JPH0612568B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0612568B2 JPH0612568B2 JP59236707A JP23670784A JPH0612568B2 JP H0612568 B2 JPH0612568 B2 JP H0612568B2 JP 59236707 A JP59236707 A JP 59236707A JP 23670784 A JP23670784 A JP 23670784A JP H0612568 B2 JPH0612568 B2 JP H0612568B2
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- Japan
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- thin film
- silicon dioxide
- recording medium
- magnetic
- magnetic recording
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は磁気記録媒体に係り、特に記録磁性層の上に
二酸化硅素薄膜および潤滑層を有する磁気記録媒体に関
する。
二酸化硅素薄膜および潤滑層を有する磁気記録媒体に関
する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 近年、情報処理技術の発達に伴ってメモリ装置が担う情
報量は飛躍的に増加し、フロッピーディスクなどの磁気
記録媒体に対する大容量化の要求もますます高まってい
る。この要求に応えるため高密度記録の可能な磁気記録
媒体の研究・開発が活発になされている。特に、現在一
般に使用されている塗布型磁気記録媒体に対し、記録磁
性層としてCo-Crなどの金属磁性薄膜をスパッタや蒸着
により形成した金属薄膜磁気記録媒体が高密度記録に適
した媒体として有望視されている。
報量は飛躍的に増加し、フロッピーディスクなどの磁気
記録媒体に対する大容量化の要求もますます高まってい
る。この要求に応えるため高密度記録の可能な磁気記録
媒体の研究・開発が活発になされている。特に、現在一
般に使用されている塗布型磁気記録媒体に対し、記録磁
性層としてCo-Crなどの金属磁性薄膜をスパッタや蒸着
により形成した金属薄膜磁気記録媒体が高密度記録に適
した媒体として有望視されている。
ところで、塗布型媒体では磁性粉をバインダ等と混ぜて
基体上に塗布することにより記録磁性層が形成されるた
め、磁性層中に潤滑剤を混入させることが容易であり、
それによって媒体と磁気ヘッドとの間の潤滑性を維持
し、媒体およびヘッドの耐久性を十分に得ることができ
る。
基体上に塗布することにより記録磁性層が形成されるた
め、磁性層中に潤滑剤を混入させることが容易であり、
それによって媒体と磁気ヘッドとの間の潤滑性を維持
し、媒体およびヘッドの耐久性を十分に得ることができ
る。
これに対し、金属薄膜媒体では記録磁性層中に潤滑剤を
混入させることが困難であるため、フェライト製などの
硬い材質の磁気ヘッドが媒体上を走行すると、媒体表面
やヘッドの表面にスクラッチ等の損傷が生じ易くなる。
この場合には、媒体およびヘッドの耐久性が損われるば
かりでなく、媒体やヘッドの摩耗粉の付着により媒体・
ヘッド間の距離が増大してスペーシング・ロスが大きく
なり、記録再生周波数特性が著しく劣化する。
混入させることが困難であるため、フェライト製などの
硬い材質の磁気ヘッドが媒体上を走行すると、媒体表面
やヘッドの表面にスクラッチ等の損傷が生じ易くなる。
この場合には、媒体およびヘッドの耐久性が損われるば
かりでなく、媒体やヘッドの摩耗粉の付着により媒体・
ヘッド間の距離が増大してスペーシング・ロスが大きく
なり、記録再生周波数特性が著しく劣化する。
そこで、金属薄膜媒体の場合には記録磁性層上に潤滑剤
を塗布することが考えられるが、スパッタリング等によ
り形成された膜は表面性が非常に良好であるため、潤滑
剤のぬれ性が悪く、従ってこの上に潤滑剤を十分な付着
力で、しかも均一に塗布することは困難であり、上述し
た問題は依然として解決されない。
を塗布することが考えられるが、スパッタリング等によ
り形成された膜は表面性が非常に良好であるため、潤滑
剤のぬれ性が悪く、従ってこの上に潤滑剤を十分な付着
力で、しかも均一に塗布することは困難であり、上述し
た問題は依然として解決されない。
［発明の目的］ この発明の目的は、記録磁性層を金属薄膜で形成した場
合でも潤滑層を十分な付着力で均一に形成することが可
能であって、媒体自身および磁気ヘッドの耐久性を著し
く高めることができ、記録再生特性も良好な磁気記録媒
体を提供することである。
合でも潤滑層を十分な付着力で均一に形成することが可
能であって、媒体自身および磁気ヘッドの耐久性を著し
く高めることができ、記録再生特性も良好な磁気記録媒
体を提供することである。
［発明の概要］ この発明に係る磁気記録媒体は、記録磁性層上に二酸化
硅素薄膜が形成され、この二酸化硅素薄膜上に潤滑層が
形成された磁気記録媒体であって、特に二酸化硅素薄膜
の組成式をＳｉＯ2-Xとしたとき、Ｘを０＜Ｘ＜０．５
の範囲に選定することを特徴としている。
硅素薄膜が形成され、この二酸化硅素薄膜上に潤滑層が
形成された磁気記録媒体であって、特に二酸化硅素薄膜
の組成式をＳｉＯ2-Xとしたとき、Ｘを０＜Ｘ＜０．５
の範囲に選定することを特徴としている。
すなわち、記録磁性層の上に二酸化硅素薄膜を形成する
ことは公知であり、また潤滑層を形成することも公知で
あるが、この発明に特に二酸化硅素薄膜を酸素欠損の状
態にすることによって、潤滑層を塗布し易くしたもので
ある。このような酸素の欠損が生じた二酸化硅素薄膜
は、例えば酸素欠乏雰囲気中でのスパッタリングなどの
方法で容易に形成が可能である。
ことは公知であり、また潤滑層を形成することも公知で
あるが、この発明に特に二酸化硅素薄膜を酸素欠損の状
態にすることによって、潤滑層を塗布し易くしたもので
ある。このような酸素の欠損が生じた二酸化硅素薄膜
は、例えば酸素欠乏雰囲気中でのスパッタリングなどの
方法で容易に形成が可能である。
二酸化硅素薄膜の酸素欠損の程度は二酸化硅素薄膜の組
成式をSiO3-Xとしたとき、Ｘが０＜Ｘ＜0.5の範囲内に
あることが望ましい。Ｘがこの範囲内におさまる程度に
二酸化硅素薄膜を酸素欠損状態にすると、二酸化硅素薄
膜自身の硬度を十分に維持しつつ、潤滑層との結合力を
非常に効果的に高めることができる。
成式をSiO3-Xとしたとき、Ｘが０＜Ｘ＜0.5の範囲内に
あることが望ましい。Ｘがこの範囲内におさまる程度に
二酸化硅素薄膜を酸素欠損状態にすると、二酸化硅素薄
膜自身の硬度を十分に維持しつつ、潤滑層との結合力を
非常に効果的に高めることができる。
［発明の効果］ この発明によれば、酸素欠損が生じている二酸化硅素薄
膜を介して潤滑層が形成されていることにより、潤滑層
が良好に、かつ均一に形成された磁気記録媒体が提供さ
れる。これは二酸化硅素薄膜に酸素欠損が生じると、硅
素原子に孤立電子対が生じ、酸素欠損がない二酸化硅素
薄膜に比べて活性化され、二酸化硅素薄膜とその上に形
成される潤滑層との結合力が強められるためである。
膜を介して潤滑層が形成されていることにより、潤滑層
が良好に、かつ均一に形成された磁気記録媒体が提供さ
れる。これは二酸化硅素薄膜に酸素欠損が生じると、硅
素原子に孤立電子対が生じ、酸素欠損がない二酸化硅素
薄膜に比べて活性化され、二酸化硅素薄膜とその上に形
成される潤滑層との結合力が強められるためである。
従って、この発明によるとCo-Cr合金薄膜のような金属
薄膜を記録磁性層とした磁気記録媒体においても、媒体
と磁気ヘッドとの間の潤滑作用が十分に行なわれるの
で、媒体やヘッドの摩耗・損傷が著しく減少し、耐久性
が大幅に向上する。
薄膜を記録磁性層とした磁気記録媒体においても、媒体
と磁気ヘッドとの間の潤滑作用が十分に行なわれるの
で、媒体やヘッドの摩耗・損傷が著しく減少し、耐久性
が大幅に向上する。
また、潤滑層として例えば液体潤滑剤を塗布する場合、
二酸化硅素薄膜と潤滑剤とのぬれ性がよく均一な厚さに
潤滑剤を塗布することができるため、スペーシング・ロ
スが減少して信号再生時の出力低下および出力変動が小
さくなり、エラー率も減少する。従って、記録再生特性
が向上する。
二酸化硅素薄膜と潤滑剤とのぬれ性がよく均一な厚さに
潤滑剤を塗布することができるため、スペーシング・ロ
スが減少して信号再生時の出力低下および出力変動が小
さくなり、エラー率も減少する。従って、記録再生特性
が向上する。
さらに、二酸化硅素薄膜は例えば記録磁性層を形成する
Co-Cr系合金膜等の磁性金属薄膜に比べて材質が硬いた
め、媒体表面を機械的に保護しスクラッチ等を入りにく
くするのみならず、記録磁性層を外気から遮断すること
により耐腐蝕性をも向上させる効果があることはいうま
でもない。
Co-Cr系合金膜等の磁性金属薄膜に比べて材質が硬いた
め、媒体表面を機械的に保護しスクラッチ等を入りにく
くするのみならず、記録磁性層を外気から遮断すること
により耐腐蝕性をも向上させる効果があることはいうま
でもない。
［発明の実施例］ 第１図はこの発明の一実施例の磁気記録媒体を示す断面
図である。図において、基体１は樹脂製のフィルム状基
体であり、この基体１上に記録磁性層として例えば直流
マグネトロンスパッタリングにより厚さ0.5μｍのCo-Cr
合金薄膜２が形成されている。垂直磁気記録媒体の場
合、このCo-Cr合金薄膜２は膜面に垂直な方向に磁化容
易軸を持つように配向される。そして、Co-Cr合金薄膜
２上に厚さ200Å程度の二酸化硅素薄膜３が形成され、
さらにこの二酸化硅素薄膜３の上に液体潤滑層４が塗布
・形成されている。
図である。図において、基体１は樹脂製のフィルム状基
体であり、この基体１上に記録磁性層として例えば直流
マグネトロンスパッタリングにより厚さ0.5μｍのCo-Cr
合金薄膜２が形成されている。垂直磁気記録媒体の場
合、このCo-Cr合金薄膜２は膜面に垂直な方向に磁化容
易軸を持つように配向される。そして、Co-Cr合金薄膜
２上に厚さ200Å程度の二酸化硅素薄膜３が形成され、
さらにこの二酸化硅素薄膜３の上に液体潤滑層４が塗布
・形成されている。
二酸化硅素薄膜３は例えば二酸化硅素ターゲットを用い
た高周波スパッタリングにより形成される。この場合、
スパッタ用真空室を予め10-7Torr程度まで真空に引き、
不純物ガスを十分除いた後酸素ガスを通常の二酸化硅素
（SiO2）の形成の場合より少なめに、すなわち10-7〜10
-3Torr程度まで導入し、その後アルゴンガスを導入し
て、全圧を10-2Torr程度にして行なった。このようにし
て形成された二酸化硅素薄膜３は酸素欠損状態にあり、
その組成式はSiO2-Xとなる。この場合、Ｘの値はスパッ
タ雰囲気の酸素分圧および成膜速度によって、０より大
きい範囲で任意に制御することが可能である。また、Ｘ
の値の測定は例えば(100)Siウエハ上に0.3μｍ程度のSi
O2-Xを形成して、ＲＢＳ（ラザフォードバックスキャッ
タリング）により分析をすることで行うことができる。
た高周波スパッタリングにより形成される。この場合、
スパッタ用真空室を予め10-7Torr程度まで真空に引き、
不純物ガスを十分除いた後酸素ガスを通常の二酸化硅素
（SiO2）の形成の場合より少なめに、すなわち10-7〜10
-3Torr程度まで導入し、その後アルゴンガスを導入し
て、全圧を10-2Torr程度にして行なった。このようにし
て形成された二酸化硅素薄膜３は酸素欠損状態にあり、
その組成式はSiO2-Xとなる。この場合、Ｘの値はスパッ
タ雰囲気の酸素分圧および成膜速度によって、０より大
きい範囲で任意に制御することが可能である。また、Ｘ
の値の測定は例えば(100)Siウエハ上に0.3μｍ程度のSi
O2-Xを形成して、ＲＢＳ（ラザフォードバックスキャッ
タリング）により分析をすることで行うことができる。
こうして形成された二酸化硅素薄膜３は、酸素欠損状態
により活性化しているため、その上に液体潤滑剤を塗布
して潤滑層４を形成する際、潤滑剤のぬれ性が良く均一
に塗布することができる。また、二酸化硅素薄膜３と潤
滑層４との結合力も強くなる。従って、磁気記録媒体お
よび磁気ヘッドの耐久性向上に大きく寄与することがで
きる。
により活性化しているため、その上に液体潤滑剤を塗布
して潤滑層４を形成する際、潤滑剤のぬれ性が良く均一
に塗布することができる。また、二酸化硅素薄膜３と潤
滑層４との結合力も強くなる。従って、磁気記録媒体お
よび磁気ヘッドの耐久性向上に大きく寄与することがで
きる。
第１表はスパッタ雰囲気の酸素分圧比と成膜速度により
Ｘの値を変えた場合の耐久性の変化を調べた実験結果を
示すものである。但し、実験は上述した構成の磁気記録
媒体をフロッピーディスクの形態に作成し、このディス
クを毎分300回転で回転走行させながら、フェライト磁
気ヘッドをディスク上の同一トラックに接触させて行な
った。ここで、耐久性は媒体（ディスク）およびヘッド
の少なくとも一方が著しい損傷を受けるまでの走行回数
（パス）である。著しい損傷とは媒体の場合、二酸化硅
素薄膜３およびCo-Cr合金薄膜２の少なくとも一部がけ
ずれて、基体１の表面が露出した状態をいう。
Ｘの値を変えた場合の耐久性の変化を調べた実験結果を
示すものである。但し、実験は上述した構成の磁気記録
媒体をフロッピーディスクの形態に作成し、このディス
クを毎分300回転で回転走行させながら、フェライト磁
気ヘッドをディスク上の同一トラックに接触させて行な
った。ここで、耐久性は媒体（ディスク）およびヘッド
の少なくとも一方が著しい損傷を受けるまでの走行回数
（パス）である。著しい損傷とは媒体の場合、二酸化硅
素薄膜３およびCo-Cr合金薄膜２の少なくとも一部がけ
ずれて、基体１の表面が露出した状態をいう。
以上の結果から、Ｘの値が零より大きいとき、すなわち
二酸化硅素薄膜３を構成する酸素の原子数が硅素の原子
数の２倍未満になると、耐久性が著しく向上することが
わかる。特にＸの値が0.1＜Ｘ＜0.3の範囲内が好適であ
り、この範囲内にすると耐久性は300万パス以上と、Ｘ
が零の場合に比べて１桁以上も向上し、最大では実に30
0万パスを越える値が得られる。要求される耐久性の程
度は用途等によって異なるが、50万パス以上あればほぼ
実用に耐えることができる。従って、Ｘの値は上述した
0.1＜Ｘ＜0.3の範囲にあることが特に望ましい。
二酸化硅素薄膜３を構成する酸素の原子数が硅素の原子
数の２倍未満になると、耐久性が著しく向上することが
わかる。特にＸの値が0.1＜Ｘ＜0.3の範囲内が好適であ
り、この範囲内にすると耐久性は300万パス以上と、Ｘ
が零の場合に比べて１桁以上も向上し、最大では実に30
0万パスを越える値が得られる。要求される耐久性の程
度は用途等によって異なるが、50万パス以上あればほぼ
実用に耐えることができる。従って、Ｘの値は上述した
0.1＜Ｘ＜0.3の範囲にあることが特に望ましい。
なお、Ｘの値が0.5を越えると耐久性がピークから下が
ってくるのは酸素欠損状態になると潤滑層４の付着性が
向上する反面、二酸化硅素薄膜３自身の硬度が減少して
ゆくからである。しかしながら、Ｘが零の場合よりも耐
久性が低下するのは上記の実験結果から類推されるよう
にＸの値が非常に大きく、例えば２に近くなって、二酸
化硅素薄膜３が二酸化硅素としての性質を失い、硅素に
近くなったときであるから、その状態では二酸化硅素薄
膜という呼称そのものが成立しなくなる。
ってくるのは酸素欠損状態になると潤滑層４の付着性が
向上する反面、二酸化硅素薄膜３自身の硬度が減少して
ゆくからである。しかしながら、Ｘが零の場合よりも耐
久性が低下するのは上記の実験結果から類推されるよう
にＸの値が非常に大きく、例えば２に近くなって、二酸
化硅素薄膜３が二酸化硅素としての性質を失い、硅素に
近くなったときであるから、その状態では二酸化硅素薄
膜という呼称そのものが成立しなくなる。
このように、この発明によれば二酸化硅素薄膜の組成式
をＳｉＯ2-Xとしたとき、Ｘを０＜Ｘ＜０．５の範囲に
選定することとして酸素欠損状態とすることにより、そ
の上に形成される潤滑層の付着力を増大させて、磁気記
録媒体自身および磁気ヘッドの耐久性を著しく高めるこ
とができ、また潤滑層が均一に形成されることで信号再
生出力の低下や変動が小さくなり、エラー率を減少させ
ることが可能となる。
をＳｉＯ2-Xとしたとき、Ｘを０＜Ｘ＜０．５の範囲に
選定することとして酸素欠損状態とすることにより、そ
の上に形成される潤滑層の付着力を増大させて、磁気記
録媒体自身および磁気ヘッドの耐久性を著しく高めるこ
とができ、また潤滑層が均一に形成されることで信号再
生出力の低下や変動が小さくなり、エラー率を減少させ
ることが可能となる。
第３図はこの発明の他の実施例の磁気記録媒体を示すも
ので、比磁性基体11上に蒸着法により記録磁性層として
のCo-Cr合金薄膜12が形成され、その上に二酸化硅素薄
膜13が例えばマグネトロンスパッタリングにより形成さ
れ、さらにその上に固体潤滑層14がスパッタリングによ
り形成されている。二酸化硅素薄膜13は酸素分圧がアル
ゴン分圧の10％程度のアルゴン雰囲気中でスパッタリン
グ形成されることにより、やはり酸素欠損の状態となっ
ている。
ので、比磁性基体11上に蒸着法により記録磁性層として
のCo-Cr合金薄膜12が形成され、その上に二酸化硅素薄
膜13が例えばマグネトロンスパッタリングにより形成さ
れ、さらにその上に固体潤滑層14がスパッタリングによ
り形成されている。二酸化硅素薄膜13は酸素分圧がアル
ゴン分圧の10％程度のアルゴン雰囲気中でスパッタリン
グ形成されることにより、やはり酸素欠損の状態となっ
ている。
このように形成された磁気記録媒体においても、前記実
施例で説明した磁気記録媒体と同様に優れた耐久性が得
られる。
施例で説明した磁気記録媒体と同様に優れた耐久性が得
られる。
この発明は上述した実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することが可
能である。例えば記録磁性層としてはCo-Cr合金薄膜を
例示したが、Co-Cr-Ni合金薄膜等でもよく、特にこの発
明は表面に潤滑層を形成する必要のある金属薄膜を記録
磁性層とする磁気記録媒体に有効である。また、基体お
よび潤滑層の材質も種々選択することができる。さら
に、この発明は垂直磁気記録媒体のみでなく、面内磁気
記録媒体にも適用することができる。
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することが可
能である。例えば記録磁性層としてはCo-Cr合金薄膜を
例示したが、Co-Cr-Ni合金薄膜等でもよく、特にこの発
明は表面に潤滑層を形成する必要のある金属薄膜を記録
磁性層とする磁気記録媒体に有効である。また、基体お
よび潤滑層の材質も種々選択することができる。さら
に、この発明は垂直磁気記録媒体のみでなく、面内磁気
記録媒体にも適用することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る磁気記録媒体の断面
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る磁気記録媒体
の断面図である。 １……樹脂製フィルム状基体 ２……Co-Cr合金薄膜（記録磁性層） ３……二酸化硅素薄膜、４……液体潤滑層 11……非磁性基体 12……Co-Cr合金薄膜（記録磁性層） 13……二酸化硅素薄膜、14……固体潤滑層
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る磁気記録媒体
の断面図である。 １……樹脂製フィルム状基体 ２……Co-Cr合金薄膜（記録磁性層） ３……二酸化硅素薄膜、４……液体潤滑層 11……非磁性基体 12……Co-Cr合金薄膜（記録磁性層） 13……二酸化硅素薄膜、14……固体潤滑層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 砂井 正之 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−154642（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−220244（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】記録磁性層上に二酸化珪素薄膜が形成さ
れ、この二酸化硅素薄膜上に潤滑層が形成された磁気記
録媒体において、前記二酸化硅素薄膜の組成式をＳｉＯ
2-Xとしたとき、Ｘを０＜Ｘ＜０．５の範囲に選定する
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】記録磁性層が金属薄膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】記録磁性層を形成する金属薄膜がＣｏ−Ｃ
ｒ系合金であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236707A JPH0612568B2 (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236707A JPH0612568B2 (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 磁気記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7031805A Division JP2625652B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | メモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115229A JPS61115229A (ja) | 1986-06-02 |
| JPH0612568B2 true JPH0612568B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=17004569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59236707A Expired - Lifetime JPH0612568B2 (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612568B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298816A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気ディスク媒体 |
| US5132173A (en) * | 1989-02-10 | 1992-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium having a silicon oxide protective layer with an electrical specific resistance of from 3.3×1013 to 5.0×15 ohm.cm |
| JP2625652B2 (ja) * | 1995-01-30 | 1997-07-02 | 株式会社東芝 | メモリ装置 |
| JP2006236474A (ja) | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Tdk Corp | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837614B2 (ja) * | 1976-04-16 | 1983-08-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS58185029A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| JPS58220244A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS59154642A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-03 | Ulvac Corp | 耐摩耗性磁気記録体並にその製造法 |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP59236707A patent/JPH0612568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61115229A (ja) | 1986-06-02 |
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