ｍが、Fe,Co,Niのうちの少くとも１種以上の元素
であり、元素群Ｎが、Nd,Crのうちの少くとも１種以上
の元素とされる。 そして、薄膜層Ａ及びＢの各膜厚を、それぞれａ
（Å）及びｂ（Å）とし、各膜厚の関係を第１図に示す
ように、ａ−ｂ直交座標系において（a,b）で表わすと
き、両膜厚ａ及びｂの関係が、点（イ）における（2,
6）から順に点（ロ）の（11,30），点（ハ）の（16,6
0），点（ニ）の（30,60），点（ホ）の（26,30），点
（ヘ）の（18,6），更に上記点（イ）（2,6）の各座標
点を結ぶ第１図に斜線をもって示す範囲内、更に好まし
くは、第１図における点（ト）の（3.5,6）と、点
（ロ）の（11,30）と、点（チ）の（16,6）と、点
（リ）の（3.5,6）とを結ぶ範囲内とする。 〔作用〕 上述した薄膜層Ａと、薄膜層Ｂとの点（イ）〜（ヘ）
によって囲まれた範囲の周期積層構造の人工格子構造に
よる垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体によれば、その
光磁気記録層、すなわち垂直磁化膜における磁気補償温
度Tcompを室温程度に選定することのできる全体として
の平均組成すなわち見掛け上の組成範囲が広がることが
確認され、また磁気光学的諸特性例えばカーヒステリシ
スカーブの角型比の向上、保磁力Hcの向上等がはかられ
る。 〔実施例〕 本発明による薄膜層Ａと薄膜層Ｂとが交互に積層され
た周期構造の人工格子光磁気記録膜の作製は、マグネト
ロンスパッター装置を用い得る。 このスパッタリング装置は、例えば第２図に示すよう
に、ベルジャ（図示せず）内に、軸心０−０′を中心と
して回転する基台（１）を設け、これの例えば下面に目
的とする光磁気記録媒体を構成する平滑ガラス基板より
成る基体（２）が配置される。そして、この基体（２）
に対向して軸心０−０′を中心に等角間隔、すなわち18
0゜の角間隔を保持して２個のスパッタ源（３）及び
（４）を配置する。これらスパッタ源（３）及び（４）
と基台（１）、すなわち基体（２）との間には、スパッ
タ源（３）及び（４）より夫々スパッタされる金属のス
パッタ位置を規制するマスク（５）を配置する。スパッ
タ源（３）及び（４）は、それぞれ前述した薄膜Ａ及び
Ｂの各組成金属ターゲット（６）及び（７）を有して成
る。これらターゲット（６）または（及び）（７）は、
対応する薄膜Ａまたは（及び）Ｂが、複合（合金）であ
る場合は、この組成に応じた合金ターゲットとすること
もできるし、例えば単一若しくは合金体上に他の単一ま
たは合金ペレットを載せて全体として所要の組成を有す
るようになし得る。（８）及び（９）はマグネットを示
す。 そして基台（１）を回転させながらターゲット（６）
及び（７）を負極側としてマスク（５）の窓（5a）及び
（5b）を通して基体（２）上に、これらの直流スパッタ
リングを行う。 このようにして基台（１）を回転させながら全体とし
て200〜10,000Åの厚さ、例えば5000Åの厚さの垂直磁
化膜を基体（２）上に形成して目的とする光磁気記録媒
体を作製する。このスパッタリングは次の条件下で行
う。 残留ガス圧 1.0×10-6torr Arガス圧 5×10-3torr 放電電力 ターゲット（６） 100W〜200W ターゲット（７） 200W〜800W 実施例１ 上述したスパッタリング方法によって、平滑ガラス板
より成る基体（２）上に垂直磁化膜、すなわち光磁気記
録膜を形成した。この場合、ターゲット（６）として薄
膜層Ａを構成するFe90Co10を用い、ターゲット（７）と
して薄膜層Ｂを構成するTbを用いた。また基体（２）上
における各薄膜層Ａの厚さは10Å、各薄膜層Ｂの厚さは
７Åとし、全体の厚さが約5000Åとなるように両薄膜層
Ａ及びＢを繰返し積層した。このようにして得た垂直磁
化膜全体としての平均組成は、Tb20.6（Fe90Co10）79.4
である。 比較例１ 実施例１と同様の方法によるものの、ターゲットとし
て、実施例１の磁性膜の平均組成とほぼ同組成のTbFeCo
合金の単一ターゲットを用いてガラス基板（２）上に光
磁気記録膜をスパッタリングによって形成した。 上述した実施例１及び比較例１によって得た各記録膜
の磁界Ｈに対するカー回転角θＫのヒステリシスループ
曲線の測定結果を第３図Ａ及びＢに示す。両曲線を比較
して明らかなように、実施例１のものは、比較例１のも
のに比してカーヒステリシスループの角型にすぐれてい
る。また、実施例１の場合保磁力Hc＝4.7kOe,カー回転
角θＫ＝0.42゜であり、同組成の比較例１の均一合金膜
のHc＝3.6kOe,θＫ＝0.36゜に比し大きな改善がみられ
た。 実施例２ 実施例１と同様の方法によるものの、第２図で説明し
たスパッタリング装置を用いて、その一方のターゲット
としてFeを用い、他方のターゲットとしてTbを用いて、
Feより成る薄膜層Ａと、Tbより成る薄膜層Ｂの繰返し積
層による光磁気記録膜を、ガラス基体（２）上に形成し
た。この場合において各薄膜層Ａ及びＢの各厚さを変更
して各試料を作製した。これら各試料の各薄膜層Ａ及び
Ｂの各厚さの関係を第４図に○印でプロットして示し
た。これら試料の光磁気特性の測定の結果、実線（太
線）曲線ａ上とその近傍の厚さ関係で、室温で、膜全体
として見掛上磁気補償温度領域となること、更にこれよ
りTb薄膜層Ｂの厚さを増加してTbの実質量を増していく
と、破線曲線ｂの近傍でこれより下側では室温で、保磁
力Hcが発散する領域からいわばFeリッチ（rich）側的特
性を示す垂直異方性を示す光磁気記録膜を作製できるこ
とが分かった。すなわち、前述の第１図に示したよう
に、第４図において、曲線ａおよびｂの近傍に相当する
各点イ，ロ，ハと、更にその下方のFeリッチの領域に相
当する点ニ，ホ，ヘにおいて、すなわちこれら各点イ−
ロ−ハ−ニ−ホ−ヘ−イによって囲まれた範囲で、つま
り、膜全体の平均組成において、従前の均一合金膜組成
では、得られない組成範囲で光磁気特性を示す垂直磁化
膜が得られる。 実施例３ 実施例１と同様の方法によるものの、薄膜層ＡをFeCo
15の厚さ10.2Åとし、薄膜層ＢをTbの厚さ8.2Åとし
た。尚、この場合の積層周期Ｐは、Ｐ＝18.2Åとし、垂
直磁化膜の全体としての平均組成は、Tb23（Fe85Co15）
77となる。 従来例１ 実施例１と同様の方法によるも薄膜層Ａを実施例３と
同様にFeCo15の厚さ10.2Åとするも、薄膜層Ｂを５〜10
Åの厚さとして前記特開昭62−26659号公報に開示の技
術思想に基く構成とした。この場合の積層周期Ｐは、Ｐ
＝15.8Åとした。この垂直磁化膜の全体的平均組成はTb
17（Fe85Co15）83となる。 これら実施例３及び従来例１による各垂直磁化膜のカ
ーヒステリシスループ特性は、それぞれ第５図Ａ及びＢ
に示すように測定された。これらを比較して明らかなよ
うに、本発明による実施例３は、従来例１に比し保磁力
Hcの向上がみられ、またその立上り、立下りの直線性に
すぐれていることがわかる。すなわち、実施例３のもの
においてはHc＝5.8kOeであり、従来例１のものについて
はHc＝2.8kOeであった。 実施例４ 実施例３と同様のFeCo薄膜層とTb薄膜層Ｂの繰返し積
層構造とするものの、両薄膜層Ａ及びＢの各膜厚を14.0
Å及び16.2Åとして周期ＰをＰ＝30.2Åとした。その平
均組成をTb29（Fe85Co15）71であった。 従来例２ 実施例４と同様の平均組成とするものの、薄膜層Ａの
厚さを4.2Å、薄膜層Ｂの厚さを4.6Åとして周期Ｐ＝8.
8Åとして、前記特開昭62−26659号公報に開示の技術思
想に基く構成とした。 実施例４の場合、Hc＝7.5kOeとなり、従来例２の場
合、Hc＝2.5kOeであった。そして、これら実施例４及び
従来例２の各ヒステリシス特性を第６図Ａ及びＢに示
す。これより明らかなように、本発明による実施例４は
すぐれた角型を示す。 実施例５ 実施例１と同様の方法によるものの、ターゲット
（６）としてFe90Co10を用い、ターゲット（７）として
Nd17Dy83を用いてFe90Co10の薄膜層Ａと、Nd17Dy83の薄
膜層Ｂの繰返し積層による垂直磁化膜を形成する。この
場合、薄膜層ＡとＢの各厚さtA及びtBは、tB/tA＝20Å/
13Åとした。 この実施例５による垂直磁化膜のカーループ特性を第
７図に示す。この場合においてもすぐれた角型比を有す
ることが分る。 また、実施例５と同様の方法により、薄膜層Ａ及びＢ
の各組成を変え、各厚さを変化させた表１に示す構成に
よる垂直磁化膜もまた第７図の特性と殆んど同様の特性
を示した。 尚、上述した各例においては、積層構造の磁性膜中の
薄膜層Ａ同士,B同士が、それぞれ同一組成のものを用い
た場合について説明したが、各薄膜層Ａ及び,Bが、交互
に配された構成を採るものの、各薄膜層Ａ及びＢの双方
または一方が前述した各薄膜層Ａ及びＢの条件を満す組
成の２種以上の複数種の組成の薄膜より成り、この複数
種の薄膜の単一層又は積層によって各薄膜層Ａ及びＢと
することができる。すなわち、基本的には薄膜層Ａ及び
Ｂの繰返し構成とするが、例えば薄膜層Ａを２種の薄膜
A1及びA2とし、A1A2−Ｂ−A1A2−Ｂ・・・とするとかA1
−Ｂ−A2−Ｂ−A1・・・とするなどの構成を採り得る。 〔発明の効果〕 上述したように本発明によれば、高いカー回転角
θＫ、高保磁力Hc、カーヒステリシスループの角型にす
ぐれた光磁気記録媒体を見掛上の組成を広範な組成から
選定することができることから、例えば使用態様、使用
条件に適合した最適な機械的、磁気的等の各種特性を有
する光磁気記録媒体の作製が可能となり、実用上大きな
利益をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による光磁気記録媒体の薄膜層Ａ及びＢ
の各厚さ範囲を示す図、第２図は本発明による光磁気記
録媒体を作製するに用いられるスパッタリング装置の一
例の構成図、第３図、第５図、第６図の各Ａ及びＢ、第
７図はそれぞれカー回転角−磁界曲線図、第４図はFe薄
膜層ＡとTb薄膜層Ｂの各例の厚さと補償組成を示す図で
ある。 （２）は基体、（６）及び（７）はターゲットである。
の各厚さ範囲を示す図、第２図は本発明による光磁気記
録媒体を作製するに用いられるスパッタリング装置の一
例の構成図、第３図、第５図、第６図の各Ａ及びＢ、第
７図はそれぞれカー回転角−磁界曲線図、第４図はFe薄
膜層ＡとTb薄膜層Ｂの各例の厚さと補償組成を示す図で
ある。 （２）は基体、（６）及び（７）はターゲットである。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．薄膜層Ａと薄膜層Ｂとが交互に積層された周期構造
を有し、 上記薄膜層Ａ及びＢの各組成は、R,S,T,M,Nで各元素群
を表わし、これら各元素群R,S,T,M,Nの成分比（原子
％）をそれぞれx,y,z,xII,yIIとして表わすとき、 薄膜Ｂは、Ｂ＝Rx・Sy・Tz, 薄膜Ａは、Ａ＝MxII,NyII なる一般式を有し、 x,y,z,xII,yIIは、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝100, 50ｘ100, ０ｙ50, ０ｚ20, 60xII100, ０yII40, であって、 上記元素群R,S,T,M,Nは、 元素群Ｒが、Gd,Tb,Dy,Hoのうちの少なくとも１種以上
の元素であり、 元素群Ｓが、上記元素群Ｒ以外の、ScとＹを含む希土類
元素のうちの少なくとも１種以上の元素であり、 元素Ｔが、Zrであり、 元素群Ｍが、Fe,Co,Niのうちの少なくとも１種類以上の
元素であり、 元素群Ｎが、Nd,Crのうちの少なくとも１種以上の元素
であり、 上記薄膜層Ａ及びＢの各膜厚を、それぞれａ（Å）及び
ｂ（Å）とし、各膜厚の関係をａ−ｂ直交座標系におい
て（a,b）で表わすとき、両膜厚の関係が、（2,6）の点
から順に（11,30），（16,60），（30,60），（26,3
0），（18,6），更に上記（2,6）の各座標点を結ぶ範囲
内とされた垂直磁化膜を有して成ることを特徴とする人
工格子光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28572587A JP2707560B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 人工格子光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28572587A JP2707560B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 人工格子光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128242A JPH01128242A (ja) | 1989-05-19 |
| JP2707560B2 true JP2707560B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17695226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28572587A Expired - Fee Related JP2707560B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 人工格子光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707560B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5682571A (en) * | 1995-07-20 | 1997-10-28 | Eastman Kodak Company | Recyclable camera |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP28572587A patent/JP2707560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01128242A (ja) | 1989-05-19 |
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Legal Events
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