JPS6035354A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6035354A JPS6035354A JP20134483A JP20134483A JPS6035354A JP S6035354 A JPS6035354 A JP S6035354A JP 20134483 A JP20134483 A JP 20134483A JP 20134483 A JP20134483 A JP 20134483A JP S6035354 A JPS6035354 A JP S6035354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- recording medium
- targets
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＯｄ −ＴＩ） −Ｆ’ｅ −Ｃｏ四元糸非晶
質合金から成る光磁気記録媒体に関するものである。
質合金から成る光磁気記録媒体に関するものである。
近年、大量の情報を高密度蚤こ記録するため、レーザー
光を投光して記録媒体を局部加熱することによりビット
を書き込み、磁気光学効果を利用して読み出すという光
磁気記録が研究開発されてし）る。その記録媒体に希土
類−遷移金属から成る非晶質膜があり、量産に適し且つ
読み出し１こノイズが少ないなどの利点を有し、非常に
注目されて０る。
光を投光して記録媒体を局部加熱することによりビット
を書き込み、磁気光学効果を利用して読み出すという光
磁気記録が研究開発されてし）る。その記録媒体に希土
類−遷移金属から成る非晶質膜があり、量産に適し且つ
読み出し１こノイズが少ないなどの利点を有し、非常に
注目されて０る。
そこで、先に本発明者等はＣＭ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃ
。
。
四冗糸非晶質合金（以下、Ｇ（１−“ｒｂ −Ｆｅ−Ｃ
ｏ合金と略す）がカー回転角に優れた特性を具備してい
ることを知見したが、更に、鋭意研究嘔こ努めだ結果、
マグネトロンスパッタリング法１こよれ（ｆ。
ｏ合金と略す）がカー回転角に優れた特性を具備してい
ることを知見したが、更に、鋭意研究嘔こ努めだ結果、
マグネトロンスパッタリング法１こよれ（ｆ。
カー回転角に加えて、角形比及び保磁山にも優れた特性
のＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金が得られることを
見い出した。
のＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金が得られることを
見い出した。
本発明は上記知見に基づき、再生特性１こおｌ、Ｎてカ
ー回転角が大きいという利点を有するとともに、記録特
性においてもＴｂ−Ｆｅと同等の高保磁力を有し且つ角
形比にも優れ、その結果、書き込まれた微小ビットが安
定に保持されるのに相撲って、記録密度の向上した光磁
気記録媒体を提供することを目的とするものである。
ー回転角が大きいという利点を有するとともに、記録特
性においてもＴｂ−Ｆｅと同等の高保磁力を有し且つ角
形比にも優れ、その結果、書き込まれた微小ビットが安
定に保持されるのに相撲って、記録密度の向上した光磁
気記録媒体を提供することを目的とするものである。
本発明の要旨は、ターゲットと基板の間に高周波電圧を
印加させ、マグネトロンスパッタリング法により該基板
上に膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有するＧｄ −Ｔ
ｂ ＝ Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜を形成した光磁気記録媒
体について、カー回転角Ｘ角形比が０．３５°以上、且
つ保磁力が２．ＯＫ、Ｏｅ以上であることを特徴とする
光磁気記録媒体を提供することにある。
印加させ、マグネトロンスパッタリング法により該基板
上に膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有するＧｄ −Ｔ
ｂ ＝ Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜を形成した光磁気記録媒
体について、カー回転角Ｘ角形比が０．３５°以上、且
つ保磁力が２．ＯＫ、Ｏｅ以上であることを特徴とする
光磁気記録媒体を提供することにある。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明によれば、基板上に膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有するＧｃｌ −Ｔｂ −Ｆｅ−Ｃｏ合金薄膜を形
成した光磁気記録媒体について、後述のマグネトロンス
パッタリング法によって一段と優れた特性が得られる。
軸を有するＧｃｌ −Ｔｂ −Ｆｅ−Ｃｏ合金薄膜を形
成した光磁気記録媒体について、後述のマグネトロンス
パッタリング法によって一段と優れた特性が得られる。
即ち、カー回転角Ｘ角形比が０．３５〜０．４５°にな
り、実用上のＳＮ比に優れ、高品質・高感度の情報再生
能力が得られるのに加え、保持力が２．０〜７．０ Ｋ
Ｏｅにまで向上し、書き込まれた微小な反転磁区が安定
１こ保持され、高密度記録に好適な光磁気記録媒体が提
供される。
り、実用上のＳＮ比に優れ、高品質・高感度の情報再生
能力が得られるのに加え、保持力が２．０〜７．０ Ｋ
Ｏｅにまで向上し、書き込まれた微小な反転磁区が安定
１こ保持され、高密度記録に好適な光磁気記録媒体が提
供される。
次に、上記光磁気記録媒体の製法を、第１図により説明
する。
する。
第１図は（Ａ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜を生成
するためのマグネトロンスパッタリング装置であり、図
中、真空槽（１）の内部にはＧＣｌ、Ｔｂから成る第１
ターゲツト（２）、Ｆｅ、Ｃｏから成る第２ターゲツト
（３）、回転駆動さレルとともＩＣＧｄ −Ｔｂ −Ｆ
ｅ −Ｃ０合金薄膜が形成される円板状の基板（４）、
及び回転自在の円板状遮蔽板（５）が配置されている。
するためのマグネトロンスパッタリング装置であり、図
中、真空槽（１）の内部にはＧＣｌ、Ｔｂから成る第１
ターゲツト（２）、Ｆｅ、Ｃｏから成る第２ターゲツト
（３）、回転駆動さレルとともＩＣＧｄ −Ｔｂ −Ｆ
ｅ −Ｃ０合金薄膜が形成される円板状の基板（４）、
及び回転自在の円板状遮蔽板（５）が配置されている。
前記遮蔽板（５）には第１．２ターゲッＩ−（２１［３
１のそれぞれの真上に一対の円状貫通孔（６）が形成さ
れており、成膜中には第１．２ターゲツ） （２） ＋
３１から飛散した各種金属がこの貫通孔（６）を通過し
、回転する基板（４）上に蒸着されるが、プレスパツタ
時には、前記遮蔽板（５）を約９０°回転させることに
より、第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋３１から飛散し
た金属は遮蔽板（５目こより遮蔽され、基板（４）上に
は蒸着されないようになっている。
１のそれぞれの真上に一対の円状貫通孔（６）が形成さ
れており、成膜中には第１．２ターゲツ） （２） ＋
３１から飛散した各種金属がこの貫通孔（６）を通過し
、回転する基板（４）上に蒸着されるが、プレスパツタ
時には、前記遮蔽板（５）を約９０°回転させることに
より、第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋３１から飛散し
た金属は遮蔽板（５目こより遮蔽され、基板（４）上に
は蒸着されないようになっている。
第１ターゲツト（２）と基板（４）、並びに第２ターゲ
ツト（３）と基板（４）の間には、それぞれ高周波電源
（７）（８）により高周波電圧が印加されるとともに、
基板（４）に対しＣ正もしくは負のバイアス電圧を印加
することができるように直流電源（９）が付設しである
。
ツト（３）と基板（４）の間には、それぞれ高周波電源
（７）（８）により高周波電圧が印加されるとともに、
基板（４）に対しＣ正もしくは負のバイアス電圧を印加
することができるように直流電源（９）が付設しである
。
この第１．２ターゲツト＋２１ ＋３１の下側には、プ
レーナーマグネトロン型カソードに基づき、アルニコ、
フェライト、サマリウムコバルト製の永久磁石Ｕ［ＩＯ
，１１が備えつけられ、これにより電場と磁場の直交す
るペニング放電現象を利用して放電ガス分子のイオン化
効率が高められ、量産に適した高速成膜が可能となる。
レーナーマグネトロン型カソードに基づき、アルニコ、
フェライト、サマリウムコバルト製の永久磁石Ｕ［ＩＯ
，１１が備えつけられ、これにより電場と磁場の直交す
るペニング放電現象を利用して放電ガス分子のイオン化
効率が高められ、量産に適した高速成膜が可能となる。
本発明において使用されるＧ′：１．Ｔｌ）から成る第
１ターゲツト（２）は、例えば第２図（Ａ）に示すよう
に、の角形状のＴｂ製チップ（１３を適当な数だけ載置
して構成されている。また、Ｆｅ、Ｃｏから成る第２タ
ーゲツト（３）は、例えば第２図（Ｂ）に示すように、
角形状のＣＯ製チップ住９を適当な数だけ載置して構成
されている。
１ターゲツト（２）は、例えば第２図（Ａ）に示すよう
に、の角形状のＴｂ製チップ（１３を適当な数だけ載置
して構成されている。また、Ｆｅ、Ｃｏから成る第２タ
ーゲツト（３）は、例えば第２図（Ｂ）に示すように、
角形状のＣＯ製チップ住９を適当な数だけ載置して構成
されている。
なお、前記第１ターゲツト（２）は、 ＴＩ）製円板の
上にＧＣＬ［チップを載置したもの、また前記第２ター
ゲツト（３）はｃｏ製内円板上にＦｅ製チップを載置し
たものであってもよく、更に前記チップの形状を角形状
に代えて扇形状等任意の形状に変更してもよい。この他
、第１．２ターゲツ？ ＋２１ （３１のそれぞれをｕ
ｄ−Ｔｂ合金及びＦｅ −Ｃｏ合金から成る円板により
構成しても同等の効果が達成される。
上にＧＣＬ［チップを載置したもの、また前記第２ター
ゲツト（３）はｃｏ製内円板上にＦｅ製チップを載置し
たものであってもよく、更に前記チップの形状を角形状
に代えて扇形状等任意の形状に変更してもよい。この他
、第１．２ターゲツ？ ＋２１ （３１のそれぞれをｕ
ｄ−Ｔｂ合金及びＦｅ −Ｃｏ合金から成る円板により
構成しても同等の効果が達成される。
次＋Ｃ，上記のマグネトロンスパッタリング装置の操作
を説明する。先ず、真空槽（１）が約Ｉ Ｘ １０＝’
ｒｏｒｒ以下まで真空引きされた後、その内部に高純度
のＡｒガス及び／又はＮ２ガスを、或いは必要に応じ垂
直磁気異方性エネルギの大きさを制御するためＮ２ガス
を混合して導入し、（以下、これら導入ガスを雰囲気ガ
スと略す）、真空槽（１）内部を所定のガス圧に保持す
る。引続いて遮蔽板（５）を約９０°回転させ、基板（
４）を遮蔽した状態で第１゜２ターゲツＩ−＋２１ ＋
３１をプレスパ・７タし、それぞれのターゲット表面の
酸化物層などをエツチングする。
を説明する。先ず、真空槽（１）が約Ｉ Ｘ １０＝’
ｒｏｒｒ以下まで真空引きされた後、その内部に高純度
のＡｒガス及び／又はＮ２ガスを、或いは必要に応じ垂
直磁気異方性エネルギの大きさを制御するためＮ２ガス
を混合して導入し、（以下、これら導入ガスを雰囲気ガ
スと略す）、真空槽（１）内部を所定のガス圧に保持す
る。引続いて遮蔽板（５）を約９０°回転させ、基板（
４）を遮蔽した状態で第１゜２ターゲツＩ−＋２１ ＋
３１をプレスパ・７タし、それぞれのターゲット表面の
酸化物層などをエツチングする。
その後、一対の貝通孔（６）をそれぞれの第１．２ター
ゲツＩ−＋２＋ ＋３１の真上へくるように遮蔽板（５
）を回転、配置する。次いで、適当な成膜速度となるよ
うに所定の基板回転数と高周波電力をセットして、所定
時間、第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋３１に対し同時
放電させる。これにより、雰囲気ガスがプラズマとなり
、その正イオンが第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋３１
を叩きつけ、放出した各種ターゲット材料が基板（４）
上に蒸着される。
ゲツＩ−＋２＋ ＋３１の真上へくるように遮蔽板（５
）を回転、配置する。次いで、適当な成膜速度となるよ
うに所定の基板回転数と高周波電力をセットして、所定
時間、第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋３１に対し同時
放電させる。これにより、雰囲気ガスがプラズマとなり
、その正イオンが第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋３１
を叩きつけ、放出した各種ターゲット材料が基板（４）
上に蒸着される。
本発明においては、カー回転角が大きく、且つ品保持力
、角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るために
、成膜中に直流電源（９）により基板（４）に印加され
るバイアス電圧を−４０Ｖ乃至＋５０Ｖとするのがよく
、最も好適な範囲は一３０Ｖ乃至＋１０ｖ、（無バイア
スを含む）がよい。
、角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るために
、成膜中に直流電源（９）により基板（４）に印加され
るバイアス電圧を−４０Ｖ乃至＋５０Ｖとするのがよく
、最も好適な範囲は一３０Ｖ乃至＋１０ｖ、（無バイア
スを含む）がよい。
また雰囲気ガス圧はＩ Ｘ １０ ＴＯｒｒ未満では安
定な放電状態が得られず、成膜が困難となり、５０Ｘ
１０ Ｔｏｒｒを越えると、磁性薄膜中に含まれるアル
ゴン（Ａｒ）や窒素（９））、並びに酸素（０）が増加
して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大きな保８ 磁力を得ることがむずかしくなるため、１×１０〜５０
Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ 、好適ニハ３×１０〜２０×
ｌＯ″′８’ｒｏｒｒの範囲に設定される。
定な放電状態が得られず、成膜が困難となり、５０Ｘ
１０ Ｔｏｒｒを越えると、磁性薄膜中に含まれるアル
ゴン（Ａｒ）や窒素（９））、並びに酸素（０）が増加
して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大きな保８ 磁力を得ることがむずかしくなるため、１×１０〜５０
Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ 、好適ニハ３×１０〜２０×
ｌＯ″′８’ｒｏｒｒの範囲に設定される。
Ｇｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜の成膜速度（よ
基板なるように基板の回転速度が設定される。なお、○ ０、ＩＡ／回転未満では不純物が導入されやすくなるた
めに垂直磁化膜の形成が困難となり、３０Ａ／回転を越
えると、（Ｇｄ −Ｔｂ ）膜と（Ｆｅ −Ｃｏ、）膜
から成る積層膜が有する劣化特性カイあらＡ）れ（まじ
め且つ垂直磁化膜を形成するのか困噛となる。
基板なるように基板の回転速度が設定される。なお、○ ０、ＩＡ／回転未満では不純物が導入されやすくなるた
めに垂直磁化膜の形成が困難となり、３０Ａ／回転を越
えると、（Ｇｄ −Ｔｂ ）膜と（Ｆｅ −Ｃｏ、）膜
から成る積層膜が有する劣化特性カイあらＡ）れ（まじ
め且つ垂直磁化膜を形成するのか困噛となる。
成膜中の基板（４）の温度は２００℃以下に設定される
。２００℃を越えると非晶質構造の緩和力（みられ、保
磁力の大きな膜を製作するのが困難である。
。２００℃を越えると非晶質構造の緩和力（みられ、保
磁力の大きな膜を製作するのが困難である。
また、成膜中には、第１ターゲ・ノド（２）と基４反（
４）の間、及び第２ターゲツト（３）と基板（４）のＩ
ＩＩＩ ｌこ、シ）ずれも１００Ｗ〜５ ｋＷの高周波
電力カ５印加される。
４）の間、及び第２ターゲツト（３）と基板（４）のＩ
ＩＩＩ ｌこ、シ）ずれも１００Ｗ〜５ ｋＷの高周波
電力カ５印加される。
かくして本発明による複合タープ・ントをプレスパツタ
した後、雰囲気ガスの圧力、高周波電力、並びにバイア
ス電圧（無バイアスを含む）をそれぞれ所定範囲内に設
定することにより、基板上に特有の非晶質形態を成した
（Ａ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜となる条件が設
定され、かかる条件により製作されたＧｄ −Ｔｂ −
Ｆｅ −Ｃ！ｏ合金薄膜は再生特性においてカー回転角
が大きいという利点の他、記録特性においても高保磁力
や角形比に優れていることに起因して、書き込まれた微
小ピッドが安定に保持された高密度記録に好適な光磁気
記録媒体と成り得る。
した後、雰囲気ガスの圧力、高周波電力、並びにバイア
ス電圧（無バイアスを含む）をそれぞれ所定範囲内に設
定することにより、基板上に特有の非晶質形態を成した
（Ａ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜となる条件が設
定され、かかる条件により製作されたＧｄ −Ｔｂ −
Ｆｅ −Ｃ！ｏ合金薄膜は再生特性においてカー回転角
が大きいという利点の他、記録特性においても高保磁力
や角形比に優れていることに起因して、書き込まれた微
小ピッドが安定に保持された高密度記録に好適な光磁気
記録媒体と成り得る。
次に本発明の実施例について述べる。
〔実施例１〕
上述した第１図に示すマグネトロンスパッタリング装置
を使用し、第１ターゲツト（２）としては、１００φ×
３＃ｍのＧｄ製円板（１２１の上にｌ０ＸＩＯＸＩＱの
Ｔｔ）側角形チップ（１３１が６個載置されたもの、第
２ターゲツト（３）としてｉｏｏφＸ３ａｌのＦｅ製円
板Ｉの上に１０ Ｘ １０ Ｘ １ ｔｍのＣＯ製角形
チップ（１５１が６個載置されたものを用いた。
を使用し、第１ターゲツト（２）としては、１００φ×
３＃ｍのＧｄ製円板（１２１の上にｌ０ＸＩＯＸＩＱの
Ｔｔ）側角形チップ（１３１が６個載置されたもの、第
２ターゲツト（３）としてｉｏｏφＸ３ａｌのＦｅ製円
板Ｉの上に１０ Ｘ １０ Ｘ １ ｔｍのＣＯ製角形
チップ（１５１が６個載置されたものを用いた。
真空槽（１）内のガス圧はＡｒガス圧７ Ｘ １０．
Ｔｏｒｒに設定され、プレスパツタ後、基板（４）を５
Ｑ ｒｐｍで回転しつつ、第１ターゲツト（２）に実効
の高周波電力３２Ｗ、第２ターゲツト（３）に実効の高
周波電力３５０Ｗを印加し、更に、基板（４）に第１表
に社員バイアスの直流電圧を印加もしくは無バイアスと
し、基板（４）上にＣＭ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金
薄膜を形成した。尚、本実施例で得られたＧα−Ｔｂ
−ＦｅＣｏ合金薄膜をＸ線回折及びトルクメータにより
測定したところ、それぞれ非晶質及び垂直磁化膜となっ
ていることが確かめられた。
Ｔｏｒｒに設定され、プレスパツタ後、基板（４）を５
Ｑ ｒｐｍで回転しつつ、第１ターゲツト（２）に実効
の高周波電力３２Ｗ、第２ターゲツト（３）に実効の高
周波電力３５０Ｗを印加し、更に、基板（４）に第１表
に社員バイアスの直流電圧を印加もしくは無バイアスと
し、基板（４）上にＣＭ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金
薄膜を形成した。尚、本実施例で得られたＧα−Ｔｂ
−ＦｅＣｏ合金薄膜をＸ線回折及びトルクメータにより
測定したところ、それぞれ非晶質及び垂直磁化膜となっ
ていることが確かめられた。
かくして得られた上−Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜、
のカー回転角、角形比、及び保磁力を日本分光■□製カ
ー回転角測定装置により測定した。
のカー回転角、角形比、及び保磁力を日本分光■□製カ
ー回転角測定装置により測定した。
これらの結果は第１表に示す通りである。
第１表中、試料番号１〜４はカー回転角Ｘ角形比か大き
いため、実用上のＳＮ比に優れ、高品質Φ高感度の情報
再生能力が得られる。加えて、保磁力も大きいため書き
込まれた微小な反転磁区が安定に保持され、高密度記録
に好適であることが判った。
いため、実用上のＳＮ比に優れ、高品質Φ高感度の情報
再生能力が得られる。加えて、保磁力も大きいため書き
込まれた微小な反転磁区が安定に保持され、高密度記録
に好適であることが判った。
尚、試料番号Ｉ Ｉ） Ｇｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ
合金薄膜の組成はＩＣｐ （工ｎｄｕｃｔｉ、ｏｎ Ｏ
ｏｕ、ｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ、）発光分光分析１ｃ
、ｔ リ（Ｇｄ Ｏ，８０Ｔｂ ０．２０ ）０．２１
６ （ＦｅＯ，８２Ｃｏ０．１８ ） ０．７８４であ
った。
合金薄膜の組成はＩＣｐ （工ｎｄｕｃｔｉ、ｏｎ Ｏ
ｏｕ、ｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ、）発光分光分析１ｃ
、ｔ リ（Ｇｄ Ｏ，８０Ｔｂ ０．２０ ）０．２１
６ （ＦｅＯ，８２Ｃｏ０．１８ ） ０．７８４であ
った。
〔実施例２〕
実施例１と同一のマグネトロンスパッタリング装置を使
用し、基板（４）に第２表に示す正バイアスを印加した
。
用し、基板（４）に第２表に示す正バイアスを印加した
。
本実施例においても、実施例１と同様に別製円板上にＴ
ｂ和製角形チップ載置された第１ターゲツト（２）及び
Ｆｅ ［円板上にＣｏ１１ｌｌ角形チツプが載置された
第２ターゲツト（３）が用いられたが、基板（４）に正
バイアスが印加されることに起因して、一段と酸素が取
り込まれて多くの非磁性希土類金属酸化石が形成される
ため、ＸＩａ光電子分光法（ＸＰＳ法）により、遷移金
属及び希土類金属から成る金属単体のピークと、それら
の酸化物のピークを識別して、この金属単体が実施例１
と同様な組成となるように、即ち、（（ｋｌＯ，８０Ｔ
ｂ Ｏ，２０） Ｚ （Ｆｅ Ｏ，８２Ｃｏ Ｏ，１８
） １−Ｚ 、 Ｚ ＝ ０．２１６ ＋ ０．００５
ノ範囲ＣコナルようにＴＩ）［角形チップ及びＣｏ製
角形チップのそれぞれの大きさ及び数を設定した。
ｂ和製角形チップ載置された第１ターゲツト（２）及び
Ｆｅ ［円板上にＣｏ１１ｌｌ角形チツプが載置された
第２ターゲツト（３）が用いられたが、基板（４）に正
バイアスが印加されることに起因して、一段と酸素が取
り込まれて多くの非磁性希土類金属酸化石が形成される
ため、ＸＩａ光電子分光法（ＸＰＳ法）により、遷移金
属及び希土類金属から成る金属単体のピークと、それら
の酸化物のピークを識別して、この金属単体が実施例１
と同様な組成となるように、即ち、（（ｋｌＯ，８０Ｔ
ｂ Ｏ，２０） Ｚ （Ｆｅ Ｏ，８２Ｃｏ Ｏ，１８
） １−Ｚ 、 Ｚ ＝ ０．２１６ ＋ ０．００５
ノ範囲ＣコナルようにＴＩ）［角形チップ及びＣｏ製
角形チップのそれぞれの大きさ及び数を設定した。
上記以外は実施例１と同様にして基板（４）上にＧｄ−
Ｔｂ −Ｆｅ −（Ｃｏ合金薄膜を形成した。
Ｔｂ −Ｆｅ −（Ｃｏ合金薄膜を形成した。
かかるＧα−Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄膜をＸ線回折
及びトルクメータにより測定したところ、非晶質垂直磁
化膜となっていることが確かめられた。この合金薄膜の
カー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第２表に示
す通りである。
及びトルクメータにより測定したところ、非晶質垂直磁
化膜となっていることが確かめられた。この合金薄膜の
カー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第２表に示
す通りである。
φ印は本発明の範囲外のものである。
第２表から明らかな通り、試料番号７〜９はカー回転角
Ｘ角形比が０．４以上であるため、実用上Ｏ８Ｎ比に優
れ、高品質・高感度の情報再生能力が得られ、且つ保磁
力も大きいため、書き込まれた微小な反転磁区が安定Ｉ
こ保持され、高密度記録に好適であることが判った。
Ｘ角形比が０．４以上であるため、実用上Ｏ８Ｎ比に優
れ、高品質・高感度の情報再生能力が得られ、且つ保磁
力も大きいため、書き込まれた微小な反転磁区が安定Ｉ
こ保持され、高密度記録に好適であることが判った。
実施例と同一のマグネトロンスパッタリング装置を使用
し、ターゲットとしてＧα、 Ｃｏから成る第１ターゲ
ツト及びＴｂ、Ｆｅから成る第２ターゲツトに代替した
。具体的には、第１ターゲツトとして１００φＸ ３
ＩＩ Ｌ０ＤＧｄ製円板の上にｌＯ×１０×１咽のＣｏ
製角形チップが６個載置されたもの、第２ターゲツトと
して１００φ×３＃ガのＦｅ製円板の上に１０ Ｘ １
０ Ｘ １ ｔｇｔｔｔの和製角形チップが６個載置さ
れたものを用いた。そして、プレスパツタ後、実施例１
と同様に基板の回転速度、 Ａｒガス圧を設定し、高周
波電力については第１ターゲ・７トに１５０Ｗ５第２タ
ーゲツトに３５０Ｗ印加し、無バイアスにて非晶質垂直
磁化膜（第３表中、試料番号工６に相当する）を得た。
し、ターゲットとしてＧα、 Ｃｏから成る第１ターゲ
ツト及びＴｂ、Ｆｅから成る第２ターゲツトに代替した
。具体的には、第１ターゲツトとして１００φＸ ３
ＩＩ Ｌ０ＤＧｄ製円板の上にｌＯ×１０×１咽のＣｏ
製角形チップが６個載置されたもの、第２ターゲツトと
して１００φ×３＃ガのＦｅ製円板の上に１０ Ｘ １
０ Ｘ １ ｔｇｔｔｔの和製角形チップが６個載置さ
れたものを用いた。そして、プレスパツタ後、実施例１
と同様に基板の回転速度、 Ａｒガス圧を設定し、高周
波電力については第１ターゲ・７トに１５０Ｗ５第２タ
ーゲツトに３５０Ｗ印加し、無バイアスにて非晶質垂直
磁化膜（第３表中、試料番号工６に相当する）を得た。
かかる試料番号１６の組成はＩＣｐ発光分光分析により
（（Ｊｄ Ｏ，８０Ｔ’ｂ Ｏ，２０）０．２１３（Ｆ
ｅ Ｏ，８２Ｃｏ Ｏ，１８） ０．７８７であった。
（（Ｊｄ Ｏ，８０Ｔ’ｂ Ｏ，２０）０．２１３（Ｆ
ｅ Ｏ，８２Ｃｏ Ｏ，１８） ０．７８７であった。
次に、上記条件のまま、第３表に示す一１Ｏ乃至−１０
０Ｖの負バイアスを印加して試料番号１７〜２２の非晶
質垂直磁化膜を得た。
０Ｖの負バイアスを印加して試料番号１７〜２２の非晶
質垂直磁化膜を得た。
次いで、この製造条件のうち、ＸＰＳ法による金に１単
体の分析組成が（（）ｃｌｘ Ｔｂ １−Ｘ ） Ｚ
（Ｆｅｙ Ｃ。
体の分析組成が（（）ｃｌｘ Ｔｂ １−Ｘ ） Ｚ
（Ｆｅｙ Ｃ。
１−３’ ）１−Ｚ Ｘ＝ ０．８０±０．０１ ｙ＝
０．８２±０．０１゜Ｚ ＝ ０．２１３±０．００
５の範囲になるように、高周波１’［ツバ並ひに各ター
ゲット中のチップの枚数及び形状を変更すると共に、基
板に第３表に示す正バイアスを印加することにより、試
料番号１２〜１５の非晶質垂直磁化膜を得た。
０．８２±０．０１゜Ｚ ＝ ０．２１３±０．００
５の範囲になるように、高周波１’［ツバ並ひに各ター
ゲット中のチップの枚数及び形状を変更すると共に、基
板に第３表に示す正バイアスを印加することにより、試
料番号１２〜１５の非晶質垂直磁化膜を得た。
かくして得られたＧｄ −Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ合金薄
膜のカー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第３表
に示す通りである。
膜のカー回転角、角形比及び保磁力の測定結果は第３表
に示す通りである。
同表から明らかな通り、いずれもカー回転角Ｘ角形比が
０．３以下で、且つ保磁力も小さいことがわかった。
０．３以下で、且つ保磁力も小さいことがわかった。
第 ３ 表
以上の実施例及び比較例が示す通り、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法によれば、Ｇ（１−’Ｉ’ｂから成る
坑ｌターゲット及びＦｅ −Ｃｏから成る第２ターゲツ
トの複合ターゲットとし、且つ基板に印加されるバイア
ス電圧を−４０Ｖ〜＋５０ Ｖ （０を含む）としたこ
とに上り、カー回転角が大きいとともに、保磁力及び角
形比に優れ、書き込まれた微小ビットが安定ｆこ保持さ
れるのに相撲って、記録密度が顕著に向上した光磁気記
録媒体が得られる。
録媒体の製造方法によれば、Ｇ（１−’Ｉ’ｂから成る
坑ｌターゲット及びＦｅ −Ｃｏから成る第２ターゲツ
トの複合ターゲットとし、且つ基板に印加されるバイア
ス電圧を−４０Ｖ〜＋５０ Ｖ （０を含む）としたこ
とに上り、カー回転角が大きいとともに、保磁力及び角
形比に優れ、書き込まれた微小ビットが安定ｆこ保持さ
れるのに相撲って、記録密度が顕著に向上した光磁気記
録媒体が得られる。
史に、基板に対し無バイアスとすると、バイアス用電源
が不要となったばかりか、基板がプラスチック、ガラス
などの絶縁材料であっても、その基板表面に、Ａｕ 、
Ａｇ 、 ＡＪの蒸着等、バイアス印加のだめの導電
性処理を施す必要がなく、製造工程の簡略化が図られる
。
が不要となったばかりか、基板がプラスチック、ガラス
などの絶縁材料であっても、その基板表面に、Ａｕ 、
Ａｇ 、 ＡＪの蒸着等、バイアス印加のだめの導電
性処理を施す必要がなく、製造工程の簡略化が図られる
。
第１図は光磁気記録媒体を生成するためのマグネトロン
スパッタリング装置の概略図、第２図は本発明に係るタ
ーゲットの構成の一例を示す概略平面図である。 ２・・・第１ターゲツト、３・・・第２ターゲツト、４
・・・基板、５・・・遮蔽板 第２図 Ａ Ｂ
スパッタリング装置の概略図、第２図は本発明に係るタ
ーゲットの構成の一例を示す概略平面図である。 ２・・・第１ターゲツト、３・・・第２ターゲツト、４
・・・基板、５・・・遮蔽板 第２図 Ａ Ｂ
Claims (3)
- （１） ターゲットと基板の間に高周波電圧を印加させ
、マグネトロンスパッタリング法により該基板上に膜面
と垂直な方向に磁化容易軸を有する母−ｉ’ｂ −Ｆｅ
−Ｃｏ四元系非晶質合金薄膜を形成した光磁気記録媒
体について、カー回転角Ｘ角形比が０．３５°以上、且
つ保磁力が２．ＯＫＯｅ以上であることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - （２）前記ターゲットがＧａ、Ｔｂから成る第１ターゲ
ツトと、Ｖ′θ、００から成る第２ターゲツトの複数で
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光磁気記録媒体。 - （３） 前記基板に＋５０〜−伯Ｖ（Ｑを含む）の直流
車圧を印加したことを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20134483A JPS6035354A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20134483A JPS6035354A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 光磁気記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13911683A Division JPS6029956A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035354A true JPS6035354A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=16439471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20134483A Pending JPS6035354A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035354A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253654A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 光熱磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6214350A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6273441A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 光磁気デイスク媒体の製造方法 |
| JPH01315051A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-12-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP20134483A patent/JPS6035354A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253654A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 光熱磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6214350A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6273441A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 光磁気デイスク媒体の製造方法 |
| JPH01315051A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-12-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4670356A (en) | Magneto-optical recording medium and method of making same | |
| Kadokura et al. | Deposition of Co-Cr films for perpendicular magnetic recording by improved opposing targets sputtering | |
| JPS6029956A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6035354A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5135819A (en) | Photomagnetic memory medium having a non-columnar structure | |
| JPH0454367B2 (ja) | ||
| JPS60101742A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS60101743A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS60187954A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPS62285253A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2738733B2 (ja) | 磁性膜 | |
| JPH0697647B2 (ja) | フエライト薄膜の製造方法 | |
| JPS63140076A (ja) | 垂直磁化膜 | |
| JPS6246449A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60125933A (ja) | 磁性媒体の製法 | |
| JP2702483B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| Ahn et al. | Study on magneto-optical TbFeCo thin films magnetron-sputtered from targets with low and high magnetic permeabilities | |
| Song et al. | Magnetic and magneto-optical properties of Tb-Fe-Co/Ta multilayers | |
| JPS60173745A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63164049A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS61296551A (ja) | 光磁気記録素子の製造方法 | |
| JPS60194505A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63266626A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6224432A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS63452A (ja) | 磁性薄膜の製造方法 |