JPS63211141A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63211141A JPS63211141A JP4286087A JP4286087A JPS63211141A JP S63211141 A JPS63211141 A JP S63211141A JP 4286087 A JP4286087 A JP 4286087A JP 4286087 A JP4286087 A JP 4286087A JP S63211141 A JPS63211141 A JP S63211141A
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- Japan
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- film
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- magnetization
- magneto
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- Pending
Links
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- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は光磁気記録媒体に関し、特に補償点記録に適し
た光磁気記録媒体に関するものである。
た光磁気記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
光磁気記録用媒体として、鉄族元素（Ｆｅ、Ｃｏなど）
、希土類金属元素（Ｇｄ、Ｔｂなど）からなる非晶質合
金が有望とみられてきた。これは非晶質磁性薄膜が ・補償温度記録や、比較的低いキュリ一点を使った記録
ができるので記録感度が高い ・垂直磁化膜であるので゛高密度記録ができる・多結晶
膜のような結晶粒界がないので媒体ノイズが少なく、比
較的大ぎな磁気光学効果と相まって再生信号のＳＮ比が
高い など、光磁気記録用材料として多くの優れた性質を持っ
ているからである。
、希土類金属元素（Ｇｄ、Ｔｂなど）からなる非晶質合
金が有望とみられてきた。これは非晶質磁性薄膜が ・補償温度記録や、比較的低いキュリ一点を使った記録
ができるので記録感度が高い ・垂直磁化膜であるので゛高密度記録ができる・多結晶
膜のような結晶粒界がないので媒体ノイズが少なく、比
較的大ぎな磁気光学効果と相まって再生信号のＳＮ比が
高い など、光磁気記録用材料として多くの優れた性質を持っ
ているからである。
しかし補償点記録では、使用できる合金組成が室温付近
を補償温度とする、いわゆる補償組成に近い組成の合金
に限られている。例えば、Ｆｅ−Ｔｂ系では使用される
合金はＴｂの組成比が２０〜３０％（原子濃度）の合金
に限られている。
を補償温度とする、いわゆる補償組成に近い組成の合金
に限られている。例えば、Ｆｅ−Ｔｂ系では使用される
合金はＴｂの組成比が２０〜３０％（原子濃度）の合金
に限られている。
さらに、一般に補償点記録に用いる材料はその磁性が膜
を構成する元素の組成比に敏感なのて、均一性能を有す
る媒体を作成することは困難である。
を構成する元素の組成比に敏感なのて、均一性能を有す
る媒体を作成することは困難である。
［発明が解決しようとする問題点］
従来のＦｅ−Ｔｂ非非晶金合金膜補償組成付近では、垂
直磁気異方性定数Ｋｕ、抗磁力１１ｃ、磁化Ｍｏは相互
に関連して、すべてが組成に非常に敏感である。たとえ
ば、ｔｉｃを大きくすると必然的にＭｏは減少する。記
録媒体としては、ある程度のＭｏが必要なので、Ｈｃの
大きさに制限が生ずる。
直磁気異方性定数Ｋｕ、抗磁力１１ｃ、磁化Ｍｏは相互
に関連して、すべてが組成に非常に敏感である。たとえ
ば、ｔｉｃを大きくすると必然的にＭｏは減少する。記
録媒体としては、ある程度のＭｏが必要なので、Ｈｃの
大きさに制限が生ずる。
本発明は、Ｆｅ層とＴｂ層の厚さを選ぶことにより、ｌ
ｌｃとＭｏをを独立に設計できるような垂直磁化膜を得
ようとするものである。さらに、ｌｌｃとＭｏが組成に
あまり依存せず、したがって、ＨｃやＭｏが均一な膜が
、大面積にわたり可能となるような垂直磁化膜を提供す
ることを目的とする。
ｌｃとＭｏをを独立に設計できるような垂直磁化膜を得
ようとするものである。さらに、ｌｌｃとＭｏが組成に
あまり依存せず、したがって、ＨｃやＭｏが均一な膜が
、大面積にわたり可能となるような垂直磁化膜を提供す
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段〕
このような目的を達成するために、本発明の光磁気記録
媒体は、基板上に厚さ２０Å以下のＦｅ膜と厚さ５Å以
上３０Å以下のＴｂ膜とが交互に多層積層されてなるこ
とを特徴とする。
媒体は、基板上に厚さ２０Å以下のＦｅ膜と厚さ５Å以
上３０Å以下のＴｂ膜とが交互に多層積層されてなるこ
とを特徴とする。
［作 用］
本発明によれば、Ｆｃ１ＱとＴｂ膜とを交互に形成する
のて膜形成が容易であり、層厚の広い範囲にわたって磁
化が一定で、磁化の不均一が生じにくい。さらに抗磁力
の増大が層厚の広い範囲にわたって起こるので、磁化を
一定にしたままで抗ｉｎ力の大きさを任意に選ぶことが
できる。
のて膜形成が容易であり、層厚の広い範囲にわたって磁
化が一定で、磁化の不均一が生じにくい。さらに抗磁力
の増大が層厚の広い範囲にわたって起こるので、磁化を
一定にしたままで抗ｉｎ力の大きさを任意に選ぶことが
できる。
［実施例］
以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
２００にに冷却したガラス基板上に、Ｉ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒの真空中でＦｅとＴｂを交互に蒸看してＪ５さ
２０００人のＦｅ−Ｔｂ組成変調膜を作製した。
Ｔｏｒｒの真空中でＦｅとＴｂを交互に蒸看してＪ５さ
２０００人のＦｅ−Ｔｂ組成変調膜を作製した。
第１図にＦｅ一層の厚さを１０人に固定して、Ｔｂ一層
の厚さｄｔｂを変えた時の、室温における垂直異方性定
数Ｋｕと磁化Ｍｏの変化を示ず。にＵはｄＴ、が約１５
人の時に最大を示し、ｄＴｂが約５Å以上で正であり、
記録媒体として使用可能である。Ｍｏは第１図に示した
ｄｔｂの範囲、すなわち５人から３０Å以上にわたって
大きな変化を示さず、一定の磁化を保持しなからにＵを
広い範囲で変化させ得ることがわかる。
の厚さｄｔｂを変えた時の、室温における垂直異方性定
数Ｋｕと磁化Ｍｏの変化を示ず。にＵはｄＴ、が約１５
人の時に最大を示し、ｄＴｂが約５Å以上で正であり、
記録媒体として使用可能である。Ｍｏは第１図に示した
ｄｔｂの範囲、すなわち５人から３０Å以上にわたって
大きな変化を示さず、一定の磁化を保持しなからにＵを
広い範囲で変化させ得ることがわかる。
第２図は、第１図と同様にＦｅ一層の厚さを１０人とし
、Ｔｂ一層の厚さを変化させた時の抗磁力Ｈｃの変化の
様子を示したものである。ＨｃはにＵと同様に６丁すが
約１５人で最大を示す。このＫｕおよびＨｃが最大値を
示すＦｅどＴｂの厚さ比は、この厚さ比をそのままバル
クの平均的組成比とすると、Ｔｂ約３６％（原子濃度〉
に相当する。第２図から言えることは、光磁気記録に必
要なＩｌｃの値が、ｄＴｂが５人から約３０人の広い範
囲わたって得られることである。この厚さ比をそのまま
バルクの組成比に換算すると、Ｔｂの組成が約１６％か
ら約５３％（原子濃度）におよぶ広い範囲で、所望のＨ
ｃが得られることになる。
、Ｔｂ一層の厚さを変化させた時の抗磁力Ｈｃの変化の
様子を示したものである。ＨｃはにＵと同様に６丁すが
約１５人で最大を示す。このＫｕおよびＨｃが最大値を
示すＦｅどＴｂの厚さ比は、この厚さ比をそのままバル
クの平均的組成比とすると、Ｔｂ約３６％（原子濃度〉
に相当する。第２図から言えることは、光磁気記録に必
要なＩｌｃの値が、ｄＴｂが５人から約３０人の広い範
囲わたって得られることである。この厚さ比をそのまま
バルクの組成比に換算すると、Ｔｂの組成が約１６％か
ら約５３％（原子濃度）におよぶ広い範囲で、所望のＨ
ｃが得られることになる。
第１図と第２図の結果を併せて考えると、厚さ比の広い
範囲にわたって、Ｍｏがほぼ一定のままで、正のにＵを
もち、適当な大きさのｌｌｃを有するＦｅ−Ｔｂ膜が得
られる。
範囲にわたって、Ｍｏがほぼ一定のままで、正のにＵを
もち、適当な大きさのｌｌｃを有するＦｅ−Ｔｂ膜が得
られる。
第３図にＴｂ一層の厚さを１５人一層とし、Ｆｅ一層の
厚さｄＦｅを変えた時のＫｕの変化を示す。ｄＦｅか２
０人をこすとＫｕは負となるので、ｄＦｅの上限は２０
人である。ｄ□が小さい時Ｍｕは正となり、これは６８
５Å以下まで保存されるが、３人未満ではｆｉｌｌ化の
値が小さく、測定できなくなる。
厚さｄＦｅを変えた時のＫｕの変化を示す。ｄＦｅか２
０人をこすとＫｕは負となるので、ｄＦｅの上限は２０
人である。ｄ□が小さい時Ｍｕは正となり、これは６８
５Å以下まで保存されるが、３人未満ではｆｉｌｌ化の
値が小さく、測定できなくなる。
第１図ないし第３図に示した値から、３人くｄ Ｆ、＜
２０人および５人＜ｄＴｂ≦３０人の範囲てＦｅとＴ
ｂを交互に積層した組成変調膜を光磁気記録媒体として
使用することがぞきることがわかる。
２０人および５人＜ｄＴｂ≦３０人の範囲てＦｅとＴ
ｂを交互に積層した組成変調膜を光磁気記録媒体として
使用することがぞきることがわかる。
組成変調膜を形成するだめの基板温度は常温以下、望ま
しくは一５０℃以下であることが、形成された膜の特性
上望ましい。また組成変調膜を形成するにはスパッタリ
ングでも可能であるが、形成された膜の特性上からは真
空蒸着法が、もっとも好ましい。
しくは一５０℃以下であることが、形成された膜の特性
上望ましい。また組成変調膜を形成するにはスパッタリ
ングでも可能であるが、形成された膜の特性上からは真
空蒸着法が、もっとも好ましい。
上の実施例においては、組成変調膜の全厚を２０００人
としたが、実用上からはより薄い１１５！厚、例えは１
０００人またはそれ以下でも差つかえない。
としたが、実用上からはより薄い１１５！厚、例えは１
０００人またはそれ以下でも差つかえない。
［発明の効果］
従来のＦｅ−Ｔｂ非晶質合金ｌ摸はＦｃとＴｂを同時に
蒸着するので、１模の組成比を一定にするためには、蒸
着速度を各々の元素について一定に保たなけれはならな
かフた。しかし本発明では、ＦｅとＴｂの層厚を一定に
すれば膜の物性か決まるので成膜か容易になる。
蒸着するので、１模の組成比を一定にするためには、蒸
着速度を各々の元素について一定に保たなけれはならな
かフた。しかし本発明では、ＦｅとＴｂの層厚を一定に
すれば膜の物性か決まるので成膜か容易になる。
また、第１図に示されるように、ＭＯはＨｃの最大とな
るときてもほぼ一定の値を示すので、ＴｂのＩ膜厚によ
るＭｏの不均一性か生しにくい。
るときてもほぼ一定の値を示すので、ＴｂのＩ膜厚によ
るＭｏの不均一性か生しにくい。
１１ｃの増大かＴｂの層厚に関して広い範囲で起こるの
て、膜厚によるｌｌｃの不均一性が生じにくい。以上の
結果から、本発明による膜では、磁気特性か均一な大面
積の媒体が得られやすい。
て、膜厚によるｌｌｃの不均一性が生じにくい。以上の
結果から、本発明による膜では、磁気特性か均一な大面
積の媒体が得られやすい。
第１図はＦｅ一層あたりの厚さを約１０人一定とした時
の垂直磁気異方性定数Ｍｕと磁化ＭｏのＴｂの層厚によ
る変化を示す図、 第２図はｆｅｅ一層あたりの厚さを約１０人一定どした
１１３の抗ｍ力）Ｉｃの１’ｂの層厚による変化を示す
図、 第３図はＴｂ一層あたりの厚さを約１５人一定とした時
の垂直磁気異方性定数ＫｕのＦｅの層厚による変化を示
す図である。 特許出願人 日 木 放 送 協 会代 理 人
弁理士 谷 義 − ｄｙｂ（Ａ） デルビウム（Ｔｂ）一層の厚２ 第１図 ｄｖｂ（Ａ） 丁ルヒ゛ウム（Ｔｂ）−贋の厚さ 第２図
の垂直磁気異方性定数Ｍｕと磁化ＭｏのＴｂの層厚によ
る変化を示す図、 第２図はｆｅｅ一層あたりの厚さを約１０人一定どした
１１３の抗ｍ力）Ｉｃの１’ｂの層厚による変化を示す
図、 第３図はＴｂ一層あたりの厚さを約１５人一定とした時
の垂直磁気異方性定数ＫｕのＦｅの層厚による変化を示
す図である。 特許出願人 日 木 放 送 協 会代 理 人
弁理士 谷 義 − ｄｙｂ（Ａ） デルビウム（Ｔｂ）一層の厚２ 第１図 ｄｖｂ（Ａ） 丁ルヒ゛ウム（Ｔｂ）−贋の厚さ 第２図
Claims (1)
- 基板上に厚さ３Å以上かつ２０Å以下のＦｅ膜と厚さ５
Å以上かつ３０Å以下のＴｂ膜とが交互に多層積層され
てなることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286087A JPS63211141A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286087A JPS63211141A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211141A true JPS63211141A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12647784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4286087A Pending JPS63211141A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63211141A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63269354A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02223045A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-09-05 | Res Dev Corp Of Japan | 光磁気記録方法 |
| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03194745A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5958575A (en) * | 1990-12-28 | 1999-09-28 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108112A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁化膜 |
| JPS6226659A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6271041A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62128041A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP4286087A patent/JPS63211141A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108112A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁化膜 |
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| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03194745A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5958575A (en) * | 1990-12-28 | 1999-09-28 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
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