JPS6271041A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6271041A JPS6271041A JP20882685A JP20882685A JPS6271041A JP S6271041 A JPS6271041 A JP S6271041A JP 20882685 A JP20882685 A JP 20882685A JP 20882685 A JP20882685 A JP 20882685A JP S6271041 A JPS6271041 A JP S6271041A
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- JP
- Japan
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- film
- target
- rare
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希工
類（Ｇｄ 、Ｔｂ 、Ｄｙ 、Ｈｏ）−遷移金７ｉ（Ｆ
ｅ、Ｃｏ。
類（Ｇｄ 、Ｔｂ 、Ｄｙ 、Ｈｏ）−遷移金７ｉ（Ｆ
ｅ、Ｃｏ。
Ｎｉン非晶質プリ磁性合金薄膜（以下、 ）１．Ｅ−Ｔ
Ｍ膜と略記する）を記録層とする書き換え可能型光ディ
スクメモリーに関するものである。
Ｍ膜と略記する）を記録層とする書き換え可能型光ディ
スクメモリーに関するものである。
Ｒ，Ｅ−ＴＭ垂直磁化漠は、半導体レーザビーム等の光
ビームを照射し、同時に外部より磁場を供給する事によ
って磁化の向きを膜面に対して上向き及び下向きに可逆
的に変化する事が可能であジ、書き換え可能型の光デイ
スクメモリーの記録材料として現在、！８．も注目され
ている。さて、Ｒ，Ｅ−７Ｍ膜の垂直磁気異方性の起源
については（ｉ）ＴＭ原子間のベラ・オーダリング（ｉ
ｉ） Ｔム、Ｄｙ等方位量子状態が非等方的なものにつ
いてはそのイオン異方性。
ビームを照射し、同時に外部より磁場を供給する事によ
って磁化の向きを膜面に対して上向き及び下向きに可逆
的に変化する事が可能であジ、書き換え可能型の光デイ
スクメモリーの記録材料として現在、！８．も注目され
ている。さて、Ｒ，Ｅ−７Ｍ膜の垂直磁気異方性の起源
については（ｉ）ＴＭ原子間のベラ・オーダリング（ｉ
ｉ） Ｔム、Ｄｙ等方位量子状態が非等方的なものにつ
いてはそのイオン異方性。
（山ン微視的柱状慣造等に起因する形状誘起磁気異方！
、（ｔＶ）基板上にＲＥ−ＴＭｇが拘束される事によっ
て生じる膜内部応力に起因する歪み誘起磁気異方性等が
あげられているが、基本的には、ＢＥのスピンモーメン
トとＴＭのスピンモーメントが反平行に磁気的結合をす
る事が重要であり、−その為にはＲＥ−ＴＭ模膜中ＲＥ
原子とＴＭ原子との混合が充分になされている事が重要
である。ＢＥ−，７Ｍ膜の望ましい製造方法は、大面積
均一性、量産性、制御性の上からスパッタリング法であ
フ、特に基板への熱負荷の小さいマグネトロン・スパッ
タリング法である。スパッタ法において重要なのはター
ゲットであるが、現状の技術では几Ｅ−ＴＭ合金ターゲ
ットは、充分な特性を有する几Ｅ−ＴＭ膜を提供し得る
レベルのものが開発されていない、しかるに、ＲＥ−Ｔ
Ｍ光磁気ディスクメモリーを早期に実用化する上では、
複合ターゲットか、又はＲＥ単体ターゲットとＴＭ単体
ターゲットの組み合わそかか用いられる。複合ターゲッ
トは、 ＪＭｋｆＭａ ５（１９８３）？Ｐ−１８’ｌ
−１９１（Ｓｔ＋Ｋｕｒａｉ、０ｎｉｓｈｊ）に開示さ
れる様なＴ Ｍ円板上に几Ｅのチップを並べた構成のタ
ーゲットであるが、ターゲツト面上の温度が著しく不均
一になる他１通常のマグネトロン・スパッタガン（ター
ゲットの背面部にマグネットが存在する）に、この複合
ターゲットを使用すると、ＲＥ−チップの温度が上昇し
すぎるのでバク−を入れすぎるとチップがメルトすると
いった問題点がある。
、（ｔＶ）基板上にＲＥ−ＴＭｇが拘束される事によっ
て生じる膜内部応力に起因する歪み誘起磁気異方性等が
あげられているが、基本的には、ＢＥのスピンモーメン
トとＴＭのスピンモーメントが反平行に磁気的結合をす
る事が重要であり、−その為にはＲＥ−ＴＭ模膜中ＲＥ
原子とＴＭ原子との混合が充分になされている事が重要
である。ＢＥ−，７Ｍ膜の望ましい製造方法は、大面積
均一性、量産性、制御性の上からスパッタリング法であ
フ、特に基板への熱負荷の小さいマグネトロン・スパッ
タリング法である。スパッタ法において重要なのはター
ゲットであるが、現状の技術では几Ｅ−ＴＭ合金ターゲ
ットは、充分な特性を有する几Ｅ−ＴＭ膜を提供し得る
レベルのものが開発されていない、しかるに、ＲＥ−Ｔ
Ｍ光磁気ディスクメモリーを早期に実用化する上では、
複合ターゲットか、又はＲＥ単体ターゲットとＴＭ単体
ターゲットの組み合わそかか用いられる。複合ターゲッ
トは、 ＪＭｋｆＭａ ５（１９８３）？Ｐ−１８’ｌ
−１９１（Ｓｔ＋Ｋｕｒａｉ、０ｎｉｓｈｊ）に開示さ
れる様なＴ Ｍ円板上に几Ｅのチップを並べた構成のタ
ーゲットであるが、ターゲツト面上の温度が著しく不均
一になる他１通常のマグネトロン・スパッタガン（ター
ゲットの背面部にマグネットが存在する）に、この複合
ターゲットを使用すると、ＲＥ−チップの温度が上昇し
すぎるのでバク−を入れすぎるとチップがメルトすると
いった問題点がある。
一方のＲＥ単体ターゲットとＴＭ単体ターゲットを使用
して、その上で基板を回転しながら％ ２？ｆＩ類のタ
ーゲット？同時にスパッタする方法（多元同時スパッタ
法）については、桜井、渋川監修＝「アモルファス電子
材料利用技術集成」第３部Ｐｉ ５６ （１９８１）に
開示されている。この“°多元同時スパッタ宍によれば
、マグネトロン・スパッタガンｔ−市いる事もでき、又
、装置構成も比較的巣純であるので、実用的に好ましい
が多元同時スノドッタ法で形成される凡Ｅ−ＴＭ膜は基
本的にはＲ，Ｅ原子とＴＭ原子の積層膜となるので、基
板回転数が・余シにも遅く、積層周期が長くなると、Ｒ
Ｅモーメントと１Ｍモーメントの磁気的結合が不充分と
なシ、垂直磁化膜が得られにくいといった問題がめった
。
して、その上で基板を回転しながら％ ２？ｆＩ類のタ
ーゲット？同時にスパッタする方法（多元同時スパッタ
法）については、桜井、渋川監修＝「アモルファス電子
材料利用技術集成」第３部Ｐｉ ５６ （１９８１）に
開示されている。この“°多元同時スパッタ宍によれば
、マグネトロン・スパッタガンｔ−市いる事もでき、又
、装置構成も比較的巣純であるので、実用的に好ましい
が多元同時スノドッタ法で形成される凡Ｅ−ＴＭ膜は基
本的にはＲ，Ｅ原子とＴＭ原子の積層膜となるので、基
板回転数が・余シにも遅く、積層周期が長くなると、Ｒ
Ｅモーメントと１Ｍモーメントの磁気的結合が不充分と
なシ、垂直磁化膜が得られにくいといった問題がめった
。
本発明は上記した従来の光磁気記録媒体の製造上の問題
点と光磁気記録媒体の膜厚方向の構造上の問題点とに鑑
みてなされたものであ＃）、基本的には積層同期構造の
）ｔ、Ｅ−７Ｍ膜に対し、その積層量ν（：厳密に規定
し良好な特性のＲＥ−７Ｍ膜を有する光磁気記録媒体提
供すると共に、その様な光磁気記号媒体の製造方法を提
供する事を目的としている。
点と光磁気記録媒体の膜厚方向の構造上の問題点とに鑑
みてなされたものであ＃）、基本的には積層同期構造の
）ｔ、Ｅ−７Ｍ膜に対し、その積層量ν（：厳密に規定
し良好な特性のＲＥ−７Ｍ膜を有する光磁気記録媒体提
供すると共に、その様な光磁気記号媒体の製造方法を提
供する事を目的としている。
本発明の光磁気記録媒体は、ＲＥ−７Ｍ膜からなる記鍮
層を具備し、該ＲＥ−ＴＭ膜が膜厚方向に積層同期構造
を有し、膜厚方向に平均化され７？：ＲＥ原子組成比Ｘ
ＲＥ（α【チ〕に対して几Ｅ厚子をｉ＜含有する層と、
九Ｅ厚子を少なく含有する層とが同期的に積層してな５
、ＢＥ原子を多く含有する層の厚さを１０Å以下及びＲ
Ｅ原子を少なく含有する層の厚さｔ−１０Ａ以下と規定
するものである。又、このような光磁気記号媒体は、Ｒ
Ｅ単体ターゲットとＴＭ単体ターゲットの２種類のター
ゲットを基板に対向して設けたスパッタ装置を用いて、
基板を回転しながら２種類のターゲットを同時にスパッ
タリングして几Ｅ−ＴＭ積層膜を得る方法において、几
Ｅターゲットの基板面上の成膜速度の最大値ＤＲＥ［１
＾／５ｅｃ）とＴＭメタ−ットのそれＤＴＭ（Ａ／５ｅ
ｃ）と基板回転速度Ｒ８［：ｒｐｍ）との間にＲｓ）３
ＤＲＥ、Ｒ・ｓ：＞３ＤＴＭの関係が成立する手法によ
って得る事ができる。
層を具備し、該ＲＥ−ＴＭ膜が膜厚方向に積層同期構造
を有し、膜厚方向に平均化され７？：ＲＥ原子組成比Ｘ
ＲＥ（α【チ〕に対して几Ｅ厚子をｉ＜含有する層と、
九Ｅ厚子を少なく含有する層とが同期的に積層してな５
、ＢＥ原子を多く含有する層の厚さを１０Å以下及びＲ
Ｅ原子を少なく含有する層の厚さｔ−１０Ａ以下と規定
するものである。又、このような光磁気記号媒体は、Ｒ
Ｅ単体ターゲットとＴＭ単体ターゲットの２種類のター
ゲットを基板に対向して設けたスパッタ装置を用いて、
基板を回転しながら２種類のターゲットを同時にスパッ
タリングして几Ｅ−ＴＭ積層膜を得る方法において、几
Ｅターゲットの基板面上の成膜速度の最大値ＤＲＥ［１
＾／５ｅｃ）とＴＭメタ−ットのそれＤＴＭ（Ａ／５ｅ
ｃ）と基板回転速度Ｒ８［：ｒｐｍ）との間にＲｓ）３
ＤＲＥ、Ｒ・ｓ：＞３ＤＴＭの関係が成立する手法によ
って得る事ができる。
本発明のブー磁気記録媒体及びその製造方法によれば、
几Ｅ−’Ｉ’Ｍ夏を基板面上に形成するにあたって、実
用的に最も好ましいマグネトロンタイプのスパッタリン
グ法が適用でき又、現状で容易に入手が可能なターゲラ
）（ＲＥ単体及びＴＭ単体）を使用する事ができ、その
様な望ましい実施態様において、ＢＥモーメントとＴＭ
モーメント０７！り磁性的結合が充分におこる几Ｅ−Ｔ
Ｍ膜迎提供する事ができる。
几Ｅ−’Ｉ’Ｍ夏を基板面上に形成するにあたって、実
用的に最も好ましいマグネトロンタイプのスパッタリン
グ法が適用でき又、現状で容易に入手が可能なターゲラ
）（ＲＥ単体及びＴＭ単体）を使用する事ができ、その
様な望ましい実施態様において、ＢＥモーメントとＴＭ
モーメント０７！り磁性的結合が充分におこる几Ｅ−Ｔ
Ｍ膜迎提供する事ができる。
以下５図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一実施例の構成図で
ある。第１図（ａ）において、（１）は基板％（２）は
ＴｂＣ・コ膜であり４２図（ｂ）は第１図（ａ）のＴｂ
Ｃｏ膜の拡大図であり＊！３ｉは膜厚方向に平均化し−
たＴｂ組成比ＸＴｂよりもＴｂを多く含有する層、（４
）はＸＴｂよシＴｂ″ｆ：少なく含有する層であＩ）、
ＩＣＰＣ光発光分光法 ＸＴｂ：２６（（Ｌｔ％Ｊｌ；
３）（４）の層厚はオージェ分析（Ａｒイオ／でエツチ
ングしながら）の分解能（〜数１ＯＡ）以下である事が
判っている。
ある。第１図（ａ）において、（１）は基板％（２）は
ＴｂＣ・コ膜であり４２図（ｂ）は第１図（ａ）のＴｂ
Ｃｏ膜の拡大図であり＊！３ｉは膜厚方向に平均化し−
たＴｂ組成比ＸＴｂよりもＴｂを多く含有する層、（４
）はＸＴｂよシＴｂ″ｆ：少なく含有する層であＩ）、
ＩＣＰＣ光発光分光法 ＸＴｂ：２６（（Ｌｔ％Ｊｌ；
３）（４）の層厚はオージェ分析（Ａｒイオ／でエツチ
ングしながら）の分解能（〜数１ＯＡ）以下である事が
判っている。
第２図は１本発明の光磁気記録媒体の形′成に用いたス
パッタリング装置の一概念図である。第２図において、
（５）は成膜室、（６）は基板ホルタ、（７）は基板サ
ンプル％（８１） （８２）はマグネトロンタイプのス
パッタガン＊ （９１） ｔｒｉ Ｔ’ ｂターゲッ
ト＊ （９２）はＣＯターゲット％ （１０１） ｒ
（１０２／はＤＣ電源、 （１１１）、（１１２）
はシャッター、＠はＡｒガス供給系、αｊは排気系、（
１４は可変モーターである。第２図の構成によって第１
図に示し次媒体を次の手順で作成した。先ず、成膜室（
５）中を排気系αｊによシ５Ｘ１０ （Ｔｏｒｒ″Ｊ
まで排出後。
パッタリング装置の一概念図である。第２図において、
（５）は成膜室、（６）は基板ホルタ、（７）は基板サ
ンプル％（８１） （８２）はマグネトロンタイプのス
パッタガン＊ （９１） ｔｒｉ Ｔ’ ｂターゲッ
ト＊ （９２）はＣＯターゲット％ （１０１） ｒ
（１０２／はＤＣ電源、 （１１１）、（１１２）
はシャッター、＠はＡｒガス供給系、αｊは排気系、（
１４は可変モーターである。第２図の構成によって第１
図に示し次媒体を次の手順で作成した。先ず、成膜室（
５）中を排気系αｊによシ５Ｘ１０ （Ｔｏｒｒ″Ｊ
まで排出後。
ガス供給系αりよＦ）Ａｒガスを供給し、成膜室内のガ
ス圧力ｔ ５ ｍ Ｔｏｒｒとし、内にシャッター（１
１１）。
ス圧力ｔ ５ ｍ Ｔｏｒｒとし、内にシャッター（１
１１）。
（１１２） ｔ−閉じた状態で電源（１０１） 、（１
０２３ｔ−オンし゛（Ｔｂターゲットト（９１）及びＣ
ｏターゲット（９２）全５分間プレスパツタし、その後
、モーターα荀によって基板ホルダ（６）ｔ−６Ｏｒｐ
ｍで回転し、シャ？／ター（１１１）。
０２３ｔ−オンし゛（Ｔｂターゲットト（９１）及びＣ
ｏターゲット（９２）全５分間プレスパツタし、その後
、モーターα荀によって基板ホルダ（６）ｔ−６Ｏｒｐ
ｍで回転し、シャ？／ター（１１１）。
（１１２）を同時に開いて基板（７ンの上に約１００Ｏ
ＡのＴｂＣ。
ＡのＴｂＣ。
積層膜を形成した。Ｗ、３図（ａ）は本発明のＴｂＣｏ
膜のカーヒステリシスループであり、角形の良好な垂直
光磁気特性となっている事が明らかである。
膜のカーヒステリシスループであり、角形の良好な垂直
光磁気特性となっている事が明らかである。
次に、上記し九と同様の手法で基板回転数ｔ−１，３（
ｒｐｒａｌ）としてターゲットへの投入パワーは前記し
たのと一致させて、同じく約１０”ＯＯＡのＴｂＣｏ積
層膜を形成し友。この膜の平均組成ＸＴｂはＩＣＰ分析
よシ２ｆｉ（ｄ、ｔ％〕、オージェ分析よりＸＴｂより
Ｔｂを多く含有する層（’ｒ ｂ Ｉ槽）の厚さ、Ｃｏ
層多く含有する層（Ｃｏ層）の厚さは各々１２０Ａであ
る事が判った。なお、一定の基板回転数でＴｂ層厚と０
０層厚か異なるのは、各ターゲットからのスパッタレー
トが異なる事と、装置の配置構成によるものである。第
３図（Ｉ））はこのＴｂＣｏ膜のカーヒステリシスルー
ズであり、第３図ｊａ）と同一組成（千−均値）でちシ
ながら面内磁化嘆のループとなっている。
ｒｐｒａｌ）としてターゲットへの投入パワーは前記し
たのと一致させて、同じく約１０”ＯＯＡのＴｂＣｏ積
層膜を形成し友。この膜の平均組成ＸＴｂはＩＣＰ分析
よシ２ｆｉ（ｄ、ｔ％〕、オージェ分析よりＸＴｂより
Ｔｂを多く含有する層（’ｒ ｂ Ｉ槽）の厚さ、Ｃｏ
層多く含有する層（Ｃｏ層）の厚さは各々１２０Ａであ
る事が判った。なお、一定の基板回転数でＴｂ層厚と０
０層厚か異なるのは、各ターゲットからのスパッタレー
トが異なる事と、装置の配置構成によるものである。第
３図（Ｉ））はこのＴｂＣｏ膜のカーヒステリシスルー
ズであり、第３図ｊａ）と同一組成（千−均値）でちシ
ながら面内磁化嘆のループとなっている。
次に、基板回転数を変えて同様の実験を行ない、ＴＣＰ
法で同一組成（平均値）である事を確認しながら、オー
ジェ分析によってＴｂ層とＣｏ層の厚百を見積り、その
カーヒステリシスルーズとの対応を調べた。その結果が
第４図であり、Ｔｂ層及びＣｏ層の厚さがｌＯ＾以下は
安定して一定保磁力の垂直磁化膜となるが、６急の厚さ
がそれ以上となると所望の特性から逸脱し、ついには面
内磁化嘆となる事が判る。故に、Ｔｂ厚子とＣＯ原子の
磁気的結合（交換結合相互作用）全充分発揮する上では
、膜の平り５的組成ＸＴｂよりもＴｂの多い層の厚さ及
びＣＯの多い層の厚さｔｔｏＡ位下とするの力ｘｇまし
いのである。
法で同一組成（平均値）である事を確認しながら、オー
ジェ分析によってＴｂ層とＣｏ層の厚百を見積り、その
カーヒステリシスルーズとの対応を調べた。その結果が
第４図であり、Ｔｂ層及びＣｏ層の厚さがｌＯ＾以下は
安定して一定保磁力の垂直磁化膜となるが、６急の厚さ
がそれ以上となると所望の特性から逸脱し、ついには面
内磁化嘆となる事が判る。故に、Ｔｂ厚子とＣＯ原子の
磁気的結合（交換結合相互作用）全充分発揮する上では
、膜の平り５的組成ＸＴｂよりもＴｂの多い層の厚さ及
びＣＯの多い層の厚さｔｔｏＡ位下とするの力ｘｇまし
いのである。
この様なＴｂＣｏ膜の製造は、Ｔｂターゲット及びＣｏ
ターゲット各々単元の堆積レー）ＤＲＥ、ＤＴＭ（Ａｔ
ｏｍｔ、／ｓｅｅ：ｊ基板回転速度几ｓ（ｒｐｍ）との
間に、Ｒｓ）３ＤＲＥ及びＲａ）３ＤＴＭＯ関係を満足
させれば実現できる。
ターゲット各々単元の堆積レー）ＤＲＥ、ＤＴＭ（Ａｔ
ｏｍｔ、／ｓｅｅ：ｊ基板回転速度几ｓ（ｒｐｍ）との
間に、Ｒｓ）３ＤＲＥ及びＲａ）３ＤＴＭＯ関係を満足
させれば実現できる。
上記した実施例ではＴｂＣｏ膜について述べたが。
本発明は、ＲＥ原子とＴＭ原子の交換結合相互作用を充
分発揮する範囲を数値限定するものであシ、ＴｂＣｏ膜
に限定づれず、 ＴｂＰｅ 、ＧｄＦｅ 、ＧｄＴｂＦ
ｅ。
分発揮する範囲を数値限定するものであシ、ＴｂＣｏ膜
に限定づれず、 ＴｂＰｅ 、ＧｄＦｅ 、ＧｄＴｂＦ
ｅ。
ＴｂＦｅＣｏ 、ＧｄＴｂＣｏ等全ての重希工類−遷移
金嬌非晶質合金７エリ磁性合金膜に適用されるものであ
る。
金嬌非晶質合金７エリ磁性合金膜に適用されるものであ
る。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一実施例の構成断面
図、第２図は本発明の光磁気記録媒体の製造に用いたス
パッタ装置の一実施例の概念図。 第３図、第４図は本発明の効果を表わす図である。 １・・・基板、２・・・ＦＬＥ−ＴＭ膜、３・・・Ｒ，
Ｅ層、４・・・ＴＭ、’ｕ、５・・・７パツタ室、６・
・・基板ホルダ。 ７・・・基ｇ、 ８１．８２・・・マグネトロンスパッ
タ源。 ９１・・・ＲＥメタ−ット、９２・・・ＴＭメタ−ット
。 １０１．１０２・・・電源、 １１１，１１２・・・
シャッター、１２・・・ガス供給系、 １３・・・排
気系％ １４・・・モーター。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 ３ 図 第４図
図、第２図は本発明の光磁気記録媒体の製造に用いたス
パッタ装置の一実施例の概念図。 第３図、第４図は本発明の効果を表わす図である。 １・・・基板、２・・・ＦＬＥ−ＴＭ膜、３・・・Ｒ，
Ｅ層、４・・・ＴＭ、’ｕ、５・・・７パツタ室、６・
・・基板ホルダ。 ７・・・基ｇ、 ８１．８２・・・マグネトロンスパッ
タ源。 ９１・・・ＲＥメタ−ット、９２・・・ＴＭメタ−ット
。 １０１．１０２・・・電源、 １１１，１１２・・・
シャッター、１２・・・ガス供給系、 １３・・・排
気系％ １４・・・モーター。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 ３ 図 第４図
Claims (3)
- （１）希工類−遷移金属非晶質フェリサ磁性合金薄膜よ
りなる記録層を具備する光磁気記録媒体において、前記
記録層の膜厚方向に平均化された希工類元素含有比をＸ
＿Ｒ＿Ｅ〔ａｔ％〕とする時、膜厚方向にＸ＿Ｒ＿Ｅよ
りも希工類を多く含有する希工類層と、Ｘ＿Ｒ＿Ｅより
も希工類を少なく含有する遷移金属層とが交互に周期的
に積層されてなり、前記した希工類層及び遷移金属の原
子層厚が１０Å以下である事を特徴とする光磁気記録媒
体。 - （２）記録層を形成する手段が、記録層が形成される基
板に対向して、希工類ターゲットと遷移金属ターゲット
の２種類のターゲットが配置されてなるスパッタリング
装置において、前記希工類ターゲット及び遷移金属ター
ゲットを同時にスパッタリングし、かつそれと同時に基
板を回転する事を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法
。 - （３）希工類ターゲットのスパッタリング時の基板面へ
の成膜速度の最大値をＤ＿Ｒ＿Ｅ〔Å／ｓｅｃ〕遷移金
属ターゲットのスパッタリング時の基板面への成膜速度
をＤ＿Ｔ＿Ｍ〔Å／ｓｅｃ〕とする時、前記基板の回転
速度Ｒ＿Ｓ〔ｒｐｍ〕が、Ｒ＿Ｓ＞３Ｄ＿Ｒ＿Ｅ及びＲ
＿Ｓ＞３Ｄ＿Ｔ＿Ｍの関係を満足する事を特徴とする特
許請求範囲第２項記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20882685A JPS6271041A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20882685A JPS6271041A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271041A true JPS6271041A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16562750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20882685A Pending JPS6271041A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271041A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH087352A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP20882685A patent/JPS6271041A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH087352A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
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