JPH083921B2

JPH083921B2 - オ−バ−ライト可能な光磁気記録装置

Info

Publication number: JPH083921B2
Application number: JP12064387A
Authority: JP
Inventors: 正聡佐藤; 秀機赤坂; 旬斎藤
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1987-05-18
Filing date: 1987-05-18
Publication date: 1996-01-17
Anticipated expiration: 2011-01-17
Also published as: JPS63285745A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、オーバーライト（over write）可能な光磁
気記録装置に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高
い記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学
的記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置
及び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生
方法は、情報を使用した後、消去することができ、新た
な情報を記録することができるというユニークな利点の
ために、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（perpendicular ma
gnetic layer or layers）を有する。この磁化膜は、例
えばアモルファスのGdFeやGdCo、GdFeCo、TbFe、TbCo、
TbFeCoなどからなる。記録層は一般に同心円状又はらせ
ん状のトラックを成しており、このトラックの上に情報
が記録される。ここで、本明細書では、膜面に対し「上
向き（upward）」又は「下向き（downward）」の何れか
一方を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。
記録すべき情報は、予め２値化されており、この情報が
「Ａ向き」の磁化を有するビット（B₁）と、「逆Ａ向
き」の磁化を有するビット（B₀）の２つの信号で記録さ
れる。これらのビットB₁，B₀は、デジタル信号の1,0の
何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般に
は記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁
場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。
この処理は初期化（initialize）と呼ばれる。その上で
トラックに「Ａ向き」の磁化を有するビット（B₁）を形
成する。情報は、このビット（B₁）の有無及び／又はビ
ット長によって記録される。

ビット形成の原理：ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的
時間に素晴らしい凝集性（coherence）が有利に使用さ
れ、レーザー光の波長によって決定される回析限界とほ
とんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り込まれ
る。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、記録層
に幅が１μｍ以下のビットを形成することにより情報が
記録される。

光学的記録においては、理論的に約10⁸ビット／cm²まで記録密度を達成することができ
る。何故ならば、レーザビームはその波長とほとんど同
じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（concen
trate）することが出来るからである。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザビ
ーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加熱
する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記録
磁界（Hb）を加熱された部分に外部から印加する。そう
すると局部的に加熱された部分の保持力Hc（coersvit
y）は減少し記録磁界（Hb）より小さくなる。その結
果、その部分の磁化は、記録磁界（Hb）の向きに並ぶ。
こうして逆に磁化されたビットが形成される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びHcの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュりー点付近
で減少するHcを有し、この現象に基づいて記録が実行さ
れる。従って、Tc書込み（キュリー点書込み）と引用さ
れる。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度
（compensation temperature）を有しており、そこでは
磁化（Ｍ）はゼロになる。逆にこの温度付近でHcが非常
に大きくなり、その温度から外れるとHcが急激に低下す
る。この低下したHcは、比較的弱い記録磁界（Hb）によ
って打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。この
記録プロセスはT_comp.書込み（補償点書込み）と呼ばれ
る。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の
近辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所
定の温度に於いて、低下したHcを有する磁性材料に対
し、その低下したHcを打ち負かせる記録磁界（Hb）を印
加すれば、記録は可能である。

再生の原理：第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示
す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発
散している電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が
直線偏光（L_p）に変換され、そして記録層（１）に照射
されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層
（１）を透過する。このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向
きに従って回転する。この回転する現象は、磁気カー
（Kerr）効果又は磁気フェラデー（Faraday）効果と呼
ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対し
てθｋ度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対して
は−θｋ度回転する。従って、光アナライザー（偏光
子）の軸を−θｋ度傾けた面に垂直にセットしておく
と、「逆Ａ向き〕に磁化されたビット（B₀）から反射さ
れた光はアナライザーを透過することができない。それ
に対して「Ａ向き」に磁化されたビット（B₁）から反射
された光は、（sin2θｋ）²を乗じた分がアナライザー
を透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（B₁）は
「逆Ａ向き」に磁化されたビット（B₀）よりも明るく見
え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させる。
このディテクターからの電気信号は、記録された情報に
従って変調されるので、情報が再生されるのである。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）
媒体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ii）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（iii）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情
報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できる
オーバーライトは、不可能とされていた。

もっとも、もし記録磁界（Hb）の向きを必要に応じて
「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間に自由に変えることが
できれば、オーバーライトが可能になる。しかしなが
ら、記録磁界（Hb）の向きを、高速度で変えることは不
可能である。例えば、記録磁界（Hb）印加手段が永久磁
石である場合には、磁石の向きを機械的に反転させる必
要がある。しかし、磁石の向きを高速で反転させること
は、無理である。記録磁界（Hb）印加手段が電磁石であ
る場合にも、大容量の電流の向きをそのように高速で変
えることは不可能である。

そのため、先に、記録磁石（Hb）をON,OFFせずに又は
記録磁界（Hb）の向きを変えずに、光の強度だけを変調
することによりオーバーライト可能な光磁気記録媒体と
記録装置と記録方法が発明され、特許出願された（特願
昭60−126775号）。この出願は、現時点ではまだ公開さ
れていないので、以下、「先願」と引用する。

〔先願発明の説明〕

先願発明の特徴は、記録層（第１層）と記録補助層
（第２層）との少なくとも２層構造の多層垂直磁化膜か
らなる光磁気記録媒体を使用する。そして、情報を上向
き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットで少
なくとの第１層に記録するのである。

また、先願発明の記録方法は、（ａ）記録媒体を移動させること；（ｂ）初期補助磁界を印加することによって、記録する
前までに、記録層の磁化はそのままにしておき、記録補
助層の磁化のみを、上向き又は下向きの何れか一方に揃
えておくこと；（ｃ）レーザービームを媒体に照射すること；（ｄ）前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパ
ルス状に変調すること；（ｅ）前記ビームを照射した時、照射部分に記録磁界を
印加すること；（ｆ）前記パルス状ビームの強度が高レベルの時に上向
き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビットの何
れか一方を形成させ、ビーム強度が低レベルの時に、他
方のビットを形成させること；からなる。

先願発明では、記録するときには、（ａ）光磁気記録媒体を移動させる手段；（ｂ）初期補助磁界印加手段；（ｃ）レーザービーム光源；（ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な温
度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパ
ルス状に変調する変調手段；（ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることがあ
り得る記録磁界印加手段；からなるオーバーライト可能な高磁気記録装置を使用す
る。

先願発明では、レーザービームは、記録すべき情報に
従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、
従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化
情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知
の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHNICAL JO
URNAL,Vol.62（1983）,1923−1936に詳しく説明されて
いる。従って、ビーム強度の必要な高レベルと低レベル
が与えられれば、従来の変調手段を一部修正するだけで
容易に入手できる。当業者にとって、そのような修正
は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与えられれば、
容易であろう。

先願発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度
の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レ
ベルの時に、記録磁界（Hb）により記録補助層（第２
層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（revers
e）させ、この第２層の「逆Ａ向き」磁化によって記録
層（第１層）に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁
化〕を有するビットを形成する。ビーム強度が低レベル
の時には、第２層の「Ａ向き」磁化によって第１層に
「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビッ
トを形成する。

なお、本明細書では、○○○〔又は△△△〕という表現は、先に〔〕の外の
○○○を読んだときには、以下の○○○〔又は△△△〕
のときにも、〔〕の外の○○○を読むことにする。そ
れに対して先に○○○を読まずに〔〕内の△△△の方
を選択して読んだときには、以下の○○○〔又は△△
△〕のときにも○○○を読まずに〔〕内の△△△を読
むものとする。

すでに知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを非常な低レベル^*で点灯することがあ
る。また、レーザービームを再生に兼用するときには、
非常な低レベル^*の強度でレーザービームを点灯させる
ことがある。本発明においても、レーザービームの強度
をこの非常な低レベル^*にすることもある。しかし、ビ
ットを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル
^*よりも高い。従って、例えば、先願発明におけるレー
ザービームの出力波形は、次の通りになる。

なお、先願明細書には開示されていないが、本発明で
は、記録用のビームは、１本ではなく近接した２本のビ
ームを用いて、先行ビームを原則として変調しない低レ
ベルのレーザービーム（消去用）とし、後行ビームを情
報に従い変調する高レベルのレーザービーム（書込用）
としてもよい。この場合、後行ビームは、高レベルと基
低レベル（低レベルと同一又はそれより低いレベルであ
り、出力がゼロでもよい）との間でパルス変調される。
この場合の出力波形は次の通りである。

先願発明で使用される媒体は、第１実施態様と第２実
施態様とに大別される。いずれの実施態様においても、
記録媒体は、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）
を含む多層構造を有する。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記
録層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保持
力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。なお、
第１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成されて
いてもよい、場合により第１層と第２層との間に第３の
層が存在していてもよい。更に第１層と第２層との間に
明確な境界がなく、一方から徐々に他方に変わってもよ
い。

第１実施態様では、記録層（第１層）の保磁力を
H_C1、記録補助層（第２層）のそれをH_C2、第１層のキュ
リー点をT_C1、第２層のそれをT_C2、室温をT_R、低レベル
のレーザービームを照射した時の記録媒体の温度をT_L、
高レベルのレーザービームを照射した時のそれをT_H、第
１層が受ける結合磁界をH_D1、第２層が受ける結合磁界
をH_D2とした場合、記録媒体は、下記の式１を満足し、
そして室温で式２〜５を満足するものである。

T_R＜T_C1T_L＜T_C2T_H ……式１ T_C1＞H_C2＋｜H_D1H_D2｜ ……式２ H_C1＞H_D1 ……式３ H_C2＞H_D2｜ ……式４ H_C2＋H_D2＜|Hini.|＜H_C1±H_D1 ……式５上記式中、符号「」は、等しいか又はほぼ等しいこ
とを表す。また上記式中、複合±，については、上段
が後述するＡ（antiparallel）タイプの媒体の場合であ
り、下段は後述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合
である。なお、フェロ磁性体及び静磁結合した媒体はタ
イプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次
の如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそ
れを表す。

従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Hin
i.）を印加すると、式５によれば、記録層（第１層）の
磁化の向きは反転せずに記録補助層（第２層）の磁化の
みが反転する。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界
（Hini.）を印加すると、第２層のみを「Ａ向き」−こ
こでは「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上向
きの矢で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢で示す−
に磁化させることができる。そして、Hini.がゼロにな
っていても、式４により、第２層の磁化は再反転せず
にそのまま保持される。

初期補助磁界（Hini.）により第２層のみが、記録直
前まで「Ａ向き」に磁化されている状態を概念的に表
すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き^*は、それまでに
記録されてきた情報を表わす。以下の説明においては、
向きに関係がないので、以下Ｘで示す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して
媒体温度をT_Hに上昇させる。すると、T_Hはキュリー点T
_C1より高温度なので記録層（第１層）の磁化は消失して
しまう。更にT_Hはキュリー点T_C2付近なので記録補助層
（第２層）の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒
体の種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁
界（Hb）を印加する。記録磁界（Hb）は、媒体自身から
の浮遊磁界でもよい。説明を簡単にするために「逆Ａ向
き」の記録磁界（Hb）を印加したとする。媒体は移動し
ているので、照射された部分は、レーザービームから直
ぐに遠ざかり、空気で冷却される。Hbの存在下で、媒体
の温度が低下すると、第２層の磁化は、Hbに従い、反転
されて「逆Ａ向き」の磁化となる（状態2_H）。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がT_C1より少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合ないし静磁結合）力のために、第１層
の磁化の向きは、第２層の磁化の向きの影響を受ける。
その結果、媒体に応じて（Ｐタイプの媒体の場合）又
は（Ａタイプの媒体の場合）が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。T_Lはキュリー点T_C1付近なので第１
層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリー点
T_C2よりは低温であるので第２層の磁化は消失しない。

ここでは、記録磁界（Hb）は、不要であるが、高速度
（短時間）でHbをON,OFFすることは不可能である。従っ
て、止むを得ず高温サイクルのときのままになってい
る。

しかし、H_C2はまだ大きいままなので、Hbによって第
２層の磁化が反転することはない。媒体は移動している
ので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに遠
ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第１層
の磁化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力の
ために第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、
媒体によって（Ｐタイプの場合）又は（Ａタイプの
場合）の磁化が出現する。この磁化は室温でも変わらな
い。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうで
あれ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに
反対向きの磁化又はを有するビットが形成される。
つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サ
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。

Ｐタイプ媒体の場合Ａタイプ媒体の場合なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、
媒体は回転される。そのため、記録された部分（ビッ
ト）は、１回転する間に再びHini.の作用を受け、その
結果、記録補助層（第２層）の磁化は元の「Ａ向き」
に揃えられる。しかし、室温では、第２層の磁化の影響
を記録層（第１層）に及ぶことはなく、そのため記録さ
れた情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光
には情報が含まれているので、従来の光磁気媒体と同様
に情報が再生される。なお、第１層と第２層の組成設計
によっては、再生前に再生磁界H_Rを印加することによ
り、元の「Ａ向き」に揃えられた第２層に第１層の情
報を転写させる方法や、再生磁界H_Rを印加せずともHin
i.の影響がなくなるや否や第２層に第１層の情報が自然
転写されるものがあるので、この場合には、第２層から
情報を再生してもよい。

このような記録層（第１層）及び記録補助層（第２
層）を構成する垂直磁化膜は、補償温度を有せずキュ
リー点を有するフェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに
補償温度、キュリー点の双方を有するフェリ磁性体の
非晶質或いは結晶質からなる群から選択される。

以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用
した第１実施態様の説明である。それに対して第２実施
態様は室温より高い所定の温度に於いて低下したH_Cをを
利用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に
於けるT_C1の代わりに記録層（第１層）が記録補助層
（第２層）に磁気結合される温度T_S1を使用し、T_C2の代
わりに第２層がHbで反転する温度T_S2を使用すれば、第
１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、第１層の保磁力をH_C1、第２層の
それをH_C2、第１層が第２層に磁気的に結合される温度
をT_S1とし、第２層の磁化がHbで反転する温度をT_S2、室
温をT_R、低レベルのレーザービームを照射した時の媒体
の温度をT_L、高レベルのレーザービームを照射した時の
それをT_H、第１層が受ける結合磁界をH_D1、第２層が受
ける結合磁界をH_D2として場合、記録媒体は、下記式６
を満足し、かつ室温で式７〜10を満足するものである。

T_R＜T_S1T_L＜T_S2T_H ……式６ T_C1＞H_C2＋｜H_D1H_D2｜ ……式７ H_C1＞H_D1 ……式８ H_C2＞H_D2 ……式９ H_C2＋H_D2＜|Hini.|＜H_C1±H_D1 ……式10 上記式中、複合±，については、上段が後述するＡ
（antiparallel）タイプの媒体の場合であり、下段は後
述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、記録層（第１層）、記録
補助層（第２層）が遷移金属（例えばFe,Co）−重希土
類金属（例えばGd,Tb,Dyその他）合金組成から選択され
た非晶質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属（transition m
etal）−重希土類金属（hcavy rareearth metal）合金
組成から選択された場合には、各合金としての外部に現
れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原子
（以下、TMと略す）のスピン（spin）の向き及び大きさ
と重希土類金属原子（以下、REと略す）のスピンの向き
及び大きさとの関係で決まる。例えばTMのスピンの向き
及び大きさを点線のベクトルで表わし、REのスピンの
それを実線のベクトル↑で表し、合金全体の磁化の向き
及び大きさを二重実線のベクトルで表す。このとき、
ベクトルはベクトルとベクトル↑との和として表わ
される。ただし、合金の中ではTMスピンとREスピンとの
相互作用のためにベクトルとベクトル↑とは、向きが
必ず逆になっている。従って、と↑との和或いは↓と
との和は、両者の強度が等しいとき、合金のベクトル
はゼロ（つまり、外部に表れる磁化の大きさはゼロ）に
なる。このゼロになるときの合金組成は補償組成（comp
ensation coposition）と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有
し、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを
有するベクトル（又は）を有する。このベクトルの
磁化が外部に現れる。例えば↑はとなり、はとなる。

ある合金組成のTMスピンとREスピンの各ベクトルの強
度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、強
度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばREリ
ッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、TMリッチな組成とRE
リッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第１
層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、先願発明
の媒体としては、種類を次の４象限に分類することがで
きる。先に述べたＰタイプはＩ象限とIII象限に属する
ものであり、ＡタイプはII象限とIV象限に属するもので
ある。

〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュ
リー点（保持力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦
無限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組
成がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度
（T_comp.）と呼ばれる。補償温度は、TMリッチの合金組
成においては、室温からキュリー点の間には存在しな
い。室温より下にある補償温度は、光磁気記録において
は無意味であるので、この明細書で補償温度とは室温か
らキュリー点の存在するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類する
と、媒体は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体
は、４つの全部のタイプが含まれる。４つのタイプにつ
いて、「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書く
と、次の通りになる。なお、細線は第１層のそれであ
り、太線は第２層のそれである。

タイプ１タイプ２タイプ３タイプ４ここで、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）の
両方についてREリッチかTMリッチかで分け、かつ補償温
度を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次の９ク
ラスに分類される。

〔発明が解決しようとする問題点〕先願発明の媒体クラス１〜９のうち、クラス１、２及
び８は、初期補助磁界Hini.と記録磁界Hbの向きが一致
するが、先願の明細書には、更に両者の大きさが等しい
場合に限って、Hini.印加手段とHb印加手段とを兼用で
きる旨の開示しかない（先願の実施例１、２及び８参
照）。

本発明の目的は、大きさが異なっていても、向きが同
一であれば、１個の磁石で両印加手段を兼用できるオー
バーライト可能な光磁気記録装置を提供することにあ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

磁石は、第４図に示すように、一般に中心部では磁界強
度が大きく、周辺に行くほど小さくなる。従って、１個
の磁石でも磁界分布を考慮すれば、異なる個所において
Hini.とHbの両方を入手することができる。本発明は、
この観点から発明されたもので、本発明は、次の記録装
置を提供する。

即ち、本発明のオーバーライト可能なオーバーライト
可能な光磁気記録装置は、（ａ）オーバーライト可能な光磁気記録媒体を移動させ
る手段；（ｂ）１個の磁石からなり、少なくとも初期補助磁界と
該磁界とは大きさが異なり、向きが同一の記録磁界の両
方を発生することができる磁界印加手段；（ｃ）前記媒体の前記記録磁界が印加される個所に照射
されるレーザービーム光源；（ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（１）上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向き」と
し、他方を「逆Ａ向き」とするとき、「Ａ向き」磁化を
有するビットを形成させるのに適当な温度を与える高レ
ベルと、（２）「逆Ａ向き」磁化を有するビットを形成させるの
に適当な温度を与える低レベルとにパルス変調する変調
手段；からなる。

なお、前記ビームとして、近接した２本のビームを用
い、先行ビームを前記低レベルのまま原則として変調せ
ず、後行ビームを、前記高レベルと前記低レベルより低
い基低レベルとの間で、記録すべき２値化情報に従い、
パルス変調させてもよい。

〔作用〕

まず、第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ
・Ｉ象限・タイプ１）に属する特定の媒体No.1を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体No.1は、次式11: T_R＜T_comp.1＜T_c1T_LT_comp.2＜T_c2T_Hの関係を有す
る。この関係をグラフで示すと、次の如くなる。なお、
細線は第１層のグラフを示し、太線は第２層のグラフを
示す。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式12である。こ
の媒体No.1は式12を満足する。

式12: ただし、H_C1：第１層の保磁力 H_C2：第２層の保磁力 M_S1：第１層の飽和磁気モーメント（saturation magnetization） M_S2：第２層の飽和磁気モーメント t₁ :第１層の膜厚 t₂ :第２層の膜厚 σ_w：界面磁壁エネルギー（interface wall energy）このとき、Hini.の条件式は、式15で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式13〜14で示され
る。この媒体No.1は式13〜14を満足する。

室温で式12〜14の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式15の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録
磁界（Hb）はの向きに印加される。

−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をT_Lに上昇させると、T_Lは第１層のキュリー点T_C1に
ほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態2_H）。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。
媒体の温度が第２層のT_comp.2より少し高い温度になっ
たとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転するそのため、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態3_H）。

しかし、この温度ではH_C2がまだ大きいので、によって第２層の磁化が反転されることはない。さらに
温度が上昇し、T_Hになると、第２層の温度はほぼキュリ
ー点T_C2となり、その磁化も消失する（状態4_H）。

この状態4_Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
T_C2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、の磁化が生じる（状態5_H）。しかし、温度はまだT_C1よ
り高いので第１層には磁化は現れない。

そして、媒体の温度が更に下がり、T_comp.2以下にな
ると、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転するその結果、合金全体の磁化は反転し、から「逆Ａ向
き」になる（状態6_H）。

この状態6_Hでは媒体の温度はT_C1より高いので第１層
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
H_C2は大きいので第２層の磁化は、で反転することはない。

そして、更に温度が低下してT_C1より少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そして、第１層の温度はT_comp.1以上な
のでTMスピンの方が大きく、そのため第１層にはつまりの磁化が出現する。この状態が状態7_Hである。

媒体の温度がこの状態7_Hのときの温度から更に低下し
て、T_comp.1以下になると、第１層のREスピンとTMスピ
ンの強度の大小関係の逆転が起こるその結果、の磁化が出現する（状態8_H）。

そして、やがて媒体の温度は状態8_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化はによって反転されることなく、状態8_Hが保持される。こ
うして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。そうすると、T_Lは第１層のキュリー
点T_C1にはほぼ等しいので、その磁化は消失する
（2_L）。

この状態2_Lに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_C1
より少し下がると、第２層のRE,TMスピンの影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃え
る力が働く。その結果、第１層には、即ちの磁化が記録磁界に打ち勝って出現する（状態3_L）。この状態の温度はT
_comp.1以上なのでTMスピンの方が大きい。

媒体温度が更にT_comp.1以下に冷えると高温サイクル
と同様に第１層のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆
転するその結果、第１層の磁化はとなる（状態4_L）。

この状態4_Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.2を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体No.2は、次式16: T_R＜T_C1T_LT_comp.2＜T_C2T_Hの関係を有する。この
関係をグラフで示すと、次の如くなる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、式17であ
る。この媒体No.2は式17を満足する。式17: ただし、H_C1：第１層の保磁力 H_C2：第２層の保磁力 M_S1：第１層の飽和磁気モーメント M_S2：第２層の飽和磁気モーメント t₁ :第１層の膜厚 t₂ :第２層の膜厚 σ_w：界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式20で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式18〜19で示され
る。この媒体No.2は式18〜19を満足する。

室温で式17〜19の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式20の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。
媒体の温度が第２層のT_comp.2より少し高い温度になっ
たとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転するそのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の
磁化になる（状態3_H）。

しかし、この温度ではH_C2がまた大きいので、↑Hbに
よって第２層の磁化が反転されることはない。さらに温
度が上昇し、T_Hになると、第２層の温度はほぼキュリー
点T_C2となり、その磁化は消失する（状態4_H）。

この状態4_Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度が
T_C2より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場
合、の磁化が生じる。しかし、温度はまだT_C1より高いので
第１層には磁化は現れない。この状態が状態5_Hである。

そして、媒体の温度が更に下がり、T_comp.2以下にな
ると、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転するその結果、合金全体の磁化は反転してから「逆Ａ向
き」になる（状態6_H）。

この状態6_Hでは媒体の温度はT_C1より高いので第１層
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
H_C2は大きいので第２層の磁化がで反転することはない。

そして、更に温度が低下してT_C1より少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そのため第１層にはの磁化が出現する。この状態が状態7_Hである。

そして、やがて媒体の温度は状態7_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化はによって反転されることなく、状態7_Hが保持される。こ
うして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。そうするとT_Lは第１層のキュリー点
T_C1にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態
2_L）。

この状態2_Lに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_C1
より少し下がると、第２層のRE,TMスピンの影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃え
る力が働く。その結果、第１層には、即ちの磁化が出現する（状態3_L）。

この状態3_Lは媒体温度が更に低下しても変化がない。
その結果、第１層には、「Ａ向き」のビットが形成さ
れる。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.8を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。

この媒体No.8は、次式46（式21〜45は欠番）：T_R＜T
_C1T_LT_comp.2＜T_C2T_Hの関係を有する。この関係を
グラフで示すと、次の如くなる。

室温T_Rで第１層の磁化が初期補助磁界Hini.により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式47である。こ
の媒体No.8は室温で式47を満足する。式47: ただし、H_C1：第１層の保磁力 H_C2：第２層の保磁力 M_S1：第１層の飽和磁気モーメント M_S2：第２層の飽和磁気モーメント t₁ :第１層の膜厚 t₂ :第２層の膜厚 σ_w：界面磁壁エネルギーこのとき、Hini.の条件式は、式50で示される。Hini.
が無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合力によ
り第１層の磁化の影響を受ける。それでも第２層の磁化
が再度反転せずに保持される条件は、式48〜49で示され
る。この媒体No.8は式48〜49を満足する。

室温で式47〜49の条件を満足する記録媒体の第２層の
磁化は、記録の直前までに式50の条件を満足するHini.
により例えば「Ａ向き」に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記
録磁界（Hb）はの向きに印加される。

さらにビームの照射が続き、媒体温度がT_comp.2より
少したかくなると、REスピン（↑）及びTMスピン（）
の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転するその結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態が状態3_Hである。

しかし、この温度ではH_C2がまだ大きいので、第２層
の磁化はで反転されることない。更にビームの照射が続き、その
ため媒体温度が更に上昇してT_Hになったとする。する
と、T_HはT_C2にほぼ等しいので、第２層の磁化も消失す
る（状態4_H）。

この状態4_Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_C2
より少し下がると、第２層に磁化が生じる。この場合、の磁化が出現する。しかし、温度はまだT_C1より高いの
で、第１層には磁化が現れない。この状態が状態5_Hであ
る。

さらに媒体温度が低下してT_comp.2より少し下がる
と、REスピン（↓）及びTMスピン（）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係が逆転するその結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態では、H_C2は既に相当大きくなっているの
で第２層の磁化はにより反転されることはない。そして、温度はまだT_C1
より高いので第１層の磁化はまだ現れない。この状態が
状態6_Hである。

更に、媒体温度が低下してT_C1より少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交換結合力により第１層に及び。その結果、REピン同
士（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。その
結果、第１層にはの磁化が出現する（状態7_H）。

そして、やがて媒体の温度は状態7_Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのH_C1は十分に大きいので第
１層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」
のビット形成が完了する。

−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をT_Lに上昇させる。そうすると、T_Lは第１層のキュリー
点T_C1にほぼ等しいので、その磁化は消失する。しか
し、この温度ではまだ第２層のH_C2は大きいので、その
磁化はによって反転されることはない（状態2_L）。

この状態2_Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がT_C1
より少し下がると、第２層のRE,TMスピンの影響が交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。つ
まりREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃える
力が働く。その結果、第１層には、即ちの磁化がに打ち勝って出現する。この状態が状態3_Lである。

この状態3_Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。

以下、参考例、実施例及び使用例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。

（参考例１……媒体No.1のうちの１つ）表面に例えば深さ1100Å、ピッチ1.6μｍの溝が同心
円状に多数形成された厚さ1.2mm、直径2000mmのガラス
基板を用意する。他方、２元の電子ビーム加熱真空蒸着
装置を用い、下記第２表に示す蒸発源を２個所に置く。

そして、のガラス基板を該装置のチャンバー内にセッ
トする。該装置のチャンバー内を一旦１×10^-6Torr.以
下の真空度に排気する。その後、真空度を１〜２×10^-6
Torr.に保持しながら、蒸着速度約３Å／秒で、蒸着を
行なう。これにより基板上に、厚さ500ÅのGd₁₄Dy₁₂Fe
₇₄（注：添字の数字は、原子％）の第１層（記録層）を
形成する。続いて、真空状態を保持したまま蒸発源を取
り替える。そして、また蒸着を行ない、第１層の上に厚
さ1000ÅのGd₂₂Tb₆Fe₇₂の第２層（記録補助層）を形成
する。第１及び第２層ともに垂直磁化膜である。

こうして、クラス１（Ｐタイプ・Ｉ象限・タイプ１）
属する２層光磁気記録媒体No.1が製造された。

尚、この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示
す。

この媒体は、T_L＝160℃、T_H＝220℃（使用例１参照）
とすれば、式11: T_R＜T_comp.1＜T_C1T_LT_comp.2＜T_C2T_H 及び式12: を満足している。また、式15に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を2500Oeとすれば、式1
5を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式13: 及び式14: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。

従って、Hini.＝2500Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300Oeの記録磁界を「Ａ向き」に印加することによりオーバーライトが可能になる。

以上の通り、本媒体に対するHbとHini.の大きさは異
なるが、向きは同一である。

（参考例２……媒体No.2のうちの１つ）参考例１と同様に、基板上に厚さ500ÅのTb₂₇Fe₇₃の
第１層及びその上に厚さ800ÅのDy₂₇Fe₅₅Co₁₈の第２層
を形成する。これにより、クラス２（Ｐタイプ・Ｉ象限
・タイプ２）に属する媒体No.2が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第３表に示す。

この媒体は、T_L＝150℃、T_H＝220℃（使用例２参照）
とすれば、式16: T_R＜T_C1T_LT_comp.2＜T_C2T_H 及び式17: を満足している。また、式20に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を2500Oeとすれば、式2
0を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHini.
によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式18: 及び式19: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。

従って、Hini.＝2500 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「Ａ向き」に印加することによりオーバーライトが可能になる。

（参考例３……媒体No.8のうちの１つ）２元のRFマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
下記第４表に示すターゲット:DyFeCo合金、GdDyFeCo合
金の２個を置く。ターゲットは最初に前者を使用し、次
に後者を使用する。そして、参考例１で用いたガラス基
板を該装置のチャンバー内にセットする。

該装置のチャンバー内を一旦７×10^-7Torr.以下の真
空度に排気した後、Arガスを５×10^-3Torr.導入する。
そして、堆積（deposition）速度約２Å／秒で、スパッ
タリングを行なう。これにより基板上に、厚さ500ÅのD
y₂₃Fe₆₉Co₈の第１層を形成する。続いて、真空状態に保
持したまま、ターゲットを変える。そして、またスパッ
タリングを行ない、第１層の上に厚さ600Åの Gd₂₂Dy₅Fe₆₉Co₄の第２層を形成する。第１及び第２層と
もに垂直磁化膜である。

これにより、クラス８（Ａタイプ・IV象限・タイプ２）
に属する媒体No.8が製造された。

この媒体の製造条件及び特性を下記第４表に示す。

この媒体は、T_L＝150℃、T_H＝230℃（使用例３参照）
とすれば、式46: T_R＜T_C1T_LT_comp.2＜T_C2T_H 及び式47: を満足している。また、式50に於いて、であるので、初期補助磁界Hini.を2500 Oeとすれば、式
50を満足する。そうすれば、第１層の磁化は室温でHin
i.によって反転されずに、第２層の磁化のみが反転され
る。

更に、式48: 及び式49: を満足しているので、Hini.が取り去られても、第１層
第２層の磁化はそれぞれ保持される。

以上の通り、本媒体に対するHini.及びHbの大きさは
異なるが、向きは同一である。

（実施例１……光磁気記録装置）この装置は記録専用であり、その全体構成を第1A図及
び第1B図（概念図）に示す。

この装置は、基本的には、（ａ）記録媒体20を移動させる手段の一例としての回転
手段21; （ｂ）初期補助磁界Hini.とそれとは大きさが異なり、
向きが同一の記録磁界Hbの両方を印加できる単一の磁石
からなる磁界印加手段22; （ｃ）レーザービーム光源23; （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度T_Hを与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度T_Lを与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段24; からなる。

磁界印加手段22は、電磁石又は好ましくは永久磁石で
あり、ここでは、印加手段22として、中心部でHini.＝2
500Oe、周辺部で Hb＝300 Oeで磁界の向きが「Ａ向
き」↑の永久磁石を使用する。この永久磁石22は、ディ
スク状媒体20の半径方向の長さに相当する長さを有する
棒状のものを固定して設置する。永久磁石22は、光源23
を含む記録ヘッド（ピックアップ）と共に移動させるこ
とはしないことにする。その方がピックアップが軽くな
り、高速アクセスが可能になる。

なお、本記録装置は、再生系の装置を付加して記録再
生兼用装置に修正してもよい。

（使用例１……光磁気記録・再生）実施例の記録装置（第1A、1B図参照）を使用して光磁
気記録を実施する。まず、回転手段21で参考例１の記録
媒体（No.1）20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを照射する。このビ
ームは、手段24により高レベル時:8.9mW（on disk）、
低レベル時:6.1mW（on disk）の出力がでるように調整
されている。そしてビームは、手段24により情報に従い
パルス状に変調される。ここでは、記録すべき情報を周
波数1MHzの信号とした。従って、ビームを周波数1MHzで
変調させながら媒体20に照射した。これにより、1MHzの
信号が記録されたはずである。別の光磁気再生装置で再
生すると、C/N比は53dBであり、記録されていることが
確かめられた。

次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数2MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝52dBで新たな情報が再生された。
このとき、1MHzの信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。

この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：T_H
＝220℃、低レベル時：T_L＝160℃に達する。

（使用例２……光磁気記録・再生）実施例の記録装置（第1A、1B図参照）を使用して光磁
気記録を実施する。まず、回転手段21で参考例２の記録
媒体（No.2）20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを照射する。このビ
ームは、手段24により高レベル時:8.9mW（on disk）、
低レベル時:5.7mW（on disk）の出力がでるように調整
されている。そしてビームは、手段24により情報に従い
パルス状に変調される。ここでは、記録すべき情報を周
波数1MHzの信号とした。従って、ビームを周波数1MHzで
変調させながら媒体20に照射した。これにより、1MHzの
信号が記録されたはずである。別の光磁気再生装置で再
生すると、C/N比は52dBであり、記録されていることが
確かめられた。

次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数4MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝49dBで新たな情報が再生された。
このとき、1MHzの信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。

この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：T_H
＝220℃、低レベル時：T_L＝150℃に達する。

（使用例３……光磁気記録・再生）実施例の記録装置（第1A、1B図参照）を使用して光磁
気記録を実施する。まず、回転手段21で参考例３の記録
媒体（No.8）20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。
その媒体20に対し、レーザービームを照射する。このビ
ームは、手段24により高レベル時:9.3mW（on disk）、
低レベル時:5.7mW（on disk）の出力がでるように調整
されている。そしてビームは、手段24により情報に従い
パルス状に変調される。ここでは、記録すべき情報を周
波数2MHzの信号とした。従って、ビームを周波数2MHzで
変調させながら媒体20に照射した。これにより、2MHzの
信号が記録されたはずである。別の光磁気再生装置で再
生すると、C/N比は51dBであり、記録されていることが
確かめられた。

次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数3MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝50dBで新たな情報が再生された。
このとき、2MHzの信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。

この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：T_H
＝230℃、低レベル時：T_L＝150℃に達する。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明によれば、初期補助磁界Hini.
手段とそれとは大きさの異なる記録磁界Hb印加手段を１
個の磁石で兼用したので、装置が小型軽量化し、また製
造コストが安くなる。

〔主要部分の符号の説明〕

Ｌ……レーザービーム Lp……直線偏光 B₁……「Ａ向き」磁化を有するビット B₀……「逆Ａ向き」磁化を有するビット１……記録層（第１層） 20……オーバーライト可能な光磁気記録媒体 20a……基板 21……記録媒体を移動させる手段又はその一例としての
回転手段 22……初期補助磁界Hini.と記録磁界Hbの両印加手段 23……レーザービーム光源 24……記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」
磁化を有するビットに何れか一方を形成するのに適当な
温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段 25……媒体を載せる台 26……回転軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）オーバーライト可能な光磁気記録媒
体を移動させる手段；（ｂ）１個の磁石からなり、少なくとも初期補助磁界と
該磁界とは大きさが異なり、向きが同一の記録磁界を発
生することができる磁界印加手段；（ｃ）前記媒体の前記記録磁界が印加される個所に照射
されるレーザービーム光源；（ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向き」と
し、他方を「逆Ａ向き」とするとき、「Ａ向き」磁化を
有するビットを形成させるのに適当な温度を与える高レ
ベルと、（２）「逆Ａ向き」磁化を有するビットを形成
させるのに適当な温度を与える低レベルの間でパルス変
調する変調手段；からなることを特徴とするオーバーライト可能な記録層
装置。