JPH01277349A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録磁界Ｈｂの向きを変調せずに、光の強度
変調だけでオーバーライト（ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ）が
可能な光磁気記録媒体に関する。

（従来の技術） 最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を使用した後、消去することができ、新たな
情報を記録することができるというユニークな利点のた
めに、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　＋ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　
１ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモル
ファスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ、　Ｔｂ
Ｆｅ、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録
層は一般に同心円状又はらせん状のトラックを成してお
り、このトラックの上に情報が記録される。ここで、本
明細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ
又は「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）　Ｊの何れか一方を
、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録す
べき情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向
き」の磁化を有するビット（Ｂｌ）と、「逆Ａ向き」の
磁化を有するビット（Ｂｏ）の２つの信号で記録される
。これらのビットＢ、、Ｂゆは、デジタル信号の１，０
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般
には記録されるトランクの磁化は、記録前に強力な外部
磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる
。この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれ
る。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビン
）　（Ｂｌ）を形成する。情報は、このビット（Ｂｌ）
の有無及び／又はビット長によって記録される。

旦二上長底立亘凰； ビー／　）の形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間
的時間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が
有利に使用され、レーザー光の波長によって決定される
回折限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが
絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射さ
れ、記録層に直径が１μｍ以下のビットを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０”ビット／−までの記録密度を達成すること
ができる。何故ならば、レーザビームはその波長とほと
んど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝ｍ　
（ｃｏｎｃｅｎ　ｔｒａ　ｔａ）することが出来るから
である。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ、こうして逆に磁化されたビットが形成
される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｃを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
を有しており翫そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。逆に
この温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度から
外れるとＨｃが急激に低下する。この低下したＨｃは、
比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされる。

つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ　ｃ
ａａｐ、書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｃを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ）を
印加すれば、記録は可能である。

再主皇胤皿： 第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す、
光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録Ｊｉ！
　（１）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度傾けた面に垂直にセントしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射された
光はアナライザーを透過することができない、それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射さ
れた光は、（ｓｉｎ２θｋ）！を乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）
は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｏ）よりも明る
く見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのである
。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ｉｉ　）記
録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、
又は（ｉ■）予め、前段処理として記録装置又は消去装
置を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライト（□ｙ６ｒｗｒｉｔｅ）は、不可能とされ
ていた。

もっとも、もし記録磁界Ｈｂの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライトが可能になる。しかしながら、
記録磁界ＨｂＯ向きを高速度で変調することは不可能で
ある０例えば、記録磁界Ｈｂが永久磁石である場合、磁
石の向きを機械的に反転させる必要がある。しかし、磁
石の向きを高速で反転させることは、無理である。記録
磁界Ｈｂが電磁石である場合にも、大容量の電流の向き
をそのように高速で変調することは不可能である。

しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁界ＨｂをＯ
Ｎ、　ＯＦＦせずに又は記Ｓ！磁界Ｈｂの向きを変調せ
ずに、照射する光の強度だけを記録すべき２値化情報に
従い変調することにより、オーバーライトが可能な光磁
気記録方法と、それに使用されるオーバーライト可能な
光磁気記録媒体と、同じ（それに使用されるオーバーラ
イト可能な記録装置が発明され、特許出願された（特開
昭６２−１７５９４８号）、以下、この出願を「先願」
と引用する。

〔先願発明の説明〕

先願発明の特徴１つは、記録層（第１層）と記録補助層
（第２層）との少なくとも２Ｎ構造の多層垂直磁化膜か
らなる光磁気記録媒体を使用することである。そして、
情報を「Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向き」磁
化を有するビットで第１層（場合により第２層にも）に
記録するのである。

先願発明のオーバーライト方法は、 （ａ）記録媒体を移動させること： （ｂ）初期補助磁界旧ｎｉ、を印加することによって、
記録する前までに、第１層の磁化はそのままにしておき
、第２Ｎの磁化のみを、「Ａ向き」に揃えておくこと； （ｃ）レーザービームを媒体に照射すること；（ｄ）前
記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパルス状に
変調すること： （ｅ）前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界を
印加すること； ＜！＞前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に「Ａ
向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」磁化を有す
るビットの何れか一方を形成させ、ビーム強度が低レベ
ルの時に、他方のビットを形成させること； からなる。

先願発明では、記録するときには、例えば（ａ）光磁気
記録媒体を移動させる手段；（ｂ）初期補助磁界旧ｎｉ
、印加手段；（ｃ）レーザービーム光源； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）「Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向き」磁化
を有するビットの何れか一方のビットを形成させるのに
適当な温度を媒体に与える高レベルと、 （２）他方のビットを形成させるのに適当な温度を媒体
に与える低レベル とにパルス状に変調する変調手段； （ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることがあ
り得る記録磁界印加手段； からなるオーバーライト可能な光磁気記録装置を使用す
る。

先願発明では、レーザービームは、記録すべき情報に従
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である０例えば、Ｔ）ＩＥ　　ＢＥＬＬ　　ＳＹＳ
ＴＥＭ　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　　ＪＯＵＩ？ＮＡＬ。

Ｖｏｌ、６２（１９８３）、１９２３−１９３６に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。

先願発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レベ
ルの時に、記録磁界（）ｌｂ）により記録補助層（第２
層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅ
ｒｓｅ）させ、この第２層の「逆Ａ向き」磁化によって
記録層（第１１に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁
化〕を有するビットを形成する。ビーム強度が低レベル
の時は、第２層のＥＡ向き」磁化によって第１層に「Ａ
向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを
形成する。

なお、本明細書では、 はΔΔΔ　という表現は、先に〔〕 の外の○ＯＱを読んだときには、以下のΩΩΩＵ猛ｊα
Ｘへ〕のときにも、〔〕の外、のＯＱ○を読むことにす
る。それに対して先に０００を読まずに〔〕内のΔΔΔ
Φ方を選択して読んだときには、以下の　　　　　番　
　　〕のときにも○Ｏ○を読まずに〔〕内のΔΔΔを読
むものとする。

すでに知られているように、記録をしない時にも、例え
ば媒体における所定の記録場所をアクセスするためにレ
ーザービームを非常な低レベル０で点灯することがある
。また、レーザービームを再生に兼用するときには、非
常な低レベル０の強度でレーザービームを点灯させるこ
とがある０本発明においても、レーザービームの強度を
この非常な低レベル１にすることもある。しかし、ビッ
トを形成するときの低レベルは、この非常な低し゛　ベ
ル０よりも高い、従って、例えば、先願発明におけるレ
ーザービームの出力波形は、次の通りになる。

ビーム強度 値化情報の例　　　１１１００１１１１０００なお、先
願明細書には開示されていないが、本発明では、記録用
のビームは、１本ではなく近接した２本のビームを用い
て、先行ビームを原則として変調しない低レベルのレー
ザービーム（消去用）とし、後行ビームを情報に従い変
調する高レベルのレーザービーム（書込用）としてもよ
い。

この場合、後行ビームは、高レベルと基底レベル（低レ
ベルと同−又はそれより低いレベルであり、出力がゼロ
でもよい）との間でパルス変調される。

この場合の出力波形は次の通りである。

先行ビーム □　後行ビーム ビーム強度 値化情報の例　　　１１１００１１１１０００先願発明
で使用される媒体は、第１実施態様と第２実施態様とに
大別される。いずれの実施態様においても、記録媒体は
、記録層（第１層）と記録補助Ｎ（第２層）を含む多層
構造を有する。

第１層は、室温で保磁力が高（磁化反転温度が低い記録
層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保磁力
が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。なお、第
１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成されてい
てもよい、場合により第１層と第２層との間に第３の層
が存在していてもよい。更に第１層と第２層との間に明
確な境界がなく、一方から徐々に他方に変わってもよい
。

第１実施態様では、記録層（第１層）の保磁力をＨ９い
記録補助層（第２層）のそれをＨＣｌ、第１層のキュリ
ー点をＴ、い第２層のそれをＴ’ｃｚ、室温をＴＩ、低
レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体の温度
をＴＬ％高レベルのレーザービームを照射した時のそれ
をＴＨ１第曹層が受ける結合磁界をＨ９い第２層が受け
る結合磁界をＨ□とした場合、記録媒体は、下記の式１
を満足し、そして室温で式２〜５を満足するものである
。

Ｔ”　＜Ｔｃ　＋　郊Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃｚ　幻Ｔ　Ｈ
−・＝−−−−・−−−−−＝、式ＩＨｃ＋　＞　Ｈｃ
ｘ　＋　ｌ　Ｈｅ＋　＋　Ｈｏｗｌ・・・・・・・−・
−・・−・・・−式２Ｈｅｌ＞ＭＤＩ−−”’−＝−−
−’−”−”＝−−’−−”−’−’−式３Ｈｃ　ｚ　
＞　Ｈ＊　ｒ’−’−’−’−・−’−−−−’−’−
’−’−”’−’−”−’−”’−’−”−−−−−−
’式４ＨＨ＋ＨＢ＜　１Ｈｉｎｉ、ｌ　＜Ｈ（１ｔｈＨ
６，−−一式５上記式中、符号「ｚ」は、等しいか又は
ほぼ等しいことを表す、また上記式中、複合上、；につ
いては、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅ
ｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ（ｐ
ａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。なお、フ
ェロ磁性体媒体はＰタイプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如（なる、細線は第１層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

Ｔ　ｔ　　　　　　　Ｔ　ＩＩ 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（旧ｍｌ）
を印加すると、式５によれば、記録層（第１層）の磁化
の向きは反転せずに記録補助層（第２層）の磁化のみが
反転する。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界（旧ｎ
ｔ、）を印加すると、第２Ｎのみを「Ａ向き」□ここで
は「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上向きの
矢↑で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢６で示す□−に
磁化させることができる。そして、Ｈｉｎｔ。

がゼロになっても、式４により、第２層の磁化？は再反
転せずにそのまま保持される。

初期補助磁界（Ｈｉｎｔ、）により第２層のみが、記録
直前まで「Ａ向き」？に磁化されている状態を概念的に
表すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き１は、それまでに記
録されていた情報を表わす、以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴＨに上昇させる。すると、Ｔ、Ｉはキュリー
点Ｔｃｔより高温度なので記録層（第１層）の磁化は消
失してしまう、更にＴ、はキュリー点’Ｔ’ｃｔ付近な
ので記録補助層（第２層）の磁化も全く又はほぼ消失す
る。ここで、媒体の種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ
向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加する。記ｔ！磁界（Ｈ
ｂ）は、媒体自身からの浮遊磁界でもよい、説明を簡単
にするために「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加し
たとする。媒体は移動しているので、照射された部分は
、レーザービームから直ぐに遠ざかり、冷却される。Ｈ
ｂの存在下で、媒体の温度が低下すると、第２層の磁化
は、）Ｉｂに従い、反転されて「逆Ａ向き」の磁化とな
る（状ｕ２ｇ）−そして、さらに放冷が進み、媒体温度
がＴ６．より少し下がると、再び第１層の磁化が現れる
。その場合、磁気的結合（交換結合）力のために、第１
層の磁化の向きは、第２層の磁化の向きの影響を受ける
。その結果、媒体に応じて８　（Ｐタイプの媒体の場合
）又は？　（Ａタイプの媒体の場合）が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点Ｔｅｌ付近なので
第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点Ｔｃｔよりは低温であるので第２層の磁化は消失し
ない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることは不可能であ
る。従って、止むを得ず高温サイクルのときのままにな
っている。

しかし、ＨＣｌはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化が反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再び第１Ｎの磁
化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のため
に第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
によって９　（Ｐタイプの場合）又は＆　（Ａタイプの
場合）の磁化が出現する。この磁化は室温でも変わらな
い。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化？又は単を有するビットが形成される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオーバーライトが可能となる。

Ｐ　　　イ　　　　　　　の　　Ａ Ａ　イブ　の　Ａ なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（ビット）
は、１回転する間に再び旧ｎｉ、の作用を受け、その結
果、記録補助層（第２Ｎ）の磁化は元の「Ａ向き」官に
揃えられる。しかし、室温では、第２層の磁化の影響が
記録Ｎ（第１層）に及ぶことはなく、そのため記録され
た情報は保持される。

そこで、第１Ｎに直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。なお、第１層と第２層の組成設
計によっては、再生前に再生磁界Ｈａを印加することに
より、元の「Ａ向き」電に揃えられた第２層に第１層の
情報を転写させる方法や、再生磁界Ｈ３を印加せずとも
旧ｎｔ、の影響がな（なるや否や第２層に第１層の情報
が自然転写されるものがあるので、との場合には、第２
層から情報を再生してもよい。

このような記録層（第１１１ｉり及び記録補助層（第２
層）を構成する垂直磁化膜は、■補償温度を有せずキュ
リー点を有するフェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに
■補償温度、キュリー点の双方を有するフェリ磁性体の
非晶質或いは結晶質からなる群から選択される。

以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様は室温より高い所定の温度に於いて低下したＨｃをを
利用するものである。第２実施態様は、第１実施Ｂ様に
於けるＴＣＩの代わりに記録層（第１層）が記録補助層
（第２層）に磁気結合される温度Ｔ８．を使用し、Ｔｃ
！の代わりに第２層がＷｂで反転する温度Ｔｓｚを使用
すれば、第１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、第１層の保磁力を）ＩＣＩ、第２層
のそれを）Ｉｃｚ、第１層が第２層に磁気的に結合され
る温度をＴ’ｓｔとし、第２層の磁化がＨｂで反転する
温度をＴ’ｔｚ、室温をＴｌｌ、低レベルのレーザービ
ームを照射した時の媒体の温度をＴＬ、高レベルのレー
ザービームを照射した時のそれをＴＨ１第１層が受ける
結合磁界をＨ８い第２層が受ける結合磁界をＨｏとじた
場合、記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７
〜１０を満足するものである。

ＴＲ〈Ｔ　ｓ　＋　”　Ｔ　Ｌ＜　Ｔ　ｍ　ｚ　停Ｔ　
Ｎ　−−−−−−・−−−−−式６Ｈｃ＋　＞　Ｈｃｔ
　＋　ｌ　Ｈｏ＋　＋　Ｈａｉｌ−・・−−−−−−・
−・−式７ＨＣｌ　＞　ＨＤ　Ｉ　　””’−−””−
’−−−−−−”’−−”’−−’−−−弐８ＨＣ！　
＞　ＨＤ　！−−−−・−−−−−・・・−・−・−・
−・−・・−一−−−−・−・−・・−−−−一式９Ｈ
ｃｔ＋Ｈｎｓく　ｌ旧ｎｔ、　　ｌ　　＜　Ｈｃ＋　”
−Ｈｏ＋−’−”−式１０上記式中、複合上、′：＋に
ついては、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌ
ｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ　
（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、記録Ｎ＜第１層）、記録補
助層（第２層）が遷移金属（例えばＦｅ。

Ｃｏ）−重希土類金属（例えばＧｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙそ
の他）合金組成から選択された非晶質フェリ磁性体であ
る記録媒体が好ましい。

第１Ｎと第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ）−重希土類金属
（ｈｅａｖｙ　ｒａｒｅｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合
金組成から選択された場合には、各合金としての外部に
現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原
子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及
び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のス
ピンの向き及び大きさとの関係で決まる０例えばＴＭの
スピンの向き及び大きさを点線のベクトル↑で表わし、
ＲＥのスピンのそれを実線のベクトルＴで表し、合金全
体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル？で表
す、このとき、ベクトル↑はベクトル↑とベクトル↑と
の和として表わされる。ただし、合金の中では７Ｍスピ
ンとＲＥスピンとの相工作用のためにベクトル↑とベク
トル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って、己と
↑との和或いは１と↑との和は、両者の強度が等しいと
き、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化
の大きさはゼロ）になる、このゼロになるときの合金組
成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｃｏｍｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成のときには
、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有し、いずれ
か大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有するベク
トル（？又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる０例えば↑、は？と
なり、ｆ↓は８となる。

ある合金組成の７ＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリフチであると呼ばれる。

第１Ｊｉと第２１１の両方について、７Ｍリッチな組成
とＲＥグリッチ組成とに分けられる。従って、縦軸座標
に第１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、先
願発明の媒体全体としては、種類を次の４象限に分類す
ることができる。先に述べたＰタイプは■象限と■象限
に属するものであり、Ａタイプは■象限と■象限に属す
るものである。

ＲＥグリッチ第１層） ７Ｍリッチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、
温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリー点（
保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無限大に
増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成がある
。この無限大のときに相当する温度は補償温度（Ｔｃ、
、、、　）と呼ばれる。

補償温度は、７Ｍリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない、室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太線は
第２７１のそれである。

りΔ」乙１ 保磁力 保磁力 夕Ａ；乙ｌ 保磁力 保磁力 ここで、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）の両
方についてＲＥす７チかＴＭリフチかで分け、かつ補償
温度を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次の９
クラスに分類される。

第１表 第１表（続き） 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、先願明細書に具体的に開示された媒体で
は、記録感度を低下させずに、Ｃ／Ｎ比の高いオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体を得ることは困難であると
いう問題点があった。

本発明の目的は、記録感度を低下させることなく　、Ｃ
／Ｎ比の大きいオーバーライト可能な光磁気記録媒体を
得ることができる新規な技術思想の創作にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、 垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直磁気
異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造を有
し、 開平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、 第２Ｍの磁化のみが記録の直前までに初期補助磁界Ｈｉ
ｎｉ．により「Ａ向き」に揃えられ、高レベルのレーザ
ービームが照射された時は、記録磁界Ｈｂにより第２層
の「Ａ向き」磁化が「逆Ａ向き」に反転させられ、この
第２層の「逆Ａ向き」磁化の作用によって第１層に「逆
Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビットが
形成され、 低レベルのレーザービームが照射された時は、第２層の
「Ａ向き」磁化の作用によって第１５に「Ａ向き」磁化
〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットが形成される
、 オーバーライト可能な光磁気記録媒体において、下記１
条件： Ｔ’＋＋　＜ＴＬ　＜　ＴＣＩ　＜　ＴＭ≦Ｔｃ２を満
足し、かつ室温で下記４条件： ）１ｃ＋＞Ｉ（ｃ富士１ＨＩｌｌ＋ＨＩｌ！ＩＭＣＩ＞
ＭＤＩ ＨＣＮ＞ＨＤｔ Ｈｃｚ＋Ｈｏｚ＜　ｌＨＤｔ、ｌ　〈ＨＣＩ±ＨＤＩを
満足することを特徴とする光磁気記録媒体を提供する。

ただし、 Ｔ、：室温 Ｔｃｔ：第１層のキュリー点 ＴＣＩ：第２層のキュリー点 ＴＬ　：低レベルのレーザービームを照射シた時の記録
媒体の温度 ＴＨ：高レベルのレーザービームラ照射シた時の記録媒
体の温度 Ｈｃ＋：第１層の保磁力 Ｈｃｔ：第２層の保磁力 ＨＤｌ：第１層が受ける結合磁界 Ｈｏ：第２層が受ける結合磁界 旧ｎｉ、　　：初期補助磁界 左辺≦右辺；左辺と右辺がほぼ等しいか又は左辺に比べ
右辺が大きいことを意味する。

〔作用〕

一般に記録層（第１層）のキュリー点ＴＣＩが高ければ
、カー回転角θｋが大きくなり、Ｃ／Ｎ比が向上する。

しかしながら、先願明細書に具体的に開示された媒体で
は、ＴＣＩ２ｇＴＬのため、ＴＣＩを高くすると、ＴＬ
も高くせざるを得ない。

そうすると、低温サイクル（ＴＬ）で高温サイクル（Ｔ
、Ｉ）が生じるの防止するマージン確保のため、更にＴ
、を上げる必要がある。

そのため、高レベルのビームを照射しても媒体温度が中
々ＴＮにまで上がらず、その結果、記録感度が低いこと
が判明した。

そこで、更に研究を進めた結果、情報は磁化が「Ａ向き
」のビットと「逆Ａ向き」のビットで記録しているので
、オーバーライトする場合、低温サイクルにおいて、ど
うしても新たなビットを形成しなければならないのは、
■既に記録されているビットとこれから新たに記録（形
成）しようとするビットが異なる場合だけであり、■既
に記録されているビットとこれから新たに記録（形成）
しようとするビットが同一の場合には、既に記録されて
いるビットをそのままにしておいても差支えないことが
判明した。

そして、前者■の場合には、第薗層の磁化の向きをオー
バーライトにより反転させることになるが、記録前のビ
ットの磁化状態は、既にｌ１ｉｎｉ、によって第２層の
磁化の向きが「Ａ向き」に揃えられた状態で考えてみる
と、次の通りである。

〔Ｐタイプ〕

〔記録前〕　　　　　　　　〔記録後〕〔Ａタイプ〕 いずれのタイプのビットにせよ、記録直前の状態（既に
初期化された状Ｂ）では、第１層、第２層の眉間に界面
磁壁（□で示したもの；以下、同じ）が形成されている
ことが判明した。

この状態は、界面磁壁エネルギー（σ、：交換結合力と
も呼ばれる）を蓄えており、準安定な状態にある。この
状態が保持される条件は、外部磁場がない場合を考える
と、既述のように、ＨＣＩ　＞　　　　　　　　−−−
−−−一条件式１％式％ ）（ｃｘ＞　　　　　　　　−一〜−−−−−−−−−
−−条件式２ＭｓｚＬｚ の２つの条件である。

これは、次の理由から必要な条件となる。媒体が通常の
ディスク状を考えた場合、第１Ｎに記録されたビットは
、１回転する間に記録装置に備えられた旧ｎｉ、印加手
段からの旧ｎｉ、を必然的に受けて上述の準安定状態に
なってしまうので、その場合、折角記録した第１層の情
ｆ１が初期化された第２層の磁化によって消去されては
元も子もないし、また、逆に折角旧ｎｉ、によって初期
化された第２層の磁化が、記録された第１層の情報（磁
化）によって、乱されても無意味になるからである。

しかしながら、これは準安定な状態であって、第１Ｎは
、σ、を介して第２層の磁化の影響を受ける。

その後の研究によると、レーザービームの照射を受けて
、媒体の温度が室温Ｔｌｌ　（例えば、１０〜４５℃）
から、高められた温度（例えば７５℃）に上昇すると、
第１層の保持力ＨＣＩは低下するので、第１Ｎの磁化の
向きが第２層の磁化によって安定状態へと反転０させら
れることが判明した。つまり、第１層の温度がＴＣＩま
で上昇してその磁化が消失せずとも、反転９可能である
ことが判明した。

従って、本発明では、この反転０温度をＴＬとして、Ｔ
Ｌ＜Ｔｃ、で低温サイクルを実行するのである。ＴＬは
、通常遭遇する室′ＩｊＬＴ＋＋　　（例えば、１０〜
４５℃）より安全を見込んで例えば３５℃のマージンを
取って、例えば７５℃以上とすることが好ましい。

そのため、ＴｃＩはＴＬによらず高（設計することがで
き、カー回転角θｋが大きくなってＣ／１４比が向上し
、それでいて、ＴＬはＴＣＩによらず低く設計できるの
で、記録感度が良くなるのである。

ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・
■象限・タイプ１）に属する媒体階１を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体隘璽は、次式１１： ％式％ の関係を有する＠　Ｔ　Ｃ０ＩＩ＃＋　！は、ＴＬ、Ｔ
ｃＩより低くても等しくても高くてもよいが、次の説明
は、Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃ　＋　＜　Ｔ　ｃｏｍｅ、　ｔ
で行なう。

この関係をグラフで示すと、次の如くなる。なお、細線
は第１層のグラフを示し、太線は第２Ｎのグラフを示す
。

保磁力 室温Ｔｌｌで第１層（記録層）の磁界が初期補助磁界Ｈ
ｉｎｉ．により反転せずに第２層のみが反転する条件は
、式１２である。この媒体患１は式１２を満足する。

式１２： ％式％ 但し、Ｈ，：第１層の保磁力 Ｈｃｚ：第２Ｎの保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏ
ｎ）ＭＳ！：第２Ｎの飽和磁気モーメント ｔＩ　：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σ８　；界面磁壁エネルギー （ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）
このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式１５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。そ
れでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式１３〜１４で示される。この媒体隘１は　　　　　
　　　　　　　　　式１３〜１４を満足する。

σイ 式１３：　　Ｈｃｔ＞□ ２Ｍ５ｔＬ＋ σ曽 式１４：　　Ｈｃｚ　＞□ Ｍｓｉｋｔ 式１５： 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば［Ａ向きＪ？（↑、）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
ａ又はｌｂ　）　。

〔「逆Ａ向き」ビット〕　　　〔「Ａ向き」ビット〕＊
　□　は磁壁を示す（以下、同様）。

この状１１ａ、Ｉｂは記録直前まで保持される。

ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点ＴＣＩより少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２、Ｉ）。

更に照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒体
の温度が第２層のＴ　ｃｏｗｒ＊、Ｚより少し高い温度
になったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらな
いが、強度の大小関係が逆転する（↑。

→礼）。そのため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き
」８の磁化になる（状態３Ｎ）。

しかし、この温度ではＨｃｔがまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない、さらに
温度が上昇し、ＴＨになると、第２層の温度はキュリー
点Ｔｃｚに近くなり、）（ｃ＋が小さくなるので、第２
層の磁化が↑Ｈｂによって反転する（状Ｌｉ　４　Ｍ　
）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

そして、媒体の温度がＴｃｏ＋ａｐ、ｚ以下になると、
ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度の大
小関係が逆転する（、↑−↓−）、その結果、合金全体
の磁化は反転し、？から「逆Ａ向き」３になる（状ａ５
Ｈ）− この状ｆｌｉ　５　ＩＩでは媒体の温度はＴｃＩより高
いので第１層の磁化はまだ消失したままである。また、
その温度でのＨｃ−は大きいので第２Ｎの磁化８は、↑
Ｈｂで反転することはない。

そして、更に温度が低下してＴｃＩより少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２Ｎからの界面磁
壁エネルギーがＲＥスピン同士（↓）、　ＴＭスピン同
士（↑）を揃えるように働く、そして、第１層の温度は
Ｔ　ｃａｓｐ、＋以上なので７Ｍスピンの方が太き（、
そのため第１層にはｔつまり官の磁化が出現する。この
状態が状態６つである。

媒体の温度がこの状Ｍ６）ｌのときの温度から更に低下
して、Ｔ　Ｃ０１ｊ　＊　Ｈ１以下になると、第１層の
ＲＥスピンと７Ｍスピンの強度の大小関係の逆転が起こ
る（　↓ニー↓↑　）、その結果、８の磁化が出現する
（状Ｌｉ　７　Ｍ　）。

そして、やがて媒体の温度は状ａ７エのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
Ｂ１．が保持される。こうして、「逆Ａ向き」のビット
形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ、。１．．１以上に上昇させる。そうすると、第１層
のＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は変わらないが、強度の大
小関係が逆転する。その結果、第１層の磁化が反転する
（状り、ｌａ−状ＬＱ２Ｌｉ、状態ｌｂ−状態２、）、
この状態では、−時的にＡタイプになる。

この状態から更に温度が上がり、ＴＬになると、σ− Ｈｃ＋　＋　Ｈｂ　＜□ ２Ｍｓ＋ｉ＋ の関係となり、状Ｂ　２　Ｌｍが状Ｂ３Ｌに遷移する。

他方、状Ｌｉ２いは、そのままの状態を保つため、同じ
状態３Ｌになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴＣＯ＋１１９．
１以下に冷えると高温サイクルと同様に第１ＪｉのＲＥ
スピンと７Ｍスピンとの大小関係が逆転する（　↑↓−
↑↓　）。その結果、第１Ｎの磁化は？となる（状ｇ４
Ｌ）。この状態では元のＰタイプに戻る。

この状！１Ｆｉ４．は媒体温度が室温まで下がっても保
持される。その結果、「Ａ向き」省のビット形成が完了
する。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ２）に属する媒体隘２を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎ１２は、次式１６； ％式％ の関係を有する。ＴＣ６ｍｍ、１はＴｔ　、Ｔｃ＋より
低くても等しくても高くてもよいが、以下の説明で、Ｔ
　Ｌ　＜　Ｔ　ｃｒ　＜　Ｔ　ｃｏｍｅ、　ｚで行なう
、この関係をグラフで示すと、次の如くなる。

Ｔ　Ｃｌ１ｌｌｊｅ＋　Ｘ　　Ｔ　１１室温Ｔ、で第１
層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、
式１７である。この媒体隘２は式１７を満足する。　式
１７： ％式％ ただし、Ｈｏｌ：第１層の保磁力 Ｈｃｚ：第２層の保磁力 Ｍｇ２：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ、、：第２層の飽和磁気モーメント ｔＩ　：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σ８　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式２０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。そ
れでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式１８〜１９で示される。この媒体Ｎａ２は式１８〜
１９を満足する。

σ１ ２Ｍ５＋ｉ＋ σ− 式１９：　　　　Ｈｃｉ　＞□ ２　Ｍ、！ｔ　。

式２０； ％式％ 室温で式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば「Ａ向きＪ？（↑、）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状Ｂ１
ａ又はｌｂ）。

〔「逆Ａ向き」ビット〕　　〔「Ａ向き」ビット〕この
状ｂｌａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点Ｔｃ１より少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２Ｎ）。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴｅａｍｔ、ｔより少し高い温度に
なったとき、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（↑。

−↑↓）。そのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ
向き」６の磁化になる（状態３．）。

しかし、この温度ではＨｏがまだ大きいので、↑Ｈｂに
よって第２層の磁化が反転されることはない、さらに温
度が上昇し、Ｔ、Ｉになると、第２層の温度はキュリー
点Ｔｃ！近くになるのでＨｃｚが小さ（なり、↑Ｈｂに
よって第２層の磁化が反転する（状態４Ｈ）。

この状Ｂ４Ｎにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

そして、媒体の温度がＴ　Ｃ６１ｊ　ｐ　Ｈｌ以下にな
ると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強
度の大小関係が逆転する（を−↓↑）、その結果、合金
全体の磁化は反転して電から「逆Ａ向き」８になる（状
態５工）。

この状態５Ｈでは媒体の温度はＴｅｌより高いので第１
層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度で
の）［ｃｚは大きいので第２Ｎの磁化が↑Ｈｂで反転す
ることはない。

そして、更に温度が低下してＴｅｌより少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの界面磁
壁エネルギーがＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士
（↑）を揃えるように働く。そのため第１ＩＷには↓↑
つまり８の磁化が出現する。この状態が状Ｌｉ　６　Ｎ
である。

そして、やがて媒体の温度は状態６Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
態６Ｎが保持される。こうして、「逆Ａ向き」のビット
形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、σ− Ｈｃ＋　十Ｈｂ　＜　− ２Ｍ５＋ｔ＋ の関係となり、状ａｔａが状態２Ｌに遷移する。

他方、状態１ｂは、そのままの状態を保つため、同じ状
Ｂ２Ｌになる。

この状Ｇ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

しかし、状Ｂ２Ｌは媒体温度が更に低下しても変化がな
い。その結果、第１Ｎには、「Ａ向き」のビットが形成
される。

次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ３）に属する媒体Ｎ１３を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体１１ｍ３は、次式２１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如（
なる。

Ｔｃｏ＠ＩＨＩＴＨ 室温ＴＩで第１層の磁化が初期補助磁界器ｎｉ。

により反転せずに第２１！のみが反転する条件は、式２
２である。この媒体嵐３は式２２を満足する。

式２２： ％式％ ただし、Ｈｃｌ：第１層の保磁力 Ｈ６２：第２層の保磁力 Ｈ３１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｏ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 ４ｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式２５で示される。

Ｈ４ｎ１．が無くなると、反転した第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。そ
れでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式２３〜２４で示される。この媒体患３は式２３〜２
４を満足する。

式２３：　　　Ｈ，、＞　− ２Ｍ、、　ｔ　。

σ− 式２４：　　　Ｈｃｌ＞　− ２ＭＢｔ＊ 式２５： ％式％ 室温で式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足する１
ｌｉｎｋ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態
１ａ、、ｌｂ）。

この状１１１ｉ１ａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される
。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点ＴＣＩより少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２Ｍ）。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴ、になると
、Ｔ、は第２層のＴｃｚに近くなるのでＨｏが小さくな
り、第２層の磁化は↓Ｈｂで反転する（状態３Ｎ）。

この状態３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度が低下してＴｃｌより少し下がると、第１Ｎに
磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が界面磁壁エ
ネルギーにより第１Ｎに及ぶ。その結果、ＲＥスピン同
士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を揃える力が働（、こ
の場合、媒体温度はまだＴ　Ｃ６＠　ｔ　Ｈ＋以上にあ
るので、７Ｍスピンの方がＲＥスピンより大きくなる（
　、Ｔ　＞。その結果、第２層には市の磁化が出現する
（状態４Ｈ）。

この状態４Ｈの温度から、媒体温度が更に低下してＴ　
ｔ　６１１　ｔ　＋　＋以下になると、第１層の７Ｍス
ピンとＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（Ｑ７−
↓↑）。そのため、第璽層の磁化が反転し、「逆Ａ向き
」８の磁化になる（状態５　Ｎ　）。

そして、やがて媒体の温度は状態５工のときの温度から
室温まで低下する。室温での）（ｃ＋は十分に大きいの
で第１層の磁化は、安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 二方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ　ｃｏ□１以上に上昇させる。そうすると、第１層の
ＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は変わらないが、強度の大小
関係が逆転する。その結果、第１層の磁化が反転する（
状態１ａ−状態２Ｌい状態１ｂ−状＊　２　、、＞　。

この状態では、−時的にＡタイプになる。

この状態から更に温度が上がり、ＴＬになると、σ− Ｈｃ＋−Ｈｌ）　＜　− ２Ｍ５＋ｔ＋ の関係となり、状Ｂ２Ｌａが状Ｌｉ５Ｌに遷移する。

他方、状Ｂ２ｔｂは、そのままの状態を保つため、同じ
状Ｂ３Ｌになる。

この状態でレーザービームのスボソＨＭ域から外れると
媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＯＩＩｔ、１以下に冷えると高温サイク
ルと同様に第１ＮのＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関
係が逆転する（　礼−↑↓　）。その結果、第１Ｎの磁
化は↓Ｈｂに打ち勝って電となる（状態４Ｌ）　　。

この状Ｇ４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」宕のピット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ４）に属する媒体隘４を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体阻４は、次式２６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

７Ｍ 室温Ｔ１１で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７
である。この媒体阻４は式２７を満足する。

式２７： ％式％ ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 Ｈｅｗ：第２層の保磁力 ＭＳ、　：第１層の飽和磁気モーメントＭＳ！：第２層
の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式３０で示される。

１１ｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界
面磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。

それでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件
は、式２８〜２９で示される。この媒体１１ｈ４は式２
８〜２９を満足する。

σ１ 式２８：　　　）ＩＣＩ＞□ ２　Ｍｓ、　ｔ　。

σ− 式２９：　　　Ｈｃｚ＞□ ＭＢｔｌ 式３０： ２Ｍｓ□ｔ、　　　　　　　　　　　　　　　　２Ｍ□
ｔ。

室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２Ｎ
の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」９（↑、）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
ａ又はｌｂ）。

この状Ｍｌａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

ここでは記録磁界（）Ｉｂ　）は↓の向きに印加される
。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点Ｔｃｌより少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２工）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＮにな
ると、第２層の温度はキュリー点Ｔｃ２に近くなるので
Ｈｃｚが小さくなり、第２層の磁化は↓Ｈｂで反転する
。これが状Ｌｉ　３　Ｍである。

この状ｆＬｉ　３　Ｎにおいてレーザービームのスポッ
ト嶺域から外れると、媒体の温度は低下を始める。

そして、媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第１層に
磁化が出現する。そのとき第２層からの界面磁壁エネル
ギーがＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）
を揃えるように働（。そのため第１層には↓↑つまり８
の磁化が出現する。この状態が状態４．である。

・そして、やがて媒体の温度は状＊４．．のときの温度
から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きい
ので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射シて媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、σ− Ｈｃ＋　　Ｈｂ　＜　− ２Ｍ５＋ｔ＋ の関係が成立する状態となり、状態１ａが状態２Ｌに遷
移する。他方、状ｇ１ｂはそのままの状態を保つため同
じ状ａ２Ｌになる。

この状ａ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

この状Ｌｉ２Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持さ
れる。その結果、「Ａ向き」ｔのビット形次に第１表に
示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■象限・タイプ
３）に属する媒体ＩＩ＆１ｓを例にとり、本発明のオー
バーライト原理について詳細に説明する。

この媒体隘５は次式３１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴｔｏｍｐｌＴｔ　　　　　　ＴＨ 室温Ｔｌｌで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｔ。

により反転せずに第２Ｎのみが反転する条件は、式３２
である。この媒体階５は式３２を満足する。

式３２： ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 Ｈｃｘｉ第２層の保磁力 Ｍ３．：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ、！：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ！　：第２層の膜厚 ４ｗ　＝界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎ１．の条件式は、式３５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。そ
れでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式３３〜３４で示される。この媒体隘５は式３３〜３
４を満足する。

σ１ 式３３：　　　Ｈｃ＋＞□ ２Ｍ寞Ｉｌｌ σ８ 弐３４：　　Ｈｃｚ＞□ ２Ｍ、、ｔ。

式３５； ％式％ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」？（、↑）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状ａ１
ａ又は１ｂ）。

この状ｂｔａ、１ｂは記録直前まで保持される。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される
。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点ＴＣＩより少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２Ｎ）− 更にビームの照射が続き、媒体の温度がＴ、となると、
第２Ｎの温度はキュリー点Ｔｃｔに近くなる。すると、
Ｈｃｔが小さくなるので、第２層の磁化は、↓Ｈｂで反
転する。これが状Ｌｉ　３　Ｍである。

この状態３．Ｉにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度が低下してＴｃｔより少し下がると、第１層に
も磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が界面磁壁
エネルギーにより第１層に及ぶ。その結果、ＲＥスピン
同士（Ｔ）、ＴＭスピン同士＜４＞を揃える力が働く、
この場合、媒体温度はまだＴ　Ｃ、＠　＊　Ｈ１以上に
あるので、７Ｍスピンの方がＲＥスピンより大きくなる
（礼）、その結果、第２層に８の磁化が出現する（状態
４Ｍ）。

この状態４Ｉの温度から、媒体温度が更に低下してＴｃ
ｏａｐ、を以下になると、第１層の７ＭスピンとＲＥス
ピンの強度の大小関係が逆転する（↑↓−↑、）、その
ため、第冒層の磁化が反転し、「Ａ向き」古の磁化にな
る（状！Ｌｉ５Ｎ）。

そして、やがて媒体の温度は状Ｂ５Ｎのときの温度から
室温まで低下する。室温での）Ｉｃｔは十分に大きいの
で第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＣ＠＠９＋１以上に上昇させる。そうすると、第１層
のＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は変わらないが、強度の大
小関係が逆転する。そのため、第１層の磁化が反転する
（状態１ａ−状ｂ　２　Ｌ　ａ、　状態１ｂ−状態２い
）、状態２Ｌｓ、２いでは、媒体は一時的にＰタイプと
なる。

この状態から、更に温度が上がりＴＬになると、下記条
件式が満足される。

σ− Ｈｃ＋Ｈ１）＜− ２Ｍ５＋ｔ＋ 、そうすると、状ａ２□が状態３Ｌに遷移する。他方、
状Ｂ２Ｌ、はそのままの状態を保つため同じ状ｃ、３Ｌ
になる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度が更にＴｃ０□、
１以下に冷えると高温サイクルと同様に第１層のＲＥス
ピンと７Ｍスピンとの大小関係が逆転する（　↓↑−↓
↑　）、その結果、第１屡の磁化は８となる。この状態
では、元のＡタイプに戻る。これが状Ｌｉ４Ｌである。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、第１層に「逆Ａ向き」８次に第１表に示
したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■象限・タイプ４
）に属する媒体魚６を例にとり、本発明のオーバーライ
ト原理について詳細に説明する。

この媒体１１ｋＬ６は、次式３６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ＊　　　　　Ｔｔ　　Ｔｃ＋　　　ＴｃｚＴ。

室温Ｔえて第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３７
である。この媒体隘６は式３７を満足する。

式３７： ただし、Ｉ（Ｃ１：第１層の保磁力 Ｈｃ＊：第＊：の保磁力 Ｍ□：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳｚ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔｔ　：第２層の膜厚 σ８　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式４０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。そ
れでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式３８〜３９で示される。この媒体嵐６は式３８〜３
９を満足する。

式３８：　　　Ｈｃ＋＞□ ２Ｍ３１ｔ１ 式３９：　　　Ｈｃｚ＞□ ２　Ｍ、、　ｔ　。

式４０： ％式％ 室温で式３７〜３９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４ｏの条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば「Ａ向き」？（、二）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状ｆＬ
、　Ｌ　ａ又はＬｂ）。

この状Ｆｉｉｉｌａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

記録磁界（Ｈｂ　’）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点Ｔｅｌより少し上に上昇させると
、第菖層の磁化は消失する（状態２工）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２層の温度はＴｃ！近くになり、そのためＨｃ
！は小さくなる。その結果、第２層の磁化は、↓Ｈｂで
反転する。この状態が状Ｂ　３　Ｈである。

この状態３□においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体温度がＴｃＩより少し下がると、第１Ｎに磁化が出
現する。そのとき第２層からの界面磁壁エネルギーがＲ
Ｅスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるよ
うに働く。そのため第１層には↑一つまり？の磁化が↓
Ｈｂに打ち勝って出現する。

この状態が状Ｂ４Ｎである。

そして、やがて媒体の温度は状Ｌｉ１４ｘのときの温度
から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きい
ので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、第１層に「Ａ向き」↑のビットが形成される
。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、σ− Ｈｃ＋　　Ｈｂ　＜　− ２Ｍ５＋ｔｔ の関係が成立する状態となり、状Ｂ１ａが状Ｂ２゜に遷
移する。他方、状Ｂｉｂはそのままの状態を保つため同
じ状Ｂ２Ｌになる。

この状Ｂ２ｔにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

状［２Ｌは、媒体温度が室温まで下がっても保持される
。その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形成さ
れる。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する媒体１ｈ７を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体１１ｈ７は、次式４１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

保磁力 ７Ｍ 室温ＴＩＩで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４２
である。この媒体石７は式４２を満足する。

式４２： ％式％ ただし、Ｈ６１：第１層の保磁力 Ｈｃｚ：第２Ｎの保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳｚ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σｗ　＝界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式４５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。そ
れでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は
、式４３〜４４で示される。この媒体１１ｈ７は式４３
〜４４を満足する。

σ０ 式４３：　　　Ｈｃ＋＞□ ２　Ｍｓ、　ｔ　。

式４４：　　　Ｈｃｚ＞□ ２Ｍ３．ｔ　ｚ 式４５： 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ．により例えば［Ａ向きＪＴ（↓τ）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
ａ又はｌｂ）。

この状ｆｉｌａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点ＴＣＩより少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２、）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、第２層の温度はキュリー点Ｔ−に近づく、そうす
ると、）ｆｃｇは小さくなるので、第２層の磁化は、↓
Ｈｂで反転する。これが状態３、である。

この状Ｊｌｉ　３　Ｎにおいてレーザービームのスポッ
ト領域から外れると、媒体の温度は低下し始める。

そして、媒体温度Ｔ”ｃ＋より少し下がると、第１Ｗ１
に磁化が出現する。そのとき第２層（↑↓）からの界面
磁壁エネルギーがＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同
士（↓）を揃えるように働く、そのため第１層には↑↓
つまり８の磁化が出現する。この状態が状Ｂ４Ｎである
。

やがて媒体の温度は状態４Ｈのときの温度から室温まで
低下する。しかし、室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第ｔＮの磁化は安定に保持される。

こうして、第１層に「逆Ａ向き」巷のビットが形成され
る。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、下記条件： σ− Ｈｃ、−Ｈｂ　＜ ２Ｍ□ｔ。

が満足され、状態１ａが状Ｂ２Ｌに遷移する。他方、状
態１ｂはそのままの状態を保つため、同じ状Ｌｔ　２　
Ｌになる。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

そして、状Ｂ２Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持
される。その結果、第１Ｊｉに「Ａ向きＪＴのビットが
形成される。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する媒体隘８を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体阻８は、次式４６； ％式％ の関係を有する＊　Ｔ（０＠１１．２は、ＴＬ、ＴｃＩ
より低くても等しくても高くても良いが、以下の説明で
はＴ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃ　＋　＜Ｔ　ｃｏｏｐ、　ｔとす
る。この関係をグラフで示すと、次の如くなる。

ＴＣ６＠１．ｔＴ％ 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２Ｎのみが反転する条件は、式４７
である。この媒体患８は室温で式４７を満足する０式４
７： ただし、１（Ｃ１：第１層の保磁力 Ｈｃｔ：第２層の保磁力 Ｍ、１：第冨層の飽和磁気モーメント 量３！：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１Ｎの膜厚 ｔｚ　：第２層の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。そ
れで゛も第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件
は、式４８〜４９で示される。この媒体１１ｋＬ８は式
４８〜４９を満足する。

式４８：　　　）（ＣＩ＞□ ２　Ｍ、、　ｔ　。

σ８ 式４９：　　　　　Ｈｃｔ＞　　□ ２Ｍ、、ｔ。

式５０Ｘ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満足するｌ
１ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態
１ａ又は１ｂ）。

この状ＬＱ１ａ、Ｉｂは記録直前まで保持される。

ここでは、記録磁界ＨｂはＴの向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点ＴＣＩより少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２Ｈ）。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴｃｏｓｐ、！
より少しだかくなると、ＲＥスピン（↑）及び１Ｍスピ
ン（↓）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転す
る（↑↓　−↑↓）。その結果、第２層の磁化は反転し
て「逆Ａ向き」８となる。この状態が状態３．ｌである
。

しかし、この温度ではＨｃｚがまだ大きいので、第２層
の磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、やがて媒体温度が更に上昇し
てＴ、になる、すると、媒体温度はＴｃ２に近くなり、
Ｉ（ｃｚが小さくなる。その結果、第２層の磁化は、↑
Ｈｂによって反転する。反転した状態が状態４Ｎである
。

この状Ｂ４　Ｈにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃｏａｐ、！より少し下がると、ＲＥスピ
ン（↓）及びＴＭスピン（↑）の向きは変わらずに、強
度の大小関係が逆転する（、Ｔ　　−↓↑　）。

その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」８とな
る。この状態では、１（ｃｚは既に相当太き（なってい
るので第２層の磁化８は↑Ｈｂにより反転されることは
ない。そして、温度はまだＴＣＩより高いので第１Ｎの
磁化はまだ現れない、この状態が状ｃ、５Ｈである。

更に、媒体温度が低下してＴＣＩより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化（↓
↑）が界面磁壁エネルギーにより第１層に及ぶ。その結
果、ＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑）を揃
える力が働く、その結果、第１Ｍにはｄ（？）の磁化が
出現する。この状態が状態６Ｈである。

やがて媒体の温度は状態６□のときの温度から室温まで
低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので第１層の
磁化は安定に保持される。こうして、第１層に「Ａ向き
」？のビットが形成される。

□低温サイクル□ −４、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、下記条件式： ％式％ が満足され、状、Ｌｉ　１　ａが状態２Ｌに遷移する。

他方、状７Ｂ　ｌ　ｂはそのままの状態を保つため、同
じ状態２Ｌになる。

この状Ｂ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

状態２Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持される。

その結果、第１Ｎに「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する媒体隘９を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体隘８は、次式５１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ。

室温Ｔｌｌで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２Ｎのみが反転する条件は、式５２
である。この媒体Ｉｌ＆ｉｓは式５２を満足する。

式５２： ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 ＨＣ！？第２層の保磁力 Ｍ、１：第菖層の飽和磁気モーメント Ｍｓ＊：第２層の飽和磁気モーメント ｔ、：第１層の膜厚 ｔｔ　：第２１Ｉの膜厚 σ、：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５５で示される。

旧ｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁
壁エネルギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それ
でも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、
式５３〜５４で示される。この媒体Ｉｌ＆Ｌ９は式５３
〜５４を満足する。

式５３：　　　ＨＣＩ＞　− ２Ｍ５＋ｔ＋ 式５４：　　　Ｈｃｚ＞□ ２ＭＳ！ｔｔ 式５５： 室温で式５２〜５４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５５の条件を満足するＩ
ｔ　ｉ　ｎ　ｔ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に
揃えられる。このとき、第１Ｎは記録状態のままで残る
（状Ｂｌａ又はｌｂ）。

この状Ｇｌａ、ｌｂは、記録直前まで保持される。

ここでは記録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
を第１層のキュリー点ＴＣＩより少し上に上昇させると
、第１層の磁化は消失する（状態２Ｈ）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、Ｉに
なると、第２層の温度はＴｃｚに近くなるのでＩ（ｃｚ
は小さくなる。その結果、第２層の磁化は↓Ｈｂによっ
て反転させられる。これが状１３ｉである。

この状ａ３Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体温度がＴ、１より少し下がると、第１層に磁化が出
現する。そのとき第２１１（↓↑）からの界面磁壁エネ
ルギーがＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑
）を揃えるように動り、そのため第１層には↓↑つまり
？の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状態が状
態４工である。

そして、やがて媒体の温度は状Ｌｉ４）ｌのときの温度
から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きい
ので第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、第１層に「Ａ向き」電のビットが形成される
。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、下記条件式： ％式％ が満足され、状Ｊｌｉｉ　１　ａが状Ｂ２Ｌに遷移する
。他方、状ｇｔｂはそのままの状態を保つため、同じ状
態２Ｌになる。

この状Ｂ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

状Ｂ２Ｌは、媒体温度が室温まで下がっても保持される
。その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のピットが形成さ
れる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

（実施例１−・・・・−・−一−−−・・・媒体隘２の
うちの１つ）２元の電子ビーム加熱真空蒸着装置を用い
、下記第２表に示す蒸発源を２個所に置く。

厚さ　１．２ｍ＋ｗ　、直径２００＋＋−のガラス基板
を該装置のチャンバー内にセントする。該装置のチャン
バー内を一旦１　ｘ　１Ｏ−ｈＴｏｒｒ、以下の真空度
に排気する。その後、真空度を１〜２　Ｘ　１０−”Ｔ
ｏｒｒ、に保持しながら、蒸着速度約３人／秒で、蒸着
を′行なう、これにより基板上に、厚さ８００人のＧｄ
ｔ＋Ｔｂ＋ＪｅｔｏＣＯｓ　　（注：添字の数字は、原
子％）の第１層（記録層）を形成する。

続いて、真空状態を保持したまま蒸発源を取り替える。

そして、また蒸着を行ない、第１層の上に厚さ１０００
人のＤＶｘ＊Ｆｅ５ｓＣＯｚｚの第２層（記録補助層）
を形成する。第１及び第２層ともに垂直磁化膜である。

こうして、クラス２　（Ｐタイプ・第１象限・タイプ２
）属する２層光磁気記録媒体阻２が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。

第２表 この媒体は、 式１７： ％式％ を満足している。また、式２０に於いて、ＭＢｔｚ σ− Ｈｃ＋’−”’３８９０　０ｅ ２Ｍｓ＋ｔ＋ であるので、初期補助磁界旧ｎＬ、を３００００　ｅと
すれば、式２０を満足する。そうすれば、第１Ｎの磁化
は室温で旧ｎｔ、によって反転されずに、第２層の磁化
のみが反転される。

更に、式１８： ％式％ 及び式１９： σ賛 Ｈｃｉ＝１３７０　０ｇ　＞　　　　　　　＝６３００
ｅＭｓｚｔｔ を満足しているので、旧ｆｉｉ、が取り去られても、第
１層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、旧ｎｉ、　＝３００００ｅの初期補助磁界を例
えば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの記！
！磁界を「Ａ向き」↑に印加することにする。

ところで、この媒体は、１３８℃で次の値を示す。

Ｍｓ＋　−４１ｅｍｕ／ｃｃ Ｈｃ＋−１０２４０ｓ σ−席０．４８７ σ一 つまり、ＭＣＩ−Ｈｂ　−７２４＜□≠７４２２Ｍｇ＋
！ｔ の条件式が満足され、１３８℃では第２層の磁化によっ
て第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、ＴＬ−１３８℃、Ｔｌ−２５０℃に設定すれば
、式１６　：　Ｔ虞＜　ＴＬ　＜　ＴＣＩ　＜　ＴＩ≦
Ｔｃｔも満足され、オーバーライトが可能になる。

（実施例２・・−・−・・−・−媒体−３のうちの１つ
）実施例１と同様に、基板上に厚さ７５０人のＧｄ＋Ｉ
Ｔｂ＋＋Ｆｅｙｓの第１層及びその上に厚さ１５００人
のＧｄ５Ｔｂ＋　５Ｆｅｉｓｃｏ４の第２層を形成する
。これにより、クラス３　（Ｐタイプ・第１象限・タイ
プ３）に属する媒体阻３が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第３表に示す。

第３表 この媒体は、式２２： σ８　　　　　　　　σ８ Ｈｃ＋＝１１０００　ｏｅ　＞　Ｈ，、＋　　　　　　
＋　−２Ｍ５＋ｔ＋　　　２Ｍ、２ｔ２ ＝　９５００　０　ｅ を満足している。また、式２５に於いて、σ１ Ｈｃｚ＋　　　　　　＝３１５０　０ｅＭｓｚｔｚ σ０ Ｈｃ＋　　　　　　　＝４６５Ｑ　　Ｏｅ２　Ｍｓ＋　
ｔ　ｔ であるので、初期補助磁界器ｎｉ、を３５００　０ｅと
すれば、式２５を満足する。そうすれば、第１層の磁化
は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、第２層の磁化
のみが反転される。

更に、式２３： ％式％ 及び式２４： ら Ｈｃｚ＝２７５０　０ｅ　＞　　　　　　　−４０００
ｅＭｓｚｔｘ を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、第１
Ｎ、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、旧ｎｉ、　＝３５０００ｅの初期補助磁界を例
えば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの記録
磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することにする。

ところで、この媒体は、１２９℃で次の値を示す。

Ｍｓ＋＝３６　　ｅｍｕ／ｃｃ Ｈｃ＋−１２４２０ｅ σ−＝０．５２１ σ讐 つまり、Ｈｃ＋−Ｈｂ　＝９４２　＜　　　　　　　＝
９６５２Ｍｓ＋ｔ＋ の条件式が満足され、１２９℃では第２層の磁化によっ
て第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、ＴＬ−１２９℃、Ｔ、Ｉ＝２１０℃に設定すれ
ば、 式２１：　Ｔ＊　＜Ｔｃｏ＋ｓｐ、＋＜ＴＬ＜ＴＣＩ＜
ＴＭ≦ＴＣ！も満足され、オーバーライトが可能になる
。

（実施例３・・−・・−・・−・・−媒体Ｎａ５のうち
の１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ５３０人のＧ
ｄ１ｌＴｂ＋＋Ｆｅｙｓの第曹層及びその上に厚さ７０
０人のＧｄ＋　ｔＴｂｓＦｅｙ＊ｃｏｚの第２層を形成
する。これにより、クラス５　（Ａタイプ・第■象限・
タイプ３）に属する媒体丸５が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第４表に示す。

第４表 この媒体は、式３２： ＝　１０４８００　ｅ を満足している。また、式３５に於いて、σ８ ２Ｍ５ｚｔよ σ。

Ｈｃ＋＋　　　　　　＝１９９８００ｅ２Ｍｓ＋Ｅ＋ であるので、初期補助磁界旧ｎｉ、を７０００　０ｅと
すれば、式３５を満足する。そうすれば、第１層の磁化
は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、第２層の磁化
のみが反転される。

更に、式３３： ％式％ 及び式３４： σ− Ｈｃｇ＝３７００　０ｅ　＞　　　　　　　＝２２００
　０ｅ２Ｍｓｚｔ寡 を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、第１
層、第２１ｉｉの磁化はそれぞれ保持される。

そこで、旧ｎｉ、　＝７０００　０ｅの初期補助磁界を
例えば「Ａ向き」１に印加し、Ｈｂ　＝２０００ｅの記
録磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することにする。

ところで、この媒体は、９９℃で次の値を示す。

Ｍｓ＋禦３２　　ｅｍｕ／ｃｃ Ｈｃ＋−２６９５０ｅ σ、窓０．９９６ σ曽 つまり、ＨＣＩ　＋　Ｈｂ　−２８９５＜　□　−２９
３６’ｌ　Ｍ、１ｔ　。

の条件式が満足され、９９℃では第２層の磁化によって
第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、’ｒＬ−９９℃、’ｒ、−２００℃に設定すれ
ば、式３１： ％式％ も満足され、オーバーライトが可能になる。

（実施例４−・・・−・−・・−・−媒体徹６のうちの
１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ５００人のＧｄ
ｌ＋ＴｂｔｉＦｅｖｏＣＯｓの第１層及びその上に厚さ
１０００人のＧｄ　＋　ｘＴｂ＊Ｆｅｔｓｃｏｔの第２
層を形成する。これにより、クラス６　（Ａタイプ・第
■象限・タイプ４）この媒体の製造条件及び特性を下記
第５表に示す。

第５表 この媒体は、式３７： ＝　５８６０　０　ｅ を満足している。また、式４０に於いて、σ− Ｍｓｘｉｔ σ― １（ｃ＋＋　　　　　　＝９９００　０ｅ２Ｍｓ＋ｉ＋ であるので、初期補助磁界旧ｎｉ、を７０００　０ｅと
すれば、式４０を満足する。そうすれば、第１層の磁化
は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、第２層の磁化
のみが反転される。

更に、式３８： ％式％ 及び式３９： σ− Ｈｃｉ−３７０００ｅ　＞　　　　　　　＝１５４０　
０６２Ｍ５冨を寡 を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、旧ｎｋ、　−７００００ｅの初期補助磁界を例
えば「Ａ向き」ｉに印加し、Ｈｂ　＝２０００ｅの記録
磁界を「逆Ａ向き」↓に印加することにする。

ところで、この媒体は、１１４℃で次の値を示す。

Ｍｓ、−４６ｅｍｕ／ｃｃ Ｈｃ＋＝２０２７　０ｅ σｗ　１１＝０．８４８ σ一 つまり、Ｈｃｌ−Ｈｂ　−１８２７＜　　　　　　　−
１８４３２Ｍ５＋ｔｔ の条件式が満足され、１１４℃では第２層の磁化によっ
て第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、Ｔ、鱈１１４℃、ＴＭ−２００℃に設定すれば
、式３６　：　ＴＲ　＜　Ｔｔ　＜　Ｔｃ＋　＜　ＴＮ
≦’ｒｃｚも満足され、オーバニライトが可能になる。

（実施例５−・・・・・・・−・・・・−媒体Ｎａ８の
うちの１つ）３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング
装置を用い、下記第６表に示すターゲン）　：　ｏｙ、
　ＦｅＣ。

合金、ＴｂＦｅＣｏ合金の３個を置く、ターゲットは最
初にＴｂＦｅＣｏ合金を使用し、次にＤｙとＦｅＣｏ合
金の２個（２元）を使用する。

厚さ　１．２請−１直径２００−のガラス基板を該装置
のチャンバー内にセントする。

該装置のチャンバー内を一旦７　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ
、以下の真空度に排気した後、ｋｒガスを５　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒ。

導入する。そして、堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）速度
約２人／秒で、スパッタリングを行なう、これにより基
板上に、厚さ４８０人のＴｂｇｏＦｔ？ｌＣＯ＊の第１
層を形成する。続いて、真空状態を保持したまま、ター
ゲットを変える。そして、またスパッタリングを行ない
、第１層の上に厚さ１８５０人のＤＶｚｓＦｅｓａＣＯ
ｔｗの第２層を形成する。第１及び第２層ともに垂直磁
化膜である。

こうして、クラス８　（Ａタイプ・第■象限・タイプ２
）に属する２層光磁気記録媒体陽８が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第６表に示す。

第６表 この媒体は、式４７： ％式％ を満足している。また、式５０に於いて、Ｈｃｚ＋　　
　　　　　　　＝３５７０　０ｅＭｓｚｔｚ σ− Ｈｃ＋”　　　　　　　　＝１７０１０　０ｅ２Ｍｓ＋
ｊ＋ であるので、初期補助磁界旧ｎｉ、を４０００　０ｅと
すれば、式５０を満足する。そうすれば、第１ｆｉの磁
化は室温で旧ｎＬによって反転されずに、第２層の磁化
のみが反転される。

更に、式４８： ％式％ 及び式４９； σ曽 Ｈｃｚ−２００００ｅ　＞　　　　　　　＝１５７０　
０ｅ２Ｍ＊ｚｉｔ を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、旧ｎｉ、　＝４０００　０ｅの初期補助磁界を
例えば「Ａ向き」Ｔに印加し、Ｈｂ　−２０００ｅの記
録磁界を「Ａ向き」↑に印加することにする。

ところで、この媒体は、１０４℃で次の値を示す。

Ｍｓ＋　　＝９４　　　　ｅｍｕ／ｃｃＨｃ＋＝２７０
８　０ｅ σ、　＝２．６３８ σ一 つまり、ＨＣ１＋Ｈｂ冨２９０８　＜□ミ２９２３２　
Ｍｓ、　ｔ　。

の条件式が満足され、１０４℃では第２層の磁化によっ
て第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、ＴＬ−１０４℃、Ｔ１１−２２０℃に設定すれ
ば、式４６　：　’ｒ＋＋　＜　ＴＬ　＜　ＴｃＩ＜　
Ｔ、ｌ≦Ｔ４も満足され、オーバーライトが可能になる
。

（実施例６−−−−−・−・・−・媒体嵐Ｓのうちの１
つ）実施例５と同様に、基板上に厚さ６００人の↑ｂ、
。Ｆｅ、、、Ｃｏｇの第１層及びその上に厚さ１５００
人のＧｄｍＴｂ＋　＊Ｆｅ１ｓＣｏａ　　の第２層を形
成する。これにより、クラス９　（Ａタイプ・第■象限
・タイプ４）に属する媒体！に９が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第７表に示す。

第７表 この媒体は、式５２： ＝　８１６０　０　ｅ を満足している。また、式５５に於いて、σ− ２Ｍ、、　ｔ　。

σ− Ｈｃ＋　　　　　　　　　　−１５４１００ｅ２　Ｍ、
、　ｔ　。

であるので、初期補助磁界旧ｎｉ、を４０００　０ｅと
すれば、式５５を満足する。そうすれば、第１層の磁化
は室温で旧ｎｉ、によって反転されずに、第２層の磁化
のみが反転される。

更に、式５３： ％式％ 及び式５４： σ− Ｈｃｚ＝３７５０　０ｅ　＞　−＝１０００　０ｅ２Ｍ
ｓｔｔ＊ を満足しているので、旧ｎｉ、が取り去られても、第１
層、第２Ｎの磁化はそれぞれ保持される。

そこで、旧ｎｉ、　＝４０００　０ｅの初期補助磁界を
例えば「Ａ向き」↑に印加し、Ｈｂ　＝３０００ｅの記
録磁界を「逆Ａ向き」↑に印加することにする。

ところで、この媒体は、１１４℃で次の値を示す。

Ｍｓｔ　−９２ｅｍｕ／ｃｃ Ｈｃ＋＝２３８０　０ｓ クー−２，３０５ σ一 つまり、Ｈｃ＋　　Ｈｂ　−２０８０＜　　　　　　　
＝２０８８２　Ｍｓｔ　ｔ　＋ の条件式が満足され、１１４℃では第２層の磁化によっ
て第１Ｎの磁化が反転させられることになる。

そコテ、ＴＬ　＝１１４℃、Ｔａ　＝２１０　’Ｃニ設
定すれば、式５１：　Ｔａ　＜ＴＬ　＜Ｔ（１＜ＴＮ≦
Ｔｃ！も満足され、オーバーライトが可能になる。

〔参考例１・・・・・・・ドパ−ライト可能な光磁気記
録装置〕この装置は記録専用であり、その全体構成を第
４図（概念図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｂ）初期補助磁界Ｈｉｎｉ、印加手段２２（ｃ）レー
ザービーム光源２３； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れが一方のビットを形成させるのに適当な媒体
温度Ｔ、を与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度ＴＬを与える低レベルとに
パルス状に変調する手段２４； （ｅ）記録磁界Ｈｂ印加手段２５；からなる。

手段２２として、ここでは、旧ｎｉ、　−４００００ｅ
で磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用し、手段
２５として、ここでは、Ｈｂ　＝２０００ｅで磁界の向
きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用する。

手段２２と２５は、ディスク状記録媒体２０の半径方向
の長さに相当する長さを有する棒状のものである。この
手段２２と２５は、本記録装置に固定して設置し、光源
２３を含むピックアップと共に移動させることはしない
ことにする。

〔参考例２・−−−−−１−バー５（）光磁気記録〕参
考例１の記録層Ｗ（第４図参照）を使用して光磁気記録
を実施する。まず、回転手段２１で実施例５（クラス８
）の記録媒体（Ｎａ８）２０を５．７　ｍ／秒の一定線
速度で移動させる。その媒体２０に対し、レーザービー
ムを照射する。このビームは、手段２４により高レベル
時：９．０＋ｍＷ（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：　
３．５　ｍＷ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように
調整されている。そしてビームは、手段２４により情報
に従いパルス状に変調される。

ここでは、記録すべき情報を周波数０．５　Ｍ＋（２の
信号とした。従って、ビームを周波数０．５　Ｍｌｌｚ
で変調させながら媒体２０に照射した。これにより、０
．５　Ｍｌｌｚの信号が記録されたはずである。別の光
磁気再生装置で再生（ビーム強度１　ｍＷ　　ｏｎ　ｄ
ｉｓｋ）すると、Ｃ／Ｎ比は５７ｄＢであり、記録され
ていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数ＩＭ
ＩＩｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比＝　５６ｄＢで
新たな情報が再生された。このとき、０．５　Ｍｌｌｚ
の信号（前の情報）は全く現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
１　＝２２０℃、低レベル時：　Ｔｔ　＝１０４℃に達
する。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明によれば、ＴＬ　＜Ｔｅｌとした
ので、■Ｔ’ｃ＋によらずＴＬを十分に低く設計するこ
とができ、その結果、ＴＬ　＋α（マージン）＝Ｔ、で
設計されるＴ、を余り高くせずにすみ、そのため記録感
度を高くすることができ、それでいて、■ＴＬによらず
Ｔ、１を十分に高く設計することができるので、θｋを
向上させ、Ｃ／Ｎ比を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にかかるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、先願発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。 （主要部分の符号の説明〕 Ｌ・−・・・・・−レーザービーム ＬＰ・・−・・・−直線偏光 Ｂ、・・−−−−ｒ　Ａ向き」磁化を有するビットＢ　
ｏ−−−−’−・「逆Ａ向き」磁化を有するビー／　）
１・−・−・・・−・記録層（第１層）２−・−・−記
録補助層（第２層） Ｓ・・・・・・・・−・一基板 ２０−−−・−オーバーライト可能な光磁気記録媒体２
１・・−・・・・記録媒体を回転させる回転手段２２−
・・−・初期補助磁界器ｎｉ、印加手段２３・・・・−
レーザービーム光源 ２４・・・−・記録すべき２値化情報に従い、ビーム強
度を、（１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ
向き」磁化を有するビットの何れか一方を形成するのに
適当な温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビ
ットを形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベル
との間でパルス状に変調する手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直
   磁気異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造
   を有し、 層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
   き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、 第２層の磁化のみが記録の直前までに初期補助磁界Ｈｉ
   ｎｉ．により「Ａ向き」に揃えられ、高レベルのレーザ
   ービームが照射された時は、記録磁界Ｈｂにより第２層
   の「Ａ向き」磁化が「逆Ａ向き」に反転させられ、この
   第２層の「逆Ａ向き」磁化の作用によって第１層に「逆
   Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビットが
   形成され、 低レベルのレーザービームが照射された時は、第２層の
   「Ａ向き」磁化の作用によって第１層に「Ａ向き」磁化
   〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットが形成される
   、 オーバーライト可能な光磁気記録媒体において、下記１
   条件： Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿ｃ＿２ を満足し、かつ室温で下記４条件： Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜Ｈ＿Ｄ＿１±Ｈ＿Ｄ＿２｜ Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿Ｄ＿１ Ｈ＿ｃ＿２＞Ｈ＿Ｄ＿２ Ｈ＿ｃ＿２＋Ｈ＿Ｄ＿２＜｜Ｈｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１
   ±Ｈ＿Ｄ＿１ を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｈ＿Ｄ＿１：第１層が受ける結合磁界 Ｈ＿Ｄ＿２：第２層が受ける結合磁界 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ２　請求項第１項記載のオーバーライト可能な光磁気記
   録媒体に於いて、 第１層と第２層とは、いずれも遷移金属−重希土類合金
   組成から選択したものであることを特徴とする光磁気記
   録媒体。 ３　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次の
   条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿Ｌ＜
   Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度Ｔ＿ｃ
   ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ４　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第
   ２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償
   温度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ５　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２
   層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿Ｌ＜
   Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ６　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第
   ２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補償
   温度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ
   次の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ７　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金、第２
   層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償温
   度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ次
   の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１＜Ｔ＿Ｌ＜
   Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿１：第１層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ８　前記第１層が重希土類リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第
   ２層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償
   温度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ
   次の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿
   １ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ９　前記第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点と
   の間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、第
   ２層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間に補償
   温度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、かつ
   次の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１
   ｔ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈ
   ｉｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１−σ＿ｗ／２Ｍ＿ｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １０　前記第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点
   との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、
   第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補
   償温度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、かつ
   次の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２｜σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１ｔ
   ＿１−σ＿ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈｉ
   ｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿２：第２層の補償温度 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 １１　前記第１層が遷移金属リッチで室温とキュリー点
   との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金、
   第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間に補
   償温度を有しない遷移金属−重希土類合金からなり、か
   つ次の条件式： （１）Ｔ＿Ｒ＜Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿ｃ＿１＜Ｔ＿Ｎ≦Ｔ＿ｃ＿
   ２ を満足し、そして室温で次の各条件式： （２）Ｈ＿ｃ＿１＞Ｈ＿ｃ＿２＋｜σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１
   ｔ＿１−σ＿ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２｜ （３）Ｈ＿ｃ＿１＞σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１ｔ＿１ （４）Ｈ＿ｃ＿２＞σ＿ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２ （５）Ｈ＿ｃ＿２＋σ＿ｗ／２Ｍｓ＿２ｔ＿２＜｜Ｈｉ
   ｎｉ．｜＜Ｈ＿ｃ＿１＋σ＿ｗ／２Ｍｓ＿１ｔ＿１ を満足することを特徴とする請求項第２項記載の光磁気
   記録媒体。 ただし、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｎ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｈ＿ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｍ＿ｓ＿１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ＿ｓ＿２：第２層の飽和磁気モーメント ｔ＿１：第１層の膜厚 ｔ＿２：第２層の膜厚 σ＿ｗ：界面磁壁エネルギー Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界