JP2009231349A - 超磁歪薄膜素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、該基板上に成膜した超磁歪材料の薄膜とを有する超磁歪薄膜素子において、前記薄膜は、気相成長させたSm−Fe系の超磁歪材料からなり、その組成が、15at%≦Sm≦23at%である超磁歪薄膜素子である。薄膜内部応力は、220MPa〜130MPaの圧縮応力となるようにする。超磁歪材料からなる薄膜を気相成長させる際に、不活性ガス圧力を0.7Pa以下とし、成膜中もしくは成膜後に200℃〜300℃の温度で熱処理を行うことが好ましい。これにより、80kA/mの磁界印加時の磁気ひずみを−700ppm以下とすることができる。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 基板と、該基板上に成膜した超磁歪材料の薄膜とを有する超磁歪薄膜素子において、前記薄膜は、気相成長させたSm−Fe系の超磁歪材料からなり、その組成が、15at%≦Sm≦23at%であることを特徴とする超磁歪薄膜素子。
- 薄膜の内部応力が、220MPa〜130MPaの圧縮応力になっている請求項1記載の超磁歪薄膜素子。
- 超磁歪材料の薄膜は、その磁化容易軸が基板面にほぼ平行に配向したものである請求項1又は2に記載の超磁歪薄膜素子。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の超磁歪薄膜素子を製造する方法であって、基板としてガラス基板を用い、スパッタ法により超磁歪材料からなる薄膜を気相成長させる際に、不活性ガス圧力を0.7Pa以下とする超磁歪薄膜素子の製造方法。
- 超磁歪材料の薄膜の気相成長による成膜中もしくは成膜後に、200℃〜300℃の温度で熱処理を行うことにより、80kA/mの磁界印加時の磁気ひずみを−700ppm以下とする請求項4記載の超磁歪薄膜素子の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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