JPH02223045A - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
- Publication number
- JPH02223045A JPH02223045A JP29002689A JP29002689A JPH02223045A JP H02223045 A JPH02223045 A JP H02223045A JP 29002689 A JP29002689 A JP 29002689A JP 29002689 A JP29002689 A JP 29002689A JP H02223045 A JPH02223045 A JP H02223045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magneto
- spin glass
- magnetic material
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000005328 spin glass Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 14
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 18
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005426 magnetic field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、書き込み消去が可能な光磁気記録媒体とその
記録方法に関する。
記録方法に関する。
（従来の技術）
磁気記録媒体を用いた記録方法の一つに、磁場中で、磁
気記録媒体に局部的に光を照射し、その熱エネルギーに
よって光照射領域の磁化状態を変化させることにより記
録を行なう光磁気記録方法がある。この記録方法は記録
手段にレーザービームを使用できることから高密度記録
が可能であることが知られている。
気記録媒体に局部的に光を照射し、その熱エネルギーに
よって光照射領域の磁化状態を変化させることにより記
録を行なう光磁気記録方法がある。この記録方法は記録
手段にレーザービームを使用できることから高密度記録
が可能であることが知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来のこの種の光磁気記録方法に用いら
れる記録媒体の殆どは、強磁性体のため、内部磁場効果
によって磁気スピンが媒体面に水平となり、高密度化記
録を行なう上での障害になっている。一方、この種の光
磁気記録方法において実用化されている唯一の垂直記録
媒体としてのＴｂＦｅＣｏ合金は、高価な上、酸化し易
いなどの問題点を有している。
れる記録媒体の殆どは、強磁性体のため、内部磁場効果
によって磁気スピンが媒体面に水平となり、高密度化記
録を行なう上での障害になっている。一方、この種の光
磁気記録方法において実用化されている唯一の垂直記録
媒体としてのＴｂＦｅＣｏ合金は、高価な上、酸化し易
いなどの問題点を有している。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決し垂直記録が可
能な新しい光磁気記録媒体とその記録方法を提供するこ
とを目的とする。
能な新しい光磁気記録媒体とその記録方法を提供するこ
とを目的とする。
（課題を解決するための手段）
第１図に示すように基板１０上に希土類金属１１と導電
性物質１２を３〜７原子層の割合で交互に積層して多層
構造とすると、希土類金Ｉｌｌにおける磁気スピンと独
立に存在する伝導電子の働きによって眉間相互作用が生
じ、スピングラス特性を有する磁性体２０が得られる。
性物質１２を３〜７原子層の割合で交互に積層して多層
構造とすると、希土類金Ｉｌｌにおける磁気スピンと独
立に存在する伝導電子の働きによって眉間相互作用が生
じ、スピングラス特性を有する磁性体２０が得られる。
本発明は、このような多層構造のスピングラス特性を有
する薄膜磁性体を光磁気記録媒体として用いることを第
１の特徴とする。
する薄膜磁性体を光磁気記録媒体として用いることを第
１の特徴とする。
また、上記の薄膜磁性体およびスピングラス特性を有す
る合金の薄膜を光磁気記録媒体として用い、情報を書き
込む場合はスピングラス特性のピーク値以下の温度に加
熱したのち室温に戻し、消去する場合はピーク値以上の
温度に加熱したのち室温に戻すことを第２の特徴とする
。
る合金の薄膜を光磁気記録媒体として用い、情報を書き
込む場合はスピングラス特性のピーク値以下の温度に加
熱したのち室温に戻し、消去する場合はピーク値以上の
温度に加熱したのち室温に戻すことを第２の特徴とする
。
（作 用）
スピングラス特性というのは、第２図に示す磁化−温度
特性ａを指し、１９７２年に初めて見い出された磁気の
分野では最も新しい現象である（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒ
ｅｖｉｅｗ Ｂ６．４２２０・（１９７２）参照）。そ
の後は基礎物理的興味から多くの研究が成され、現在で
は、このスピングラス特性を有する磁性体が約２０種類
程見つかっている。但し、その磁性体はいずれも合金で
ある。また、この特性は他の磁気的秩序と同様に、相転
移に由来するのか否かという本質的な疑問に代表される
ようにまだ未解決の部分も多い。
特性ａを指し、１９７２年に初めて見い出された磁気の
分野では最も新しい現象である（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒ
ｅｖｉｅｗ Ｂ６．４２２０・（１９７２）参照）。そ
の後は基礎物理的興味から多くの研究が成され、現在で
は、このスピングラス特性を有する磁性体が約２０種類
程見つかっている。但し、その磁性体はいずれも合金で
ある。また、この特性は他の磁気的秩序と同様に、相転
移に由来するのか否かという本質的な疑問に代表される
ようにまだ未解決の部分も多い。
このスピングラス特性を有する磁性体を記録媒体に応用
した例は末だない。これは、これまでこの特性が可逆性
のものだと思われていたからである０本願発明者は、こ
のスピングラス特性を有する磁性体について更に詳細に
調査検討した結果、第２図に示すようにスピングラス特
性を有する磁性体を室温ＴＡから加熱していくとき、磁
化がピーク値に達する温度Ｔｃ以下の温度ＴＢで加熱を
停止して室温ＴＡに戻せば、磁性体はそのときの磁化状
態Ｍｅを保持しく矢印経路＾）、またピーク値温度Ｔｃ
以上の温度ＴＤに加熱したのち（矢印経路Ｂ）室温ＴＡ
に戻すと磁化状態も元のＭＡに戻る（矢印経路Ｃ）こと
を見い出した。
した例は末だない。これは、これまでこの特性が可逆性
のものだと思われていたからである０本願発明者は、こ
のスピングラス特性を有する磁性体について更に詳細に
調査検討した結果、第２図に示すようにスピングラス特
性を有する磁性体を室温ＴＡから加熱していくとき、磁
化がピーク値に達する温度Ｔｃ以下の温度ＴＢで加熱を
停止して室温ＴＡに戻せば、磁性体はそのときの磁化状
態Ｍｅを保持しく矢印経路＾）、またピーク値温度Ｔｃ
以上の温度ＴＤに加熱したのち（矢印経路Ｂ）室温ＴＡ
に戻すと磁化状態も元のＭＡに戻る（矢印経路Ｃ）こと
を見い出した。
本発明は、この現象を利用してスピングラス特性を有す
る磁性体を記録媒体に応用したものである。このスピン
グラス特性を有する磁性体は一般に垂直記録媒体である
ことと、レーザ光線等を用いて書き込み、消去が可能な
ことから、本発明によれば、高密度、大容量の記録媒体
が得られることとなる。
る磁性体を記録媒体に応用したものである。このスピン
グラス特性を有する磁性体は一般に垂直記録媒体である
ことと、レーザ光線等を用いて書き込み、消去が可能な
ことから、本発明によれば、高密度、大容量の記録媒体
が得られることとなる。
（実施例）
第３図に示すように、ＳＬ（シリコン）基板１上に、Ｍ
ｎ（マンガン）の層２、次いでＥｕ（ユーロピウム）の
層３を分子線蒸着により結晶成長させる操作を繰り返す
ことにより、Ｍｎ層２とＥｕ層３を積層した構造の薄膜
体を作成した。この薄膜体をＸ線小角散乱およびオージ
ェ電子分光により調べたところ、この薄膜体の積層構造
における界面が原子オーダーで分かれて乱れがないこと
が確認できた。
ｎ（マンガン）の層２、次いでＥｕ（ユーロピウム）の
層３を分子線蒸着により結晶成長させる操作を繰り返す
ことにより、Ｍｎ層２とＥｕ層３を積層した構造の薄膜
体を作成した。この薄膜体をＸ線小角散乱およびオージ
ェ電子分光により調べたところ、この薄膜体の積層構造
における界面が原子オーダーで分かれて乱れがないこと
が確認できた。
次に、この薄膜積層体をゼロ磁場下で冷却したのち、一
定磁場内で温度を上昇させながら磁化状態を測定したと
ころ、第４図のａに沿ったデータ群で示すスピングラス
特性が得られた。また、この薄膜積層体が垂直磁化特性
を有することも分かった。更に、この薄膜積層体即ち薄
膜磁性体に一定磁場をかけた状態で、図示のように、ゼ
ロ磁場下で冷却した温度からレーザ光線で照射して加熱
し、ピーク値温度以下の任意温度になったとき停止し、
元の温度に戻すと、同図のｂ１〜ｂ、に沿ったデータ群
で示すようにこの薄膜磁性体の磁化状態は温度変化に応
じて、レーザ光線の照射を停止したときの磁化を保持し
ていることが分かった。
定磁場内で温度を上昇させながら磁化状態を測定したと
ころ、第４図のａに沿ったデータ群で示すスピングラス
特性が得られた。また、この薄膜積層体が垂直磁化特性
を有することも分かった。更に、この薄膜積層体即ち薄
膜磁性体に一定磁場をかけた状態で、図示のように、ゼ
ロ磁場下で冷却した温度からレーザ光線で照射して加熱
し、ピーク値温度以下の任意温度になったとき停止し、
元の温度に戻すと、同図のｂ１〜ｂ、に沿ったデータ群
で示すようにこの薄膜磁性体の磁化状態は温度変化に応
じて、レーザ光線の照射を停止したときの磁化を保持し
ていることが分かった。
またこの薄膜磁性体に照射するレーザ光線のパワーを上
げ、ピーク値温度以上の任意温度にしたのち、レーザ光
線の照射を停止し、元の温度に戻したところ、同図の矢
印経路ａで示すようにもとの磁化状態に戻ることが確認
できた。なお、図の縦軸は薄膜磁性体に平行な磁化、横
軸は絶対温度を表わしている。
げ、ピーク値温度以上の任意温度にしたのち、レーザ光
線の照射を停止し、元の温度に戻したところ、同図の矢
印経路ａで示すようにもとの磁化状態に戻ることが確認
できた。なお、図の縦軸は薄膜磁性体に平行な磁化、横
軸は絶対温度を表わしている。
また、前記薄膜磁性体の磁化状態を変えてスピングラス
特性を調べたところ、第５図に示す結果が得られた。図
において縦軸は試料に平行な単位重量当りの電磁単位、
横軸は絶対温度、パラメータは前記薄膜磁性体に印加し
た磁場（ガウス）である。この結果から前記薄膜磁性体
のスピングラス特性は、低磁場で磁化したときほど強く
現われることが明らかとなった。
特性を調べたところ、第５図に示す結果が得られた。図
において縦軸は試料に平行な単位重量当りの電磁単位、
横軸は絶対温度、パラメータは前記薄膜磁性体に印加し
た磁場（ガウス）である。この結果から前記薄膜磁性体
のスピングラス特性は、低磁場で磁化したときほど強く
現われることが明らかとなった。
次に５前記薄膜磁性体のＥｕ層とＭｎ層の厚みを種々変
えてスピングラス特性を調べたところ第６図に示す結果
が得られた。図において、縦軸はＭ ｎ ／１９厚み、
横軸はＥｕ層厚み、Ｘ印はスピングラス特性が得られな
いもの、０印は得られるものを示している。この結果か
ら少なくともＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体については、Ｅｕ膜
厚は４０Å以下、Ｍｎ膜厚は７０Å以下でないとスピグ
ラス特性が得られないこと、しかも第７図に示すように
Ｍｎ層が薄いほどスピングラス特性が強く現われ、記録
に有利であることが分かった。なお、第７図中、縦軸は
単位体積当りの電磁単位、横軸は絶対温度、パラメータ
はＭｎ膜厚（人）を示している。
えてスピングラス特性を調べたところ第６図に示す結果
が得られた。図において、縦軸はＭ ｎ ／１９厚み、
横軸はＥｕ層厚み、Ｘ印はスピングラス特性が得られな
いもの、０印は得られるものを示している。この結果か
ら少なくともＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体については、Ｅｕ膜
厚は４０Å以下、Ｍｎ膜厚は７０Å以下でないとスピグ
ラス特性が得られないこと、しかも第７図に示すように
Ｍｎ層が薄いほどスピングラス特性が強く現われ、記録
に有利であることが分かった。なお、第７図中、縦軸は
単位体積当りの電磁単位、横軸は絶対温度、パラメータ
はＭｎ膜厚（人）を示している。
このように、Ｅｕ膜厚が４０Å以下、Ｍｎ膜厚は７０Å
以下で、しかもＭｎ層が薄いほどよい理由は、スピング
ラス特性が生じるのは、 ＥｕＪｌ内における磁気スピ
ンと独立に存在する伝導電子が媒介となっているＥｕＭ
間相互作用によること、従って層間物質は導電性物質で
あることが必要になることが推測され、Ｍｎ膜厚が厚く
なって層間相互作用も及ばなくなると、スピングラス特
性も得られなくなるためと考えられる。また、このよう
な考え方はＥｕ−Ｍ、ｎ薄膜磁性体のみに限らず、前述
した希土類金属−導電性物質薄膜磁性体にも適用できる
ことが予測される。更に、希土類金属は、磁気スピンと
独立に存在する伝導電子を有していることが判っている
。このことから、上記実施例ではＭｎＮ２とＥｕ層３を
積層した例について説明したが、本発明の光磁気記録媒
体はこれだけに限らず、希土類金属と導電性物質を積層
したものでもよいことが判る。
以下で、しかもＭｎ層が薄いほどよい理由は、スピング
ラス特性が生じるのは、 ＥｕＪｌ内における磁気スピ
ンと独立に存在する伝導電子が媒介となっているＥｕＭ
間相互作用によること、従って層間物質は導電性物質で
あることが必要になることが推測され、Ｍｎ膜厚が厚く
なって層間相互作用も及ばなくなると、スピングラス特
性も得られなくなるためと考えられる。また、このよう
な考え方はＥｕ−Ｍ、ｎ薄膜磁性体のみに限らず、前述
した希土類金属−導電性物質薄膜磁性体にも適用できる
ことが予測される。更に、希土類金属は、磁気スピンと
独立に存在する伝導電子を有していることが判っている
。このことから、上記実施例ではＭｎＮ２とＥｕ層３を
積層した例について説明したが、本発明の光磁気記録媒
体はこれだけに限らず、希土類金属と導電性物質を積層
したものでもよいことが判る。
このようにして、スピングラス特性を有する磁性体は高
価なＴｂ（テルビウム）を用いることなく、例えばＥｕ
のような比較的安価な物質を用いて経済的に作製するこ
とができる。また、その磁性体は垂直磁化特性を有し、
レーザ光線による情報の記憶、消去が可能なことから、
高密度大容量の記録媒体として使用できることが判る。
価なＴｂ（テルビウム）を用いることなく、例えばＥｕ
のような比較的安価な物質を用いて経済的に作製するこ
とができる。また、その磁性体は垂直磁化特性を有し、
レーザ光線による情報の記憶、消去が可能なことから、
高密度大容量の記録媒体として使用できることが判る。
また、以上のことから、スピングラス特性を有する磁性
体として従来より存在する（ １ ）ＡｕｘＦｅ□−３
、（２）ＥｕｌｌＳｒ１−ＩＩＳ、（３）ＦｅｘＡｌｌ
−、、（４）Ｆｅ、Ｃｒｔ−ｘ、（５）Ｆｅ、Ｐｄ、、
、（６）Ｍｎ、Ｐｄ、−、、（７）Ｐｄ、ＦｅｙＭｎＬ
−、−２、（８）ＮｉｘＭｎ、、、（９）Ｆｅ、Ｎｉ！
−１ｌ、（１０）ＦｅｘＭｎ□−、、（１１）Ｚｎ、Ｃ
ｏ１−、、（１１）Ｃｏ、Ｔｉ、−，０４等についても
、これを記録媒体として用いれば前記実施例間等の作用
効果の得られることが推測される。
体として従来より存在する（ １ ）ＡｕｘＦｅ□−３
、（２）ＥｕｌｌＳｒ１−ＩＩＳ、（３）ＦｅｘＡｌｌ
−、、（４）Ｆｅ、Ｃｒｔ−ｘ、（５）Ｆｅ、Ｐｄ、、
、（６）Ｍｎ、Ｐｄ、−、、（７）Ｐｄ、ＦｅｙＭｎＬ
−、−２、（８）ＮｉｘＭｎ、、、（９）Ｆｅ、Ｎｉ！
−１ｌ、（１０）ＦｅｘＭｎ□−、、（１１）Ｚｎ、Ｃ
ｏ１−、、（１１）Ｃｏ、Ｔｉ、−，０４等についても
、これを記録媒体として用いれば前記実施例間等の作用
効果の得られることが推測される。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明によれば、希土類金属と導
電性物質を積層して多層構造とすることにより、スピン
グラス特性を有する光磁気記録媒体が得られるようにな
る。また、スピングラス特性を有する磁性体を光磁気記
録媒体として用いることにより、垂直磁化特性を有する
光磁気記録媒体へのレーザ光による書き込み、消去が可
能となり、高密度、大容量の記録が可能となる。
電性物質を積層して多層構造とすることにより、スピン
グラス特性を有する光磁気記録媒体が得られるようにな
る。また、スピングラス特性を有する磁性体を光磁気記
録媒体として用いることにより、垂直磁化特性を有する
光磁気記録媒体へのレーザ光による書き込み、消去が可
能となり、高密度、大容量の記録が可能となる。
第１図は希土類−導電性物質薄膜磁性体の断面概念図、
第２図は第１図に示した物質のスピングラス特性図、第
３図は作製したＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体の断面概念図、第
４図は作製したＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体における可逆型光
磁気記録特性図、第５図は作製したＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性
体のスピングラス特性の印加磁場依存性図、第６図はＥ
ｕおよびＭｎ層の厚みを変えて作成したＥｕ−Ｍｎ薄膜
磁性体のスピングラス特性の現われるエリアを示す図、
第７図はＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体におけるスピングラス特
性のＭｎ層厚（入）依存特性図である。 第 図 第３ 図 第２ 図 第４ 図 ■（に） 第５図 第 図
第２図は第１図に示した物質のスピングラス特性図、第
３図は作製したＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体の断面概念図、第
４図は作製したＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体における可逆型光
磁気記録特性図、第５図は作製したＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性
体のスピングラス特性の印加磁場依存性図、第６図はＥ
ｕおよびＭｎ層の厚みを変えて作成したＥｕ−Ｍｎ薄膜
磁性体のスピングラス特性の現われるエリアを示す図、
第７図はＥｕ−Ｍｎ薄膜磁性体におけるスピングラス特
性のＭｎ層厚（入）依存特性図である。 第 図 第３ 図 第２ 図 第４ 図 ■（に） 第５図 第 図
Claims (4)
- （１）希土類金属と導電性物質を積層し多層構造とした
スピングラス特性を示す光磁気記録媒体。 - （２）少なくとも希土類金属層は４０Å以下、導電物質
層は７０Å以下としたことを特徴とする請求項１記載の
光磁気記録媒体。 - （３）Ａｕ＿ｘＦｅ＿１＿−＿ｘ、Ｅｕ＿ｘＳｒ＿１＿
−＿ｘＳ、Ｆｅ＿ｘＡｌ＿１＿−＿ｘ、Ｆｅ＿ｘＣｒ＿
１＿−＿ｘ、Ｆｅ＿ｘＰｄ＿１＿−＿ｘ、Ｍｎ＿ｘＰｄ
＿１＿−＿ｘ、Ｐｄ＿ｘＦｅ＿ｙＭｎ＿１＿−＿ｘ＿−
＿ｙ、Ｎｉ＿ｘＭｎ＿１＿−＿ｘ、Ｆｅ＿ｘＮｉ＿１＿
−＿ｘ、Ｆｅ＿ｘＭｎ＿１＿−＿ｘ、Ｚｎ＿ｘＣｏ＿１
＿−＿ｘ、Ｃｏ＿ｘＴｉ＿１＿−＿ｘＯ＿４の一つを記
録媒体として用いることを特徴とする請求項１記載の光
磁気記録媒体。 - （４）スピングラス特性を有する薄膜磁性体にレーザ光
線を照射し、情報を書き込む場合はスピングラス特性の
ピーク値温度以下に加熱し、情報を消去する場合はスピ
ングラス特性のピーク値温度以上に加熱することを特徴
とする光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290026A JP2626822B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-11-09 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29011388 | 1988-11-18 | ||
| JP63-290113 | 1988-11-18 | ||
| JP1290026A JP2626822B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-11-09 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02223045A true JPH02223045A (ja) | 1990-09-05 |
| JP2626822B2 JP2626822B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=26557846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1290026A Expired - Lifetime JP2626822B2 (ja) | 1988-11-18 | 1989-11-09 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626822B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP1290026A patent/JP2626822B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2626822B2 (ja) | 1997-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hartmann et al. | Magnetic multilayers and giant magnetoresistance: fundamentals and industrial applications | |
| JPS6066349A (ja) | 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| US4464437A (en) | Magneto-optical memory element | |
| Greidanus et al. | Thermomagnetic writing in thin Co/Pt layered structures | |
| DE69027182T2 (de) | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger und -gerät | |
| Greidanus et al. | Magneto-optical storage materials | |
| JPH02223045A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2703587B2 (ja) | 光磁気記録媒体および記録方法 | |
| Greidanus et al. | Magneto‐Optical Recording and Data Storage Materials | |
| Dubowik et al. | Metastability of ultrathin Fe in Fe/Zr multilayers investigated by the Kerr effect | |
| Thomson et al. | Magnetization reversal mechanisms and time-dependent processes in thin Tb/Fe multilayer films | |
| EP0389297B1 (en) | A spin glass magnetic body, a magnetic recording medium and a magnetic recording apparatus | |
| JP2549122B2 (ja) | 記録媒体及びこれを用いた情報の記録再生方法 | |
| US5032465A (en) | Magneto-optical recording medium and the recording method therefor | |
| NAKAMURA | Extremely High-Density Magnetic Information Storage--Outlook Based on Analyses of Magnetic Recording Mechanisms-- | |
| JPH09501790A (ja) | 磁気−光学記録媒体 | |
| JP2645770B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3113069B2 (ja) | 磁気記録膜、磁気記録媒体、および光磁気記録媒体 | |
| JP3381960B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| Ohnuki et al. | MAGNETIC CAPPING LAYER EFFECT OF PtCo ALLOY FILM COUPLED WITH TbFeCo | |
| Sellmyer | Nanostructural Design of Magneto-Optic Films and Multilayers | |
| Amaladass | Magnetism of amorphous and highly anisotropic multilayer systems on flat substrates and nanospheres | |
| JPH01162257A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2674815B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| Ishida et al. | High magnetic field sensitivity of TbFeCo layer and Pt/Co multilayers with an ultra-thin RE-rich RE-TM layer |