JPS6029956A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6029956A JPS6029956A JP13911683A JP13911683A JPS6029956A JP S6029956 A JPS6029956 A JP S6029956A JP 13911683 A JP13911683 A JP 13911683A JP 13911683 A JP13911683 A JP 13911683A JP S6029956 A JPS6029956 A JP S6029956A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ四元系非晶質合
金から成る光磁気記録媒体め製造方法に関するものであ
る。
金から成る光磁気記録媒体め製造方法に関するものであ
る。
近年、大量の情報を高密度に記録するため、レーザー光
を投光し゛Ｃ記録媒体を局部加熱することによりビット
を書き込み、磁気光学効果を利用しソ貌み出すという光
磁気記録が研究開発されている。その記録媒体に希土類
−遷移金属から成る非晶質膜があり、量産に適し且つ読
み出しにノイズが少ないなどの利点を有し、非常に注目
されている。
を投光し゛Ｃ記録媒体を局部加熱することによりビット
を書き込み、磁気光学効果を利用しソ貌み出すという光
磁気記録が研究開発されている。その記録媒体に希土類
−遷移金属から成る非晶質膜があり、量産に適し且つ読
み出しにノイズが少ないなどの利点を有し、非常に注目
されている。
そこで、先に本発明者等はＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃ
。
。
四元系非晶質合金（以下、Ｇｄ−Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ
合金と略す）がカー回転角、保磁力などに優れた特性を
具備していることを知見したが、更に、鋭意研究に努め
た結果、マグネトロンスパッタリング法において、ター
ゲットの組成及び基板に印加されるバイアス電圧を特定
することによって優れた特性のＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ
−Ｃｏ合金が得られることを見い出した。
合金と略す）がカー回転角、保磁力などに優れた特性を
具備していることを知見したが、更に、鋭意研究に努め
た結果、マグネトロンスパッタリング法において、ター
ゲットの組成及び基板に印加されるバイアス電圧を特定
することによって優れた特性のＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ
−Ｃｏ合金が得られることを見い出した。
本発明は上記知見に基づき、再生特性においてカー回転
角が大きいという利点を有するとともに、記録特性にお
いてもＴｂ −Ｆｅと同等の高保磁力を有し且つ角形比
にも優れ、その結果、書き込まれた微小ビットが安定に
保持されるのに損保って、記録密度の向上した光磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
角が大きいという利点を有するとともに、記録特性にお
いてもＴｂ −Ｆｅと同等の高保磁力を有し且つ角形比
にも優れ、その結果、書き込まれた微小ビットが安定に
保持されるのに損保って、記録密度の向上した光磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
向に磁化容易軸を有するＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ
合金薄膜を形成する光磁気記録媒体の製造方法において
、前記ターゲットがＧｄ、Ｔｌ）から成る第１ターゲツ
トと、Ｆｅ 、 Ｃｏから成る第２ターゲツトの複数で
構成されると共に、前記基板に＋５０〜−４０Ｖ（０を
含む）の直流電圧を印加してＧｅｌ −Ｔｂ −Ｆｅ−
Ｃｏ合金薄膜を形成することを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法を提供することにある。
合金薄膜を形成する光磁気記録媒体の製造方法において
、前記ターゲットがＧｄ、Ｔｌ）から成る第１ターゲツ
トと、Ｆｅ 、 Ｃｏから成る第２ターゲツトの複数で
構成されると共に、前記基板に＋５０〜−４０Ｖ（０を
含む）の直流電圧を印加してＧｅｌ −Ｔｂ −Ｆｅ−
Ｃｏ合金薄膜を形成することを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法を提供することにある。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図はＧｄ−’Ｉ°ｂ−Ｆθ−Ｃｏ合金薄膜を生成す
ルタめのマグネトロンスパッタリング装置であり、図中
、真空槽（１）の内部にはＧｄ、Ｔｂから成る第１ター
ゲツト＋２１、Ｆｅ 、 Ｃｏから成る第２ターゲツト
（３）、回転駆動されるとともｓｃ Ｇｄ −Ｔｂ −
Ｆｅ −Ｃ。
ルタめのマグネトロンスパッタリング装置であり、図中
、真空槽（１）の内部にはＧｄ、Ｔｂから成る第１ター
ゲツト＋２１、Ｆｅ 、 Ｃｏから成る第２ターゲツト
（３）、回転駆動されるとともｓｃ Ｇｄ −Ｔｂ −
Ｆｅ −Ｃ。
合金薄膜が形成される円板状の基板（４）、及び回転自
在の円板状遮蔽板（５）が配置されている。
在の円板状遮蔽板（５）が配置されている。
前記遮蔽板（５）には第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋
３１のそれぞれの真上に一対の円状貫通孔（６）が形成
されており、成膜中には第１．２ターゲツト＋２１ ＋
３１から飛散した各種金属がこの貫通孔（６）を通過し
、回転する基板（４）上に蒸着されるが、プレスパツタ
時には、前記遮蔽板（５）を約９０°回転させることに
より、第１．２ターゲツＨ２１（３１から飛散した金属
は遮蔽板（５）により遮蔽され、基板（４）上には蒸着
されないようになっている。
３１のそれぞれの真上に一対の円状貫通孔（６）が形成
されており、成膜中には第１．２ターゲツト＋２１ ＋
３１から飛散した各種金属がこの貫通孔（６）を通過し
、回転する基板（４）上に蒸着されるが、プレスパツタ
時には、前記遮蔽板（５）を約９０°回転させることに
より、第１．２ターゲツＨ２１（３１から飛散した金属
は遮蔽板（５）により遮蔽され、基板（４）上には蒸着
されないようになっている。
第１ターゲツト（２）と基板（４）、並びに第２ターゲ
ツト（３）と基板（４）の間には、それぞれ高周波電源
（７）（８）により高周波電圧が印加されるとともに、
基板（４）に対して正もしくは負のバイアス電圧を印加
することができるように直流電源（９）が付設しである
。
ツト（３）と基板（４）の間には、それぞれ高周波電源
（７）（８）により高周波電圧が印加されるとともに、
基板（４）に対して正もしくは負のバイアス電圧を印加
することができるように直流電源（９）が付設しである
。
この第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋３１の下側には、
プレーナーマグネトロン型カソードに基づき、アルニコ
、フェツイト、サマリウムコバルト製の永久磁石ａαａ
υが備えつけられ、これにより電場と磁場の直交するペ
ニング放電現象を利用して放電ガス分子のイオン化効率
が高められ、量産に適した高速成膜が可能となる。
プレーナーマグネトロン型カソードに基づき、アルニコ
、フェツイト、サマリウムコバルト製の永久磁石ａαａ
υが備えつけられ、これにより電場と磁場の直交するペ
ニング放電現象を利用して放電ガス分子のイオン化効率
が高められ、量産に適した高速成膜が可能となる。
本発明において使用されるＧｄ、Ｔｂから成る第１ター
ゲツト（２）は、例えば第２図（Ａ＋に示すように、半
径ｒ ＯＧｄ製円板（１２〕上１こ、１辺（、Ｌ〜１
）ｒ ２０ の角形状のＴｂ製チップθ３を適当な数だけ載置して構
成されている。また、Ｆｅ 、 Ｃｏから成る第２ター
ゲツト（３）は、例えば第２図（Ｂｌに示すように、ｌ
工 半径ｒ゛のＦ６製円板０４）の上に、１辺（百〜２０
）”の角形状のＣＯ製チップ（１５１を適当な数だけ載
置して構成されている。
ゲツト（２）は、例えば第２図（Ａ＋に示すように、半
径ｒ ＯＧｄ製円板（１２〕上１こ、１辺（、Ｌ〜１
）ｒ ２０ の角形状のＴｂ製チップθ３を適当な数だけ載置して構
成されている。また、Ｆｅ 、 Ｃｏから成る第２ター
ゲツト（３）は、例えば第２図（Ｂｌに示すように、ｌ
工 半径ｒ゛のＦ６製円板０４）の上に、１辺（百〜２０
）”の角形状のＣＯ製チップ（１５１を適当な数だけ載
置して構成されている。
なお、前記第１ターゲツト（２）は、ＴＩ）、ｌｌｌ’
ｌＩＪ板の上にＧｄ製チップを載置したもの、また前記
第２ターゲツト（３）はＣｏ製円板の上にＦｅ製チップ
を載置したものであってもよく、更に前記チップの形状
を角形状に代えて扇形状等任意の形状に変更してもよい
。この他、第１．２ターゲツト＋２１１３１のそれぞれ
をＧｄ −ＴＩ）合金及びＦｅ −Ｃｏ合金から成る円
板により構成しても同郷の効果が達成される。
ｌＩＪ板の上にＧｄ製チップを載置したもの、また前記
第２ターゲツト（３）はＣｏ製円板の上にＦｅ製チップ
を載置したものであってもよく、更に前記チップの形状
を角形状に代えて扇形状等任意の形状に変更してもよい
。この他、第１．２ターゲツト＋２１１３１のそれぞれ
をＧｄ −ＴＩ）合金及びＦｅ −Ｃｏ合金から成る円
板により構成しても同郷の効果が達成される。
次に、上記のマグネトロンスパッタリング装置の操作を
説明する。先ず、真空槽（１）が約Ｉ Ｘ １Ｏ−６Ｔ
ｏｒｒ以下まで真空引きされた後、その内部に高純度の
Ａｒガス及び／又はＮ９ガスを、或いは必要に応じ垂直
磁気異方性エネルギの大きさを制御するためＮ９ガスを
混合して導入し、（以下、これら導入ガスを雰囲気ガス
と略す）、真空槽（１）内部を所定のガス圧ζこ保持す
る。引続いて遮蔽板（５）を約９０°回転させ、基板（
４）を遮蔽した状態で第１゜２ターゲツト１２＋ ＋３
１をプレスパツタし、それぞれのターゲット表面の酸化
物層などをエツチングする。
説明する。先ず、真空槽（１）が約Ｉ Ｘ １Ｏ−６Ｔ
ｏｒｒ以下まで真空引きされた後、その内部に高純度の
Ａｒガス及び／又はＮ９ガスを、或いは必要に応じ垂直
磁気異方性エネルギの大きさを制御するためＮ９ガスを
混合して導入し、（以下、これら導入ガスを雰囲気ガス
と略す）、真空槽（１）内部を所定のガス圧ζこ保持す
る。引続いて遮蔽板（５）を約９０°回転させ、基板（
４）を遮蔽した状態で第１゜２ターゲツト１２＋ ＋３
１をプレスパツタし、それぞれのターゲット表面の酸化
物層などをエツチングする。
その後、一対の貫通孔（６）をそれぞれの第１．２ター
ゲツ） （２＋ （３１の真上へくるように遮蔽板（５
）を回転、配置する。次いで、適当な成膜速度となるよ
うに所定の基板回転数と高周波電力をセットして、所定
時間、第１．２ターゲツ） ＋２１１３１に対し同時放
電させる。とれにより、雰囲気ガスがプラズマとなり、
その正イオンが第１．２ターゲツト＋２１ ＋３１を叩
きつけ、放出した各種ターゲット材料が基板（４）上に
蒸着される。
ゲツ） （２＋ （３１の真上へくるように遮蔽板（５
）を回転、配置する。次いで、適当な成膜速度となるよ
うに所定の基板回転数と高周波電力をセットして、所定
時間、第１．２ターゲツ） ＋２１１３１に対し同時放
電させる。とれにより、雰囲気ガスがプラズマとなり、
その正イオンが第１．２ターゲツト＋２１ ＋３１を叩
きつけ、放出した各種ターゲット材料が基板（４）上に
蒸着される。
本発明においては、カー回転角が大きく、且つ高保磁力
、角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るために
、成膜中に直流電源（９）により基板（４）に印加され
るバイアス電圧を一４０Ｖ乃至＋５ｏｖとするのがよく
、最も好適な範囲は一３ｏ■乃至十ｉｏｖ、（無バイア
スを含む）がよい。
、角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るために
、成膜中に直流電源（９）により基板（４）に印加され
るバイアス電圧を一４０Ｖ乃至＋５ｏｖとするのがよく
、最も好適な範囲は一３ｏ■乃至十ｉｏｖ、（無バイア
スを含む）がよい。
また雰囲気ガス圧はＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ未満では
安定な放電状態が得られず、成膜が困難となり、５゜Ｘ
１０ Ｔｏｒｒを越えると、磁性薄膜中に含まれるア
ルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎｌ、並びに酸素（０）が増加
して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大きな保磁力
を得ることがむずかしくなるため、Ｉ Ｘ １０−８〜
５０ Ｘ １０”−８Ｔｏｒｒ 、好適には３ Ｘ １
０−”〜２０ Ｘ １０−３’ｒｏｒｒの範囲に設定さ
れる。
安定な放電状態が得られず、成膜が困難となり、５゜Ｘ
１０ Ｔｏｒｒを越えると、磁性薄膜中に含まれるア
ルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎｌ、並びに酸素（０）が増加
して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大きな保磁力
を得ることがむずかしくなるため、Ｉ Ｘ １０−８〜
５０ Ｘ １０”−８Ｔｏｒｒ 、好適には３ Ｘ １
０−”〜２０ Ｘ １０−３’ｒｏｒｒの範囲に設定さ
れる。
（Ｍ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜の成膜速度は基
板（４）の回転速度に依存するが、本発明においては基
板１回転当り０．１〜３０ Ａ、好適には０．５〜１０
Ａとなるように基板の回転速度が設定される。なお、
０．１Ａ／回転未満では不純物が導入されやすくなるた
めに垂直磁化膜の形成が困難となり、３０Ａ／回転を越
えると、（Ｇｃｌ −ＴＩ） ）膜と（Ｆｅ −Ｃｏ
）膜から成る積層膜が有する劣化特性があられれはじめ
且つ垂直磁化膜を形成するのが困難となる。
板（４）の回転速度に依存するが、本発明においては基
板１回転当り０．１〜３０ Ａ、好適には０．５〜１０
Ａとなるように基板の回転速度が設定される。なお、
０．１Ａ／回転未満では不純物が導入されやすくなるた
めに垂直磁化膜の形成が困難となり、３０Ａ／回転を越
えると、（Ｇｃｌ −ＴＩ） ）膜と（Ｆｅ −Ｃｏ
）膜から成る積層膜が有する劣化特性があられれはじめ
且つ垂直磁化膜を形成するのが困難となる。
成膜中の基板（４）の温度は２００℃以下に設定される
。２００℃を越えると非晶質構造の緩和がみられ、保磁
力の大きな膜を製作するのが困難である。
。２００℃を越えると非晶質構造の緩和がみられ、保磁
力の大きな膜を製作するのが困難である。
また、成膜中には、第１ターゲツト（２）と基板（４）
の間、及び第２ターゲツト（３）と基板（４）の間に、
いずれも１００ Ｗ〜５ｋｗの高周波電力が印加される
。
の間、及び第２ターゲツト（３）と基板（４）の間に、
いずれも１００ Ｗ〜５ｋｗの高周波電力が印加される
。
カクシて本発明による複合ターゲットをプレスパツタし
た後、雰囲気ガスの圧力、高周波電力、並びにバイアス
電圧（無バイアスを含む）をそれぞれ所定範囲内に設定
することにより、基板上に特有の非晶質形部を成したＧ
ｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜となる条件が設定
され、かかる条件により製作されたＧｄ −Ｔｂ −Ｆ
ｅ −Ｃｏ合金薄膜は再生特性においてカー回転角が大
きいという利点の他、記録特性Ｃζおいても高保磁力や
角形比に優れていることに起因して、書き込まれた微小
ピッドが安定に保持された高密度記録に好適な光磁気記
録媒体と成り得る。
た後、雰囲気ガスの圧力、高周波電力、並びにバイアス
電圧（無バイアスを含む）をそれぞれ所定範囲内に設定
することにより、基板上に特有の非晶質形部を成したＧ
ｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜となる条件が設定
され、かかる条件により製作されたＧｄ −Ｔｂ −Ｆ
ｅ −Ｃｏ合金薄膜は再生特性においてカー回転角が大
きいという利点の他、記録特性Ｃζおいても高保磁力や
角形比に優れていることに起因して、書き込まれた微小
ピッドが安定に保持された高密度記録に好適な光磁気記
録媒体と成り得る。
次に本発明の実施例について述べる。
〔実施例１〕
上述した第１図に示すマグネ１０ンスパツタリング装置
を使用し、第１ターゲツト（２）としては、１００φ×
３ｔＩＩの侶製円板１１２の上に１０ Ｘ １０ Ｘ
１ｌｆｌｌのＴｂ製角形チップ（１３１が６個載置され
たもの、第２ ｆｉ −ケラ） （３１として１００φ
Ｘ３１ｆｆのＦｅ製円板Ｉの上に１０ Ｘ １０ Ｘ
ｌ ｆｆのＣｏ製角形チッグ住９が６個載置されたもの
を用いた。
を使用し、第１ターゲツト（２）としては、１００φ×
３ｔＩＩの侶製円板１１２の上に１０ Ｘ １０ Ｘ
１ｌｆｌｌのＴｂ製角形チップ（１３１が６個載置され
たもの、第２ ｆｉ −ケラ） （３１として１００φ
Ｘ３１ｆｆのＦｅ製円板Ｉの上に１０ Ｘ １０ Ｘ
ｌ ｆｆのＣｏ製角形チッグ住９が６個載置されたもの
を用いた。
真空槽（１）内のガス圧はＡｒガス圧７×１０ＴＯｒＴ
に設定され、プレスパツタ後、基板（４）を５０ ｒｐ
ｍで回転しつつ、第１ターゲツト（２）に実効の高周波
電力３２Ｗ１第２ターゲツト（３）に実効の高周波電力
３５０Ｗを印加し、更に、基板（４）に第１表に示す負
バイアスの直流電圧を印加もしくは無バイアスとし、基
板（４）上にＧｄ −ＴＩ） −Ｆｅ−００合金薄膜を
形成した。尚、本実施例で得られたＧｄ −Ｔｂ −Ｆ
ｅ −Ｃｏ合金薄膜をＸ線回折及びトルフメータにより
測定したところ、それぞれ非晶質及び垂直磁化膜となっ
ていることが確かめられた。
に設定され、プレスパツタ後、基板（４）を５０ ｒｐ
ｍで回転しつつ、第１ターゲツト（２）に実効の高周波
電力３２Ｗ１第２ターゲツト（３）に実効の高周波電力
３５０Ｗを印加し、更に、基板（４）に第１表に示す負
バイアスの直流電圧を印加もしくは無バイアスとし、基
板（４）上にＧｄ −ＴＩ） −Ｆｅ−００合金薄膜を
形成した。尚、本実施例で得られたＧｄ −Ｔｂ −Ｆ
ｅ −Ｃｏ合金薄膜をＸ線回折及びトルフメータにより
測定したところ、それぞれ非晶質及び垂直磁化膜となっ
ていることが確かめられた。
かくして得られたＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄
膜のカー回転角、角形比、及び保磁力を日本分光物製カ
ー回転測定装置により測定した。
膜のカー回転角、角形比、及び保磁力を日本分光物製カ
ー回転測定装置により測定した。
これらの結果は第１表に示す通りである。
Φ印は本発明の範囲外のものである。
第１表中、試料番号１〜４はカー回転角Ｘ角形比が大き
いため、実用上のＳＮ比に優れ、商品質・高感度の情報
再生能力が得られる。加えて、保磁力も大きいため書き
込まれた微小な反転磁区が安定に保持され、高密度記録
に好適であることが判った。
いため、実用上のＳＮ比に優れ、商品質・高感度の情報
再生能力が得られる。加えて、保磁力も大きいため書き
込まれた微小な反転磁区が安定に保持され、高密度記録
に好適であることが判った。
尚、試料番号１ ＯＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金
薄膜の組成は工ＣＰ （Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ ）発光分光分析により（ｔＭ
Ｏ，８０Ｔｂ ０．２０ ）０．２１６ （ＦｅＯ，８
２ＣＯＯ，１８）０．７８４ ’？’あった。
薄膜の組成は工ＣＰ （Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ ）発光分光分析により（ｔＭ
Ｏ，８０Ｔｂ ０．２０ ）０．２１６ （ＦｅＯ，８
２ＣＯＯ，１８）０．７８４ ’？’あった。
〔実施例２〕
実施例１と同一のマグネトロンスパッタリング装置を使
用し、基板（４）に第２表に示す正バイアスを印加した
。
用し、基板（４）に第２表に示す正バイアスを印加した
。
本実施例においても、実施例１と同様に０１製円板上に
Ｔｂ製角形チップが載置された第１ターゲツト（２）及
びＦｅ製円板上にＣｏ製角形チップが載置された第２タ
ーゲツト（３）が用いられたが、基板（４）に正バイア
スが印加されることに起因して、一段と酸素が取り込ま
れて多くの非磁性希土類金属酸化物が形成されるため、
Ｘ線光電子分光法（ｘｐｓ法）により、遷移金属及び希
土類金属から成る金属単体のピークと、それらの酸化物
のピークを識別して、この金属単体が実施例１と同様な
組成となルヨうに、即ち、（Ｇｄ ｏ、ｓｏ Ｔｔｙｏ
、ｇｏ） ｚ （Ｆｅａ８ｇＣｏｏ、＋ｅ ）＋ −ｚ
１Ｚ ＝ ０．２１６±０．００５の範囲になるよう
にＴＩ）［角形チップ及びＣｏ製角形チップのそれぞれ
の大きさ及び数を設定した。
Ｔｂ製角形チップが載置された第１ターゲツト（２）及
びＦｅ製円板上にＣｏ製角形チップが載置された第２タ
ーゲツト（３）が用いられたが、基板（４）に正バイア
スが印加されることに起因して、一段と酸素が取り込ま
れて多くの非磁性希土類金属酸化物が形成されるため、
Ｘ線光電子分光法（ｘｐｓ法）により、遷移金属及び希
土類金属から成る金属単体のピークと、それらの酸化物
のピークを識別して、この金属単体が実施例１と同様な
組成となルヨうに、即ち、（Ｇｄ ｏ、ｓｏ Ｔｔｙｏ
、ｇｏ） ｚ （Ｆｅａ８ｇＣｏｏ、＋ｅ ）＋ −ｚ
１Ｚ ＝ ０．２１６±０．００５の範囲になるよう
にＴＩ）［角形チップ及びＣｏ製角形チップのそれぞれ
の大きさ及び数を設定した。
上記以外は実施例１と同様にして基板（４１上にＧｄ−
Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜を形成した。
Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜を形成した。
かかるＧｃｌ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜をＸ線
回折及びトルフメータにより測定したところ、非晶質垂
直磁化膜となっていることが確かめられた。この合金薄
膜のカー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第２表
薔こ示す通りである。
回折及びトルフメータにより測定したところ、非晶質垂
直磁化膜となっていることが確かめられた。この合金薄
膜のカー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第２表
薔こ示す通りである。
第 ２ 表
第２表から明らかな通り、試料番号７〜９はカー回転角
Ｘ角形比が０．４以上であるため、実用上のＳＮ比に優
れ、 高品質ｅ高感度の情報再生能力が得られ、且つ保
磁力も大きいため、書き込まれた微小な反転磁区が安定
に保持され、高密度記録に好適であることが判った。
Ｘ角形比が０．４以上であるため、実用上のＳＮ比に優
れ、 高品質ｅ高感度の情報再生能力が得られ、且つ保
磁力も大きいため、書き込まれた微小な反転磁区が安定
に保持され、高密度記録に好適であることが判った。
実施例と同一のマグネトロンスパッタリング装置を使用
し、ターゲットとしてＧｔｌ、Ｃｏから成る第１ターゲ
ツト及びＴｂ、Ｆｅから成る第２ターゲツトに代替した
。具体的には、第１ターゲツトとして１００φＸ３ｆｌ
のＧｄ製円板の上にｌ０ＸＩＯＸＩｎのＣｏ製角形チッ
プが６個載置されたもの、第２ターゲツトとして１００
φＸ３ｆｌのＦｅ製円板の上に１０ Ｘ １０ Ｘ １
ｆｆのＴｂ製角形チップが６個載置されたものを用い
た。そして、プレスパツタ後、実施例１と剛１こ基板の
回転速度、Ａｒガス圧を設定し、高周波電力については
第１ターゲツトに１５０ Ｗ 、第２ターゲツトに３５
０Ｗ印加し、制バイアスにて非晶質垂直磁化膜（第３表
中、試料番号１６に相当する）を得た。かかる試料番号
１６の組成はＩＣｐ発光分光分析により（Ｇｄｏ、ＰＯ
Ｔｂｏ、ｓ＋ｏ ）ｏ１ｇ＋３（Ｆｅｏ、ａｌＩＣｏｏ
、ｔｅ ）０．？Ｒ７テあツｆｔ−０次に、上記条件の
まま、第３表に示す−ｌＯ乃至−１ｏｏｖの負バイアス
を印加して試料番号１７〜２２の非晶質垂直磁化膜を得
た。
し、ターゲットとしてＧｔｌ、Ｃｏから成る第１ターゲ
ツト及びＴｂ、Ｆｅから成る第２ターゲツトに代替した
。具体的には、第１ターゲツトとして１００φＸ３ｆｌ
のＧｄ製円板の上にｌ０ＸＩＯＸＩｎのＣｏ製角形チッ
プが６個載置されたもの、第２ターゲツトとして１００
φＸ３ｆｌのＦｅ製円板の上に１０ Ｘ １０ Ｘ １
ｆｆのＴｂ製角形チップが６個載置されたものを用い
た。そして、プレスパツタ後、実施例１と剛１こ基板の
回転速度、Ａｒガス圧を設定し、高周波電力については
第１ターゲツトに１５０ Ｗ 、第２ターゲツトに３５
０Ｗ印加し、制バイアスにて非晶質垂直磁化膜（第３表
中、試料番号１６に相当する）を得た。かかる試料番号
１６の組成はＩＣｐ発光分光分析により（Ｇｄｏ、ＰＯ
Ｔｂｏ、ｓ＋ｏ ）ｏ１ｇ＋３（Ｆｅｏ、ａｌＩＣｏｏ
、ｔｅ ）０．？Ｒ７テあツｆｔ−０次に、上記条件の
まま、第３表に示す−ｌＯ乃至−１ｏｏｖの負バイアス
を印加して試料番号１７〜２２の非晶質垂直磁化膜を得
た。
次いで、この製造条件のうち、ＸＰＳ法による金属単体
の分析組成が（Ｇｄｘ Ｔｂ ＋ −ｘ ）ｚ （Ｆｅ
ｙ Ｃ。
の分析組成が（Ｇｄｘ Ｔｂ ＋ −ｘ ）ｚ （Ｆｅ
ｙ Ｃ。
１−ｙ）＋−ｚ
ｘ ＝ ｏ、ｓｏ±０．０１ ３’ ＝ ０．８２±０
．０１ 、Ｚ ＝ ０．２１３±０．００５の範囲にな
るように、高周波電力、並び−こ各ターゲット中のチッ
プの枚数及び形状を変更すると共に、基板に第３表に示
す正バイアスを印加することにより、試料番号１２〜１
５の非晶質垂直磁化膜を得た。
．０１ 、Ｚ ＝ ０．２１３±０．００５の範囲にな
るように、高周波電力、並び−こ各ターゲット中のチッ
プの枚数及び形状を変更すると共に、基板に第３表に示
す正バイアスを印加することにより、試料番号１２〜１
５の非晶質垂直磁化膜を得た。
かくして得られたＧα−Ｔｂ −Ｆｅ −ｃｏ合金薄膜
のカー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第３表に
示す通りである。
のカー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第３表に
示す通りである。
同表から明らかな通り、いずれもカー回転角Ｘ角形比が
０．３以下で、且つ保磁力も小さいことがわかった。
０．３以下で、且つ保磁力も小さいことがわかった。
以上の実施例及び比較例が示す通り、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法によれば、Ｇα−Ｔｂから成る第１タ
ーゲツト及びＦｅ −Ｃｏから成る第２ターゲツトの複
合ターゲットとし、且つ基板に印加されるバイアス電圧
を一４０Ｖ〜＋５ｏ ｖ （ｏを含む）としたことによ
り、カー回転角が大きいとともに、保磁力及び角形比に
優れ、書き込まれた微小ビットが安定に保持されるのに
損保って、記録密度が顕著に向上した光磁気記録媒体が
得られる。
録媒体の製造方法によれば、Ｇα−Ｔｂから成る第１タ
ーゲツト及びＦｅ −Ｃｏから成る第２ターゲツトの複
合ターゲットとし、且つ基板に印加されるバイアス電圧
を一４０Ｖ〜＋５ｏ ｖ （ｏを含む）としたことによ
り、カー回転角が大きいとともに、保磁力及び角形比に
優れ、書き込まれた微小ビットが安定に保持されるのに
損保って、記録密度が顕著に向上した光磁気記録媒体が
得られる。
更に、基板に対し無バイアスとすると、バイアス用電源
が不要となったばかりか、基板がブヲスチック、ガフス
などの絶縁材料であっても、その基板表面に、Ａｕ 、
Ａｇ 、 ＡＪの蒸着等、バイアス印加のための導電
性処理を施す必要がなく、製造工程の簡略孔が図られる
。
が不要となったばかりか、基板がブヲスチック、ガフス
などの絶縁材料であっても、その基板表面に、Ａｕ 、
Ａｇ 、 ＡＪの蒸着等、バイアス印加のための導電
性処理を施す必要がなく、製造工程の簡略孔が図られる
。
第１図は光磁気記録媒体を生成するためのマグネトロン
ヌパツタリング装置の概略図、１２図は本発明に係るタ
ーゲットの構成の一例を示す概略平面図である。 ２・・・第１ターゲツト、３・・・第２ターゲツト、４
・・・基板、５・・・遮蔽板 特許出願人 京セ ラ株式会社 同 桜 井 良 文 第２図 Ａ Ｂ 手続補正書（自発） 昭和５８年９月１１ 日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ｍ ｌ、事件の表示 昭和５８年特許願第１３９１１６号２
、発明の名称 光磁気記録媒体の製造方法３、補正をす
る者 事件との関係 特許代表出願人 ４、補正命令の日付 自 発 ５、補正の対象 ６、補正の内容 （１） 明細畜牛第８頁第２０行目の「微小ビット」を
「微小ビット」と補正する。 （２） 明細畜牛第９頁第２０行目の「トルフメータ」
を「トルクメータ」と補正する。 。 （３）明細畜牛第１０頁第５行目の「カー回転測定装置
」を「カー回転角測定装置」と補正する。 （４） 明細豊中第１Ｏ頁下から第１行目の「商品質」
を「高品質」と補正する。 明細書中箱１２頁第１０行目のしトルフメータ」を「ト
ルクメータ」と補正する。 以上
ヌパツタリング装置の概略図、１２図は本発明に係るタ
ーゲットの構成の一例を示す概略平面図である。 ２・・・第１ターゲツト、３・・・第２ターゲツト、４
・・・基板、５・・・遮蔽板 特許出願人 京セ ラ株式会社 同 桜 井 良 文 第２図 Ａ Ｂ 手続補正書（自発） 昭和５８年９月１１ 日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ｍ ｌ、事件の表示 昭和５８年特許願第１３９１１６号２
、発明の名称 光磁気記録媒体の製造方法３、補正をす
る者 事件との関係 特許代表出願人 ４、補正命令の日付 自 発 ５、補正の対象 ６、補正の内容 （１） 明細畜牛第８頁第２０行目の「微小ビット」を
「微小ビット」と補正する。 （２） 明細畜牛第９頁第２０行目の「トルフメータ」
を「トルクメータ」と補正する。 。 （３）明細畜牛第１０頁第５行目の「カー回転測定装置
」を「カー回転角測定装置」と補正する。 （４） 明細豊中第１Ｏ頁下から第１行目の「商品質」
を「高品質」と補正する。 明細書中箱１２頁第１０行目のしトルフメータ」を「ト
ルクメータ」と補正する。 以上
Claims (1)
- ターゲットと基板の間に高周波電圧を印加させ、マグネ
トロンスパッタリング法により該基板上に膜面と垂直な
方向に磁化容易軸を有するＧｄ −ＴＩ）−Ｆｅ −Ｃ
ｏ四元系非晶質合金薄膜を形成する光磁気記録媒体の製
造方法において、前記ターゲットがＧｄ、Ｔｂから成る
第１ターゲツトと、Ｆｅ豐ＣＯから成る第２ターゲツト
の複数で構成されると共に、前記基板に＋５０〜−４０
Ｖ （０を含む）の直流電圧を印加してＧｄ −ＴＩ
） −Ｆｅ−Ｃｏ四元系非晶質合金薄膜を形成すること
を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13911683A JPS6029956A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13911683A JPS6029956A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20134483A Division JPS6035354A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029956A true JPS6029956A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15237863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13911683A Pending JPS6029956A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029956A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253654A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 光熱磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61296551A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-27 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子の製造方法 |
| JPH01283371A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
| JPH01289140A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 配線層及びその製法 |
| JPH0816266B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1996-02-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置 |
| US6139949A (en) * | 1989-02-10 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto optical recording medium |
| JP5886426B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-03-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置 |
| JP2022522423A (ja) * | 2019-03-01 | 2022-04-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 物理気相堆積システム及びプロセス |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP13911683A patent/JPS6029956A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253654A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 光熱磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61296551A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-27 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子の製造方法 |
| JPH01283371A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
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| US6139949A (en) * | 1989-02-10 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto optical recording medium |
| JPH0816266B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1996-02-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置 |
| JP5886426B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-03-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置 |
| US9379279B2 (en) | 2012-06-26 | 2016-06-28 | Canon Anelva Corporation | Epitaxial film forming method, sputtering apparatus, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element, and illumination device |
| JP2022522423A (ja) * | 2019-03-01 | 2022-04-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 物理気相堆積システム及びプロセス |
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