JPH10229012A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】磁気記録層とヨーク層とを一体の層により構成
することができ、かつ磁気効率の向上を図った磁気記録
媒体の製造方法を提供しようとすること。 【解決手段】基板１上に希土類金属と鉄の合金膜からな
る軟磁性層を形成せしめた後、該合金膜からなる軟磁性
層の表面側から炭素と窒素のうちの少なくとも１種類を
侵入させることにより下層側を軟磁性層に形成し、該下
層の上層にこれと一体不可分に硬磁性層を形成し、それ
らの境界部分で、いずれか一方の層に向かって他方の層
の組成が漸減する構成により両者の境界部分５が形成さ
れ、下層をヨーク層３とし上層を磁気記録層４として形
成した磁気記録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの外
部記憶装置である磁気記録装置に使用される磁気記録媒
体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータの外部記憶装置には、従来
から磁気記録媒体が使用されている。該記録媒体はその
トラックに対して水平方向に磁化してデータを記録する
長手記録方式が広く用いられているが、この方式の磁化
反転領域では隣り合う磁化同士が反発しあうため、高い
記録密度を達成させることはできない。

【０００３】近年、コンピュータの外部記憶装置はアク
セス速度を高速化し、更に記憶容量を急激に大きくする
試みがなされており、この試みを可能にするため、垂直
磁気記録方式が提唱されている。この方式は、磁性膜面
に垂直方向に異方性を有する垂直記録層を設けたもので
ある。また、この方式において記録再生効率や信号対ノ
イズ比を高めるために、垂直記録層の下層に面内異方性
を有する磁性膜を形成した二層膜構造の媒体も提案され
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、磁気記
録媒体の基板上に、下層となる、面内異方性を有するパ
ーマロイ等の磁性層を被着形成し、その上に、媒体面に
対して垂直方向に異方性を有するＣｏーＣｒ系の硬磁性
層を形成し、磁気記録層を形成する垂直磁気記録媒体の
場合、硬磁性層が下層の結晶性や磁性の影響を受け記録
媒体の基板面に対して垂直異方性をもちにくいために、
スパッタリング諸条件を厳しく管理して成膜をしてい
る。或いは、このような下層の影響を除くために上層と
下層の界面に薄いバッファ層を設けることが行われてい
るが、工程数が増えるだけでなく磁気的な効率を著しく
下げることになり、記録再生効率や信号対ノイズ比の低
下や記録磁化状態の安定性を損なう要因となっている。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目
的は、磁気記録媒体の基板上に、該基板面と同方向に磁
束を通過させるヨーク層と、該ヨーク層の上面に形成さ
れ該基板に対して垂直方向に異方性を有する磁気記録層
とを具備する磁気記録媒体において、磁気記録層とヨー
ク層とを一体の層により構成することができ、かつ磁気
効率の向上を図った磁気記録媒体の製造方法を提供しよ
うとするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明は、磁気記録媒体の基板上に軟磁性
層からなるヨーク層と、該ヨーク層の上面に形成される
磁気記録層とを具備する磁気記録媒体の製造方法におい
て、上記基板上に希土類金属と鉄の合金膜からなる軟磁
性層を形成せしめた後、該合金膜からなる軟磁性層の表
面側から炭素、窒素、ボロンのうちの少なくとも１種類
の元素を侵入させることにより下層側を軟磁性層に形成
し、該下層の上層にこれと一体不可分に硬磁性層を形成
し、それらの接する部分で、いずれか一方の層に向かっ
て他方の層の組成が漸減する構成により両者の境界部分
が形成され、下層をヨーク層とし上層を磁気記録層とし
て形成してなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法を提供する。上記磁気記録媒体を構成する希土類金属
は、希土類元素３ー１５ａｔ％、炭素、窒素、ボロンの
うちの少なくとも１種類の元素０．０５−２５ａｔ％お
よび残り鉄から構成し、磁気記録層の厚みを、磁気記録
層境界部分ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％に形成
する。

【０００６】また、ヨーク層内に含有せしめる垂直方向
に異方性を発生させる物質である炭素、窒素、ボロンの
うちの少なくとも１種類の元素は２ａｔ％未満とし、基
板上に希土類金属と鉄の合金膜を形成する際、Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗの内のいずれか一種
以上を、０．０２−２０ａｔ％含めることとし、基板上
に希土類金属と鉄の合金膜を形成する際、この合金膜に
Ｔｈ₂ Ｚｎ₁₇、 Ｔｈ₂ Ｎｉ₁₇、 ＴｂＣｕ₇ 、 ＴｈＭ
ｎ₁₂、 Ｒ₃ ( Ｆｅ、Ｍ）₂₉型の、いずれか１つの結晶構
造を保持せしめる。さらに、上記磁気記録層を形成した
後、この上面に保護膜を被着する。

【０００７】

【発明の実施の形態】次に本発明の一実施形態を詳細に
説明する。図１は、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法を用いて形成した磁気記録媒体の部分断面図である。
図１において、１はガラスやアルミニウム等からなる基
板である。該基板１の上面には、磁気媒体層２が形成さ
れている。該磁気媒体層２は基板上に被着されたヨーク
層３と表面の磁気記録層４とその間に形成されている境
界部分５とから形成される。

【０００８】基板１は、機械的強度が高く、温度変化に
より膨張収縮が小さいＳｉＯ₂ 系のガラスを用いるとよ
い。ヨーク層３は、軟磁性体からなるか、あるいは基板
１の平面方向に軸が揃い、いずれも該基板１の平面と同
方向に磁束を通過させることができるように構成されて
いる。磁気記録層４は、基板１の平面に対して垂直方向
の異方性を持ち、且つ優れた硬磁気特性を示す磁気記録
層である。境界部分５は明確にヨーク層３と磁気記録層
４とが、明確な境界面で隔離されているわけではなく、
双方が入り交った状態となっており、それらの境界部分
５において、いずれか一方の層に向かって他方の層の組
成が漸減する構成により両者の境界部分５が形成されて
いるが、その詳細については後に詳細に説明する。

【０００９】基板１は上述のようにガラスにより構成す
ることもできるが、図２に示すように、基板６をアルミ
ニウムにより構成することもできる。この場合、基板６
と磁気記録層２との間に非磁性の金属からなる下地膜７
を形成し、基板表面の欠陥を補修すると同時に磁気記録
層２と基板６間に生じる物理的ひずみを吸収させるよう
に構成するとよい。

【００１０】次に、本発明の実施の形態を説明する。本
発明において、単一磁性膜内の上層と下層に異なる磁気
的性質を付与する原理を説明する。例えば、スパッタリ
ングによって基板上に成膜したＳｍ₂ Ｆｅ₁₇化合物の場
合、膜面内に六方晶の最密充填な（００１）面＝Ｃ面が
堆積し、面内に小さな異方性をもつために軟磁気特性を
示す。しかし、この膜の上層部に窒化や炭化処理を施し
てその結晶格子内にＮ又はＣ原子が侵入すると、飽和磁
化の上昇と共にＣ軸方向に大きな結晶磁気異方性が誘起
され、その結果膜面に垂直方向の異方性を持ち、且つ優
れた硬磁気特性を示す磁気記録層が得られる。従って、
膜内の窒素又は炭素の組成比を変えることにより、異方
性と硬軟両磁性を制御した磁性膜の製作が可能となる。

【００１１】本発明の磁気記録媒体を製造する方法につ
いては、例えばガラス基板上に直接或いは非磁性の下地
膜を設けたアルミ基板上に、希土類金属と鉄の合金膜を
スパッタリングや蒸着、或いはレーザーデポディション
等の方法によって形成する。この際、形成された膜が非
晶質である場合は基板を数百度に加熱して結晶化させ
る。次にこの合金膜を形成した基板を加熱して、窒素ガ
スやアンモニアガス、或いは侵入速度を制御するために
水素ガスを併用して窒素を侵入させる、或いはアセチレ
ンやメタンガス等の炭化水素ガスを用いて炭素を侵入さ
せる。

【００１２】窒素又は炭素を侵入させる合金膜上層の厚
さは、磁気記録層としての役割と磁束を効率よく通すた
めの軟磁性下層の役割を勘案して決まる。一般にハード
ディスク用媒体では、磁気記録層は薄く数十ｎｍ〜数百
ｎｍの範囲にあり、軟磁性下層の厚さはその数倍〜十数
倍になる。本発明では、窒素又は炭素を侵入させる合金
膜上層の厚さを２〜５０％とする。その厚みが下層に対
して２％未満では、磁性膜全体における軟磁性層の厚さ
が過剰となり、成膜上の負担となる。一方５０％を越え
ると、記録層から発生する磁束が軟磁性層を全て通るこ
とが出来ずに、外部空間に漏れてしまい磁気効率の低下
を招く。なお合金膜における上下層の境界面は必ずしも
明確ではなく、通常は窒素或いは炭素が拡散した極薄い
境界層をもっており、従って下層にも若干量の窒素或い
は炭素が含まれることがある。

【００１３】本発明による合金膜の成分組成について
は、Ｓｍ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｐｒ等ランタナイド族の希土類
元素の単独又は複合と、鉄を必須元素として含む。希土
類元素は３−１５ａｔ％であり、窒素及び炭素は０．０
５−２５ａｔ％，残りが鉄で構成される。希土類元素が
３ａｔ％未満では、保磁力が小さく記録層に必要な保磁
力が得られず、１５ａｔ％を越えると飽和磁化の低下が
著しくなり、また希土類含有率の多い不純物層が生成し
て膜の耐酸化性が損なわれる。窒素及び炭素は少量の侵
入によって磁性を変化する働きがあるが、０．０５ａｔ
％未満では膜の極表面層のみの侵入に留まり必要な記録
層の厚さが得られない。２５ａｔ％を越えると合金膜の
かなり下層まで侵入して軟磁性層の減少を引き起こす
か、或いは上層の侵入量が過剰となり結晶の歪みが大き
くなって結晶の分解を生じ硬磁性を損なう。

【００１４】さらに希土類元素と鉄以外に、強磁性のＣ
ｏ，Ｎｉ，或いはＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗの一種
以上の添加により、合金の結晶構造の安定化や磁気特性
の調整が行われる。但し、これら元素の総添加量が０．
０２ａｔ％未満では磁気特性の調整効果がほとんど見ら
れず、一方２０ａｔ％を越えると合金本来の結晶構造が
維持できなくなって所望の磁気特性が得られなくなる。
また、本発明合金膜はＴｈ₂ Ｚｎ₁₇、 Ｔｈ₂ Ｎｉ₁₇、 Ｔ
ｂＣｕ₇ 、 ＴｈＭｎ₁₂、 Ｒ₃ ( Ｆｅ、Ｍ）₂₉型いずれか
の結晶構造をもつことにより、いずれの合金においても
窒素や炭素の侵入によって所望の磁気的性質を得ること
ができる。

【００１５】本発明における合金膜の構成については、
例えばＳｍ₂ Ｆｅ₁₇やＳｍ（Ｆｅ，Ｖ ₇組成の合金をそ
の結晶のＣ面が膜面内にあるように形成することによ
り、下層膜の磁気異方性が膜面に並行になり、その結果
下層膜は軟磁性を有する。また、この合金膜上層に窒素
又は炭素が侵入することにより、膜面に凡そ垂直に強い
磁気異方性が誘起され、その結果として上層膜は磁気記
録層として必要な硬磁性を有するようになる。

【００１６】なお、上記希土類鉄系合金膜は一般に活性
であるために、実用においては基板上に形成された希土
類金属と鉄の合金膜上に、酸化を防止する為の酸化珪素
やカーボン、或いは高分子等の保護膜を形成することは
有効である。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 対向ターゲット型のスパッタリング装置に１２ａｔ％Ｓ
ｍー残Ｆｅ組成の合金ターゲットを装着し、厚さ０．７
ｍｍ径３．５インチのガラス基板にＳｍーＦｅ薄膜を形
成した。成膜条件は基板面に平行に磁界を作用させ、タ
ーゲットと基板間に、６Ｗ／ｃｍ² の電力パワー密度を
加え、５０ｃｃ／分のアルゴンガスを流しながら、基板
加熱温度３５０度Ｃの下で行い、２００ｎｍの膜厚を有
するＳｍーＦｅ磁性膜を形成した。引き続き、装置内に
１０ｃｃ／分の窒素ガスを４分間流して上記膜に窒素を
侵入させて本発明試料（Ａ）とした。他方、基板加熱を
しないで成膜した非晶質膜に４５０度で３０分間結晶化
熱処理を行った後、窒素を侵入させた本発明試料（Ｂ）
を製作した。

【００１８】また別途、測定用に窒化処理を施さない膜
のみの参考試料（Ｃ）及び、比較用にガラス基板上に厚
さ２００ｎｍのパーマロイ膜と８０ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ膜を形成した試料（Ｄ）を製作した。得られた各試
料を１０ｘ１０ｍｍに切断してＸ線回折による結晶構造
解析と、振動試料型磁力計による磁気測定を行った。

【００１９】参考試料（Ｃ）は、Ｔｈ₂ Ｚｎ₁₇型の結晶
構造を有し且つ原子の最密充填面である（００１）面が
膜面に平行に堆積していた。また、本発明試料は上記の
結晶構造を維持したまま窒素が侵入し、その厚さは電子
線プローブマイクロアナライザーによる分析結果より凡
そ７０ｎｍであった。また磁性膜全体の成分組成は、１
０．６ａｔ％Ｓｍ−７．４ａｔ％Ｎ−残Ｆｅであった。
さらに本発明試料の磁気測定の結果、上層は磁化容易軸
が膜面に垂直であることが明らかになった。これら試料
の保磁力の結果を図３の第１表に示す。図３の第１表か
ら明らかなように、本発明試料はいずれも下層膜が軟磁
気的性質を示し、上層は比較例試料より高保磁力特性を
示しており、高記録密度に好適な膜が得られた。

【００２０】次に試料（Ａ）（Ｂ）（Ｄ）の膜表面にフ
ロロカーボン膜を５ｎｍ塗布した後、垂直磁気ヘッドを
用いて記録再生特性を測定した。なお、一般に保護膜と
してはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）や酸化珪
素が、また潤滑膜としてはグラファイトや摩擦係数の小
さい各種の高分子膜が用いられる。さらに、成膜方法と
しては本例のスパッタリングの他にメッキやレーザデポ
ディションなどの方法を用いても差し支えない。

【００２１】試料（Ａ）、（Ｂ）、従来品（Ｄ）を媒体
に用いた記録再生特性を示す。測定には垂直磁気記録で
一般的に使用される単磁極ヘッドを使用した。トラック
幅は１０μｍ、コイル巻き数は２６ターン、周速は１０
ｍ／ｓとした。図４にその周波数特性を示す。（Ａ）、
（Ｂ）は（Ｄ）と比較して再生出力が高い。また、高記
録密度の目安となるＤ₅₀も（Ａ）、（Ｂ）は高い。再生
出力やＤ₅₀を高くするためには保磁力が高いことも必要
であるが、磁化遷移領域を狭くすることが重要であると
考えられている。媒体において磁化遷移領域を狭くする
ためには保磁力の分散を少なくすることが要求される。
よって、（Ａ）、（Ｂ）は、保磁力の分散が少ない媒体
であることがわかる。またＳＮ比も（Ａ）は−４４ｄ
Ｂ、（Ｂ）は−４６ｄＢ、（Ｄ）は−３４ｄＢとなっ
た。ＳＮ比は信号とノイズの比であるために、その差は
大きいことが望まれているため（Ａ）、（Ｂ）は従来品
（Ｄ）よりも良好な値を示している。この要因として
は、本発明の媒体は、下層の軟磁性膜から上層の記録層
までが連続した工程で成膜されているために静磁的結合
が従来品（Ｄ）よりも強いことが予想される。

【００２２】実施例２ １１ａｔ％Ｓｍ−７ａｔ％Ｖ−残Ｆｅ組成の合金塊をタ
ングステン製ボートに装入し、無電解ニッケルメッキを
下地層として有するアルミ基板上にＳｍ−Ｆｅ−Ｖ合金
膜を４００ｎｍ蒸着した。次に、成膜した基板を加熱炉
に装填して４００度１時間の結晶化熱処理を行い、引き
続いて炉内を大気圧に戻してアンモニアと水素の混合ガ
スを流し、膜内に窒素を侵入させた。なお、水素は窒化
促進の役割を持ち成膜後には膜内から離脱することが明
らかになっている。得られた試料は、ＴｂＣｕ₇ 型の結
晶構造と少量のα−Ｆｅを有し且つ（００１）面が膜面
に平行に堆積していた。また、窒素が侵入した上層厚さ
は凡そ１２０ｎｍであり、上層の磁化容易軸は膜面に垂
直であった。この試料の保磁力は、下層が１．７Oeで上
層が２９４０Oeであった。

【００２３】次に、以上に述べた試料を媒体に用いた記
録再生特性を示す。測定には垂直磁気記録で一般的に使
用される単磁極ヘッドを使用した。トラック幅は１０μ
ｍ，コイル巻き数は２６ターン、周速は１０ｍ／ｓとし
た。図５に周波数特性を示す。図４の従来品（Ｄ）と比
較して再生出力およびＤ₅₀が高い。ＳＮ比は−４４ｄＢ
となった。

【００２４】実施例３ ９．６ａｔ％Ｎｄ−１１．５ａｔ％Ｍｏ−残Ｆｅ組成の
合金を溶解し、平板状に研削した合金塊を対向ターゲッ
ト型のスパッタリング装置に装着し、ガラス基板上にＮ
ｄ−Ｆｅ−Ｍｏ薄膜を形成した。成膜条件は基板面に平
行に磁界を作用させ、ターゲットと基板間に６Ｗ／ｃｍ
² の電力パワー密度を加え、５０ｃｃ／分のアルゴンガ
スを流しながら、基板加熱温度３００度Ｃ下で行い、８
００ｎｍの膜厚を有する８．４ａｔ％Ｎｄ−１１．７ａ
ｔ％Ｍｏ−残Ｆｅ組成の磁性膜を形成した。引き続き、
装置内に１０ｃｃ／分のアセチレンと水素の混合ガスを
１０分間流して上記膜に炭素を侵入させた。得られた試
料はＴｈＭｎ₁₂型の結晶構造を有しており、上層の磁化
容易軸は膜面に垂直であった。また、炭素が侵入した上
層厚さは１５０ｎｍであり、この試料の保磁力は、下層
が１．３Oeで上層が２６６０Oeであった。

【００２５】次に、以上に述べた試料を媒体に用いた記
録再生特性を示す。測定には垂直磁気記録で一般的に使
用される単磁極ヘッドを使用した。トラック幅は１０μ
ｍ、コイル巻き数は２６ターン、周速は１０ｍ／ｓとし
た。図６に周波数特性を示す。図４の従来品（Ｄ）と比
較して再生出力およびＤ₅₀が高い。ＳＮ比は−４３ｄＢ
と優れた値を示した。

【００２６】実施例４ 実施例１と同様に、スパッタリング装置を用いて基板面
に平行に磁界を作用させながら６Ｗ／ｃｍ² の電力パワ
ー密度を加え、５０ｃｃ／分のアルゴンガスを流しなが
ら、基板加熱温度３５０度Ｃの下でスパッタリングを行
い、４０分間で５００ｎｍの膜厚を有する１０．６ａｔ
％Ｓｍ−４．４ａｔ％Ｃｏ−残Ｆｅ組成の磁性膜を形成
した。引き続き、装置内に１５ｃｃ／分の窒素ガスと５
ｃｃ／分のメタンガスとを３、１２、１８、３０、４
５、６０分間流して上記膜に窒素と炭素を侵入させて、
本発明試料Ｎｏ．１〜５および比較例試料Ｎｏ．６とし
た。これら試料について、窒素と炭素の侵入量を電子線
プローブマイクロアナライザーにより測定し、また振動
試料型磁力計により保磁力を測定した。その測定結果を
図７の第２表に示す。図７に示す第２表から明らかなよ
うに、窒素及び炭素は磁性膜の上層に侵入し、本発明お
よび比較例試料ともに高い保磁力が得られた。

【００２７】次に、以上に述べた試料を媒体に用いた記
録再生特性を示す。測定には垂直磁気記録で一般的に使
用される単磁極ヘッドを使用した。トラック幅は１０μ
ｍ、コイル巻き数は２６ターン、周速は１０ｍ／ｓとし
た。図８にその周波数特性を示す。図８から再生出力、
Ｄ₅₀（最大再生出力の半値になるところの記録密度）と
もに窒素炭素濃度が６．２ａｔ％（本発明実施例Ｎｏ．
３）でピーク値を示している。これは、磁気記録層が薄
いと磁気的結合が強くなる反面、磁気記録層の磁化量が
減少するためだと思われ、この実施例の媒体においては
６．２ａｔ％が適当であることがわかる。

【００２８】図９に上記試料Ｎｏ．１〜６の上層膜の厚
さとＳＮ比の関係を示す。図８と同様に、上層膜の厚さ
１１０ｎｍ（本発明実施例Ｎｏ．３）でピークを持ち本
発明の媒体は総じてＳＮ比が高いこともわかる。しか
し、上層膜の厚さ２９０ｎｍ（比較例Ｎｏ．６）で大き
くＳＮ比が減少しているのは、軟磁性層とヘッドの磁気
的結合が弱いことに起因しているものである。

【００２９】以上、本発明を上述の実施例により説明し
たが、本発明の主旨の範囲内で種々の変形や応用が可能
であり、これらの変形や応用を本発明の範囲から排除す
るものではない。

【００３０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明による
磁気記録媒体の製造方法によれば、希土類と鉄から成る
合金膜を基板上に形成した後、該合金膜の上層部に窒素
炭素及び／またはボロンを侵入させることにより、単一
磁性膜内の異方性と保磁力を制御することが実現出来
た。またその結果として、再生出力やＳＮ比の高い優れ
た記録再生特性が得られ、さらに従来のような２種の磁
性層を製膜する必要がないために製造プロセスの簡略化
に寄与する。また、本発明の製造方法により製造された
面内異方性をもつ軟磁性層と垂直異方性を有する磁気記
録層とから成る磁気記録媒体は、硬軟両磁性膜界面での
結晶学的な乱れがないために、平滑性に優れるだけでな
く従来の二層膜に見られる磁気的なギャップも生じない
ために、記録再生特性や信号対ノイズ比が高く、かつ記
録磁化状態の安定性にも優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の部分断面図で
ある。

【図２】図２は、本発明の他の磁気記録媒体の部分断面
図である。

【図３】図３は、本発明と従来例との比較を示す図表図
である。

【図４】図４は、本発明の実施例１と従来例の磁気記録
媒体の周波数特性図である。

【図５】図５は、本発明の実施例２と従来例の磁気記録
媒体の周波数特性図である。

【図６】図６は、本発明の実施例３と従来例の磁気記録
媒体の周波数特性図である。

【図７】図７は、本発明の各実施例と従来例との保磁力
を比較した図表図である。

【図８】図８は、本発明の実施例４と従来例の磁気記録
媒体の周波数特性図である。

【図９】図９は、上層膜の厚さとＳＮ比の関係を示す特
性図である。

【符号の説明】 １・・・・・基板 ２・・・・・磁気媒体層 ３・・・・・ヨーク層 ４・・・・・磁気記録層 ５・・・・・境界部分 ６・・・・・基板 ７・・・・・下地膜

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気記録媒体の基板上に軟磁性層からなる
   ヨーク層と、該ヨーク層の上面に形成される磁気記録層
   とを具備する磁気記録媒体の製造方法において、 上記基板上に希土類金属と鉄の合金膜からなる軟磁性層
   を形成せしめた後、該合金膜からなる軟磁性層の表面側
   から炭素、窒素、ボロンのうちの少なくとも１種類の元
   素を侵入させることにより下層側を軟磁性層に形成し、
   該下層の上層にこれと一体不可分に硬磁性層を形成し、
   それらの接する部分で、いずれか一方の層に向かって他
   方の層の組成が漸減する構成により両者の境界部分が形
   成され、下層をヨーク層とし上層を磁気記録層として形
   成してなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】上記磁気記録媒体を構成する希土類金属
   は、希土類元素３ー１５ａｔ％、炭素、窒素、ボロンの
   うちの少なくとも１種類の元素０．０５−２５ａｔ％お
   よび残り鉄から構成することを特徴とする請求項１に記
   載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】磁気記録層の厚みを、磁気記録層、境界部
   分、ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％に形成するこ
   とを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
   法。
4. 【請求項４】ヨーク層内に含有せしめる炭素、窒素、ボ
   ロンのうちの少なくとも１種類の元素は垂直方向に異方
   性を発生させないために２ａｔ％未満とすることを特徴
   とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】基板上に希土類金属と鉄の合金膜を形成す
   る際、Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
   ｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗの
   内のいずれか一種以上を、０．０２−２０ａｔ％含める
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造
   方法。
6. 【請求項６】基板上に希土類金属と鉄の合金膜を形成す
   る際、この合金膜にＴｈ₂ Ｚｎ₁₇、Ｔｈ₂ Ｎｉ₁₇、 Ｔｂ
   Ｃｕ₇ 、 ＴｈＭｎ₁₂、 Ｒ₃ ( Ｆｅ、Ｍ）₂₉型の、いずれ
   か１つの結晶構造を保持せしめることを特徴とする請求
   項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】上記磁気記録層を形成した後、この上面に
   保護膜を被着することを特徴とする請求項１に記載の磁
   気記録媒体の製造方法。