JPS6246449A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6246449A JPS6246449A JP18643285A JP18643285A JPS6246449A JP S6246449 A JPS6246449 A JP S6246449A JP 18643285 A JP18643285 A JP 18643285A JP 18643285 A JP18643285 A JP 18643285A JP S6246449 A JPS6246449 A JP S6246449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- recording medium
- targets
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は光磁気記録媒体に関するものである。
口、従来技術
光ディスクは、高密度、大容量、高速アクセスの特徴を
持ち、種々の研究開発が行われている。
持ち、種々の研究開発が行われている。
このうち、一度だけ追加記録できる光ディスクの記録媒
体としては、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，Ｔｅ−３ｎ−３ｅ等が
知られ、一部商品化されている。
体としては、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，Ｔｅ−３ｎ−３ｅ等が
知られ、一部商品化されている。
一方、書替えが可能である光記録としては、光磁気記録
が注目されている。
が注目されている。
ＧｄＴｂＦｅ５ＴｂＤｙＦｅなどの非晶質薄膜などが知
られている。しかしながら、ＴｂＦｅを始めとする希土
類−鉄族遂移金属非晶質合金は、一般に耐蝕性が悪いと
いう欠点をもっている。即ち、空気中に放置すると数日
で、光磁気特性、反射率の低下が認められる。また、こ
の劣化の様子は、基板の材質によっても異なり、ポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート等の樹脂基板の
場合、ガラス基板に比較して劣化が速いという欠点があ
った。このような欠点を除くために、従来から、磁性層
の両側をＡＩＩＮ、５ｉ０２．５ｉａＮ＋等の誘電体層
でサンドインチした構造にする事が提案されているが効
果が不充分である。
られている。しかしながら、ＴｂＦｅを始めとする希土
類−鉄族遂移金属非晶質合金は、一般に耐蝕性が悪いと
いう欠点をもっている。即ち、空気中に放置すると数日
で、光磁気特性、反射率の低下が認められる。また、こ
の劣化の様子は、基板の材質によっても異なり、ポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート等の樹脂基板の
場合、ガラス基板に比較して劣化が速いという欠点があ
った。このような欠点を除くために、従来から、磁性層
の両側をＡＩＩＮ、５ｉ０２．５ｉａＮ＋等の誘電体層
でサンドインチした構造にする事が提案されているが効
果が不充分である。
本発明者が、上記光磁気メモリについて検討を加えたと
ころ、その製造方法に依る次の如き致命的な欠陥がある
ことを見出した。上記したＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ等の希土類金属−遷移金属非晶質合金からなる記録
層は、通常、透明非磁性基板上にＤＣ又はＲＦスパッタ
リングにより形成され、ターゲットとしては複合ターゲ
ットが用いられる。しかし、形成された記録層の垂直磁
気異方性は樹脂基板を基板として用いると、ガラス基板
の場合に比べ悪く、その劣化も速いという欠点があった
。
ころ、その製造方法に依る次の如き致命的な欠陥がある
ことを見出した。上記したＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ等の希土類金属−遷移金属非晶質合金からなる記録
層は、通常、透明非磁性基板上にＤＣ又はＲＦスパッタ
リングにより形成され、ターゲットとしては複合ターゲ
ットが用いられる。しかし、形成された記録層の垂直磁
気異方性は樹脂基板を基板として用いると、ガラス基板
の場合に比べ悪く、その劣化も速いという欠点があった
。
これは、スパッタリング時に、基板へ衝突する高エネル
ギー粒子のために、基板温度の上昇と共に、樹脂基板内
に内包される水分或いは残留上ツマー等の有機物がガス
として放出され、記録層に取り込まれたり、或いは記録
層構成原子と反応してその酸化物等が局所的に形成され
たりして、記録層の磁性に悪影響を及ぼすためと考えら
れる。
ギー粒子のために、基板温度の上昇と共に、樹脂基板内
に内包される水分或いは残留上ツマー等の有機物がガス
として放出され、記録層に取り込まれたり、或いは記録
層構成原子と反応してその酸化物等が局所的に形成され
たりして、記録層の磁性に悪影響を及ぼすためと考えら
れる。
また、樹脂基板と磁性層の間にＡｌＮ５Ｓｉ３Ｎ４等の
誘電体層を設けて保護した場合にも特性が劣化する。こ
れは、膜を形成する際に膜中に樹脂基板から酸素等が取
り込まれ、これが磁性層へ拡散するためと考えられる。
誘電体層を設けて保護した場合にも特性が劣化する。こ
れは、膜を形成する際に膜中に樹脂基板から酸素等が取
り込まれ、これが磁性層へ拡散するためと考えられる。
ハ１発明の目的
１１本発明の目的は、アクリル、ポリカーボネー
ト等の樹脂基板を使用しても、基板面上に、垂直磁
：、。
１１本発明の目的は、アクリル、ポリカーボネー
ト等の樹脂基板を使用しても、基板面上に、垂直磁
：、。
党員方性に優れかつ安定性に優れた光磁気記録層を形成
できる光磁気記録媒体の製造方法を提供す
−ｊることにある。
できる光磁気記録媒体の製造方法を提供す
−ｊることにある。
二〇発明の構成
即ち、本発明は、実質的に希土類金属と遷移金属とから
なる非晶質合金薄膜を光磁気記録層とする光磁気記録媒
体の製造方法において、前記非晶 １゜賞金
金薄膜の構成成分からなる複数のターゲットを互いに対
向させてスパッタし、前記非晶質合金薄膜を形成するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法に係るもので
ある。
なる非晶質合金薄膜を光磁気記録層とする光磁気記録媒
体の製造方法において、前記非晶 １゜賞金
金薄膜の構成成分からなる複数のターゲットを互いに対
向させてスパッタし、前記非晶質合金薄膜を形成するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法に係るもので
ある。
ホ、実施例
以下、本発明の方法を第１図〜第６図につき詳細に例示
する。
する。
まず、第１図及び第２図につき、本発明の方法を実施す
るのに好適な対向ターゲットスパッタ装置を説明する。
るのに好適な対向ターゲットスパッタ装置を説明する。
図面において、５０は真空層、４２は真空層５０を排気
する真空ポンプ等からなる排気系、３３は真空層５０内
に所定のガスを導入してガス圧力を１０−１〜１０−’
Ｔｏｒｒ程度に設定するガス導入系である。
する真空ポンプ等からなる排気系、３３は真空層５０内
に所定のガスを導入してガス圧力を１０−１〜１０−’
Ｔｏｒｒ程度に設定するガス導入系である。
ターゲット電極はターゲットホルダー３４により一対の
ターゲットＴ１、Ｔ２を互いに隔てて平行に対向配置し
た対向ターゲット電極として構成されている。これらの
ターゲット間には、磁界発生手段（図示せず）による磁
界が形成される。一方、磁性薄膜を形成すべき基体１２
は、基体ホルダー３５によって、上記対向ターゲット間
の側方に垂直に配置される。
ターゲットＴ１、Ｔ２を互いに隔てて平行に対向配置し
た対向ターゲット電極として構成されている。これらの
ターゲット間には、磁界発生手段（図示せず）による磁
界が形成される。一方、磁性薄膜を形成すべき基体１２
は、基体ホルダー３５によって、上記対向ターゲット間
の側方に垂直に配置される。
このように構成されたスパッタ装置において、平行に対
向し合った両ターゲッ） Ｔ ｉ、Ｔ２の各表面と垂直
方向に磁界を形成し、この磁界により第２図の如くに陰
極降下部８．９（即ち、ターゲラ）Ｔ Ｉ −Ｔ ２間
に発生したプラズマ雰囲気７と各ターゲットＴ１及びＴ
２との間の領域）での電界で加速されたスパッタガスイ
オンのターゲット表面に対する衝撃で放出されたγ電子
をターゲット間の空間にとじ込め、対向した他方のター
ゲット方向へ移動させる。他方のターゲット表面へ移動
したγ電子は、その近傍の陰極降下部で反射される。こ
うして、γ電子はターゲットＴ ｉ −７２間において
磁界に束縛されながら往復運動を繰返すことになる。こ
の往復運動の間に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突し
て雰囲気ガスのイオンと電子とを生成させ、これらの生
成物がターゲットからのγ電子の放出と雰囲気ガスのイ
オン化を促進させる。従って、ターゲットＴ ｉ −７
２間の空間には高密度のプラズマが形成され、これに伴
ってターゲット物質が充分にスパッタされ、側方の基板
１２上に磁性材料として堆積してゆくことになる。
向し合った両ターゲッ） Ｔ ｉ、Ｔ２の各表面と垂直
方向に磁界を形成し、この磁界により第２図の如くに陰
極降下部８．９（即ち、ターゲラ）Ｔ Ｉ −Ｔ ２間
に発生したプラズマ雰囲気７と各ターゲットＴ１及びＴ
２との間の領域）での電界で加速されたスパッタガスイ
オンのターゲット表面に対する衝撃で放出されたγ電子
をターゲット間の空間にとじ込め、対向した他方のター
ゲット方向へ移動させる。他方のターゲット表面へ移動
したγ電子は、その近傍の陰極降下部で反射される。こ
うして、γ電子はターゲットＴ ｉ −７２間において
磁界に束縛されながら往復運動を繰返すことになる。こ
の往復運動の間に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突し
て雰囲気ガスのイオンと電子とを生成させ、これらの生
成物がターゲットからのγ電子の放出と雰囲気ガスのイ
オン化を促進させる。従って、ターゲットＴ ｉ −７
２間の空間には高密度のプラズマが形成され、これに伴
ってターゲット物質が充分にスパッタされ、側方の基板
１２上に磁性材料として堆積してゆくことになる。
ここで、ターゲットＴ１、Ｔ２を基板１２上に成膜され
る光磁気記録層の構成成分によって形成する。例えば、
ターゲットＴ１、Ｔ２の一方を希土類金属（例えばテル
ビウム）又は２種以上の希土類金属の合金とし、他方を
遷移金属（例えば鉄）又は２種以上の遷移金属の合金と
する。また、基体１２の構成材料は種々のものが採用可
能であるが、望ましい基体として、ポリエチレンテレフ
タＬ／−ト、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ホリ
カーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリメチルメ
タクリレートの如きプラスチックスがある。ガラス等、
セラミックス等からなる基体も使用可能である。或いは
金属基体も使用してもよい。
る光磁気記録層の構成成分によって形成する。例えば、
ターゲットＴ１、Ｔ２の一方を希土類金属（例えばテル
ビウム）又は２種以上の希土類金属の合金とし、他方を
遷移金属（例えば鉄）又は２種以上の遷移金属の合金と
する。また、基体１２の構成材料は種々のものが採用可
能であるが、望ましい基体として、ポリエチレンテレフ
タＬ／−ト、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ホリ
カーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリメチルメ
タクリレートの如きプラスチックスがある。ガラス等、
セラミックス等からなる基体も使用可能である。或いは
金属基体も使用してもよい。
基体の形状はシート、カード、ディスク、ドラムの他、
長尺テープ状でもよい。
長尺テープ状でもよい。
この磁気記録媒体を作成するには、第１図のように基体
を固定板に密着支持する他、基体を走行させつつ磁性材
料を被着させることもできる。
を固定板に密着支持する他、基体を走行させつつ磁性材
料を被着させることもできる。
上記の如くにして、第３図のように、基体１２（特にポ
リメチルメタクリレート等のプラスチックス基板）上に
、希土類全屈と遷移金属とからなる非晶質合金薄膜３０
を光磁気記録層とする光磁気記録媒体４０（例えば光メ
モリディスク）を製造することができる。この製造条件
は以下の通りであってよい。
リメチルメタクリレート等のプラスチックス基板）上に
、希土類全屈と遷移金属とからなる非晶質合金薄膜３０
を光磁気記録層とする光磁気記録媒体４０（例えば光メ
モリディスク）を製造することができる。この製造条件
は以下の通りであってよい。
ターゲツト材 Ｔｂターゲット、Ｆｅターゲット
基体 ポリメチルメタクリレート対向ター
ゲット間隔 １００ｆｌスパツタ空間の磁界
１０００ｅターゲツト形状 １００１ｍ
直径の円盤（５鶴厚） 基体とターゲット端との間隔 ６０ｍ＋ｗ真空槽内
の背圧 １Ｏ−６Ｔｏｒｒ導入ガス
Ａｒ十 導入ガス圧 ４ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
スパツタ投入電力 ＦＩＢターゲフ） ４００ＷＴｂ
ターゲツト２００Ｗ なお、上記のスパッタ法による製膜前に、基体上の表面
を同一スパッタ装置内でＡｒ＋によりボンバードして表
面清浄化処理したり、或いはベーキングを施すか、高周
波をかけて表面処理しておくこともできる。
ゲット間隔 １００ｆｌスパツタ空間の磁界
１０００ｅターゲツト形状 １００１ｍ
直径の円盤（５鶴厚） 基体とターゲット端との間隔 ６０ｍ＋ｗ真空槽内
の背圧 １Ｏ−６Ｔｏｒｒ導入ガス
Ａｒ十 導入ガス圧 ４ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
スパツタ投入電力 ＦＩＢターゲフ） ４００ＷＴｂ
ターゲツト２００Ｗ なお、上記のスパッタ法による製膜前に、基体上の表面
を同一スパッタ装置内でＡｒ＋によりボンバードして表
面清浄化処理したり、或いはベーキングを施すか、高周
波をかけて表面処理しておくこともできる。
こうした製造方法は、対向ターゲツト材パ・ツタ装置を
使用するものであるが、この対向ターゲットスパッタ法
は、他の飛翔手段に比べて、高速スパッタによる高堆積
速度の製膜が可能であり、また基体がプラズマに直接曝
されることがなく、低い基体温度での製膜が可能である
。このため、上記の３０の如き膜を垂直磁化膜として形
成するのに極めて有利である。即ち、この対向ターゲッ
トスパッタ装置では、飛翔した磁性膜材料の基板への入
射エネルギーは、通常のスパッタ装置のものよりも小さ
いので、材料が所望の方向へ方向性を以て堆積し易く、
垂直磁化記録に通した構造の膜を得易くなる。しかも、
上記入射エネルギーが小さいので、基板の温度上昇が小
さく、特に樹脂（プラスチックス）基板を用いてもその
内包水分や残留モノマーが放出されて記録層中に混入し
たり、酸化物等が生成することが防止される。このため
に、記録層の磁性が良好となり、垂直磁気異方性及び安
定性共に優れた磁性層を形成することができる。
使用するものであるが、この対向ターゲットスパッタ法
は、他の飛翔手段に比べて、高速スパッタによる高堆積
速度の製膜が可能であり、また基体がプラズマに直接曝
されることがなく、低い基体温度での製膜が可能である
。このため、上記の３０の如き膜を垂直磁化膜として形
成するのに極めて有利である。即ち、この対向ターゲッ
トスパッタ装置では、飛翔した磁性膜材料の基板への入
射エネルギーは、通常のスパッタ装置のものよりも小さ
いので、材料が所望の方向へ方向性を以て堆積し易く、
垂直磁化記録に通した構造の膜を得易くなる。しかも、
上記入射エネルギーが小さいので、基板の温度上昇が小
さく、特に樹脂（プラスチックス）基板を用いてもその
内包水分や残留モノマーが放出されて記録層中に混入し
たり、酸化物等が生成することが防止される。このため
に、記録層の磁性が良好となり、垂直磁気異方性及び安
定性共に優れた磁性層を形成することができる。
従来のＲＦ又はＤＣスパッタ法では、スパッタリング時
間と共に基板温度が上昇し、また投入パワーが大きい程
温度が高くなる。例えば、ターゲットとしてＴｂＦｅの
複合ターゲットを用い、ＲＦマグネトロンスパッタによ
り、投入パワー４００Ｗ、基板ターゲット間距離６０重
層としてガラス基板上に磁性材料を成膜し′たときには
、基板温度は３０分間で６０℃まで上昇する。従って、
基板が樹脂のように熱伝導率が低いものである場合、例
えばポリメチルメタクリレートでは１００℃を越えてし
まい、基板が熱変形を生じ、かつ上記した如き不純物の
放出が著しくなる。実用的な膜厚である１０００Å以下
の厚みに成膜するのに数分間スパツクすればよいが、そ
の間にも基板温度は上昇し、不純物（ガス）の放出が生
じる。
間と共に基板温度が上昇し、また投入パワーが大きい程
温度が高くなる。例えば、ターゲットとしてＴｂＦｅの
複合ターゲットを用い、ＲＦマグネトロンスパッタによ
り、投入パワー４００Ｗ、基板ターゲット間距離６０重
層としてガラス基板上に磁性材料を成膜し′たときには
、基板温度は３０分間で６０℃まで上昇する。従って、
基板が樹脂のように熱伝導率が低いものである場合、例
えばポリメチルメタクリレートでは１００℃を越えてし
まい、基板が熱変形を生じ、かつ上記した如き不純物の
放出が著しくなる。実用的な膜厚である１０００Å以下
の厚みに成膜するのに数分間スパツクすればよいが、そ
の間にも基板温度は上昇し、不純物（ガス）の放出が生
じる。
一方、上記した本発明に基づく対向ターゲットスパッタ
法では、投入パワーを４００ Ｗ、スパッタリング時間
を３０分としても、基板温度は３０℃以下に抑えられる
。従って、基板としてポリメチルメタクリレート等の樹
脂基板を用いても、基板温度は４０℃以下となり、ガス
の放出が大幅に減少するので、磁気特性はガラス基板を
用いた場合と同等のものとなる。実際にポリメチルメタ
クリレート基板上に、従来法で成膜した場合にはＴｂ等
の希土類元素が酸化若しくは酸素の吸着を起こし、特性
劣化を生じ、これはオージェ（Ａｕｇｅｒ ）分光分析
により酸素が膜中に混入していることで確認された。し
かしながら、本発明に基づく対向ターゲットスパッタ法
では、膜中に混入した酸素量が少ないことが確認された
。
法では、投入パワーを４００ Ｗ、スパッタリング時間
を３０分としても、基板温度は３０℃以下に抑えられる
。従って、基板としてポリメチルメタクリレート等の樹
脂基板を用いても、基板温度は４０℃以下となり、ガス
の放出が大幅に減少するので、磁気特性はガラス基板を
用いた場合と同等のものとなる。実際にポリメチルメタ
クリレート基板上に、従来法で成膜した場合にはＴｂ等
の希土類元素が酸化若しくは酸素の吸着を起こし、特性
劣化を生じ、これはオージェ（Ａｕｇｅｒ ）分光分析
により酸素が膜中に混入していることで確認された。し
かしながら、本発明に基づく対向ターゲットスパッタ法
では、膜中に混入した酸素量が少ないことが確認された
。
また、この対向ターゲットスパッタ法によれば、各ター
ゲットに対する投入電力の割合を変化させることにより
、膜組成を制御でき、所望の特性が得られる。特に、希
土類元素のターゲットの投入電力を遷移金属のターゲッ
トの投入電力の１５〜８０％とするのが望ましい。
ゲットに対する投入電力の割合を変化させることにより
、膜組成を制御でき、所望の特性が得られる。特に、希
土類元素のターゲットの投入電力を遷移金属のターゲッ
トの投入電力の１５〜８０％とするのが望ましい。
次に、本実施例による上述の対向ターゲツト法でガラス
基板上に２０００人の膜厚で作成したＴｂＦｅ膜と、複
合ターゲツト法により同じ膜厚で作成したＴｂＦｅとに
ついて、温度６０℃、相対湿度８０％の恒温恒湿槽にお
いて耐腐蝕性試験を行った。これを第４図に示す。横軸
には試験時間を、縦軸には反射率Ｒ、カー回転角θｋ、
保磁力Ｈｃの変化を初期値に対する比として示されてい
る。変化が大きいものほど、腐蝕が進んだことを示して
いる。
基板上に２０００人の膜厚で作成したＴｂＦｅ膜と、複
合ターゲツト法により同じ膜厚で作成したＴｂＦｅとに
ついて、温度６０℃、相対湿度８０％の恒温恒湿槽にお
いて耐腐蝕性試験を行った。これを第４図に示す。横軸
には試験時間を、縦軸には反射率Ｒ、カー回転角θｋ、
保磁力Ｈｃの変化を初期値に対する比として示されてい
る。変化が大きいものほど、腐蝕が進んだことを示して
いる。
第４図より明らかな様に、対向ターゲツト法で作製した
ＴｂＦｅ膜は、複合ターゲツト法で作成した膜に比較し
て、反射率、カー回転角、保磁力すべてにおいて安定で
優れた特性を示す。
ＴｂＦｅ膜は、複合ターゲツト法で作成した膜に比較し
て、反射率、カー回転角、保磁力すべてにおいて安定で
優れた特性を示す。
また、夫々の初期状態でのオージェ電子分光分析を閤べ
たのが第５図、第６図である。酸素の含有量を比較する
と、対向ターゲツト法で作成した膜が少なく、従来法で
ある複合ターゲツト法では、膜中の酸素含有量が多く混
入している事がわかる。
たのが第５図、第６図である。酸素の含有量を比較する
と、対向ターゲツト法で作成した膜が少なく、従来法で
ある複合ターゲツト法では、膜中の酸素含有量が多く混
入している事がわかる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基づいて更に変形可能である。
思想に基づいて更に変形可能である。
例えば、形成すべき光磁気記録層は上述の他、公知の合
金組成であるＧｄＦｅ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＣｄＣｏ
等のアモルファス合金で構成し、これに応じてターゲツ
ト材質を選択すればよい。また、対向させるターゲット
数やその配置等は種々変更してよい。
金組成であるＧｄＦｅ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＣｄＣｏ
等のアモルファス合金で構成し、これに応じてターゲツ
ト材質を選択すればよい。また、対向させるターゲット
数やその配置等は種々変更してよい。
へ０発明の作用効果
本発明は、上述した如く、非晶質合金薄膜からなる光磁
気記録層の構成成分で形成したターゲットを対向させ、
スパッタしているので、スパッタ効率を高めることがで
き、このために投入電力を小さくでき名。従って、基体
の温度上昇が抑えられて膜中への不純物の混入等が防止
され、磁気特性及び安定性共に良好な膜を形成すること
ができる。
気記録層の構成成分で形成したターゲットを対向させ、
スパッタしているので、スパッタ効率を高めることがで
き、このために投入電力を小さくでき名。従って、基体
の温度上昇が抑えられて膜中への不純物の混入等が防止
され、磁気特性及び安定性共に良好な膜を形成すること
ができる。
第１図〜第６図は本発明の実施例を示すものであって、
第１図は対向ターゲットスパッタ装置の概略断面図、
第２図は対向ターゲットスパッタの原理図、第３図は光
磁気メモリ媒体の断面図、 第４図は耐腐蝕性試験の結果を示すグラフ、第５図及び
第６図はオージェ電子分光分析の結果を夫々示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 １２・・・・・・・・・基体 ３０・・・・・・・・・光磁気記録層 ４０・・・・・・・・・記録媒体 ４２・・・・・・・・・排気系 ３３・・・・・・・・・ガス導入系 ３４．３５・・・・・・・・・ホルダーＴ１、Ｔ２・・
・・・・・・・ターゲットである。
磁気メモリ媒体の断面図、 第４図は耐腐蝕性試験の結果を示すグラフ、第５図及び
第６図はオージェ電子分光分析の結果を夫々示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 １２・・・・・・・・・基体 ３０・・・・・・・・・光磁気記録層 ４０・・・・・・・・・記録媒体 ４２・・・・・・・・・排気系 ３３・・・・・・・・・ガス導入系 ３４．３５・・・・・・・・・ホルダーＴ１、Ｔ２・・
・・・・・・・ターゲットである。
Claims (1)
- １、実質的に希土類金属と遷移金属とからなる非晶質合
金薄膜を光磁気記録層とする光磁気記録媒体の製造方法
において、前記非晶質合金薄膜の構成成分からなる複数
のターゲットを互いに対向させてスパッタし、前記非晶
質合金薄膜を形成することを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18643285A JPS6246449A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18643285A JPS6246449A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246449A true JPS6246449A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16188332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18643285A Pending JPS6246449A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246449A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5135819A (en) * | 1987-10-30 | 1992-08-04 | Pioneer Electronic Corporation | Photomagnetic memory medium having a non-columnar structure |
| US6913837B2 (en) * | 2001-07-06 | 2005-07-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method thereof |
| CN104105571A (zh) * | 2012-02-02 | 2014-10-15 | 小池酸素工业株式会社 | 焊接用台车 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100627A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-22 | Teijin Ltd | Manufacture of vertical magnetic recording medium |
| JPS59147422A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁性層の形成方法 |
| JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18643285A patent/JPS6246449A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100627A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-22 | Teijin Ltd | Manufacture of vertical magnetic recording medium |
| JPS59147422A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁性層の形成方法 |
| JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5135819A (en) * | 1987-10-30 | 1992-08-04 | Pioneer Electronic Corporation | Photomagnetic memory medium having a non-columnar structure |
| US6913837B2 (en) * | 2001-07-06 | 2005-07-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method thereof |
| US7635498B2 (en) | 2001-07-06 | 2009-12-22 | Fuji Electric Device Technology, Co., Ltd. | Fabrication method for perpendicular magnetic recording media |
| CN104105571A (zh) * | 2012-02-02 | 2014-10-15 | 小池酸素工业株式会社 | 焊接用台车 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5812728B2 (ja) | ジキキロクバイタイノ セイホウ | |
| JPS6246449A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| US5135819A (en) | Photomagnetic memory medium having a non-columnar structure | |
| JPH04500879A (ja) | 熱光磁気記録要素の製造方法 | |
| JPS59147422A (ja) | 磁性層の形成方法 | |
| JPS6035354A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0194552A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07111791B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2702483B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS59148317A (ja) | 磁性層の形成方法 | |
| JPS6235605A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH03100171A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPH0410253A (ja) | 記録媒体の製造方法 | |
| JPS63188843A (ja) | 光磁気デイスクの製造方法 | |
| JPH0370889B2 (ja) | ||
| JPH0518179B2 (ja) | ||
| JPH0320815B2 (ja) | ||
| JPH02189910A (ja) | 磁性薄膜の製造方法 | |
| JPS59148120A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0316690B2 (ja) | ||
| JPH0462814A (ja) | 人工格子膜の製造方法 | |
| JPH04313835A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS59148121A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0253243A (ja) | 光学的記録媒体の製造方法 | |
| JPS61253654A (ja) | 光熱磁気記録媒体の製造方法 |