JPH0384755A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0384755A JPH0384755A JP21870489A JP21870489A JPH0384755A JP H0384755 A JPH0384755 A JP H0384755A JP 21870489 A JP21870489 A JP 21870489A JP 21870489 A JP21870489 A JP 21870489A JP H0384755 A JPH0384755 A JP H0384755A
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは書き換
え可能な光ディスクなどに用いられ、磁気カー回転効果
あるいはファラデー効果などの磁気光学効果を用いて読
み出すことのできる光磁気記録媒体に関するものである
。
え可能な光ディスクなどに用いられ、磁気カー回転効果
あるいはファラデー効果などの磁気光学効果を用いて読
み出すことのできる光磁気記録媒体に関するものである
。
［従来の技術］
光磁気記録媒体の材料としては、主として以下の条件が
要求されている。
要求されている。
（ａ）垂直磁化膜であること。
（ｂ）キュリー温度が１００〜２００℃の間にあること
。
。
（Ｃ）大きな保磁力を有していること。
（ｄ）カー回転角θｋが大きいこと。
「ｅ、ＱＯ等にＴｂ、Ｇｄなどの重希土類を添加した場
合、磁気異方性が増加し垂直磁化膜になることが知られ
ている。こうしたことから、光磁気記録媒体の材料とし
て、ＧｄＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＣｏ、Ｔ
ｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅＣ０などの重希土類−３ｄ遷移金
属非晶質合金薄膜が前記条件を満足し、かつ量産に適し
、読み出しノイズのないことから有望とされている。
合、磁気異方性が増加し垂直磁化膜になることが知られ
ている。こうしたことから、光磁気記録媒体の材料とし
て、ＧｄＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＣｏ、ＴｂＣｏ、Ｔ
ｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅＣ０などの重希土類−３ｄ遷移金
属非晶質合金薄膜が前記条件を満足し、かつ量産に適し
、読み出しノイズのないことから有望とされている。
特にＴｂＦｅＣｏは、有望視され実用化のための検討が
進められている。
進められている。
また、光磁気ディスクの高性能化としてオーバーライド
機能が求められている。オーバーライドを実現する方法
は、幾つか提案されているが、その中で磁界変調方式は
、最も有力な方法の一つとされている。
機能が求められている。オーバーライドを実現する方法
は、幾つか提案されているが、その中で磁界変調方式は
、最も有力な方法の一つとされている。
［発明が解決しようとする課題］
磁界変調方式では、レーザで記録媒体を連続加熱し、媒
体温度をキュリー温度以上にした状態で記録信号に合わ
せて記録磁界を反転させ、オーバーライドを行う。この
記録磁界は、磁気ヘッドに組み込まれたコイルに流れる
電流方向を変化させて磁界方向を高速で反転させるため
、記録磁界の値は小さくする必要がある。
体温度をキュリー温度以上にした状態で記録信号に合わ
せて記録磁界を反転させ、オーバーライドを行う。この
記録磁界は、磁気ヘッドに組み込まれたコイルに流れる
電流方向を変化させて磁界方向を高速で反転させるため
、記録磁界の値は小さくする必要がある。
一方、オーバーライドに必要な記録磁界の大きさは、記
録媒体の磁化に比例して発生する反磁界の大きさに依存
する。このため、記録媒体は磁化の小さな室温で補償組
成近傍の組成のものが選ばれている。さらに磁化の値を
小さくする目的で軽希土類の添加も試みられている。し
かし、その媒体においても記録磁界として±３００Ｑｅ
程度が必要なため、記録磁界の反転時間が長くなる。こ
のため記録磁区間に遷移領域が発生し、記録ノイズの増
加の原因になる。
録媒体の磁化に比例して発生する反磁界の大きさに依存
する。このため、記録媒体は磁化の小さな室温で補償組
成近傍の組成のものが選ばれている。さらに磁化の値を
小さくする目的で軽希土類の添加も試みられている。し
かし、その媒体においても記録磁界として±３００Ｑｅ
程度が必要なため、記録磁界の反転時間が長くなる。こ
のため記録磁区間に遷移領域が発生し、記録ノイズの増
加の原因になる。
本発明は、以上述べたような従来の問題点を解決するた
めになされたもので、磁界変調オーバーライドに適する
媒体として記録媒体の磁化に比例して発生する反磁界を
小さくした光磁気記録媒体を提供することにある。
めになされたもので、磁界変調オーバーライドに適する
媒体として記録媒体の磁化に比例して発生する反磁界を
小さくした光磁気記録媒体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、膜面に垂直な方向に磁気容易軸を有するＭｌ
−Ｆｅ−Ｃｏ （但し、ＭｌはＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂおよ
びＤｙのうちの少なくとも１種類を示す〉で表される組
成の非晶質合金記録膜が中間層としてのクロム（Ｃ「〉
層を挟んで各１層ずつ形成されてなり、２層の前記非晶
質合金記録膜は、それぞれの磁化が異なるようにその組
成および／または層厚が制御されてなることを特徴とす
る光磁気記録媒体、および膜面に垂直な方向に磁気容易
軸を有する。Ｍ’ −Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍｌ （但し、Ｍｌ
はＮｄ、Ｐｒ、ＴｂおよびＤｙのうちの少なくとも１種
類を示し、ＭｌはＴｉ、Ｐｔ、 Ｃｒ、 Ｔａ。
−Ｆｅ−Ｃｏ （但し、ＭｌはＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂおよ
びＤｙのうちの少なくとも１種類を示す〉で表される組
成の非晶質合金記録膜が中間層としてのクロム（Ｃ「〉
層を挟んで各１層ずつ形成されてなり、２層の前記非晶
質合金記録膜は、それぞれの磁化が異なるようにその組
成および／または層厚が制御されてなることを特徴とす
る光磁気記録媒体、および膜面に垂直な方向に磁気容易
軸を有する。Ｍ’ −Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍｌ （但し、Ｍｌ
はＮｄ、Ｐｒ、ＴｂおよびＤｙのうちの少なくとも１種
類を示し、ＭｌはＴｉ、Ｐｔ、 Ｃｒ、 Ｔａ。
Ａｉ、Ｉｎのうちの少なくとも１種類を示す）で表され
る組成の非晶質合金記録膜が中間層としてのクロム（Ｃ
ｒ）層を挟んで各１層ずつ形成されてなり、２層の前記
非晶質合金記録膜は、それぞれの磁化が異なるようにそ
の組成および／または層厚が制御されてなることを特徴
とする光磁気記録媒体である。
る組成の非晶質合金記録膜が中間層としてのクロム（Ｃ
ｒ）層を挟んで各１層ずつ形成されてなり、２層の前記
非晶質合金記録膜は、それぞれの磁化が異なるようにそ
の組成および／または層厚が制御されてなることを特徴
とする光磁気記録媒体である。
本発明において、中間層であるＣｒ層の層厚は、０．３
〜０．９層ｍの範囲であることが好ましく、また２層の
非晶質合金記録膜の層厚差は１〜５ ｎｍの範囲である
ことが好ましい。
〜０．９層ｍの範囲であることが好ましく、また２層の
非晶質合金記録膜の層厚差は１〜５ ｎｍの範囲である
ことが好ましい。
［作用］
「ｅ金属薄膜の中間層にＣ「金属層を適当な層厚で積層
した場合、中間層を挟む２層のＦｅ膜の磁化が反強磁性
的に結合することが知られている（ Ｐ、 Ｇｒｕｂｅ
ｒｇ、 Ｒ，５ｃｈｒｅｉｂｅｒ、 Ｙ、 Ｐａｎｇ、
Ｈ，Ｂ。
した場合、中間層を挟む２層のＦｅ膜の磁化が反強磁性
的に結合することが知られている（ Ｐ、 Ｇｒｕｂｅ
ｒｇ、 Ｒ，５ｃｈｒｅｉｂｅｒ、 Ｙ、 Ｐａｎｇ、
Ｈ，Ｂ。
Ｂｒｏｄｓｋｙ ａｎｄ Ｈ，Ｓｏｗｅｒｓ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、 ５７゜２４４２ （１９
８６））。現在、光磁気記録媒体に主に用いられている
希土類遷移金属非晶質合金記録膜の主成分はＦｅである
ことから、記録媒体を２層に分け、中間層にＣ「金属層
を積層した場合、中間層を挟む２層の記録媒体の磁化が
反強磁性的に結合することが期待される。
ｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、 ５７゜２４４２ （１９
８６））。現在、光磁気記録媒体に主に用いられている
希土類遷移金属非晶質合金記録膜の主成分はＦｅである
ことから、記録媒体を２層に分け、中間層にＣ「金属層
を積層した場合、中間層を挟む２層の記録媒体の磁化が
反強磁性的に結合することが期待される。
この２層の記録媒体の組成が同じで厚さがほぼ等しい場
合、記録媒体全体の磁化は打ち消しあってＯに近くなり
、記録消去時の反磁界の影響は小さくなる。この場合、
記録媒体の磁化が完全にＯの場合は、外部記録磁界によ
る書き込み消去が不可能である。このため、記録膜の２
層の層厚に差をつけるか、あるいはその組成を異ならし
める必要がある。層厚に差をつける場合、層厚差に記録
媒体全体の磁化の大きさは比例するため、あまり大きい
場合、効果は小さくなる。このため、層厚差Ｄｄは、１
〜５ ｎｍの範囲であることが望まれる。
合、記録媒体全体の磁化は打ち消しあってＯに近くなり
、記録消去時の反磁界の影響は小さくなる。この場合、
記録媒体の磁化が完全にＯの場合は、外部記録磁界によ
る書き込み消去が不可能である。このため、記録膜の２
層の層厚に差をつけるか、あるいはその組成を異ならし
める必要がある。層厚に差をつける場合、層厚差に記録
媒体全体の磁化の大きさは比例するため、あまり大きい
場合、効果は小さくなる。このため、層厚差Ｄｄは、１
〜５ ｎｍの範囲であることが望まれる。
また、本発明の非晶質合金薄膜にＴｉ、ｐｔ。
Ｔａ、Ｃｒ、ＡＩｌ、Ｉ ｎのいずれかの元素１種類以
上を好ましくは５％以下添加することは、光磁気記録媒
体の耐候性の向上に有効である。添加する元素は、１種
類または複数でもよい。また、光磁気ディスクの用途に
よってはこの添加元素はなくてもかまわない。
上を好ましくは５％以下添加することは、光磁気記録媒
体の耐候性の向上に有効である。添加する元素は、１種
類または複数でもよい。また、光磁気ディスクの用途に
よってはこの添加元素はなくてもかまわない。
本発明は、記録媒体の組成系もしくは組成比に関わらず
全ての垂直磁気異方性を有する希土類遷移金属非晶質膜
について有効である。
全ての垂直磁気異方性を有する希土類遷移金属非晶質膜
について有効である。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
３極ＲＦマグネトロンスパツタリングにより、ガラス基
板上に本発明による光磁気記録媒体の成膜を行った。Ｆ
ｅ８ｏＣＯ２ｏターゲツト上に５ ｍｍ角のＮｄ、Ｐｒ
、Ｔｂ、ｏｙチップを配列した複合ターゲットを用い、
希土類組成を変化させた非晶質合金薄膜を作製した。膜
厚は第１層を４ＯｎＩｎ。
板上に本発明による光磁気記録媒体の成膜を行った。Ｆ
ｅ８ｏＣＯ２ｏターゲツト上に５ ｍｍ角のＮｄ、Ｐｒ
、Ｔｂ、ｏｙチップを配列した複合ターゲットを用い、
希土類組成を変化させた非晶質合金薄膜を作製した。膜
厚は第１層を４ＯｎＩｎ。
第２層を３８ ｎｍとし、中間層Ｃ「の層厚を０．２層
ｍからｉ、ｏｎｍに変化させた。Ｃ「膜の成膜にはＣｒ
ターゲットを用いた。到達真空度は３Ｘ１０−７１ｏｒ
ｒ以下とし、スパッタガスにＡｒを用い、ガス圧７ ｘ
１０−３ Ｔｏｒｒとした。投入電力は３００Ｗであ
る。
ｍからｉ、ｏｎｍに変化させた。Ｃ「膜の成膜にはＣｒ
ターゲットを用いた。到達真空度は３Ｘ１０−７１ｏｒ
ｒ以下とし、スパッタガスにＡｒを用い、ガス圧７ ｘ
１０−３ Ｔｏｒｒとした。投入電力は３００Ｗであ
る。
第１図は、以上のようにして作製した試料の部分断面図
である。図中、１ａおよび１ｂは同一組成のＴｂＦｅＣ
ｏ非晶質合金膜であり、１ａの膜厚は４０ ｎｍ、１ｂ
の膜厚は３８ ｒｉｍである。２は中間層Ｃｒ（層厚ｄ
は０．２層ｍ≦ｄ≦１．Ｏｎｍ ）、３はガラス基板で
ある。
である。図中、１ａおよび１ｂは同一組成のＴｂＦｅＣ
ｏ非晶質合金膜であり、１ａの膜厚は４０ ｎｍ、１ｂ
の膜厚は３８ ｒｉｍである。２は中間層Ｃｒ（層厚ｄ
は０．２層ｍ≦ｄ≦１．Ｏｎｍ ）、３はガラス基板で
ある。
第２図は、試料の中間層Ｃ「の層厚ｄによる飽和磁化の
変化を示す。中間層Ｃｒの層厚ｄが０．３〜０．９層ｍ
の範囲で、飽和磁化の低下がみられることがわかる。
変化を示す。中間層Ｃｒの層厚ｄが０．３〜０．９層ｍ
の範囲で、飽和磁化の低下がみられることがわかる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の光磁気記録媒体は、飽和
磁化の低下がみられ、従来の光磁気記録媒体よりも磁界
変調オーバーライドに適するという効果を有する。
磁化の低下がみられ、従来の光磁気記録媒体よりも磁界
変調オーバーライドに適するという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
光磁気記録媒体における中間層Ｃ「の層厚ｄによる飽和
磁化の変化を示す図である。 １ａ、１ｂ・・・ＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜２・・・中
間層Ｃｒ ３・・・ガラス基板
光磁気記録媒体における中間層Ｃ「の層厚ｄによる飽和
磁化の変化を示す図である。 １ａ、１ｂ・・・ＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜２・・・中
間層Ｃｒ ３・・・ガラス基板
Claims (3)
- （１）膜面に垂直な方向に磁気容易軸を有するＭ＾１−
Ｆｅ−Ｃｏ（但し、Ｍ＾１はＮｄ、Ｐｒ、ＴｂおよびＤ
ｙのうちの少なくとも１種類を示す）で表される組成の
非晶質合金記録膜が中間層としてのクロム（Ｃｒ）層を
挟んで各１層ずつ形成されてなり、２層の前記非晶質合
金記録膜は、それぞれの磁化が異なるようにその組成お
よび／または層厚が制御されてなることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - （２）膜面に垂直な方向に磁気容易軸を有するＭ＾１−
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ＾２（但し、Ｍ＾１はＮｄ、Ｐｒ、Ｔを
およびＤｙのうちの少なくとも１種類を示し、Ｍ＾２は
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｉｎのうちの少なくと
も１種類を示す）で表される組成の非晶質合金記録膜が
中間層としてのクロム（Ｃｒ）層を挟んで各１層ずつ形
成されてなり、２層の前記非晶質合金記録膜は、それぞ
れの磁化が異なるようにその組成および／または層厚が
制御されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - （３）クロム（Ｃｒ）層の層厚が、０．３〜０．９ｎｍ
の範囲である請求項（１）または（２）に記載の光磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21870489A JPH0384755A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21870489A JPH0384755A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384755A true JPH0384755A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16724113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21870489A Pending JPH0384755A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384755A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100387331B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2003-06-18 | 안호성 | 이지 사이펀 파우치 |
| JP2007030890A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Fuji Seal International Inc | スパウト付包装体及びスパウト付包装袋 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP21870489A patent/JPH0384755A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100387331B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2003-06-18 | 안호성 | 이지 사이펀 파우치 |
| JP2007030890A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Fuji Seal International Inc | スパウト付包装体及びスパウト付包装袋 |
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