JPH0194552A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0194552A JPH0194552A JP62252027A JP25202787A JPH0194552A JP H0194552 A JPH0194552 A JP H0194552A JP 62252027 A JP62252027 A JP 62252027A JP 25202787 A JP25202787 A JP 25202787A JP H0194552 A JPH0194552 A JP H0194552A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光を用いて記録・再生嗜消去を行う記録媒体に
関し、特にその製造方法に関するものである。
関し、特にその製造方法に関するものである。
従来、光磁気記録媒体を構成する記録層は主にスパッタ
リングによって形成される。一般には、光磁気記録媒体
を構成する基板を長方形のターゲットの短辺の方向へ移
動しながら基板上に成膜する、いわゆる長尺ターゲット
の通過形スパッタにより記録膜が形成される。この方式
は、比較的広い範囲にわたって、均一な膜厚及び組成を
持った膜が、高速で得られる点が特徴である。
リングによって形成される。一般には、光磁気記録媒体
を構成する基板を長方形のターゲットの短辺の方向へ移
動しながら基板上に成膜する、いわゆる長尺ターゲット
の通過形スパッタにより記録膜が形成される。この方式
は、比較的広い範囲にわたって、均一な膜厚及び組成を
持った膜が、高速で得られる点が特徴である。
一方、光磁気記録媒体に用いられる希土類−遷移金屑合
金薄膜の磁気的、磁気光学的特性は薄膜の膜厚及び組成
に非常に敏感であり、ゆえに記録媒体の記録・消去・再
生特性も大きな影響を受けることが知られている。従っ
て比較的均一な膜を作成できるといわれる通過型スパッ
タをもってしても、実際に媒体として使用することので
きる領域は非常に限られている。この場合、基板とター
ゲットの距離を小さくすれば、特性の分布は小さくする
ことが可能であるが、一方で基板の表面温度の上昇を伴
なうため好ましくない。
金薄膜の磁気的、磁気光学的特性は薄膜の膜厚及び組成
に非常に敏感であり、ゆえに記録媒体の記録・消去・再
生特性も大きな影響を受けることが知られている。従っ
て比較的均一な膜を作成できるといわれる通過型スパッ
タをもってしても、実際に媒体として使用することので
きる領域は非常に限られている。この場合、基板とター
ゲットの距離を小さくすれば、特性の分布は小さくする
ことが可能であるが、一方で基板の表面温度の上昇を伴
なうため好ましくない。
従来の通過型スパッタによる光磁気記録媒体の製造方法
には、上述したような欠点がある。そこで本発明の目的
はこのような欠点を解消するとと゛であり、即ち、組成
及び膜厚の分布が小さい均一な記録膜の製造方法を供す
ることである。
には、上述したような欠点がある。そこで本発明の目的
はこのような欠点を解消するとと゛であり、即ち、組成
及び膜厚の分布が小さい均一な記録膜の製造方法を供す
ることである。
本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、希土類−遷移金
属合金薄膜からなる記録層の通過型スパッタによる形成
において、記録膜を成膜する基板としてスパッタリング
ターゲット間に設けた、構造物を介して成形することを
特徴とする。 さらに、該構造物が板状で、かつ該構造
物と基板面の距離が、該基板面と該ターゲット表面との
距離の５分の１以下であることを特徴とする。
属合金薄膜からなる記録層の通過型スパッタによる形成
において、記録膜を成膜する基板としてスパッタリング
ターゲット間に設けた、構造物を介して成形することを
特徴とする。 さらに、該構造物が板状で、かつ該構造
物と基板面の距離が、該基板面と該ターゲット表面との
距離の５分の１以下であることを特徴とする。
以下、本発明の詳細を実施例に基“づいて説明する。
光磁気記録媒体の記録層であるＴｂＦｅ膜を成膜するた
めに１２．５ｃｍＸ８２．５ｃｍＸ０゜５ｃｍ’のＴｂ
ｔｓＦｅｙｓ合金ターゲットをスパッタリングに用いた
。第１図に本実施例に用いたスパッタ装置の概略図を示
す。ターゲット１０面と平行な基板ホルダー２に基板３
をセットし、ターゲット１の長軸と直交する方向、即ち
矢印の方向に基板ホルダーおよび基板を移動しながら基
板上に板状の構造物（以下補正板と呼ぶ）４を介して成
膜を行った。ここで基板面とターゲツト面の距離は５．
５ｃｍ１補正板とターゲツト面の距離は５．０ｃｍであ
る。図中６はチャンバー壁等への膜の付着を防ぐために
設けた遮蔽板である。
めに１２．５ｃｍＸ８２．５ｃｍＸ０゜５ｃｍ’のＴｂ
ｔｓＦｅｙｓ合金ターゲットをスパッタリングに用いた
。第１図に本実施例に用いたスパッタ装置の概略図を示
す。ターゲット１０面と平行な基板ホルダー２に基板３
をセットし、ターゲット１の長軸と直交する方向、即ち
矢印の方向に基板ホルダーおよび基板を移動しながら基
板上に板状の構造物（以下補正板と呼ぶ）４を介して成
膜を行った。ここで基板面とターゲツト面の距離は５．
５ｃｍ１補正板とターゲツト面の距離は５．０ｃｍであ
る。図中６はチャンバー壁等への膜の付着を防ぐために
設けた遮蔽板である。
第２図は補正板の平面図を示したものである。斜線部は
スパッタ粒子の基板への飛来を防ぐためのマスク部２１
で、穴２２を通して記録膜の成膜が行われる。このよう
な構成の装置を用いて、チャンバー内をＩ Ｘ １０’
″”Ｔｏｒｒに排気した後、２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒのア
ルゴンを導入しＤＣスバフタリ／グによってガラス基板
上にＴｂＦｅＦｔｌ膜の成膜を行い、基板ホルダー上に
おける膜厚および組成の分布の測定を行った。第３図は
基板ホルダー長手方向における膜厚および組成分布を図
示したものである。比較のために第４図に示した補正板
を用いない従来装置における膜厚、組成分布と比べると
膜厚、組成のいずれも大幅な均一性の向上が認められた
。ここで本実施例においては膜の付着効率は従来のもの
の約５０％と低いが、基板ホルダー上の利用効率が約５
倍に向上しているので、トータルとしては約２．５倍の
生産性の向上が見込める。
スパッタ粒子の基板への飛来を防ぐためのマスク部２１
で、穴２２を通して記録膜の成膜が行われる。このよう
な構成の装置を用いて、チャンバー内をＩ Ｘ １０’
″”Ｔｏｒｒに排気した後、２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒのア
ルゴンを導入しＤＣスバフタリ／グによってガラス基板
上にＴｂＦｅＦｔｌ膜の成膜を行い、基板ホルダー上に
おける膜厚および組成の分布の測定を行った。第３図は
基板ホルダー長手方向における膜厚および組成分布を図
示したものである。比較のために第４図に示した補正板
を用いない従来装置における膜厚、組成分布と比べると
膜厚、組成のいずれも大幅な均一性の向上が認められた
。ここで本実施例においては膜の付着効率は従来のもの
の約５０％と低いが、基板ホルダー上の利用効率が約５
倍に向上しているので、トータルとしては約２．５倍の
生産性の向上が見込める。
ところで、本発明においては基板とターゲットの間に設
けた補正板の開口部の形状が、組成、膜厚の分布に大き
な影響を与えるため、その形状の８１ｇ化を行う必要が
ある。例えばターゲット表面での各構成元素の放出角分
布を測定することによって、形状を測定する方法や、基
板を固定して成膜したときの膜厚、組成の２次元の分布
を予め測定しておいて、形状を決定する方法等があるが
、本実施例においては、より簡便な後者の方法を採った
。
けた補正板の開口部の形状が、組成、膜厚の分布に大き
な影響を与えるため、その形状の８１ｇ化を行う必要が
ある。例えばターゲット表面での各構成元素の放出角分
布を測定することによって、形状を測定する方法や、基
板を固定して成膜したときの膜厚、組成の２次元の分布
を予め測定しておいて、形状を決定する方法等があるが
、本実施例においては、より簡便な後者の方法を採った
。
次に、補正板とターゲツト面の距離と基板面とターゲツ
ト面との距離の比Ｘを０．１，０．２゜０．３，０．４
としたときの膜厚および組成分布の比較を行った。 第
５図は、組成のばらつきが１％以下で、かつ膜厚のばら
つきが５％以下になる基板ホルダー上の連続した領域の
長さをＸの関数として示したものである。また併せて、
補正板がない場合の膜厚に対する膜厚の比（付着効率）
も示した。 均−長さは、Ｘの増加に従って低下し、付
着効率は逆に増加することがわかる。トータルの生産性
は（均−長さ）×（付着効率）で表現できるが、補正板
のない場合が約１５なので本実施例においては、Ｘが０
．２以下のとき生産性が向上したことになる。
ト面との距離の比Ｘを０．１，０．２゜０．３，０．４
としたときの膜厚および組成分布の比較を行った。 第
５図は、組成のばらつきが１％以下で、かつ膜厚のばら
つきが５％以下になる基板ホルダー上の連続した領域の
長さをＸの関数として示したものである。また併せて、
補正板がない場合の膜厚に対する膜厚の比（付着効率）
も示した。 均−長さは、Ｘの増加に従って低下し、付
着効率は逆に増加することがわかる。トータルの生産性
は（均−長さ）×（付着効率）で表現できるが、補正板
のない場合が約１５なので本実施例においては、Ｘが０
．２以下のとき生産性が向上したことになる。
第１図に示した装Ｗ構成で、光磁気記録媒体の作成を試
みた。ターゲットにはＮｄ、、＊ Ｄｙ＊＊、ｓＦｅ、
ｖ、＊Ｃ０ｘａ、＊の組成の鋳造合金を用いた。直径１
３０ｍｍの溝付きポリカーボネート基板上にＡＪ２Ｎと
５ｉｓＮａの複合膜を１００ｎｍ下地層として成膜した
後、ＮｄＤｙＦｅＣｏの記録層とＡρＮとＳｉＮ、の複
合膜を各々１１００ｎの厚さで連続して成膜した。媒体
１は基板ホルダーの中心に、媒体２は基板ホルダーの中
心から１９ｃｍの位置に基板中心がくるように設置した
。このようにして作製した記録媒体の静特性、動特性を
調べたところ媒体１、媒体２のいずれも、半径方向、周
方向に均一な特性をもっていることが確認できた。
みた。ターゲットにはＮｄ、、＊ Ｄｙ＊＊、ｓＦｅ、
ｖ、＊Ｃ０ｘａ、＊の組成の鋳造合金を用いた。直径１
３０ｍｍの溝付きポリカーボネート基板上にＡＪ２Ｎと
５ｉｓＮａの複合膜を１００ｎｍ下地層として成膜した
後、ＮｄＤｙＦｅＣｏの記録層とＡρＮとＳｉＮ、の複
合膜を各々１１００ｎの厚さで連続して成膜した。媒体
１は基板ホルダーの中心に、媒体２は基板ホルダーの中
心から１９ｃｍの位置に基板中心がくるように設置した
。このようにして作製した記録媒体の静特性、動特性を
調べたところ媒体１、媒体２のいずれも、半径方向、周
方向に均一な特性をもっていることが確認できた。
上述したように本発明によれば、通過形インラインスパ
ッタ装置による光磁気記録媒体の記録膜の成膜において
、その組成および膜厚分布を著しく小さくすることがで
きる。その結果、記録媒体の生産性はもちろん、媒体１
枚あたりの装置コストおよび、材料の利用効率の飛躍的
に高めることができる。尚、これらの効果は、実施例に
示した場合のみでなく、ターゲットの組成をＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＴｂＦｅＣ
ｏ等の他の組成系にした場合においても育効であること
は言うまでもない。
ッタ装置による光磁気記録媒体の記録膜の成膜において
、その組成および膜厚分布を著しく小さくすることがで
きる。その結果、記録媒体の生産性はもちろん、媒体１
枚あたりの装置コストおよび、材料の利用効率の飛躍的
に高めることができる。尚、これらの効果は、実施例に
示した場合のみでなく、ターゲットの組成をＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＴｂＦｅＣ
ｏ等の他の組成系にした場合においても育効であること
は言うまでもない。
第１図は、本発明の実施例の装置構成を示した図で、１
は、Ｔ ｂ Ｆ ｅターゲット、２は基板ホルダー、３
は基板、４は補正板、５は遮蔽板を表わす。 第２図は第１図における補正板の平面図を示した図。 第３図、第４図は各々本発明の実施例および比較例にお
ける基板ホルダー上の位置と膜厚およびＴｂ含佇量を示
した図。 ゛第５図は本発明を説明するためのＸに対する均−長さ
と付着効率の関係を示した図。 以 上 出願人 少イフーエプソン株式会社 第３図
は、Ｔ ｂ Ｆ ｅターゲット、２は基板ホルダー、３
は基板、４は補正板、５は遮蔽板を表わす。 第２図は第１図における補正板の平面図を示した図。 第３図、第４図は各々本発明の実施例および比較例にお
ける基板ホルダー上の位置と膜厚およびＴｂ含佇量を示
した図。 ゛第５図は本発明を説明するためのＸに対する均−長さ
と付着効率の関係を示した図。 以 上 出願人 少イフーエプソン株式会社 第３図
Claims (2)
- （１）光磁気記録媒体の記録膜である希土類−遷移金属
合金薄膜の通過型スパッタによる形成において、該記録
膜を成膜する基板とスパッタリングターゲット間に設け
た構造物を介して形成することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。 - （２）該構造者が板状であり、かつ該構造物と基板面と
の距離が該基板面と該ターゲット表面との距離の５分の
１以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252027A JPH0194552A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252027A JPH0194552A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194552A true JPH0194552A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17231570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62252027A Pending JPH0194552A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0194552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04371A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Tokuda Seisakusho Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2011174148A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Showa Shinku:Kk | スパッタリング装置 |
| CN104131257A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-11-05 | 友达光电股份有限公司 | 溅镀设备以及保护膜的形成方法 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62252027A patent/JPH0194552A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04371A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Tokuda Seisakusho Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2011174148A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Showa Shinku:Kk | スパッタリング装置 |
| CN104131257A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-11-05 | 友达光电股份有限公司 | 溅镀设备以及保护膜的形成方法 |
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