JP3150401B2 - 垂直磁化膜及び磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁化膜及び磁気記録媒体Info
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 title claims description 65
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- ZSOJHTHUCUGDHS-UHFFFAOYSA-N gadolinium iron Chemical compound [Fe].[Gd] ZSOJHTHUCUGDHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
- G11B5/678—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer having three or more magnetic layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体や垂直
磁気記録媒体などの磁気記録媒体に好適な垂直磁化膜及
びそれを用いた磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体などの磁気記録媒体に好適な垂直磁化膜及
びそれを用いた磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、膜面に対し垂直な方向に磁化容
易軸を有する垂直磁化膜は、レーザー光などの光ビーム
を照射することで、数μｍ以下のスポットで情報を記録
することができ、カー効果などの磁気光学効果を用いて
その情報を読み出すことができるため、高密度の記録媒
体として有効である。この様な記録媒体として、MnBi等
の多結晶膜，GdIG（ガドリニウム鉄ガーネット）等の化
合物単結晶薄膜，Tb-Fe等の希土類−鉄族の非晶質薄膜
等がある。しかしながら製造性，S/N 比等についてそれ
ぞれ一長一短があり、更なる改良が望まれている。
易軸を有する垂直磁化膜は、レーザー光などの光ビーム
を照射することで、数μｍ以下のスポットで情報を記録
することができ、カー効果などの磁気光学効果を用いて
その情報を読み出すことができるため、高密度の記録媒
体として有効である。この様な記録媒体として、MnBi等
の多結晶膜，GdIG（ガドリニウム鉄ガーネット）等の化
合物単結晶薄膜，Tb-Fe等の希土類−鉄族の非晶質薄膜
等がある。しかしながら製造性，S/N 比等についてそれ
ぞれ一長一短があり、更なる改良が望まれている。
【０００３】最近、新しい垂直磁化膜としてCoとPt（ま
たはPd）を数オングストロームオーダーの周期で数100
オングストローム積層した、いわゆる人工格子膜が注目
されている。この積層膜は400nm から500nm という短波
長領域での磁気光学効果が大きく、短波長対応の高密度
記録媒体として期待されている。
たはPd）を数オングストロームオーダーの周期で数100
オングストローム積層した、いわゆる人工格子膜が注目
されている。この積層膜は400nm から500nm という短波
長領域での磁気光学効果が大きく、短波長対応の高密度
記録媒体として期待されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に垂直磁化膜と
して有望なCo/Pt等の積層膜であるが、カー回転角など
の磁気光学効果の増大を考えた場合、磁気光学効果に直
接寄与するのがCo等の磁性金属であるため、磁性金属で
あるCo量はできるだけ多いほうが好ましい。従って、積
層膜のCo/Pt の膜厚比をｔCo／ｔPtと表したとき、ｔCo
／ｔPtの値はできるだけ大きい方が望ましい。
して有望なCo/Pt等の積層膜であるが、カー回転角など
の磁気光学効果の増大を考えた場合、磁気光学効果に直
接寄与するのがCo等の磁性金属であるため、磁性金属で
あるCo量はできるだけ多いほうが好ましい。従って、積
層膜のCo/Pt の膜厚比をｔCo／ｔPtと表したとき、ｔCo
／ｔPtの値はできるだけ大きい方が望ましい。
【０００５】しかしながら、この値が1/2 を越えて大き
くなると角形比が低下し、良好な垂直磁化膜が得られな
いという問題がある(J.Appl.Phys.67(4),p2136(1990))
。従ってCo/Pt に代表される磁性金属／貴金属系の積
層膜では磁性金属量の多い垂直磁化膜は得られていない
のが現状である。
くなると角形比が低下し、良好な垂直磁化膜が得られな
いという問題がある(J.Appl.Phys.67(4),p2136(1990))
。従ってCo/Pt に代表される磁性金属／貴金属系の積
層膜では磁性金属量の多い垂直磁化膜は得られていない
のが現状である。
【０００６】一般に人工格子膜による垂直磁化膜は、数
100 オングストローム程度積層して実現するが、例え
ば、特開平2-56752 号公報に示されているように、Coの
膜厚の厚い領域では垂直磁化膜が得られない旨記載され
ている。これは同公報の第６図、第15図、第17図、第19
図における左上の領域が垂直磁化膜の得られない領域と
されていることからも明白である。本発明は以上の点を
考慮してなされたもので、磁性金属量が多く、かつ良好
な垂直磁化特性を示すことのできる垂直磁化膜を提供す
ることを目的とする。
100 オングストローム程度積層して実現するが、例え
ば、特開平2-56752 号公報に示されているように、Coの
膜厚の厚い領域では垂直磁化膜が得られない旨記載され
ている。これは同公報の第６図、第15図、第17図、第19
図における左上の領域が垂直磁化膜の得られない領域と
されていることからも明白である。本発明は以上の点を
考慮してなされたもので、磁性金属量が多く、かつ良好
な垂直磁化特性を示すことのできる垂直磁化膜を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは磁
性金属(M) ／貴金属(N) 系の垂直磁化膜で、なんとか磁
性金属量を増やすことはできないかを検討した。この種
の積層膜では、例えばCo/Pt の繰返しを数10回，全膜厚
が数100 オングストームとするのが常識的であったが、
敢えてCo/Pt の繰返しを数回にとどめた状態での膜特性
を調べた。その結果、驚くべきことに磁性金属量が多い
状態でも、Co/Pt の繰返し回数を減らし、また積層膜の
膜厚を薄くしたところでは、垂直磁化膜が得られること
を見出したのである。
性金属(M) ／貴金属(N) 系の垂直磁化膜で、なんとか磁
性金属量を増やすことはできないかを検討した。この種
の積層膜では、例えばCo/Pt の繰返しを数10回，全膜厚
が数100 オングストームとするのが常識的であったが、
敢えてCo/Pt の繰返しを数回にとどめた状態での膜特性
を調べた。その結果、驚くべきことに磁性金属量が多い
状態でも、Co/Pt の繰返し回数を減らし、また積層膜の
膜厚を薄くしたところでは、垂直磁化膜が得られること
を見出したのである。
【０００８】すなわち第１の発明は、磁性層と貴金属層
とが交互に積層され、その積層状態を（Ｍ／Ｎ） n で表
し（Ｍは磁性体、Ｎは貴金属、ｎは積層数）、１層当た
りの膜厚比をｔ M ／ｔ N （ｔ M は磁性層の厚さ、ｔ N は貴金
属の厚さ）で表したとき、（Ｍ／Ｎ） n の膜厚が５０オ
ングストローム以下であり、２≦ｎ≦５、０．６≦ｔ M
／ｔ N ≦３、２≦ｔ M ≦１６（オングストローム）、２≦
ｔ N ≦１６（オングストローム）の条件をすべて満足す
ることを特徴とする垂直磁化膜である。ここで磁性体Ｍ
としては磁性金属であるCoが代表的であるが、他にFe,N
i 等が挙げられる。もちろんこれらの複合系でも構わな
い。また貴金属ＮとしてはPtが代表的であるが、他にP
d,Ru,Au,Ag 等が挙げられ、これも複合系でも構わな
い。（Ｍ／Ｎ）n の膜厚が５０オングストロームを越え
ると垂直磁化膜が得にくくなる。好ましくは３０オング
ストローム以下である。
とが交互に積層され、その積層状態を（Ｍ／Ｎ） n で表
し（Ｍは磁性体、Ｎは貴金属、ｎは積層数）、１層当た
りの膜厚比をｔ M ／ｔ N （ｔ M は磁性層の厚さ、ｔ N は貴金
属の厚さ）で表したとき、（Ｍ／Ｎ） n の膜厚が５０オ
ングストローム以下であり、２≦ｎ≦５、０．６≦ｔ M
／ｔ N ≦３、２≦ｔ M ≦１６（オングストローム）、２≦
ｔ N ≦１６（オングストローム）の条件をすべて満足す
ることを特徴とする垂直磁化膜である。ここで磁性体Ｍ
としては磁性金属であるCoが代表的であるが、他にFe,N
i 等が挙げられる。もちろんこれらの複合系でも構わな
い。また貴金属ＮとしてはPtが代表的であるが、他にP
d,Ru,Au,Ag 等が挙げられ、これも複合系でも構わな
い。（Ｍ／Ｎ）n の膜厚が５０オングストロームを越え
ると垂直磁化膜が得にくくなる。好ましくは３０オング
ストローム以下である。
【０００９】またｔ M ／ｔ N を０．６以上に設定するこ
とで、垂直磁化膜の保磁力を向上することができる。ま
た従来に比べ単位厚さ当りの磁性金属量が多くなり、そ
れに伴い磁気光学効果の向上が達成され、かつ貴金属量
が低下することになるため、膜コストが低下する。な
お、膜厚にもよるが、余り磁性金属の比率が高くなると
垂直磁化が達成し難くなるため、ｔM ／ｔN は３以下で
あることが好ましい。
とで、垂直磁化膜の保磁力を向上することができる。ま
た従来に比べ単位厚さ当りの磁性金属量が多くなり、そ
れに伴い磁気光学効果の向上が達成され、かつ貴金属量
が低下することになるため、膜コストが低下する。な
お、膜厚にもよるが、余り磁性金属の比率が高くなると
垂直磁化が達成し難くなるため、ｔM ／ｔN は３以下で
あることが好ましい。
【００１０】なお磁性金属１層の厚さｔM であるが、余
り厚いと垂直磁化の達成が困難であるため、16オングス
トローム以下が好ましい。また余り薄すぎると良好な磁
性を示さないため、最低でも２オングストロームはあっ
た方が良い。さらには３≦ｔM ≦１５（オングストロー
ム）であることが好ましい。
り厚いと垂直磁化の達成が困難であるため、16オングス
トローム以下が好ましい。また余り薄すぎると良好な磁
性を示さないため、最低でも２オングストロームはあっ
た方が良い。さらには３≦ｔM ≦１５（オングストロー
ム）であることが好ましい。
【００１１】また貴金属１層の厚さｔN であるが、余り
薄すぎると垂直磁化の達成が困難であり、最低でも２オ
ングストロームはあった方が良い。また積層時に磁性金
属層間に挟まれる貴金属層の厚さは、磁性金属層間の磁
気的カップリングを疎外しない程度、すなわち16オング
ストローム以下程度が好ましい。さらには３≦ｔN ≦１
５（オングストローム）であることが好ましい。
薄すぎると垂直磁化の達成が困難であり、最低でも２オ
ングストロームはあった方が良い。また積層時に磁性金
属層間に挟まれる貴金属層の厚さは、磁性金属層間の磁
気的カップリングを疎外しない程度、すなわち16オング
ストローム以下程度が好ましい。さらには３≦ｔN ≦１
５（オングストローム）であることが好ましい。
【００１２】さてM/N の繰返しの積層数ｎであるが、従
来の如く磁性金属量が少ない領域、すなわちｔM ／ｔN
≦0.5 のような膜では数10回の繰返しでも垂直磁化が達
成できるが、ｔM ／ｔN ≧0.6 と磁性金属量が多い場合
は、従来のような多数回の積層では角形比が低下してし
まい、良好な垂直磁化膜が得られなくなるため、ｎは５
以下である必要がある。
来の如く磁性金属量が少ない領域、すなわちｔM ／ｔN
≦0.5 のような膜では数10回の繰返しでも垂直磁化が達
成できるが、ｔM ／ｔN ≧0.6 と磁性金属量が多い場合
は、従来のような多数回の積層では角形比が低下してし
まい、良好な垂直磁化膜が得られなくなるため、ｎは５
以下である必要がある。
【００１３】本発明の垂直磁化膜は、例えばガラス，樹
脂等の基板上に、通常の薄膜形成方法、例えばRF，イオ
ンビームなどの各種スパッタリング法，蒸着法，ＭＢＥ
法等で作成することができる。基板上にはＭ／Ｎの繰返
しの内の貴金属膜Ｎが位置するのが一般的であるが、垂
直磁化膜の保磁力向上，角形性向上などのため、この基
板上に形成される貴金属層は10〜300 オングストローム
程度の下地層としても良い。
脂等の基板上に、通常の薄膜形成方法、例えばRF，イオ
ンビームなどの各種スパッタリング法，蒸着法，ＭＢＥ
法等で作成することができる。基板上にはＭ／Ｎの繰返
しの内の貴金属膜Ｎが位置するのが一般的であるが、垂
直磁化膜の保磁力向上，角形性向上などのため、この基
板上に形成される貴金属層は10〜300 オングストローム
程度の下地層としても良い。
【００１４】また最上層に磁性層が位置した場合に耐候
性などの問題が有ると考えられるときは、貴金属層を最
上層として追加しても良い。この場合積層膜全体として
みれば、（Ｍ／Ｎ）の繰返しに貴金属層が１層追加され
た形となる。
性などの問題が有ると考えられるときは、貴金属層を最
上層として追加しても良い。この場合積層膜全体として
みれば、（Ｍ／Ｎ）の繰返しに貴金属層が１層追加され
た形となる。
【００１５】本発明の垂直磁化膜は垂直磁気記録媒体と
して用いることができるが、従来に比べ磁気光学効果が
より効果的に発揮できるため、高密度でしかもＣ／Ｎ比
に優れた光磁気記録媒体として有望である。なお記録媒
体としては本発明の垂直磁化膜を記録層として用い、従
来の光磁気記録媒体の如く、更にバイアス磁界発生層な
どを付加しても良い。また本発明の垂直磁化膜をバイア
ス磁界発生層として用いることも可能である。
して用いることができるが、従来に比べ磁気光学効果が
より効果的に発揮できるため、高密度でしかもＣ／Ｎ比
に優れた光磁気記録媒体として有望である。なお記録媒
体としては本発明の垂直磁化膜を記録層として用い、従
来の光磁気記録媒体の如く、更にバイアス磁界発生層な
どを付加しても良い。また本発明の垂直磁化膜をバイア
ス磁界発生層として用いることも可能である。
【００１６】ところで、従来、磁性金属量を多くするた
めには積層数を多くする手段がとられていたのだが、余
り多くすると垂直磁化膜が得られなくなるため、限界が
あった。本発明者らは先に示した様に少ない積層数で垂
直磁化膜が得られることに着目し、この垂直磁化膜ユニ
ットを垂直磁化特性を損なうことなく積層できれば、よ
り多くの磁性金属を含む垂直磁化膜が得られると考え、
第２の発明に至った。すなわち第２の発明は、磁性層と
貴金属層とが交互に積層された状態を（Ｍ／Ｎ）n （Ｍ
は磁性体，Ｎは貴金属，ｎは積層数）で表したとき、垂
直磁化を有する（Ｍ／Ｎ）n の膜が非磁性層Ｌを介して
複数層積層されていることを特徴とする垂直磁化膜であ
る。Ｍ，Ｎに関しては、前述の第１の発明と同様であ
る。
めには積層数を多くする手段がとられていたのだが、余
り多くすると垂直磁化膜が得られなくなるため、限界が
あった。本発明者らは先に示した様に少ない積層数で垂
直磁化膜が得られることに着目し、この垂直磁化膜ユニ
ットを垂直磁化特性を損なうことなく積層できれば、よ
り多くの磁性金属を含む垂直磁化膜が得られると考え、
第２の発明に至った。すなわち第２の発明は、磁性層と
貴金属層とが交互に積層された状態を（Ｍ／Ｎ）n （Ｍ
は磁性体，Ｎは貴金属，ｎは積層数）で表したとき、垂
直磁化を有する（Ｍ／Ｎ）n の膜が非磁性層Ｌを介して
複数層積層されていることを特徴とする垂直磁化膜であ
る。Ｍ，Ｎに関しては、前述の第１の発明と同様であ
る。
【００１７】非磁性層Ｌは、これを介して対向している
垂直磁化膜の磁気的相互作用を消す機能を有しており、
非磁性体であれば良い。例えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、各種ガラス、Pt、Pd、Au、Ag、Al、Cu、Mn、Cr、Si
等が挙げられる。膜厚は磁気的結合が遮断される１０オ
ングストローム以上程度であり、磁気光学効果を考慮す
ると光の損失を最低限にするため、できるかぎり薄いこ
とが望ましい。また余り厚いと磁気的に一体となった積
層膜としては取り扱えなくなるため、せいぜい１００オ
ングストローム程度が限界である。好ましくは２０オン
グストローム乃至１００オングストロームである。また
この非磁性層は、単位ユニットである（Ｍ／Ｎ）の最後
の貴金属層を厚くして、非磁性層と兼用することも可能
である。
垂直磁化膜の磁気的相互作用を消す機能を有しており、
非磁性体であれば良い。例えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、各種ガラス、Pt、Pd、Au、Ag、Al、Cu、Mn、Cr、Si
等が挙げられる。膜厚は磁気的結合が遮断される１０オ
ングストローム以上程度であり、磁気光学効果を考慮す
ると光の損失を最低限にするため、できるかぎり薄いこ
とが望ましい。また余り厚いと磁気的に一体となった積
層膜としては取り扱えなくなるため、せいぜい１００オ
ングストローム程度が限界である。好ましくは２０オン
グストローム乃至１００オングストロームである。また
この非磁性層は、単位ユニットである（Ｍ／Ｎ）の最後
の貴金属層を厚くして、非磁性層と兼用することも可能
である。
【００１８】さて単位ユニットの膜厚ｔM ／ｔN である
が、垂直磁化膜であれば良いため、第１発明のような限
定は特に必要ではない。好ましくは、０．３≦ｔM ／ｔ
N ≦３である。しかしながら、磁性金属量を多くするた
めには第１発明のような構成を採ることが好ましい。
が、垂直磁化膜であれば良いため、第１発明のような限
定は特に必要ではない。好ましくは、０．３≦ｔM ／ｔ
N ≦３である。しかしながら、磁性金属量を多くするた
めには第１発明のような構成を採ることが好ましい。
【００１９】Ｍ／Ｎの繰返しが基本であるが、非磁性層
として貴金属以外の層を用いた場合は、垂直磁化が得に
くくなるため、非磁性層が例えばCuの様に貴金属以外の
場合には、必ずＮ層が非磁性層との界面に位置するよう
に膜構成を制御するか、（Ｍ／Ｎ）の繰返しに更にＮ層
を追加して磁性層が必ず貴金属層で挟まれるようにする
ことが好ましい。
として貴金属以外の層を用いた場合は、垂直磁化が得に
くくなるため、非磁性層が例えばCuの様に貴金属以外の
場合には、必ずＮ層が非磁性層との界面に位置するよう
に膜構成を制御するか、（Ｍ／Ｎ）の繰返しに更にＮ層
を追加して磁性層が必ず貴金属層で挟まれるようにする
ことが好ましい。
【００２０】この第２の発明において、積層する垂直磁
化膜の保磁力を異ならせれば、多段ヒステリシスループ
を有する垂直磁化膜を得ることができる。この様な多段
ヒステリシスループを有する垂直磁化膜を用いることに
より、多値の記録やオーバーライト記録が可能となる。
また本発明にかかる垂直磁化膜ではファラデー回転角が
大きく、磁気記録をファラデー回転角の変化で読み出す
ことが好適である。
化膜の保磁力を異ならせれば、多段ヒステリシスループ
を有する垂直磁化膜を得ることができる。この様な多段
ヒステリシスループを有する垂直磁化膜を用いることに
より、多値の記録やオーバーライト記録が可能となる。
また本発明にかかる垂直磁化膜ではファラデー回転角が
大きく、磁気記録をファラデー回転角の変化で読み出す
ことが好適である。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 （実施例１）図１に示したようなイオンビームスパッタ
リング装置を用い、磁性金属ＭとしてCo、貴金属Ｎとし
てPtの積層膜を、石英ガラス基板上に作製した。
リング装置を用い、磁性金属ＭとしてCo、貴金属Ｎとし
てPtの積層膜を、石英ガラス基板上に作製した。
【００２２】製造条件は、予め４×10-7torrの真空度ま
で排気した後、メインガン（イオンガン１）にArガス
（純度99％）を分圧が1.5 ×10-4torrになるまで導入
し、Arをイオン化し、加速電圧が500 V のイオンビーム
としてターゲットに照射という条件である。ターゲット
としてはCo,Pt のそれぞれの金属ターゲットを準備し、
これを適宜回転することでCo/Pt の交互の積層を行っ
た。Co層の厚さｔCoを５オングストローム、Pt層の厚さ
ｔPtを５オングストローム、Co/Pt の繰返し数をｎと
し、ｎを変化させた結果を図２乃至図６に示す
で排気した後、メインガン（イオンガン１）にArガス
（純度99％）を分圧が1.5 ×10-4torrになるまで導入
し、Arをイオン化し、加速電圧が500 V のイオンビーム
としてターゲットに照射という条件である。ターゲット
としてはCo,Pt のそれぞれの金属ターゲットを準備し、
これを適宜回転することでCo/Pt の交互の積層を行っ
た。Co層の厚さｔCoを５オングストローム、Pt層の厚さ
ｔPtを５オングストローム、Co/Pt の繰返し数をｎと
し、ｎを変化させた結果を図２乃至図６に示す
【００２３】図２は試料番号1-1(n=2)の磁化曲線を示す
図である。膜面に平行に磁界を印加した場合に比べ膜面
に垂直に磁界を印加した場合のほうが残留磁束密度（Ｍ
r ）及び保磁力（Ｈc ）が大きく、垂直磁化膜となって
いることが分かる。
図である。膜面に平行に磁界を印加した場合に比べ膜面
に垂直に磁界を印加した場合のほうが残留磁束密度（Ｍ
r ）及び保磁力（Ｈc ）が大きく、垂直磁化膜となって
いることが分かる。
【００２４】図３は積層数ｎによるカー効果測定（波長
400nm)による角形性（θkr／θkf）及び保磁力（Ｈc ）
の変化を示している。図３から明らかな様に、ｎ≦５の
領域で角形性及び保磁力ともに良好であることが分か
る。他の磁性金属，貴金属でも同様の傾向が見られる。 （実施例２）
400nm)による角形性（θkr／θkf）及び保磁力（Ｈc ）
の変化を示している。図３から明らかな様に、ｎ≦５の
領域で角形性及び保磁力ともに良好であることが分か
る。他の磁性金属，貴金属でも同様の傾向が見られる。 （実施例２）
【００２５】実施例１と同様の方法で、ｔPtを４オング
ストローム，ｎ＝１の条件で膜厚比ｔCo／ｔPtを変化さ
せたときの角形性（θkr／θkf）を調べ、その結果を図
４に示す。図４から明らかな様に、ｔCo／ｔPt≦３で良
好な垂直磁化が得られることが確認された。 （実施例３）
ストローム，ｎ＝１の条件で膜厚比ｔCo／ｔPtを変化さ
せたときの角形性（θkr／θkf）を調べ、その結果を図
４に示す。図４から明らかな様に、ｔCo／ｔPt≦３で良
好な垂直磁化が得られることが確認された。 （実施例３）
【００２６】実施例１と同様の方法で、ｔCoを５オング
ストローム，ｎ＝２の条件で膜厚比ｔCo／ｔPtを0.5 か
ら２の範囲で変化させたときの角形比はθkr／θkf＝１
であり、良好な垂直磁化膜であった。またカー回転角
（θk ）とｔCo／ｔPtの関係を図５に示した。図５から
明らかな様に、ｔCo／ｔPtの増加に伴いθk も増加の傾
向にあることが分かる （実施例４）
ストローム，ｎ＝２の条件で膜厚比ｔCo／ｔPtを0.5 か
ら２の範囲で変化させたときの角形比はθkr／θkf＝１
であり、良好な垂直磁化膜であった。またカー回転角
（θk ）とｔCo／ｔPtの関係を図５に示した。図５から
明らかな様に、ｔCo／ｔPtの増加に伴いθk も増加の傾
向にあることが分かる （実施例４）
【００２７】図６は石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）
n ／Ｌ｝m の構成の積層膜を示した図である。すなわ
ち、非磁性層Ｌ(Pt)上に磁性層Ｍ(Co)と貴金属層Ｎ(Pt)
とのペアがｎ回繰返され、最後に磁性層Ｍが成膜された
ユニットがｍ回繰返され、最上層に貴金属層Ｎが成膜さ
れている状態を示している。磁性層ＭとしてCo，貴金属
層ＮとしてPt，非磁性層ＬとしてPtを用い、上記図６の
構成の垂直磁化膜を構成した。
n ／Ｌ｝m の構成の積層膜を示した図である。すなわ
ち、非磁性層Ｌ(Pt)上に磁性層Ｍ(Co)と貴金属層Ｎ(Pt)
とのペアがｎ回繰返され、最後に磁性層Ｍが成膜された
ユニットがｍ回繰返され、最上層に貴金属層Ｎが成膜さ
れている状態を示している。磁性層ＭとしてCo，貴金属
層ＮとしてPt，非磁性層ＬとしてPtを用い、上記図６の
構成の垂直磁化膜を構成した。
【００２８】成膜は、チャンバー内を５×10-6torrまで
減圧した後、Arガスを導入し、Ar分圧５×10-3torrにて
RFスパッタリング法により行った。なおターゲットとし
てはCoとPtの２個を用意し、Coの場合は高周波出力100
W，Ptの場合は50〜200Wにて交互に積層した。
減圧した後、Arガスを導入し、Ar分圧５×10-3torrにて
RFスパッタリング法により行った。なおターゲットとし
てはCoとPtの２個を用意し、Coの場合は高周波出力100
W，Ptの場合は50〜200Wにて交互に積層した。
【００２９】磁性層であるCo層の厚さｔCoを10オングス
トローム，非磁性層の厚さを100 オングストローム，積
層数ｎ＝２，ｍ＝２で固定し、貴金属層の厚さｔPtとを
変えてカー回転角(400nm）を調べた。その結果を図７に
示す。
トローム，非磁性層の厚さを100 オングストローム，積
層数ｎ＝２，ｍ＝２で固定し、貴金属層の厚さｔPtとを
変えてカー回転角(400nm）を調べた。その結果を図７に
示す。
【００３０】図７から、ｔPtが３オングストローム、す
なわちｔCo／ｔPtが３を越える領域では角形比が低下
し、ｔPtが50オングストローム、すなわちｔCo／ｔPtが
0.3 より小さい領域ではカー回転角が低下していること
が分かる。
なわちｔCo／ｔPtが３を越える領域では角形比が低下
し、ｔPtが50オングストローム、すなわちｔCo／ｔPtが
0.3 より小さい領域ではカー回転角が低下していること
が分かる。
【００３１】ｔPtが、３オングストローム，５オングス
トローム，30オングストロームのカー回転角のヒステリ
シス曲線を図８(a)(b)(c) にそれぞれに示す。ｔPtが３
オングストロームの場合は角形性が悪く、面内磁化膜で
あることが分かる。なおＩＢＳ法（イオンビームスパッ
タリング）で作製した膜も同様の結果が得られた。 （実施例５）
トローム，30オングストロームのカー回転角のヒステリ
シス曲線を図８(a)(b)(c) にそれぞれに示す。ｔPtが３
オングストロームの場合は角形性が悪く、面内磁化膜で
あることが分かる。なおＩＢＳ法（イオンビームスパッ
タリング）で作製した膜も同様の結果が得られた。 （実施例５）
【００３２】磁性層ＭとしてCo，貴金属層ＮとしてPd，
非磁性層ＬとしてPtを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。ｔPdを５オングスト
ローム，ｔCoを５オングストローム，非磁性層の厚さを
50オングストローム，ｍ＝２と固定し、ｎを変えたとき
の特性を図９に示す。
非磁性層ＬとしてPtを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。ｔPdを５オングスト
ローム，ｔCoを５オングストローム，非磁性層の厚さを
50オングストローム，ｍ＝２と固定し、ｎを変えたとき
の特性を図９に示す。
【００３３】図９から、ｎが５を越える領域から急激に
角形比が低下し、カー回転角もｎが５以下の領域ではｎ
の増加に伴い順調に増加するが、それ以上では増加の度
合は極度に低下する。
角形比が低下し、カー回転角もｎが５以下の領域ではｎ
の増加に伴い順調に増加するが、それ以上では増加の度
合は極度に低下する。
【００３４】ｎ＝１，５，10の場合の外部磁場に対する
カー回転角のヒステリシス曲線を図10(a)(b)(c) にそれ
ぞれ示す。ｎ＝５では面内磁化の特徴が現われ始めてい
る。 （実施例６）
カー回転角のヒステリシス曲線を図10(a)(b)(c) にそれ
ぞれ示す。ｎ＝５では面内磁化の特徴が現われ始めてい
る。 （実施例６）
【００３５】磁性層ＭとしてNi，貴金属層ＮとしてAu，
非磁性層ＬとしてAgを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。ｔAuを10オングスト
ローム，ｔNiを15オングストローム，ｍ＝５，ｎ＝２と
固定し、非磁性層の厚さを変えたときの特性を図11に示
す。
非磁性層ＬとしてAgを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。ｔAuを10オングスト
ローム，ｔNiを15オングストローム，ｍ＝５，ｎ＝２と
固定し、非磁性層の厚さを変えたときの特性を図11に示
す。
【００３６】図11から、ｔAgが10オングストローム未満
の領域では、角形比が低下することが分かる。ｔAgが７
オングストローム，10オングストローム,100オングスト
ロームとした場合について、外部磁場に対するカー回転
角のヒステリシス曲線を図12(a)(b)(c) にそれぞれ示
す。ｔAgが７オングストロームの場合は角形性が悪く、
面内磁化膜となっており、低保磁力であることが分か
る。
の領域では、角形比が低下することが分かる。ｔAgが７
オングストローム，10オングストローム,100オングスト
ロームとした場合について、外部磁場に対するカー回転
角のヒステリシス曲線を図12(a)(b)(c) にそれぞれ示
す。ｔAgが７オングストロームの場合は角形性が悪く、
面内磁化膜となっており、低保磁力であることが分か
る。
【００３７】従ってｔAgを10オングストローム以上とし
て積層することで、角形性を低下すること無く、保磁力
を増大させ、かつ良好な磁気光学効果を得ることができ
ることが明らかとなった。 （実施例７）
て積層することで、角形性を低下すること無く、保磁力
を増大させ、かつ良好な磁気光学効果を得ることができ
ることが明らかとなった。 （実施例７）
【００３８】磁性層ＭとしてCo，貴金属層ＮとしてAu，
非磁性層ＬとしてAlを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。
非磁性層ＬとしてAlを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。
【００３９】ただし試料7-1 においては、ｔAlを20オン
グストローム，ｔCoを５オングストローム，ｔAuを５オ
ングストローム，ｎ＝２，ｍ＝２とした。一方試料7-2
においては、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の一層目で
は、ｔAlを20オングストローム，ｔCoを５オングストロ
ーム，ｔAuを５オングストローム，ｎ＝２と試料7-1 と
同様にし、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の二層目では、
ｔAlを50オングストローム，ｔCoを10オングストロー
ム，ｔAuを５オングストローム，ｎ＝３とした。この試
料7-1,7-2 について外部磁場に対するカー回転角のヒス
テリシス曲線を図13(a)(b)にそれぞれ示す。
グストローム，ｔCoを５オングストローム，ｔAuを５オ
ングストローム，ｎ＝２，ｍ＝２とした。一方試料7-2
においては、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の一層目で
は、ｔAlを20オングストローム，ｔCoを５オングストロ
ーム，ｔAuを５オングストローム，ｎ＝２と試料7-1 と
同様にし、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の二層目では、
ｔAlを50オングストローム，ｔCoを10オングストロー
ム，ｔAuを５オングストローム，ｎ＝３とした。この試
料7-1,7-2 について外部磁場に対するカー回転角のヒス
テリシス曲線を図13(a)(b)にそれぞれ示す。
【００４０】図13から、両試料ともに非磁性層Alにより
磁気相互作用が遮断されているため、合計のCo積層数は
多いものの良好な角形性，大きなカー回転角大きな保磁
力を有している。これに加えヒステリシス曲線から明ら
かなように、この試料7-2 では２段ヒステリシスが実現
されている。これは試料7-1 で非磁性層で遮断されてい
る積層膜は双方同一であるため全体としての保磁力は同
一となるが、試料7-2の様に遮断されている積層膜が異
なっている場合は、それぞれの保磁力が異なるため全体
としては多段ヒステリシスを示すことになる。
磁気相互作用が遮断されているため、合計のCo積層数は
多いものの良好な角形性，大きなカー回転角大きな保磁
力を有している。これに加えヒステリシス曲線から明ら
かなように、この試料7-2 では２段ヒステリシスが実現
されている。これは試料7-1 で非磁性層で遮断されてい
る積層膜は双方同一であるため全体としての保磁力は同
一となるが、試料7-2の様に遮断されている積層膜が異
なっている場合は、それぞれの保磁力が異なるため全体
としては多段ヒステリシスを示すことになる。
【００４１】第１の積層膜が非磁性層を介して、保磁力
の大きい第２の積層膜と積層されているとして、その場
合のヒステリシス曲線を図14に模式的に示す。飽和状態
(A)から磁場を減少し更に逆方向の磁場を印加していく
場合を考えると、飽和状態では第１，第２の積層膜とも
に磁化が同じ向きに揃っているが、まず保磁力の小さい
第１の積層膜で磁化反転が生じる(B) 。更に進むと今度
は保磁力の大きい第２の積層膜で磁化反転が生じ、当初
とは逆の向きに磁化が揃うことになる(C) 。また磁場を
弱めて逆転させていくと、まず保磁力の小さい第１の積
層膜で磁化の反転が生じ(D) 、続いて第２の積層膜の磁
化が反転して(A) の状態に戻る。
の大きい第２の積層膜と積層されているとして、その場
合のヒステリシス曲線を図14に模式的に示す。飽和状態
(A)から磁場を減少し更に逆方向の磁場を印加していく
場合を考えると、飽和状態では第１，第２の積層膜とも
に磁化が同じ向きに揃っているが、まず保磁力の小さい
第１の積層膜で磁化反転が生じる(B) 。更に進むと今度
は保磁力の大きい第２の積層膜で磁化反転が生じ、当初
とは逆の向きに磁化が揃うことになる(C) 。また磁場を
弱めて逆転させていくと、まず保磁力の小さい第１の積
層膜で磁化の反転が生じ(D) 、続いて第２の積層膜の磁
化が反転して(A) の状態に戻る。
【００４２】例えば、図14においてＨe ＞ＨA なる外部
磁場を印加した後に磁場を解除すれば無磁場状態で磁化
ＭA を保持し、更にＨC ＜Ｈe ＜ＨB なる外部磁場を印
加した後に磁場を解除すれば磁化ＭB を保持し、Ｈe ＜
ＨC なる外部磁場を印加した後に磁場を解除すれば磁化
ＭC を保持し、ＨD ＜Ｈe ＜ＨA なる外部磁場を印加し
た後に磁場を解除すれば、磁化ＭD を保持する。この様
に印加磁場によって複数の磁化の値を安定に持つことが
でき、多値記録が可能となる。
磁場を印加した後に磁場を解除すれば無磁場状態で磁化
ＭA を保持し、更にＨC ＜Ｈe ＜ＨB なる外部磁場を印
加した後に磁場を解除すれば磁化ＭB を保持し、Ｈe ＜
ＨC なる外部磁場を印加した後に磁場を解除すれば磁化
ＭC を保持し、ＨD ＜Ｈe ＜ＨA なる外部磁場を印加し
た後に磁場を解除すれば、磁化ＭD を保持する。この様
に印加磁場によって複数の磁化の値を安定に持つことが
でき、多値記録が可能となる。
【００４３】また多段階の反転磁界を有することから、
各々の積層膜の保磁力，キュリー点，補償点などを制御
し、一方の積層膜をバイアス磁界発生用として用い、他
方の膜を記録層として用いるなどして、オーバーライト
記録も可能である（特開平2-230532号，特開昭62-15434
7 号参照）。また別途バイアス磁界発生層を追加しても
良いことはいうまでもない。 （実施例８）
各々の積層膜の保磁力，キュリー点，補償点などを制御
し、一方の積層膜をバイアス磁界発生用として用い、他
方の膜を記録層として用いるなどして、オーバーライト
記録も可能である（特開平2-230532号，特開昭62-15434
7 号参照）。また別途バイアス磁界発生層を追加しても
良いことはいうまでもない。 （実施例８）
【００４４】磁性層ＭとしてCo，貴金属層ＮとしてPd，
非磁性層ＬとしてPtを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。
非磁性層ＬとしてPtを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。
【００４５】ただし試料8-1 においては、ｔPtを30オン
グストローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPdを10オ
ングストローム，ｎ＝３，ｍ＝３とした。一方試料8-2
においては、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の一層目で
は、ｔPtを70オングストローム，ｔCoを５オングストロ
ーム，ｔPdを10オングストローム，ｎ＝３とし、｛Ｍ／
（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の二層目では、ｔPtを50オングス
トローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPdを８オング
ストローム，ｎ＝２とし、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m
の三層目では、ｔPtを30オングストローム，ｔCoを５オ
ングストローム，ｔPdを15オングストローム，ｎ＝３と
した。
グストローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPdを10オ
ングストローム，ｎ＝３，ｍ＝３とした。一方試料8-2
においては、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の一層目で
は、ｔPtを70オングストローム，ｔCoを５オングストロ
ーム，ｔPdを10オングストローム，ｎ＝３とし、｛Ｍ／
（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の二層目では、ｔPtを50オングス
トローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPdを８オング
ストローム，ｎ＝２とし、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m
の三層目では、ｔPtを30オングストローム，ｔCoを５オ
ングストローム，ｔPdを15オングストローム，ｎ＝３と
した。
【００４６】この試料8-1,8-2 について外部磁場に対す
るカー回転角のヒステリシス曲線を図15(a)(b)に示す。
図から明らかなように試料8-1,8-2 ともに良好な垂直磁
化膜であるが、試料8-2 では３段ヒステリシスが得られ
ていることが分かる。 （実施例９）
るカー回転角のヒステリシス曲線を図15(a)(b)に示す。
図から明らかなように試料8-1,8-2 ともに良好な垂直磁
化膜であるが、試料8-2 では３段ヒステリシスが得られ
ていることが分かる。 （実施例９）
【００４７】磁性層ＭとしてCo，貴金属層ＮとしてPt，
非磁性層ＬとしてCuを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。
非磁性層ＬとしてCuを用い、RFスパッタリング法で実施
例４と同様に石英基板上にＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／
Ｌ｝mの構成の積層膜を作製した。
【００４８】ただし試料9-1 においては、ｔCuを15オン
グストローム，ｔCoを10オングストローム，ｔPtを10オ
ングストローム，ｎ＝４，ｍ＝４とした。一方試料9-2
においては、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の一層目で
は、ｔCuを50オングストローム，ｔCoを10オングストロ
ーム，ｔPtを10オングストローム，ｎ＝４とし、｛Ｍ／
（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の二層目では、ｔCuを50オングス
トローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPtを８オング
ストローム，ｎ＝２とし、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝の
三層目では、ｔCuを50オングストローム，ｔCoを５オン
グストローム，ｔPtを５オングストローム，ｎ＝２と
し、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の四層目ではｔCuを50
オングストローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPtを
10オングストローム，ｎ＝１とした。
グストローム，ｔCoを10オングストローム，ｔPtを10オ
ングストローム，ｎ＝４，ｍ＝４とした。一方試料9-2
においては、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の一層目で
は、ｔCuを50オングストローム，ｔCoを10オングストロ
ーム，ｔPtを10オングストローム，ｎ＝４とし、｛Ｍ／
（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の二層目では、ｔCuを50オングス
トローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPtを８オング
ストローム，ｎ＝２とし、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝の
三層目では、ｔCuを50オングストローム，ｔCoを５オン
グストローム，ｔPtを５オングストローム，ｎ＝２と
し、｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の四層目ではｔCuを50
オングストローム，ｔCoを５オングストローム，ｔPtを
10オングストローム，ｎ＝１とした。
【００４９】この試料9-1,9-2 について外部磁場に対す
るカー回転角のヒステリシス曲線を図16(a)(b)に示す。
図から明らかなように試料9-1,9-2 ともに良好な垂直磁
化膜であるが、試料9-2 では４段ヒステリシスが得られ
ていることが分かる。 （実施例10）本発明にかかる垂直磁化膜では磁気光学効
果でも特にファラデー効果が大きく、本実施例でこの点
を明らかにする。
るカー回転角のヒステリシス曲線を図16(a)(b)に示す。
図から明らかなように試料9-1,9-2 ともに良好な垂直磁
化膜であるが、試料9-2 では４段ヒステリシスが得られ
ていることが分かる。 （実施例10）本発明にかかる垂直磁化膜では磁気光学効
果でも特にファラデー効果が大きく、本実施例でこの点
を明らかにする。
【００５０】実施例１で作製したｔCoを５オングストロ
ーム，膜厚比ｔCo／ｔPtを１，積層数ｎの垂直磁化膜
の、積層数ｎと磁気偏光回転角（400nm)との関係を調べ
た結果を図17に示す。
ーム，膜厚比ｔCo／ｔPtを１，積層数ｎの垂直磁化膜
の、積層数ｎと磁気偏光回転角（400nm)との関係を調べ
た結果を図17に示す。
【００５１】図から明らかな様に、ファラデー回転角が
大きく、積層数ｎの増加に伴い磁気偏光回転角も増加の
傾向にあることが分かる。また光の入射は基板側から行
ったが、垂直磁化膜の最上層に500 オングストロームの
Au層を反射層として形成した場合は約２倍の磁気偏光回
転角が得られた。なお全膜厚500 オングストロームまで
は磁気偏光回転角は増加したが、それ以上ではほぼ飽和
してしまった（図18）。 （実施例11）
大きく、積層数ｎの増加に伴い磁気偏光回転角も増加の
傾向にあることが分かる。また光の入射は基板側から行
ったが、垂直磁化膜の最上層に500 オングストロームの
Au層を反射層として形成した場合は約２倍の磁気偏光回
転角が得られた。なお全膜厚500 オングストロームまで
は磁気偏光回転角は増加したが、それ以上ではほぼ飽和
してしまった（図18）。 （実施例11）
【００５２】先に示した様に、Ｎ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n
／Ｌ｝m の構成の積層膜では、垂直磁化の状態を保ちな
がら膜厚が厚くできるため、磁気光学効果でもファラデ
ー効果において優位となる。すなわち本発明によれば実
質的に磁性層の膜厚が厚い状態でも垂直磁化が保たれる
ため、光が透過できる範囲でできる限り磁性層の合計膜
厚を厚くすることで、ファラデー回転角が大きくなる。
／Ｌ｝m の構成の積層膜では、垂直磁化の状態を保ちな
がら膜厚が厚くできるため、磁気光学効果でもファラデ
ー効果において優位となる。すなわち本発明によれば実
質的に磁性層の膜厚が厚い状態でも垂直磁化が保たれる
ため、光が透過できる範囲でできる限り磁性層の合計膜
厚を厚くすることで、ファラデー回転角が大きくなる。
【００５３】磁性層ＭをCo（５オングストローム），貴
金属層ＮをPt，非磁性層ＬをPt（20オングストローム）
とし、ｔPtを変えてＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の
積層膜を作製した。なおｎ＝３とし、膜厚が全体で約20
0 オングストロームとなるようにｍを調整した。ｔPtが
３乃至15オングストロームで変化させたが、いずれも垂
直磁化膜が得られた。
金属層ＮをPt，非磁性層ＬをPt（20オングストローム）
とし、ｔPtを変えてＮ／｛Ｍ／（Ｎ／Ｍ）n ／Ｌ｝m の
積層膜を作製した。なおｎ＝３とし、膜厚が全体で約20
0 オングストロームとなるようにｍを調整した。ｔPtが
３乃至15オングストロームで変化させたが、いずれも垂
直磁化膜が得られた。
【００５４】図19にｔPtとθf(400nm)の関係を示した。
貴金属の膜厚ｔPtが薄いほど、すなわち全体のCo量が多
いほどファラデー回転角が大きく、最大１度に達してい
ることが分かる。
貴金属の膜厚ｔPtが薄いほど、すなわち全体のCo量が多
いほどファラデー回転角が大きく、最大１度に達してい
ることが分かる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、良
好な垂直磁化膜を得ることができる。従って光磁気記録
媒体などの磁気記録媒体としての応用などに貢献すると
ころ大である。
好な垂直磁化膜を得ることができる。従って光磁気記録
媒体などの磁気記録媒体としての応用などに貢献すると
ころ大である。
【００５６】また非磁性層を介して垂直磁化膜を積層す
ることで積層膜全体としての磁性層の占める割合を大き
くできるため、磁気光学効果，特にファラデー効果を利
用した場合に有利である。
ることで積層膜全体としての磁性層の占める割合を大き
くできるため、磁気光学効果，特にファラデー効果を利
用した場合に有利である。
【図１】 イオンビームスパッタリング装置の概略図
【図２】 磁化曲線図
【図３】 積層数と角形比及び保磁力との関係を示す特
性図
性図
【図４】 ＣｏとＰｔの膜厚比と角形比との関係を示す
特性図
特性図
【図５】 ＣｏとＰｔの膜厚比とカー回転角との関係を
示す特性図
示す特性図
【図６】 積層膜の概略構成図
【図７】 Ｐｔの膜厚と角形比及び保磁力との関係を示
す特性図
す特性図
【図８】 ヒステリシス曲線を示す特性図
【図９】 積層数と角形比及びカー回転角との関係を示
す特性図
す特性図
【図１０】 ヒステリシス曲線を示す特性図
【図１１】 Ａｇの膜厚と角形比との関係を示す特性図
【図１２】 ヒステリシス曲線を示す特性図
【図１３】 ヒステリシス曲線を示す特性図
【図１４】 現象説明のためのヒステリシス曲線図
【図１５】 ヒステリシス曲線を示す特性図
【図１６】 ヒステリシス曲線を示す特性図
【図１７】 積層数と磁気偏光回転角との関係を示す特
性図
性図
【図１８】 膜厚と磁気偏光回転角との関係を示す特性
図
図
【図１９】 貴金属層の膜厚と磁気偏光回転角との関係
を示す特性図
を示す特性図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−235215（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−235237（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−252942（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−274039（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−167406（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 5/66 H01F 10/00
Claims (5)
- 【請求項１】 磁性層と貴金属層とが交互に積層され、
その積層状態を（Ｍ／Ｎ）nで表し（Ｍは磁性体、Ｎは
貴金属、ｎは積層数）、１層当たりの膜厚比をｔM／ｔN
（ｔMは磁性層の厚さ、ｔNは貴金属の厚さ）で表したと
き、（Ｍ／Ｎ）nの膜厚が５０オングストローム以下で
あり、２≦ｎ≦５、０．６≦ｔM／ｔN≦３、２≦ｔM≦
１６（オングストローム）、２≦ｔN≦１６（オングス
トローム）の条件をすべて満足することを特徴とする垂
直磁化膜。 - 【請求項２】 前記（Ｍ／Ｎ）nの膜厚は３０オングス
トローム以下であることを特徴とする請求項１記載の垂
直磁化膜。 - 【請求項３】 前記積層数ｎは２、３、又は４であるこ
とを特徴とする請求項１記載の垂直磁化膜。 - 【請求項４】 前記貴金属層にＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ及びこれらの複合系のうちの１種を用いたこと
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の垂直磁
化膜。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の垂直
磁化膜を記録層としたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04586892A JP3150401B2 (ja) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | 垂直磁化膜及び磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-37111 | 1991-03-04 | ||
| JP3711191 | 1991-03-04 | ||
| JP04586892A JP3150401B2 (ja) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | 垂直磁化膜及び磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567322A JPH0567322A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3150401B2 true JP3150401B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=12488490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04586892A Expired - Fee Related JP3150401B2 (ja) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | 垂直磁化膜及び磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0502699B1 (ja) |
| JP (1) | JP3150401B2 (ja) |
| DE (1) | DE69205462T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580575A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2872229B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1999-03-17 | 戸田工業株式会社 | 垂直磁化膜、垂直磁化膜用多層膜及び垂直磁化膜の製造法 |
| JP2004178708A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
| JP5153575B2 (ja) | 2008-10-31 | 2013-02-27 | 株式会社日立製作所 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
| CN103544968B (zh) * | 2013-10-14 | 2017-01-25 | 中国计量学院 | 一种磁记录薄膜结构及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4678721A (en) * | 1986-04-07 | 1987-07-07 | U.S. Philips Corporation | Magnetic recording medium |
| DE3880048T2 (de) * | 1987-08-26 | 1993-11-11 | Sony Corp | Aufzeichnungsträger mit senkrechter Magnetisierung. |
| EP0304873B1 (en) * | 1987-08-26 | 1991-11-21 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
| EP0459411B1 (en) * | 1990-05-29 | 1996-01-17 | Oki Electric Industry Company, Limited | Magnetic recording medium |
-
1992
- 1992-03-03 EP EP92301818A patent/EP0502699B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-03 DE DE69205462T patent/DE69205462T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-04 JP JP04586892A patent/JP3150401B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0502699B1 (en) | 1995-10-18 |
| JPH0567322A (ja) | 1993-03-19 |
| EP0502699A1 (en) | 1992-09-09 |
| DE69205462T2 (de) | 1996-05-02 |
| DE69205462D1 (de) | 1995-11-23 |
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