JP2712274B2

JP2712274B2 - オーバーライト可能な光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2712274B2
Application number: JP10583388A
Authority: JP
Inventors: 正聡佐藤
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1988-04-28
Filing date: 1988-04-28
Publication date: 1998-02-10
Anticipated expiration: 2013-02-10
Also published as: JPH01277349A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、記録磁界Hbの向きを変調せずに、光の強度
変調だけでオーバーライト（over write）が可能な光磁
気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高
い記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学
的記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置
及び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生
方法は、情報を使用した後、消去することができ、新た
な情報を記録することができるというユニークな利点の
ために、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記
録層として１層又は多層の垂直磁化膜（perpendicular
magnetic layer or layers）を有する。この磁化膜は、
例えばアモルファスのGdFeやGdCo、GdFeCo、TbFe、TbC
o、TbFeCoなどからなる。記録層は一般に同心円状又は
らせん状のトラックを成しており、このトラックの上に
情報が記録される。ここで、本明細書では、膜面に対し
「上向き（upward）」又は「下向き（downward）」の何
れか一方を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義す
る。記録すべき情報は、予め２値化されており、この情
報が「Ａ向き」の磁化を有するビット（B₁）と、「逆Ａ
向き」の磁化を有するビット（B₀）の２つの信号で記録
される。これらのビットB₁,B₀は、デジタル信号の1,0の
何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般に
は記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁
場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。
この処理は初期化（initialize）と呼ばれる。その上で
トラックに「Ａ向き」の磁化を有するビット（B₁）を形
成する。情報は、このビット（B₁）の有無及び／又はビ
ット長によって記録される。

ビット形成の原理：ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的
時間的に素晴らしい凝集性（coherence）が有利に使用
され、レーザー光の波長によって決定される回折限界と
ほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り込まれ
る。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、記録層
に直径が１μｍ以下のビットを形成することにより情報
が記録される。光学的記録においては、理論的に約10⁸
ビット/cm²までの記録密度を達成することができる。何
故ならば、レーザビームはその波長とほとんど同じ位に
小さい直径を有するスポットにまで凝縮（concentrat
e）することが出来るからである。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザ
ービーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを
加熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの
記録磁界（Hb）を加熱された部分に外部から印加する。
そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Hc（coersi
vity）は減少し記録磁界（Hb）より小さくなる。その結
果、その部分の磁化は、記録磁界（Hb）の向きに並ぶ。
こうして逆に磁化されたビットが形成される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びHcの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するHcを有し、この現象に基づいて記録が実行さ
れる。従って、Tc書込み（キュリー点書込み）と引用さ
れる。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度
（compensation temperature）を有しており、そこでは
磁化（Ｍ）はゼロになる。逆にこの温度付近でHcが非常
に大きくなり、その温度から外れるとHcが急激に低下す
る。この低下したHcは、比較的弱い記録磁界（Hb）によ
って打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。この
記録プロセスはTcomp.書込み（補償点書込み）と呼ばれ
る。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の
近辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所
定の温度に於いて、低下したHcを有する磁性材料に対
し、その低下したHcを打ち負かせる記録磁界（Hb）を印
加すれば、記録は可能である。

再生の原理：第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示
す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発
散している電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が
直線偏光（Lp）に変換され、そして記録層（１）に照射
されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層
（１）を透過する。このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向
きに従って回転する。この回転する現象は、磁気カー
（Kerr）効果又は磁気ファラデー（Faraday）効果と呼
ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対し
てθｋ度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対して
は−θｋ度回転する。従って、光アナライザー（偏光
子）の軸を−θｋ度傾けた面に垂直にセットしておく
と、「逆Ａ向き」に磁化されたビット（B₀）から反射さ
れた光はアナライザーを透過することができない。それ
に対して「Ａ向き」に磁化されたビット（B₁）から反射
された光は、（sin2θｋ）^２を乗じた分がアナライザー
を透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（B₁）は
「逆Ａ向き」に磁化されたビット（B₀）よりも明るく見
え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させる。
このディテクターからの電気信号は、記録された情報に
従って変調されるので、情報が再生されるのである。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）
媒体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ii）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（iii）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情
報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できる
オーバーライト（over write）は、不可能とされてい
た。

もっとも、もし記録磁界Hbの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライトが可能になる。しかしながら、
記録磁界Hbの向きを高速度で変調することは不可能であ
る。例えば、記録磁界Hbが永久磁石である場合、磁石の
向きを機械的に反転させる必要がある。しかし、磁石の
向きを高速で反転させることは、無理である。記録磁界
Hbが電磁石である場合にも、大容量の電流の向きをその
ように高速で変調することは不可能である。

しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁界HbをO
N、OFFせずに又は記録磁界Hbの向きを変調せずに、照射
する光の強度だけを記録すべき２値化情報に従い変調す
ることにより、オーバーライトが可能な光磁気記録方法
と、それに使用されるオーバーライト可能な光磁気記録
媒体と、同じくそれに使用されるオーバーライト可能な
記録装置が発明され、特許出願された（特開昭62-17594
8号）。以下、この出願を「先願」と引用する。

〔先願発明の説明〕

先願発明の特徴１つは、記録層（第１層）と記録補助
層（第２層）との少なくとも２層構造の多層垂直磁化膜
からなる光磁気記録媒体を使用することである。そし
て、情報を「Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向
き」磁化を有するビットで第１層（場合により第２層に
も）に記録するのである。

先願発明のオーバーライト方法は、（ａ）記録媒体を移動させること；（ｂ）初期補助磁界Hini.を印加することによって、記
録する前までに、第１層の磁化はそのままにしておき、
第２層の磁化のみを、「Ａ向き」に揃えておくこと；（ｃ）レーザービームを媒体に照射すること；（ｄ）前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパ
ルス状に変調すること；（ｅ）前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界を
印加すること；（ｆ）前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に「Ａ
向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」磁化を有す
るビットの何れか一方を形成させ、ビーム強度が低レベ
ルの時に、他方のビットを形成させること；からなる。

先願発明では、記録するときには、例えば（ａ）光磁気記録媒体を移動させる手段；（ｂ）初期補助磁界Hini.印加手段；（ｃ）レーザービーム光源；（ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（１）「Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向き」磁
化を有するビットの何れか一方のビットを形成させるの
に適当な温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形成させるのに適当な温度を媒体
に与える低レベルとにパルス状に変調する変調手段；（ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることがあ
り得る記録磁界印加手段；からなるオーバーライト可能な光磁気記録装置を使用す
る。

先願発明では、レーザービームは、記録すべき情報に
従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、
従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化
情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知
の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHNICAL JO
URNAL,Vol.62（1983）,1923-1936に詳しく説明されてい
る。従って、ビーム強度の必要な高レベルと低レベルが
与えられれば、従来の変調手段を一部修正するだけで容
易に入手できる。当業者にとって、そのような修正は、
ビーム強度の高レベルと低レベルが与えられれば、容易
であろう。

先願発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度
の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レ
ベルの時に、記録磁界（Hb）により記録補助層（第２
層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（revers
e）させ、この第２層の「逆Ａ向き」磁化によって記録
層（第１層）に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁
化〕を有するビットを形成する。ビーム強度が低レベル
の時は、第２層の「Ａ向き」磁化によって第１層に「Ａ
向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを
形成する。

なお、本明細書では、 ○○○〔又は△△△〕という表現は、先に〔〕の外の
○○○を読んだときには、以下の○○○〔又は△△△〕
のときにも、〔〕の外の○○○を読むことにする。そ
れに対して先に○○○を読まずに〔〕内の△△△の方
を選択して読んだときには、以下の○○○〔又は△△
△〕のときにも○○○を読まずに〔〕内の△△△を読
むものとする。

すでに知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを非常な低レベル^＊で点灯することがあ
る。また、レーザービームを再生に兼用するときには、
非常な低レベル^＊の強度でレーザービームを点灯させる
ことがある。本発明においても、レーザービームの強度
をこの非常な低レベル^＊にすることもある。しかし、ビ
ットを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル
^＊よりも高い。従って、例えば、先願発明におけるレー
ザービームの出力波形は、次の通りになる。

なお、先願明細書には開示されていないが、本発明で
は、記録用のビームは、１本ではなく近接した２本のビ
ームを用いて、先行ビームを原則として変調しない低レ
ベルのレーザービーム（消去用）とし、後行ビームを情
報に従い変調する高レベルのレーザービーム（書込用）
としてもよい。この場合、後行ビームは、高レベルと基
底レベル（低レベルと同一又はそれより低いレベルであ
り、出力がゼロでもよい）との間でパルス変調される。
この場合の出力波形は次の通りである。

先願発明で使用される媒体は、第１実施態様と第２実
施態様とに大別される。いずれの実施態様においても、
記録媒体は、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）
を含む多層構造を有する。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記
録層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保磁
力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。なお、
第１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成されて
いてもよい。場合により第１層と第２層との間に第３の
層が存在していてもよい。更に第１層と第２層との間に
明確な境界がなく、一方から徐々に他方に変わってもよ
い。

第１実施態様では、記録層（第１層）の保磁力を
H_C1、記録補助層（第２層）のそれをH_C2、第１層のキュ
リー点をT_C1、第２層のそれをT_C2、室温をT_R、低レベル
のレーザービームを照射した時の記録媒体の温度をT_L、
高レベルのレーザービームを照射した時のそれをT_H、第
１層が受ける結合磁界をH_D1、第２層が受ける結合磁界
をH_D2とした場合、記録媒体は、下記の式１を満足し、
そして室温で式２〜５を満足するものである。

T_R＜T_C1T_L＜T_C2T_H ……式１ H_C1＞H_C2＋|H_D1H_D2| ……式２ H_C1＞H_D1 ……式３ H_C2＞H_D2 ……式４ H_C2＋H_D2＜|Hini.|＜H_C1±H_D1……式５上記式中、符号「」は、等しいか又はほぼ等しいこ
とを表す。また上記式中、複合±，については、上段
が後述するＡ（antiparallel）タイプの媒体の場合であ
り、下段は後述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合
である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次
の如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそ
れを表す。

従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Hin
i.）を印加すると、式５によれば、記録層（第１層）の
磁化の向きは反転せずに記録補助層（第２層）の磁化の
みが反転する。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界
（Hini.）を印加すると、第２層のみを「Ａ向き」−こ
こでは「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上向
きの矢で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢で示す−
に磁化させることができる。そして、Hini.がゼロにな
っても、式４により、第２層の磁化は再反転せずにそ
のまま保持される。

初期補助磁界（Hini.）により第２層のみが、記録直
前まで「Ａ向き」に磁化されている状態を概念的に表
すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き^＊は、それまでに
記録されていた情報を表わす。以下の説明においては、
向きに関係がないので、以下Ｘで示す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して
媒体温度をT_Hに上昇させる。すると、T_Hはキュリー点T
_C1より高温度なので記録層（第１層）の磁化は消失して
しまう。更にT_Hはキュリー点T_C2付近なので記録補助層
（第２層）の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒
体の種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁
界（Hb）を印加する。記録磁界（Hb）は、媒体自身から
の浮遊磁界でもよい。説明を簡単にするために「逆Ａ向
き」の記録磁界（Hb）を印加したとする。媒体は移動し
ているので、照射された部分は、レーザービームから直
ぐに遠ざかり、冷却される。Hbの存在下で、媒体の温度
が低下すると、第２層の磁化は、Hbに従い、反転されて
「逆Ａ向き」の磁化となる。（状態2_H）。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がT_C1より少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化の向き
は、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒
体に応じて（Ｐタイプの媒体の場合）又は（Ａタイ
プの媒体の場合）が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。T_Lはキュリー点T_C1付近なので第１
層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリー点
T_C2よりは低温であるので第２層の磁化は消失しない。

ここでは、記録磁界（Hb）は、不要であるが、高速度
（短時間）でHbをON、OFFすることは不可能である。従
って、止むを得ず高温サイクルのときのままになってい
る。

しかし、H_C2はまだ大きいままなので、Hbによって第
２層の磁化が反転することはない。媒体は移動している
ので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに遠
ざかり、冷却される。冷却が進むと、再び第１層の磁化
が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために
第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体に
よって（Ｐタイプの場合）又は（Ａタイプの場合）
の磁化が出現する。この磁化は室温でも変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうで
あれ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに
反対向きの磁化又はを有するビットが形成される。
つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サ
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。

なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、
媒体は回転される。そのため、記録された部分（ビッ
ト）は、１回転する間に再びHini.の作用を受け、その
結果、記録補助層（第２層）の磁化は元の「Ａ向き」
に揃えられる。しかし、室温では、第２層の磁化の影響
が記録層（第１層）に及ぶことはなく、そのため記録さ
れた情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光
には情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と
同様に情報が再生される。なお、第１層と第２層の組成
設計によっては、再生前に再生磁界H_Rを印加することに
より、元の「Ａ向き」に揃えられた第２層に第１層の
情報を転写させる方法や、再生磁界H_Rを印加せずともHi
ni.の影響がなくなるや否や第２層に第１層の情報が自
然転写されるものがあるので、この場合には、第２層か
ら情報を再生してもよい。

このような記録層（第１層）及び記録補助層（第２
層）を構成する垂直磁化膜は、補償温度を有せずキュ
リー点を有するフェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに
補償温度、キュリー点の双方を有するフェリ磁性体の
非晶質或いは結晶質からなる群から選択される。

以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用
した第１実施態様の説明である。それに対して第２実施
態様は室温より高い所定の温度に於いて低下したH_Cをを
利用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に
於けるT_C1の代わりに記録層（第１層）が記録補助層
（第２層）に磁気結合される温度T_S1を使用し、T_C2の代
わりに第２層がHbで反転する温度T_S2を使用すれば、第
１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、第１層の保磁力をH_C1、第２層の
それをH_C2、第１層が第２層に磁気的に結合される温度
をT_S1とし、第２層の磁化がHbで反転する温度をT_S2、室
温をT_R、低レベルのレーザービームを照射した時の媒体
の温度をT_L、高レベルのレーザービームを照射した時の
それをT_H、第１層が受ける結合磁界をH_D1、第２層が受
ける結合磁界をH_D2とした場合、記録媒体は、下記式６
を満足し、かつ室温で式７〜10を満足するものである。

T_R＜T_S1T_L＜T_S2T_H ……式６ H_C1＞H_C2＋|H_D1H_D2| ……式７ H_C1＞H_D1 ……式８ H_C2＞H_D2 ……式９ H_C2＋H_D2＜|Hini.|＜H_C1±H_D1……式10 上記式中、複合±，については、上段が後述するＡ
（antiparallel）タイプの媒体の場合であり、下段は後
述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、記録層（第１層）、記録
補助層（第２層）が遷移金属（例えばFe,Co）−重希土
類金属（例えばGd,Tb,Dyその他）合金組成から選択され
た非晶質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属（transition m
etal）−重希土類金属（heavy rare earth metal）合金
組成から選択された場合には、各合金としての外部に現
れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原子
（以下、TMと略す）のスピン（spin）の向き及び大きさ
と重希土類金属原子（以下、REと略す）のスピンの向き
及び大きさとの関係で決まる。例えばTMのスピンの向き
及び大きさを点線のベクトルで表わし、REのスピンの
それを実線のベクトル↑で表し、合金全体の磁化の向き
及び大きさを二重実線のベクトルで表す。このとき、
ベクトルはベクトルとベクトル↑との和として表わ
される。ただし、合金の中ではTMスピンとREスピンとの
相互作用のためにベクトルとベクトル↑とは、向きが
必ず逆になっている。従って、と↑との和或いは↓と
との和は、両者の強度が等しいとき、合金のベクトル
はゼロ（つまり、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）に
なる。このゼロになるときの合金組成は補償組成（comp
ensation composition）と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有
し、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを
有するベクトル（又は）を有する。このベクトルの
磁化が外部に現れる。例えばある合金組成のTMスピンとREスピンの各ベクトルの強
度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、強
度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばREリ
ッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、TMリッチな組成とRE
リッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第１
層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、先願発明
の媒体全体としては、種類を次の４象限に分類すること
ができる。先に述べたＰタイプはＩ象限とIII象限に属
するものであり、ＡタイプはII象限とIV象限に属するも
のである。

〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュ
リー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦
無限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組
成がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度
（Ｔ_comp.）と呼ばれる。補償温度は、TMリッチの合金
組成においては、室温からキュリー点の間には存在しな
い。室温より下にある補償温度は、光磁気記録において
は無意味であるので、この明細書で補償温度とは室温か
らキュリー点の間に存在するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類する
と、媒体は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体
は、４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについ
て、「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、
次の通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太
線は第２層のそれである。

ここで、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）の
両方についてREリッチかTMリッチかで分け、かつ補償温
度を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次の９ク
ラスに分類される。

〔発明が解決しようとする課題〕しかしながら、先願明細書に具体的に開示された媒体
では、記録感度を低下させずに、C/N比の高いオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体を得ることは困難であると
いう問題点があった。

本発明の目的は、記録感度を低下させることなく、C/
N比の大きいオーバーライト可能な光磁気記録媒体を得
ることができる新規な技術思想の創作にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直磁
気異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造を
有し、層平面に対して上向き又は下向き何れか一方を「Ａ向
き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、第２層の磁化のみが記録の直前までに初期補助磁界Hi
ni.により「Ａ向き」に揃えられ、高レベルのレーザービームが照射された時は、記録磁
界Hbにより第２層の「Ａ向き」磁化が「逆Ａ向き」に反
転させられ、この第２層の「逆Ａ向き」磁化の作用によ
って第１層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕
を有するビットが形成され、低レベルのレーザービームが照射された時は、第２層
の「Ａ向き」磁化の作用によって第１層に「Ａ向き」磁
化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットが形成され
る、オーバーライト可能な光磁気記録媒体において、下記１条件： T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 を満足し、かつ室温で下記４条件： H_C1＞H_C2＋|H_D1H_D2| H_C1＞H_D1 H_C2＞H_D2 H_C2＋H_D2＜|Hini.|＜H_C1±H_D1 を満足することを特徴とする光磁気記録媒体を提供す
る。

ただし、 T_R:室温 T_C1:第１層のキュリー点 T_C2:第２層のキュリー点 T_L:低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 T_H:高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 H_D1:第１層が受ける結合磁界 H_D2:第２層が受ける結合磁界 Hini.:初期補助磁界左辺右辺：左辺と右辺がほぼ等しいか又は左辺に比べ
右辺が大きいことを意味する。

〔作用〕

一般に記録層（第１層）のキュリー点T_C1が高けれ
ば、カー回転角θｋが大きくなり、C/N比が向上する。

しかしながら、先願明細書に具体的に開示された媒体
では、T_C1T_Lのため、T_C1を高くすると、T_Lも高くせざ
るを得ない。

そうすると、低温サイクル（T_L）で高温サイクル
（T_H）が生じるの防止するマージン確保のため、更にT_H
を上げる必要がある。

そのため、高レベルのビームを照射しても媒体温度が
中々T_Hにまで上がらず、その結果、記録感度が低いこと
が判明した。

そこで、更に研究を進めた結果、情報は磁化が「Ａ向
き」のビットと「逆Ａ向き」のビットで記録しているの
で、オーバーライトする場合、低温サイクルにおいて、
どうしても新たなビットを形成しなければならないの
は、既に記録されているビットとこれから新たに記録
（形成）しようとするビットが異なる場合だけであり、
既に記録されているビットとこれから新たに記録（形
成）しようとするビットが同一の場合には、既に記録さ
れているビットをそのままにしておいても差支えないこ
とが判明した。

そして、前者の場合には、第１層の磁化の向きをオ
ーバーライトにより反転させることになるが、記録前の
ビットの磁化状態は、既にHini.によって第２層の磁化
の向きが「Ａ向き」に揃えられた状態で考えてみると、
次の通りである。

いずれのタイプのビットにせよ、記録直前の状態（既
に初期化された状態）では、第１層、第２層の層間に界
面磁壁で示したもの；以下、同じ）が形成されていることが判
明した。この状態は、界面磁壁エネルギー（σ_W:交換結
合力とも呼ばれる）を蓄えており、準安定な状態にあ
る。この状態が保持される条件は、外部磁場がない場合
を考えると、既述のように、の２つの条件である。

これは、次の理由から必要な条件となる。媒体が通常
のディスク状を考えた場合、第１層に記録されたビット
は、１回転する間に記録装置に備えられたHini.印加手
段からのHini.を必然的に受けて上述の準安定状態にな
ってしまうので、その場合、折角記録した第１層の情報
が初期化された第２層の磁化によって消去されては元も
子もないし、また、逆に折角Hini.によって初期化され
た第２層の磁化が、記録された第１層の情報（磁化）に
よって、乱されても無意味になるからである。

しかしながら、これは準安定な状態であって、第１層
は、σ_Ｗを介して第２層の磁化の影響を受ける。

その後の研究によると、レーザービームの照射を受け
て、媒体の温度が室温T_R（例えば、10〜45℃）から、高
められた温度（例えば75℃）に上昇すると、第１層の保
持力H_C1は低下するので、第１層の磁化の向きが第２層
の磁化によって安定状態へと反転^＊させられることが判
明した。つまり、第１層の温度がT_C1まで上昇してその
磁化が消失せずとも、反転^＊可能であることが判明し
た。

従って、本発明では、この反転^＊温度をT_Lとして、T_L
＜T_C1で低温サイクルを実行するのである。T_Lは、通常
遭遇する室温T_R（例えば、10〜45℃）より安全を見込ん
で例えば35℃のマージンを取って、例えば75℃以上とす
ることが好ましい。

そのため、T_C1はT_Lによらず高く設計することがで
き、カー回転角θｋが大きくなってC/N比が向上し、そ
れでいて、T_LはT_C1によらず低く設計できるので、記録
感度が良くなるのである。

ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ
・Ｉ象限・タイプ１）に属する媒体No.1を例にとり、本
発明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.1は、次式11: T_R＜Ｔ_comp.1＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。Ｔ_comp.2は、T_L、T_C1より低くても等
しくても高くてもよいが、次の説明は、T_C＜T_C1＜Ｔ
_comp.2で行なう。

この関係をグラフで示すと、次の如くなる。なお、細
線は第１層のグラフを示し、太線は第２層のグラフを示
す。

室温T_Rで第１層（記録層）の磁界が初期補助磁界Hin
i.により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式12
である。この媒体No.1は式12を満足する。式12: 但し、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント（saturation magneti
zation） M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギー（interface wall energy）このとき、Hini.の条件式は、式15で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式13〜14
で示される。この媒体No.1は式13〜14を満足する。

室温で式12〜14の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式15の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

この状態1a、1bは記録直前まで保持される。ここでは
記録磁界（Hb）はの向きに印加される。

−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度を第１層のキュリー点T_C1より少し上に上昇させる
と、第１層の磁化は消失する（状態2_H）。

更に照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ_comp.2より少し高い温度になった
とき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転するそのため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる。（状態3_H）。

しかし、この温度ではH_C2がまだ大きいので、によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、T_Hになると、第２層の温度はキュリー点
T_C2に近くなり、H_C1が小さくなるので、第２層の磁化がによって反転する（状態4_H）。

この状態4_Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下を始める。

そして、媒体の温度がＴ_comp.2以下になると、RE、TM
の各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関係が逆
転するその結果、合金全体の磁化は反転し、から「逆Ａ向
き」になる（状態5_H）。

この状態5_Hでは媒体の温度はT_C1より高いので第１層
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
H_C2は大きいので第２層の磁化は、で反転することはない。

そして、更に温度が低下してT_C1より少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの界面磁
壁エネルギーがREスピン同士（↓）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そして、第１層の温度はＴ
_comp.1以上なのでTMスピンの方が大きく、そのため第１
層にはつまりの磁化が出現する。この状態が状態6_Hである。

媒体の温度がこの状態6_Hのときの温度から更に低下し
て、Ｔ_comp.1以下になると、第１層のREスピンとTMスピ
ンの強度の大小関係の逆転が起こるその結果、の磁化が出現する（状態7_H）。

そして、やがて媒体の温度は状態7_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化はによって反転されることなく、状態7_Hが保持される。こ
うして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ_comp.1以上に上昇させる。そうすると、第１層のR
E、TM各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関係
が逆転する。その結果、第１層の磁化が反転する（状態
1a→状態2_La、状態1b→状態2_Lb）。この状態では、一時
的にＡタイプになる。

この状態から更に温度が上がり、T_Lになると、の関係となり、状態2_Laが状態3_Lに遷移する。他方、状
態2_Lbは、そのままの状態を保つため、同じ状態3_Lにな
る。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ_comp.1以下に
冷えると高温サイクルと同様に第１層のREスピンとTMス
ピンとの大小関係が逆転するその結果、第１層の磁化はとなる（状態4_L）。この状
態では元のＰタイプに戻る。

この状態4_Lは媒体温度が定温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ２）に属する媒体No.2を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.2は、次式16: T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。Ｔ_comp.2はT_L、T_C1より低くても等し
くても高くてもよいが、以下の説明で、T_L＜T_C1＜Ｔ
_comp.2で行なう。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、式17であ
る。この媒体No.2は式17を満足する。式17: ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式20で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式18〜19
で示される。この媒体No.2は式18〜19を満足する。

室温で式17〜19の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式20の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

この状態1a、1bは記録直前まで保持される。ここでは記
録磁界（Hb）はの向きに印加される。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ_comp.2より少し高い温度になった
とき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転するそのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の
磁化になる（状態3_H）。

しかし、この温度ではH_C2がまだ大きいので、によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、T_Hになると、第２層の温度はキュリー点
T_C2近くになるのでH_C2が小さくなり、によって第２層の磁化が反転する（状態4_H）。

そして、媒体の温度がＴ_comp.2以下になると、RE、TM
の各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関係が逆
転するその結果、合金全体の磁化は反転してから「逆Ａ向
き」になる（状態5_H）。

この状態5_Hでは媒体の温度はT_C1より高いので第１層
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
H_C2は大きいので第２層の磁化がで反転することはない。

そして、更に温度が低下してT_C1より少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの界面磁
壁エネルギーがREスピン同士（↓）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そのため第１層にはつまりの磁化が出現する。この状態が状態6_Hである。

そして、やがて媒体の温度は状態6_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化はによって反転されることなく、状態6_Hが保持される。こ
うして、「逆Ａ向き」のビット形勢が完了する。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。そうすると、の関係となり、状態1aが状態2_Lに遷移する。他方、状態
1bは、そのままの状態を保つため、同じ状態2_Lになる。

この状態2_Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

しかし、状態2_Lは媒体温度が更に低下しても変化がな
い。その結果、第１層には、「Ａ向き」のビットが形成
される。

次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ３）に属する媒体No.3を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.3は、次式21: T_R＜Ｔ_comp.1＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式22である。こ
の媒体No.3は式22を満足する。

ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式25で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式23〜24
で示される。この媒体No.3は式23〜24を満足する。

室温で式22〜24の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式25の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a、1b）。

この状態1a、1bは記録直前まで保持される。ここでは、
記録磁界（Hb）はの向きに印加される。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がT_Hになると、
T_Hは第２層のT_C2に近くなるのでH_C2が小さくなり、第２
層の磁化はで反転する（状態3_H）。

この状態3_Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度が低下してT_C1より少し下がると、第１層に
磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が界面磁壁エ
ネルギーにより第１層に及ぶ。その結果、REスピン同士
（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだＴ_comp.1以上にあるので、TMスピン
の方がREスピンより大きくなるその結果、第２層にはの磁化が出現する（状態4_H）。

この状態4_Hの温度から、媒体温度が更に低下してＴ
_comp.1以下になると、第１層のTMスピンとREスピンの強
度の大小関係が逆転するそのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態5_H）。

そして、やがて媒体の温度は状態5_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化は、安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴ_comp.1以下に冷えると高温サイクルと同
様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆転す
るその結果、第１層の磁化はに打ち勝ってとなる（状態4_L）。

この状態4_Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ４）に属する媒体No.4を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.4は、次式26: T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式27である。こ
の媒体No.4は式27を満足する。

ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式30で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式28〜29
で示される。この媒体No.4は式28〜29を満足する。

室温で式27〜29の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式30の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しT_Hにな
ると、第２層の温度はキュリー点T_C2に近くなるのでH_C2
が小さくなり、第２層の磁化はで反転する。これが状態3_Hである。

この状態3_Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下を始める。

そして、媒体温度がT_C1より少し下がると、第１層に
磁化が出現する。そのとき第２層からの界面磁壁エネル
ギーがREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そのため第１層にはつまりの磁化が出現する。この状態が状態4_Hである。

そして、やがて媒体の温度は状態4_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。そうすると、の関係が成立する状態となり、状態1aが状態2_Lに遷移す
る。他方、状態1bはそのままの状態を保つため同じ状態
2_Lになる。

この状態2_Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・
II象限・タイプ３）に属する媒体No.5を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.5は次式31: T_R＜Ｔ_comp.1＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式32である。こ
の媒体No.5は式32を満足する。

ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式35で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式33〜34
で示される。この媒体No.5は式33〜34を満足する。

室温で式32〜34の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式35の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

更にビームの照射が続き、媒体の温度がT_Hとなると、
第２層の温度はキュリー点T_C2に近くなる。すると、H_C2
が小さくなるので、第２層の磁化は、で反転する。これが状態3_Hである。

この状態3_Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度が低下
してT_C1より少し下がると、第１層にも磁化が出現す
る。この場合、第２層の磁化が界面磁壁エネルギーによ
り第１層に及ぶ。その結果、REスピン同士（↑）、TMス
ピン同士（）を揃える力が働く。この場合、媒体温度
はまだＴ_comp.1以上にあるので、TMスピンの方がREスピ
ンより大きくなるその結果、第２層にの磁化が出現する（状態4_H）。

この状態4_Hの温度から、媒体温度が更に低下してＴ
_comp.1以下になると、第１層のTMスピンとREスピンの強
度の大小関係が逆転するそのため、第１層の磁化が反転し、「Ａ向き」の磁化
になる（状態5_H）。

そして、やがて媒体の温度は状態5_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」
のビット形成が完了する。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴ_comp.1以上に上昇させる。そうすると、第１層のR
E、TM各スピンの方向は変わらないが、強度の大小関係
が逆転する。そのため、第１層の磁化が反転する（状態
1a→状態2_La、状態1b→状態2_Lb）。状態2_La、2_Lbでは、
媒体は一時的にＰタイプとなる。

この状態から、更に温度が上がりT_Lになると、下記条
件式が満足される。

そうすると、状態2_Laが状態3_Lに遷移する。他方、状態2
_Lbはそのままの状態を保つため同じ状態3_Lになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。媒体温度が更にＴ_comp.1
以下に冷えると高温サイクルと同様に第１層のREスピン
とTMスピンとの大小関係が逆転するその結果、第１層の磁化はとなる。この状態では、元
のＡタイプに戻る。これが状態4_Lである。

この状態4_Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、第１層に「逆Ａ向き」のビットが形成
される。

次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・
II象限・タイプ４）に属する媒体No.6を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.6は、次式36: T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式37である。こ
の媒体No.6は式37を満足する。

ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式40で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式38〜39
で示される。この媒体No.6は式38〜39を満足する。

室温で式37〜39の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式40の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

この状態1a、1bは記録直前まで保持される。記録磁界
（Hb）はの向きに印加される。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しT_Hにな
ると、第２層の温度はT_C2近くになり、そのためH_C2は小
さくなる。その結果、第２層の磁化は、で反転する。この状態が状態3_Hである。

この状態3_Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体温度がT_C1
より少し下がると、第１層に磁化が出現する。そのとき
第２層からの界面磁壁エネルギーがREスピン同士
（↑）、TMスピン同士（）を揃えるように働く。その
ため第１層にはに打ち勝って出現する。この状態が状態4_Hである。

そして、やがて媒体の温度は状態4_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化は安定に保持される。こうして、第１層に
「Ａ向き」のビットが形成される。

この状態2_Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。状態2_Lは、媒体
温度が室温まで下がっても保持される。その結果、第１
層に「逆Ａ向き」のビットが形成される。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・
III象限・タイプ４）に属する媒体No.7を例にとり、本
発明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.7は、次式41: T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式42である。こ
の媒体No.7は式42を満足する。

ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式45で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式43〜44
で示される。この媒体No.7は式43〜44を満足する。

室温で式42〜44の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式45の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しT_Hにな
ると、第２層の温度はキュリー点T_C2に近づく。そうす
ると、H_C2は小さくなるので、第２層の磁化は、で反転する。これが状態3_Hである。

この状態3_Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下し始める。そして、媒体温
度T_C1より少し下がると、第１層に磁化が出現する。そ
のとき第２層からの界面磁壁エネルギーがREスピン同士（↑）、TMス
ピン同士（）を揃えるように働く。そのため第１層に
はつまりの磁化が出現する。この状態が状態4_Hである。

やがて媒体の温度は状態4_Hのときの温度から室温まで
低下する。しかし、室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化は安定に保持される。こうして、第１層に
「逆Ａ向き」のビットが形成される。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。そうすると、下記条件：が満足され、状態1aが状態2_Lに遷移する。他方、状態1b
はそのままの状態を保つため、同じ状態2_Lになる。

この状態2_Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。そして、状態2_L
は媒体温度が室温まで下がっても保持される。その結
果、第１層に「Ａ向き」のビットが形成される。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ２）に属する媒体No.8を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.8は、次式46: T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。Ｔ_comp.2は、T_L、T_C1より低くても等
しくても高くても良いが、以下の説明ではT_L＜T_C1T
_comp.2とする。この関係をグラフで示すと、次の如くな
る。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式47である。こ
の媒体No.8は室温で式47を満足する。式47: ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式50で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式48〜49
で示される。この媒体No.8は式48〜49を満足する。

室温で式47〜49の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式50の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

この状態1a、1bは記録直前まで保持される。ここでは、
記録磁界Hbはの向きに印加される。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴ_comp.2より少
したかくなると、REスピン（↑）及びTMスピン（）の
向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転するその結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態が状態3_Hである。

しかし、この温度ではH_C2がまだ大きいので、第２層の
磁化はで反転されることはない。更にビームの照射が続き、や
がて媒体温度が更に上昇してT_Hになる。すると、媒体温
度はT_C2に近くなり、H_C2が小さくなる。その結果、第２
層の磁化は、によって反転する。反転した状態が状態4_Hである。

この状態4_Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
_comp.2より少し下がると、REスピン（↓）及びTMスピン
（）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転するその結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態では、H_C2は既に相当大きくなっているの
で第２層の磁化はにより反転されることはない。そして、温度はまだT_C1
より高いので第１層の磁化はまだ現れない。この状態が
状態5_Hである。

更に、媒体温度が低下してT_C1より少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が界面磁壁エネルギーにより第１層に及ぶ。その結果、
REスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が
働く。その結果、第１層にはの磁化が出現する。この状態が状態6_Hである。

やがて媒体の温度は状態6_Hのときの温度から室温まで
低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第１層の磁
化は安定に保持される。こうして、第１層に「Ａ向き」
のビットが形成される。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。そうすると、下記条件式：が満足され、状態1aが状態2_Lに遷移する。他方、状態1b
はそのままの状態を保つため、同じ状態2_Lになる。

この状態2_Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。状態2_Lは媒体温
度が室温まで下がっても保持される。その結果、第１層
に「逆Ａ向き」のビットが形成される。

次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ４）に属する媒体No.9を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体No.9は、次式51: T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式52である。こ
の媒体No.9は式52を満足する。

ただし、H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式55で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は界面磁壁エネル
ギーにより第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２
層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式53〜54
で示される。この媒体No.9は式53〜54を満足する。

室温で式52〜54の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式55の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態1a又は1b）。

この状態1a、1bは、記録直前まで保持される。ここでは
記録磁界（Hb）はの向きに印加される。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しT_Hにな
ると、第２層の温度はT_C2に近くなるのでH_C2は小さくな
る。その結果、第２層の磁化は、によって反転させられる。これが状態3_Hである。

この状態3_Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体温度がT_C1
より少し下がると、第１層に磁化が出現する。そのとき
第２層からの界面磁壁エネルギーがREスピン同士（↓）、TMス
ピン同士（）を揃えるように働く。そのため第１層に
はに打ち勝って出現する。この状態が状態4_Hである。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１……媒体No.2のうちの１つ）２元の電子ビーム加熱真空蒸着装置を用い、下記第２
表に示す蒸発源を２個所に置く。

厚さ1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャン
バー内にセットする。該装置のチャンバー内を一旦１×
10^-6Torr.以下の真空度に排気する。その後、真空度を
１〜２×10^-6Torr.に保持しながら、蒸着速度約３Å／
秒で、蒸着を行なう。これにより基板上に、厚さ800Å
のGd₁₁Tb₁₆Fe₇₀Co₃（注：添字の数字は、原子％）の第
１層（記録層）を形成する。

続いて、真空状態を保持したまま蒸発源を取り替え
る。そして、また蒸着を行ない、第１層の上に厚さ1000
ÅのDy₂₅Fe₅₃Co₂₂の第２層（記録補助層）を形成する。
第１及び第２層ともに垂直磁化膜である。

こうして、クラス２（Ｐタイプ・第１象限・タイプ
２）属する２層光磁気記録媒体No.2が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。

この媒体は、を満足している。また、式20に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を3000Oeとすれば、式2
0を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式18: 及び式19: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、Hini.＝3000Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300Oeの記録磁界を「Ａ向き」に印加することにする。

ところで、この媒体は、138℃で次の値を示す。

M_S1＝41 emu/cc H_C1＝1024 Oe σ_Ｗ＝0.487 の条件式が満足され、138℃では第２層の磁化によって
第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、T_L＝138℃、T_H＝250℃に設定すれば、式16:T
_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 も満足され、オーバーライトが可能になる。

（実施例２……媒体No.3のうちの１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ750ÅのGd₁₁Tb₁₁Fe
₇₈の第１層及びその上に厚さ1500ÅのGd₈Tb₁₈Fe₆₈Co₆の
第２層を形成する。これにより、クラス３（Ｐタイプ・
第１象限・タイプ３）に属する媒体No.3が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第３表に示す。

この媒体は、式22: を満足している。また、式25に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を3500 Oeとすれば、式
25を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式23: 及び式24: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、Hini.＝3500 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」に印加することにする。

ところで、この媒体は、129℃で次の値を示す。

M_S1＝36 emu/cc H_C1＝1242 Oe σ_Ｗ＝0.521 の条件式が満足され、129℃では第２層の磁化によって
第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、T_L＝129℃、T_H＝210℃に設定すれば、式21:T_R＜Ｔ_comp.1＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2も満足され、オ
ーバーライトが可能になる。

（実施例３……媒体No.5のうちの１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ530ÅのGd₁₁Tb₁₁Fe
₇₈の第１層及びその上に厚さ700ÅのGd₁₂Tb₈Fe₇₈Co₂の
第２層を形成する。これにより、クラス５（Ａタイプ・
第II象限・タイプ３）に属する媒体No.5が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第４表に示す。

この媒体は、式32: を満足している。また、式35に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を7000 Oeとすれば、式
35を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式33: 及び式34: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、Hini.＝7000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝200 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」に印加することにする。

ところで、この媒体は、99℃で次の値を示す。

M_S1＝32 emu/cc H_C1＝2695 Oe σ_Ｗ＝0.996 の条件式が満足され、99℃では第２層の磁化によって第
１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、T_L＝99℃、T_H＝200℃に設定すれば、式31: T_R＜Ｔ_comp.1＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2も満足され、オーバー
ライトが可能になる。

（実施例４……媒体No.6のうちの１つ）実施例１と同様に、基板上に厚さ500ÅのGd₁₁Tb₁₆Fe
₇₀Co₃の第１層及びその上に厚さ1000ÅのGd₁₂Tb₈Fe₇₈Co
₂の第２層を形成する。これにより、クラス６（Ａタイ
プ・第II象限・タイプ４）この媒体の製造条件及び特性を下記第５表に示す。

この媒体は、式37: を満足している。また、式40に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を7000 Oeとすれば、式
40を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式38: 及び式39: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、Hini.＝7000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝200Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」に印加することにする。

ところで、この媒体は、114℃で次の値を示す。

M_S1＝46 emu/cc H_C1＝2027 Oe σ_Ｗ＝0.848 の条件式が満足され、114℃では第２層の磁化によって
第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、T_L＝114℃、T_H＝200℃に設定すれば、式36:T
_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2も満足され、オーバーライトが可
能になる。

（実施例５……媒体No.8のうちの１つ）３元のRFマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
下記第６表に示すターゲット:Dy、FeCo合金、TbFeCo合
金の３個を置く。ターゲットは最初にTbFeco合金を使用
し、次にDyとFeCo合金の２個（２元）を使用する。

厚さ1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャン
バー内にセットする。

該装置のチャンバー内を一旦７×10^-7Torr.以下の真
空度に排気した後、Arガスを５×10^-3Torr.導入する。
そして、堆積（deposition）速度約２Å／秒で、スパッ
タリングを行なう。これにより基板上に、厚さ480ÅのT
b₂₀Fe₇₁Co₉の第１層を形成する。続いて、真空状態を保
持したまま、ターゲットを変える。そして、またスパッ
タリングを行ない、第１層の上に厚さ1850ÅのDy₂₃Fe₅₈
Co₁₉の第２層を形成する。第１及び第２層ともに垂直磁
化膜である。

こうして、クラス８（Ａタイプ・第IV象限・タイプ
２）に属する２層光磁気記録媒体No.8が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第６表に示す。

この媒体は、式47: を満足している。また、式50に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
50を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式48: 及び式49: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝200 Oeの記録磁界を「Ａ向き」に印加することにする。

ところで、この媒体は、104℃で次の値を示す。

M_S1＝94 emu/cc H_C1＝2708 Oe σ_Ｗ＝2.638 の条件式が満足され、104℃では第２層の磁化によって
第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、T_L＝104℃、T_H＝220℃に設定すれば、式46:T
_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2も満足され、オーバーライトが可
能になる。

（実施例６……媒体No.9のうちの１つ）実施例５と同様に、基板上に厚さ600ÅのTb₂₀Fe₇₁Co₉
の第１層及びその上に厚さ1500ÅのGd₈Tb₁₈Fe₆₈Co₆の第
２層を形成する。これにより、クラス９（Ａタイプ・第
IV象限・タイプ４）に属する媒体No.9が製造される。

この媒体の製造条件及び特性を下記第７表に示す。

この媒体は、式52: を満足している。また、式55に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
55を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式53: 及び式54: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１
層、第２層の磁化はそれぞれ保持される。

そこで、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」に印加することにする。

ところで、この媒体は、114℃で次の値を示す。

M_S1＝99 emu/cc H_C1＝2380 Oe σ_Ｗ＝2.305 の条件式が満足され、114℃では第２層の磁化によって
第１層の磁化が反転させられることになる。

そこで、T_L＝114℃、T_H＝210℃に設定すれば、式51:T
_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2も満足され、オーバーライトが可
能になる。

〔参考例１……オーバーライト可能な光磁気記録装置〕この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図
（概念図）に示す。

この装置は、基本的には、（ａ）記録媒体20を移動させる手段の一例としての回転
手段21; （ｂ）初期補助磁界Hini.印加手段22 （ｃ）レーザービーム光源23; （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度T_Hを与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度T_Lを与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段24; （ｅ）記録磁界Hb印加手段25;からなる。手段22とし
て、ここでは、Hini.＝4000 Oeで磁界の向きが「Ａ向
き」↑の永久磁石を使用し、手段25として、ここでは、
Hb＝200 Oeで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使
用する。

手段22と25は、ディスク状記録媒体20の半径方向の長さ
に相当する長さを有する棒状のものである。この手段22
と25は、本記録装置に固定して設置し、光源23を含むピ
ックアップと共に移動させることはしないことにする。

〔参考例２……オーバーライト光磁気記録〕参考例１の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例５（クラス
８）の記録媒体（No.8）20を5.7m/秒の一定線速度で移
動させる。その媒体20に対し、レーザービームを照射す
る。このビームは、手段24により高レベル時:9.0mW（on
disk）、低レベル時:3.5mW（on disk）の出力がでるよ
うに調整されている。そしてビームは、手段24により情
報に従いパルス状に変調される。

ここでは、記録すべき情報を周波数0.5MHzの信号とし
た。従って、ビームを周波数0.5MHzで変調させながら媒
体20に照射した。これにより、0.5MHzの信号が記録され
たはずである。別の光磁気再生装置で再生（ビーム強度
1mW on disk）すると、C/N比は57dBであり、記録されて
いることが確かめられた。

次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数1MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝56dBで新たな情報が再生された。
このとき、0.5MHzの信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。

この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:T_H
＝220℃、低レベル時:T_L＝104℃に達する。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明によれば、T_L＜T_C1としたの
で、T_C1によらずT_Lを十分に低く設計することがで
き、その結果、T_L＋α（マージン）＝T_Hで設計されるT_H
を余り高くせずにすみ、そのため記録感度を高くするこ
とができ、それでいて、T_LによらずT_C1を十分に高く
設計することができるので、θｋを向上させ、C/N比を
高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にかかるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。第４図は、先願発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。〔主要部分の符号の説明〕Ｌ……レーザービーム Lp……直線偏光 B₁……「Ａ向き」磁化を有するビット B₀「逆Ａ向き」磁化を有するビット１……記録層（第１層）２……記録補助層（第２層）Ｓ……基板 20……オーバーライト可能な光磁気記録媒体 21……記録媒体を回転させる回転手段 22……初期補助磁界Hini.印加手段 23……レーザービーム光源 24……記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」
磁化を有するビットの何れか一方を形成するのに適当な
温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルとの間
でパルス状に変調する手段 25……記録磁界Hb印加手段

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】垂直磁気異方性を有する第１層を記録層と
し、垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助層とする
多層構造を有し、層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、第２層の磁化のみが記録の直前までに「Ａ向き」に揃え
られ、高レベルのレーザービームが照射された時は、記録磁界
Hbにより第２層の「Ａ向き」磁化が「逆Ａ向き」に反転
させられ、この第２層の「逆Ａ向き」磁化の作用によっ
て第１層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を
有するビットが形成され、低レベルのレーザービームが照射された時は、第２層の
「Ａ向き」磁化の作用によって第１層に「逆Ａ向き」磁
化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビットが形成される
オーバーライト可能な光磁気記録媒体において、前記第２層が室温とキュリー点との間に補償温度Ｔ
_comp.2を有し、かつ、次の２条件式： T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 Ｔ_comp.2＜T_C1 を満足し、そして、室温で次の各条件式： H_C1＞H_C2＋|H_D1H_D2| H_C1＞H_D1 H_C2＞H_D2 を満足することを特徴とするオーバーライト可能な光磁
気記録媒体。ただし、 T_R:室温Ｔ_comp.2：第２層の補償温度 T_C1:第１層のキュリー点 T_C2:第２層のキュリー点 T_L:低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 T_H:高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 H_D1:第１層が受ける結合磁界 H_D2:第２層が受ける結合磁界
【請求項２】請求項第１項記載のオーバーライト可能な
光磁気記録媒体に於いて、第１層と第２層とは、いずれ
も遷移金属−重希土類合金組成から選択したものである
ことを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒
体。
【請求項３】前記第１層が重希土類リッチで室温とキュ
リー点との間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合
金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
に補償組成を有する遷移金属−重希土類合金からなり、
かつ、次の条件式： T_R＜Ｔ_comp.1＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 を満足し、そして室温で次の各条件式： H_C1＞H_C2＋σ_W/2M_S1t₁＋σ_W/2M_S2t₂ H_C1＞σ_W/2M_S1t₁ H_C2＞σ_W/2M_S2t₂ を満足することを特徴とする請求項第２項記載のオーバ
ーライト可能な光磁気記録媒体。ただし、 T_R:室温Ｔ_comp.1：第１層の補償温度 T_C1:第１層のキュリー点 T_C2:第２層のキュリー点 T_L:低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 T_H:高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギー
【請求項４】前記第１層が重希土類リッチで室温とキュ
リー点との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類
合金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との
間に補償組成を有する遷移金属−重希土類合金からな
り、かつ、次の条件式： T_R＜T_L＜T_C1＜T_HT_C2 を満足し、そして室温で次の各条件式： H_C1＞H_C2＋σ_W/2M_S1t₁＋σ_W/2M_S2t₂ H_C1＞σ_W/2M_S1t₁ H_C2＞σ_W/2M_S2t₂ を満足することを特徴とする請求項第２項記載のオーバ
ーライト可能な光磁気記録媒体。ただし、 T_R:室温 T_C1:第１層のキュリー点 T_C2:第２層のキュリー点 T_L:低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 T_H:高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
の温度 H_C1:第１層の保磁力 H_C2:第２層の保磁力 M_S1:第１層の飽和磁気モーメント M_S2:第２層の飽和磁気モーメント t₁:第１層の膜厚 t₂:第２層の膜厚 σ_W:界面磁壁エネルギー