JPH04157619A

JPH04157619A - 磁気ディスク

Info

Publication number: JPH04157619A
Application number: JP28408490A
Authority: JP
Inventors: Takanori Kobuke; 古武家　隆敬; Jiro Yoshinari; 次郎吉成; Kunihiro Ueda; 国博上田; Yasumichi Tokuoka; 保導徳岡
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1990-10-22
Filing date: 1990-10-22
Publication date: 1992-05-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、樹脂製の剛性基板上に、下地層と、磁性層と
を有する、いわゆるハードタイプの磁気ディスクに関す
る。

〈従来の技術〉計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
と浮上型磁気ヘッドとが用いられている。

このような磁気ディスク駆動装置においては従来、塗布
型の磁気ディスクが用いられていたが、磁気ディスクの
大容量化に伴い、磁気特性、配録密度等の点で有利なこ
とから、スパッタ法等の気相成膜法等により設層される
連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気ディスクが用い
られるようになっている。

薄膜型磁気ディスクとしては、Ａ４２系のディスク状金
属板にＮ１−Ｐ下地層をめっきにより設層するか、ある
いはこの金属板表面を酸化してアルマイトを形成したも
のを基板とし、この基板上にＣｒ層、Ｃｏ−Ｎｉ等の金
属磁性層、さらにＣ等の保護潤滑膜をスパッタ法により
順次設層して構成されるものが一般的である。

また、従来より、駆動装置の小型化の要請が高く、磁気
ディスクの軽量化が強（望まれている。

このため、金属製基板より軽い樹脂製の剛性基板を用い
た磁気ディスクが提案されている。

しかし、樹脂製の基板を使用する場合、樹脂と金属との
熱膨張率の違いや、樹脂と金属の付着性、さらには薄膜
中の内部応力等の理由から、連続薄膜型の金属磁性層に
クラックが発生してしまう。

また、磁性層の成膜時に基板内部から脱ガスが起こり、
あるいはディスク完成後、基板を通して水分や空気が侵
入したりして、磁性層が腐食することがある。

このため、磁性層の磁気特性が大幅に低下してしまう。

加えて、樹脂製基板は、金ｒＩＡ製基板に比べ硬度が低
い。

このため樹脂製基板を用いた磁気ディスクは、Ｃ８Ｓ耐
久性が不十分である。

このような事情から、磁性層のクラックを防止する方法
として、特開平２−９６９１９号公報では、樹脂製基板
上に、圧縮応力をもつＳ　１３　Ｎ　４膜と、引張応力
をもつＳｉ３Ｎ４膜とを交互に積み重ねたバッファ層を
設層し、この上に磁性層を形成する旨、同２−９６９２
１号公報では、非磁性金属膜と、セラミックス膜とを交
互に積み重ねたバッファ層を設層する旨を提案している
。

しかし、基板上に上記公報のバッファ層を設けただけで
は、磁性層のクラック防止能は、未だ不十分である。

しかも、バッファ層が、複数の層から形成さもているた
め、量産上非常に不利である。

また、特開平２−１３２６３０号公報では、樹脂製基板
と、磁気記録層との間に、Ａｆ２２０ｓ　、ＳｉＯｘ　、ＳｉＣ等のビッカース硬
度が８００以上の膿からなる硬質化層と、５ｎＯａ、Ｃ
等の表面抵抗が１０９Ω／口以下の膜からなる導電性層
とを形成し、Ｃ８Ｓ耐久性を向上させる旨を提案してい
る。

しかし、上記公報の硬質化層および導電性層の２層を設
けただけでは磁性層のクラック防止能が未だ不十分であ
る。

〈発明が解決しようとする課題〉本発明の目的は、Ｃ８Ｓ耐久性が高く、しかも樹脂製基
板上に形成した磁性層のクラックを防止した磁気ディス
クを提供することにある。

く課題を解決するための手段〉このような目的は、下記（１）〜（４）の本発明によっ
て達成される。

（１）樹脂製の剛性基板上に、下地層と、連続薄膜の磁
性層とを有する磁気ディスクであって、前記剛性基板が下地層形成面表面に溝を有し、前記下地層が酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ
化物および炭素からなる群より選ばれる１種以上を含有
する連続薄膜であることを特徴とする磁気ディスク。

（２）前記下地層の膜厚が、ｏ、ｏｉ〜０．３戸であり
、前記磁性層の膜厚が０．０３〜０．１痔である上記（
１）に記載の磁気ディスク。

（３）前記溝がディスクの周方向に形成されている上記
（１）または（２）に記載の磁気ディスク。

（４）前記溝の幅が０．１〜Ｉｏｔａ、前記溝の深さが
０．０１〜０，５μｍであり、溝間間隙が０．１〜１０
痔である上記（１）ないしく３）のいずれかに記載の磁
気ディスク。

く作用〉本発明の磁気ディスクでは、樹脂製の剛性基板上に溝を
形成する。

そして、基板上に所定の連続薄膜の下地層を形成したう
えで、連続薄膜の磁性層を形成する。

このため、溝と、下地層との複合作用により、磁性層の
クラックを防止できる。

しかも、磁性層の成膜時等に基板内部から脱ガスが起こ
り、あるいは、基板を通して水分や空気が侵入しても下
地層により、これらのガス、水分さらに空気から磁性層
を有効に保護できる。

加えて、ディスクの周方向に溝を形成することにより、
磁性層の周方向の配向性を向上させることができる。

この結果、高い磁気特性を有し、良好な電磁変換特性を
有する磁気ディスクが実現する。

加えて、所定の下地層を形成することにより、ディスク
の硬度が向上し、Ｃ８Ｓ耐久性が格段と向上する。

また、本発明の磁気ディスクの基板は樹脂製であるため
、溝の形成が容易であり、しかも溝と下地層との相乗効
果によって単層の下地層でも十分なりラック防止効果が
得られる。

このため、量産上非常に有利である。

〈具体的構成〉以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

第１図には、本発明の磁気ディスクの好適例が示される
。

磁気ディスク１は、基板２上に、順次、下地層３、磁性
層５を有する。

そして、必要に応じて、下地層３と磁性層５との間に、
非磁性中間層４を有し、磁性層５の上に保護層６等を有
する。

基板２は、樹脂製の剛性基板である。

用いる樹脂には特に制限がなく、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、放射線硬化性樹脂等何れの樹脂を使用してもよ
い。

この場合、基板をキャスティスグ法で成型する場合は、
例えば、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
ポリスチレン、ポリアミド、シリコーン樹脂、ポリエス
テルおよびこれらの変性体等が使用できる。

インジェクション法で成型する場合は、例えば、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリ
デン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリスチレン、アク
リロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−
ブタジェン−スチレン共重合体、アクリル樹脂、ポリア
ミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエステ
ル、ポリサルホン、ポリオキシベンジレン、ポリエーテ
ルサルホン、ポリエーテルケトン、ボリエ゛−チルエー
テルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニ
レンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリケトン
サルファイド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリア
クリルイミド、ポリエーテルイミド、ポリオレフィン、
アモルファスポリオレフィンおよびこれらの変性体等が
使用できる。

基板２は、ディスク状とし、その寸法は、用途等に応じ
て適宜選択すればよいが、通常、外径６５〜１３０ｍｍ
程度、内径２０〜４０＋ｎｍ程度、厚さ０．８〜１．９
ｍｍ程度である。

基板２の下地層３形成面側には、磁性層５のクラックを
防止するため満２１を形成する。

溝２１の形状、パターン、寸法等には特に制限がないが
、磁性層５のディスクの周方向の配向性が向上する点で
、溝２１をディスクの周方向に形成することが好ましい
。

溝２１は、基板２を回転させながら研磨テープ等を作用
させ、基板表面に、同心円状等に不規則に形成したいわ
ゆるテクスチャー加工による溝であっても、基板表面に
同心円状、渦巻状等に規則的に形成したトラッキング用
のグループであってもあるいは、両者であってもよいが
、溝２１を規則的に形成することにより、再生出力のモ
ジュレーションを防止でき、また、磁性層５のディスク
周方向の配向性がより一層向上する。

また、溝２１は、このほか、テクスチャー加工による溝
やトラッキング用のグループ以外のものであってもよい
。

Ｃ２１を、トラッキング用のグループとして形成する場
合、溝２１の形状には特に制限がないが、通常、図示さ
れるように矩形とすればよい。

また、溝２１の寸法や溝装置間隔は、図示される記号ａ
、ｂ、ｈを用いると、幅ａが０１〜１０戸、特に０．５
〜２−程度、溝間間隙すが０．１〜１０−１特に０．５
〜２−程度、深さｈが０．０１〜０．５叩、特に０．０
５〜０．１ｔ程度であることが好ましい。

前言己範囲の場合、本発明の効果がより一層向上する。

なお、グループには情報が記録されないため、グループ
は磁気ヘッドの位置に関係な（ガートバンドとなる。　
このため、基板２に、溝２１としてグループを設ければ
、トラッキングサーボの精度が比較的低（て済み、サー
ボ信号に使用される記録面の面積を少なくできる。

また、隣接トラックからのクロストークが著しく減少す
る。

また、溝２１をテクスチャー加工して形成する場合、射
出成形法で得られるような均一な鷹はできに（いが、溝
２１の寸法は、通常、幅ａを０．１〜１〇−程度、溝間
間隙すを０，１〜１０μｓ程度、深さｈを０．０１〜０
．５−程度とすればよい。

基板２の製造方法には特に制限がなく、例えば射出成形
により溝２１を同時に形成すればよい。

また、テクスチャー加工等の研削・研磨、熱ブレス、エ
ツチング等により後から溝２１を形成してもよい。

下地層３は、酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ
化物および炭素からなる群より選ばれる１種以上を含有
する連続薄膜である。

前記以外の連続薄膜では、磁性層５のクラックを防止し
、かつディスクのＣ８Ｓ耐久性を向上させることができ
ない。

この場合、酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化
物の１種以上が含有され、酸化窒化物、酸化炭化物、窒
化炭化物、酸化窒化炭化物、等となっていてもよい。

酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化物および炭
素の連続薄膜の組成には、それぞれ、特に制限がなく、
例えば公知のものは何れも使用できる。

ただし、磁性層５のクラック防止能やＣ８Ｓ耐久性がよ
り一層向上する点で、下記のものが好ましい。

酸化物の連続薄膜としては、Ｓｉｎ。

（１≦Ｘ≦２）、ＺｒＯ＊　、Ａｇ＊　０３、Ｔｉ０ｚ
、Ｔａｇ　Ｏｓ、Ｓｉ　　Ａ４２　０　　Ｎ系化合物、
Ｌａ−５ｔ−０−Ｎ系化合物等が好適である。

窒化物の連続薄膜としては、５ｉｓＮ＋、ＡｆｆＮ、Ｔ
ｉＮ等が好適である。

炭化物の連続薄膜としては、５ｉＣ１Ｔ　ｉ　Ｃ％ｈ−ＢＣ％ｃ−ＢＣ，ＷＣ等が好適である
。

ケイ化物の連続薄膜としては、Ｓ　Ｉ　Ｏｘ（１≦Ｘ≦
２）、ＳｉＣ，Ｓｉ、Ｎ、、５ｉ−Ａｆｆ−０−Ｎ系化
合物、Ｌａ−３ｉ−０−Ｎ系化合物等が好適である。

ホウ化物の連続薄膜としては、ｈ−ＢＮ、ｃ−ＢＮ等が
好適である。

炭素の連続薄膜としては、アモルファスカーボン等が好
適である。

下地層３の膜厚は、０．０１〜０．３−５特に０．０５
〜０．１５ｕｍであることが好ましい。

前記範囲未満では、磁性層５のクラックを十分に防止す
ることが困難であり、またＣ８Ｓ耐久性が不十分である
。

前記範囲をこえると基板の熱変形をもたらすとともに、
量産上も不利となる。

下地層３は、図示例では単層であるが、必要に応じて２
層以上の構成としてもよい。

ただし、本発明では、単層で十分なりラック防止および
脱ガス防止効果が得られ、しかも良好なＣ８Ｓ耐久性が
得られるため、量産性の点で、単層であることが好まし
い。

下地層３は、蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ング、ＣＶＤ等の各種気相成膜法にて成膜すればよいが
、特にスパッタリングまたはプラズマＣＶＤにて成膜す
ることが好ましい。

スパッタリングにて成膜する場合、スパッタの方式、装
置等には特に制限がなく、また諸条件もスパッタ方式等
に応じて適宜決定すればよい。

例えば、ＲＦ−マグネトロンスパッタの場合、動作圧力
は、Ｏ，１〜５Ｐａ程度とし、Ａｒ等の不活性ガス雰囲
気下で行なえばよい。

なお、０やＮを含有する雰囲気下で、反応性スパッタを
行なってもよい。

また、プラズマＣＶＤにて成膜する場合、プラズマ発生
方式や用いるソースガス等には特に制限がなく、諸条件
も適宜決定すればよい。

例えば、ＣＨ−、Ｃ２Ｈｅ　、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２等を
ソースガスとしてプラズマを作ればよく、成膜時の動作
圧力は１〜１０Ｐａ程度とすればよい。

磁性層５は、連続薄膜型であれば特に制限がなく、例え
ば、Ｆｅ、ＣｏおよびＮ１から選ばれる１種以上を含有
する連続薄膜、特にＣｏ系の連続薄膜で構成すればよい
。

磁性層５の組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金１．Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｏ　−Ｃｒ　−Ｍ　
ｎ　−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−５
１−ＡＩ２合金、Ｃｏ−Ｖ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金、
Ｃｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ合
金等が挙げられる。

なお、これら合金には、必要に応じ、０、Ｎ、Ｓｉ、Ａ
−４２、Ｍｎ、Ａｒ等の他の元素が旧　１重量％程度以
下含有されていてもよい。

磁性層５の膜厚は、０．０３〜０．１−か好ましい。

前記範囲未満では、配録再生時における出力が不十分で
あり、前記範囲をこえると出力は十分であるが、記録密
度が低下するため、不利である。

下地層３と、磁性層５との間には、必要に応じて、非磁
性中間層４が設けられる。

例えば、磁性層５をＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ。

Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ、Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−
Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等にて構成する場合、非磁性中間層４を
設けることにより、磁性層５のエピタキシャル成長を良
好に行なうことができ、磁気特性が向上する。

非磁性中間層４は、例えば、Ｃｒおよび／またはＷを含
有する連続薄膜にて構成すればよい。

この場合、非磁性中間層４は単体で構成されても合金で
構成されてもよいが、合金の場合、前記金属を８０重量
％以上含有することが好ましい。

非磁性中間層４の膜厚は、０．０５〜０５鱗が好ましい
。

前記範囲未満では、コバルト台金のエピタキシャル成長
が十分に行なわれないため良好な磁気特性が得られない
。

前記範囲をこえると、磁気特性が、はぼ一定値に収束し
てくるため、磁気特性上意味がなく、量産上不利である
。

このような非磁性中間層４や前記磁性層５は、それぞれ
、前述した下地層３と同様、蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング、ＣＶＤ等の各種気相成膜法にて成
膜すればよく、特にスパッタリングにて成膜することが
好ましい。

磁性層５上には、必要に応じて、さらに保護層６や図示
しない有機系液体潤滑膜等を設けてもよい。

保護層６は、通常炭素あるいは炭素に他の元素を５重量
％程度以下添加したもので構成され、その膜厚は、０．
０３〜０．１痔程度とすればよい。

また、潤滑膜は、通常フッ素系液体潤滑剤等にて構成さ
れ、その膜厚は０．５〜２ｎｍ程度とすればよい。

なお、保護層６等は、各種気相成膜法、特にスパッタリ
ングにて成膜すればよい。

また、潤滑月莫等は、デイツプコーティング、スプレー
コーティング、スピンコーティング等にて成月莫すれば
よい。

以上では、第１図に示される片面配録型磁気ディスクを
例に挙げて説明してきたが、本発明は、両面配録型の磁
気ディスクであってもよい。

画面記録型の磁気ディスクは、基板２が両主面に講２１
を有し、基板２の両主面のそれぞれに、下地層３および
磁性層５を有する。

そして、両面記録型の磁気ディスクでも前記片面記録型
の磁気ディスクと同様の効果が得られる。

〈実施例〉以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１外径φ３．５インチ、厚さ１．２７ｍｍのポリエーテル
イミド製のディスク状剛性基板を射出成形により製造し
、同時に基板の一方の主面番こグループを形成した。

グループは、ディスクの周方向に形成し、断面はぼ矩形
とし、その寸法は、幅０．８μｓ、溝間間隙０．８−１
深さ０．０７痔とした。

次いで基板のグループ形成面に、膜厚０．１ｐのＳｉＯ
２下地層を成膜した。

次いで、膜厚０．３−のＣｒ中間層を成膜した。

そして、膜厚０．０５−のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ磁性層を成
膜した後、膜厚０．０４ｐのＣ保護層を成膜して、磁気
ディスクサンプルＮｏ、　　１を得た。

この場合、下地層の成膜は、ＲＦ−マグネトロンスパッ
タにて行ない、中間層、磁性層および保護層の成膜は、
それぞれ、ＤＣ−マグネトロンスパッタにて行なった。

下地層のスパッタ条件は、動作圧力をＩＰａとし、Ａｒ
中にＯを４０体積％含有する雰囲気中で反応性スパッタ
を行なった。

また、中間層、磁性層および保護層のスパッタ条件は、
動作圧力をＩ　Ｐａとし、Ａｒ雰囲気中とした。

なお、ターゲットには、それぞれ、Ｃｒ、ＣＯ７ＯＮ　
ｉ　２０Ｃｒ　＋ｏ（ａｔ％）およびＣを用いた。

また、比較用に、基板にグループを形成せず、かつＳ　
ｉ　Ｏ２下地層を形成しないサンプルＮ０９２、基板に
グループを形成しないサンプルＮｏ、３およびＳｉＯ３
下地層を形成しないサンプルＮｏ、　　４を前記サンプ
ルＮｏ、　　１と同様にして製造した。

そして、本発明のサンプルとして、さらに、下地層をＳ
ｉ３Ｎ４にかえたサンプルＮｏ、　５、ＳｉＣにかえた
ｈＯ１６およびＣにかえたＮｏ、　　７をそれぞれ製造
した。

得られた各サンプルの磁性層のディスク周方向および径
方向の保磁力ＨｅをＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ　Ｓａ
ｍｐｌｅ　Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）を用い、Ｅ口部
磁界強度１０ｋＯｅにて測定した。

また、各サンプルの磁性層を微分干渉顕微鏡を用い、倍
率１００倍の光学顕微鏡写真を得た。　各光学顕微鏡写
真については、サンプルＮｏ、　　１を第２図、Ｎｏ、
　２を第３図、Ｎｏ、　３を第４図、Ｎｏ、　４を第５
図に示す。

そして、光学顕微鏡写真から、磁性層のディスク周方向
および径方向それぞれのクラック発生状況を０、○、△
、×、××の５段階にて評価した。

また、プラス社製３５“磁気ディスクドライブを用いて
、Ｃ３Ｓ　（コンタクト・スタート・ストップ）耐久性
の評価を行なった。

Ｃ８Ｓの１サイクルは、静止時間１０秒轡立ち上がり時
間５秒一定常回転の時間１０秒−立ち下がり時間３０秒
とし、定常状態のディスクの回転数は３６００　ｒｐｍ
とした。　この場合、Ｃ８Ｓはディスク中心から２２ｍ
ｍの位置で行なった。

そして、ディスク表面にキズが発生したときのＣ８Ｓサ
イクル数で評価した。

結果は表１に示されるとおりである。

表１に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。

すなわち、比較サンプルＮｏ、　２〜４では、クラック
の発生状況により、磁性層の保磁力Ｈｃか低下している
のに対し、本発明のサンプルＮｏ、　　１．５〜７では
、クラックがほとんどないため、高い保磁力Ｈｃが得ら
れている。

なお、本発明のサンプルＮｏ、　　１．５〜７の磁性層
のディスク周方向の角形比は０．８５〜０．８８であっ
た。

また、１周分の８力波形エンベロープより。

出力のＰ−Ｐ　（ピーク　ツー　ビーク）値の最大値Ａ
と、最小値Ｂとを測定し、下記式からモジュレーション
（ＭＯＤ）を算出したところ、サンプルＮｏ、　　１．
５〜７のＭＯＤは５％以下であった。

式　　ＭＯＤ　　＝　　（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）　　Ｘ
　　１００　　（％）また、下地層を前記以外の酸化物
、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化物にかえた各種サ
ンプル、下地層をプラズマＣＶＤにて成膜した各種サン
プル、基板材質、中間層、磁性層をかえた各種サンプル
を製造し、前記と同様の評価を行なったところ同等の結
果が得られた。

〈発明の効果〉本発明の磁気ディスクは、樹脂製の剛性基板を有するた
め、軽量であり、しかも製造時の加工性が良好である。

そして、基板上に形成した溝と、下地層とにより、磁性
層のクラックの発生を防止できるため、保磁力Ｈｅ等の
磁気特性が格段と向上する。

加えてＣ８Ｓ耐久性が向上する。

また、同心円状や渦巻状等に規則的に溝を形成すること
により、再生出力のモジュレーションを防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気ディスクの１例が示される部分
断面図である。第２図は、金属組織を示す図面代用写真であって、本発
明の磁気ディスクの磁性層表面の状態が示される光学顕
微鏡写真である。第３図〜第５図は、それぞれ、金属組織を示す図面代用
写真であって、従来の磁気ディスクの磁性層表面の状態
が示される光学顕微鏡写真である。符号の説明１・・・磁気ディスク２・・・基板２１・・・溝３・・・下地層４・・・中間層５・・・磁性層６・・・保護層ＦＩＧ・１ＦＩ　　Ｇ−２＋０．１ｍｍＦ　工　Ｇ、３０．１ｎｎ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）樹脂製の剛性基板上に、下地層と、連続薄膜の磁
性層とを有する磁気ディスクであって、前記剛性基板が下地層形成面表面に溝を有し、前記下地層が酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ
化物および炭素からなる群より選ばれる１種以上を含有
する連続薄膜であることを特徴とする磁気ディスク。
（２）前記下地層の膜厚が、０．０１〜０．３μｍであ
り、前記磁性層の膜厚が０．０３〜０．１μｍである請
求項１に記載の磁気ディスク。
（３）前記溝がディスクの周方向に形成され（４）前記
溝の幅が０．１〜１０μｍ、前記溝の深さが０．０１〜
０．５μｍであり、溝間間隙が０．１〜１０μｍである
請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ディスク。