JPS59142738A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS59142738A JPS59142738A JP58015665A JP1566583A JPS59142738A JP S59142738 A JPS59142738 A JP S59142738A JP 58015665 A JP58015665 A JP 58015665A JP 1566583 A JP1566583 A JP 1566583A JP S59142738 A JPS59142738 A JP S59142738A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気ディスク等の磁
気記憶体にかかる・ 磁気記憶装置における記録密度の向上は斯界の変わらぬ
趨勢であり、これを実現する為には磁気記録体の薄層化
が不可欠である。
気記憶体にかかる・ 磁気記憶装置における記録密度の向上は斯界の変わらぬ
趨勢であり、これを実現する為には磁気記録体の薄層化
が不可欠である。
従来、磁気ディスクとしては薫化鉄微粒子とバインダー
の混合を基板上に塗布したいわゆるコーティング媒体が
広く用いられてきた。記録密度の増加にともないコーテ
ィング媒体の薄層化がなされているが、この厚さを数千
Ａ以下にし、しかも均一な記録再生特性を実現すること
はきわめて困難である。
の混合を基板上に塗布したいわゆるコーティング媒体が
広く用いられてきた。記録密度の増加にともないコーテ
ィング媒体の薄層化がなされているが、この厚さを数千
Ａ以下にし、しかも均一な記録再生特性を実現すること
はきわめて困難である。
そこでコーティング媒体に代る高性能磁気記録体として
、薄層化が容易な連続薄膜媒体が注目されている。連続
薄膜媒体としてメッキ法により作製されたＣｏ Ｎ１
−Ｐメッキ磁気ディスクが開発されている・ このように磁気ディスク装置の記録密度は年々向上し、
現在装置として綿密度ｌこついてはおよそ１４０００Ｐ
ＲＰＩ ＋ トラック密度はｘｉｏｏＴＰＩ（トラック
ピッチ２３．５μｌ１１）のものが最高である。
、薄層化が容易な連続薄膜媒体が注目されている。連続
薄膜媒体としてメッキ法により作製されたＣｏ Ｎ１
−Ｐメッキ磁気ディスクが開発されている・ このように磁気ディスク装置の記録密度は年々向上し、
現在装置として綿密度ｌこついてはおよそ１４０００Ｐ
ＲＰＩ ＋ トラック密度はｘｉｏｏＴＰＩ（トラック
ピッチ２３．５μｌ１１）のものが最高である。
従来、ディスク妙記録トラックの情報を検出するヘッド
のサーボ方式は、データを記録するディスクとは別に、
サーボ信号を記録したディスクを用いるサーボ面サーボ
方式が一般的であるが、サーボ面サーボ方式ではディス
ク間の温度差による熱膨張により磁気ヘッドのトラック
位置決め精度が上げられないためにトラック密度に限界
が生じてきている。
のサーボ方式は、データを記録するディスクとは別に、
サーボ信号を記録したディスクを用いるサーボ面サーボ
方式が一般的であるが、サーボ面サーボ方式ではディス
ク間の温度差による熱膨張により磁気ヘッドのトラック
位置決め精度が上げられないためにトラック密度に限界
が生じてきている。
近年サーボ面サーボ方式と異なって、ｒ −Ｆｅ２Ｏ３
粒子を用いたコーティングディスクにおいて２層の磁性
層を使用し、下層ｌこサーボ情報を記録し、上層にデー
タ情報を記録したデータ面サーボ方式（ベリードサーボ
方式）の実験結果が報告されている。しかしながらｒ
−Ｆｅ２０Ｂコーテイングデイスクにおいて磁性膜厚を
薄くすることが困難なためｆこ（０，５μｍが限界と言
われる）記録密度を大幅−こ増加させることはむずかし
く、さらに高密度時の対（Ｎ号雑音比（８ＮＲ）が小さ
いという欠点を有する。
粒子を用いたコーティングディスクにおいて２層の磁性
層を使用し、下層ｌこサーボ情報を記録し、上層にデー
タ情報を記録したデータ面サーボ方式（ベリードサーボ
方式）の実験結果が報告されている。しかしながらｒ
−Ｆｅ２０Ｂコーテイングデイスクにおいて磁性膜厚を
薄くすることが困難なためｆこ（０，５μｍが限界と言
われる）記録密度を大幅−こ増加させることはむずかし
く、さらに高密度時の対（Ｎ号雑音比（８ＮＲ）が小さ
いという欠点を有する。
本発明の目的は、これらの問題点を改善して高密度記録
が可能で、かつ８ＮＲの良好なデータ面サーボ方式を実
現できる磁気２重層磁気記憶体を提供することを目的と
する。すなわち本発明の磁気記憶体は非磁性基体上に形
成されたＣｒ又はＡｇからなる下地体の上にゲルマニウ
ムおよび白金を含むコバルト合金からなる第１の磁性薄
膜が被覆され、該薄膜の上ｌこ直接あるいは非磁性層を
介して第２の磁性薄膜が被覆された構成を有することを
特徴とする〇 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
が可能で、かつ８ＮＲの良好なデータ面サーボ方式を実
現できる磁気２重層磁気記憶体を提供することを目的と
する。すなわち本発明の磁気記憶体は非磁性基体上に形
成されたＣｒ又はＡｇからなる下地体の上にゲルマニウ
ムおよび白金を含むコバルト合金からなる第１の磁性薄
膜が被覆され、該薄膜の上ｌこ直接あるいは非磁性層を
介して第２の磁性薄膜が被覆された構成を有することを
特徴とする〇 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図は本発明の磁気記憶体の一実施例を示す部分断面図で
ある。
ある。
図において非磁性基体１はガラス、アルマイト被覆アル
ミニウム合金、またはニッケル・リン合金被覆アルミニ
ウム合金を表面研磨した基体がありこれらの上１こＣｒ
又はλｇからなる下地層２を被覆し、さらに下地層２の
上にゲルマニウムおよび白金を含むコバルト合金からな
る第１のサーボ用磁性薄膜３が被覆され、さらにその上
にＷ ＋ Ｔ ｓ ＋Ｎｔ−Ｐ、Ｚｒ＊Ｔａ＋ＨｆｔＣ
ｕ＋Ａｇ＋Ａｕ、Ｓｉ＋Ｇｅ＋Ｂ。
ミニウム合金、またはニッケル・リン合金被覆アルミニ
ウム合金を表面研磨した基体がありこれらの上１こＣｒ
又はλｇからなる下地層２を被覆し、さらに下地層２の
上にゲルマニウムおよび白金を含むコバルト合金からな
る第１のサーボ用磁性薄膜３が被覆され、さらにその上
にＷ ＋ Ｔ ｓ ＋Ｎｔ−Ｐ、Ｚｒ＊Ｔａ＋ＨｆｔＣ
ｕ＋Ａｇ＋Ａｕ、Ｓｉ＋Ｇｅ＋Ｂ。
Ｃ＋Ｍｏ＋Ｎｂ＋ＶｒＮｒｚＣｒ＋Ｒｕ＋Ｒｈ＋Ｐｄ＋
Ｏｓ＊Ｉｒ＋Ｐ ｔ ＋ Ｚ ｎ ＋ Ｃｄ −Ｓ ｎ
、Ｐ ｂまたはｉ、ｔたはそれらの酸化物、窒化物ま
たは炭化物又はＣｏ＋Ｆｅ又はＮｉの酸化物、窒化物又
は炭化物からなる非磁性層４が形成され、該非磁性層上
に第２のデータ情報用磁性薄膜５が被覆され、さらにそ
の上に保護膜６が被覆されて構成されている。また前記
非磁性層はなくともよいが形成する場合は非磁性層４は
厚さは０．２〜０．８μｍが好ましい。また第２のデー
タ情報用磁性薄膜５は面内記録用磁性媒体材料すなわち
Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ ＋ＣｏＮ１Ｐ＋ＣｏＮｉ＋ＣｏＮ１
Ｗ。
Ｏｓ＊Ｉｒ＋Ｐ ｔ ＋ Ｚ ｎ ＋ Ｃｄ −Ｓ ｎ
、Ｐ ｂまたはｉ、ｔたはそれらの酸化物、窒化物ま
たは炭化物又はＣｏ＋Ｆｅ又はＮｉの酸化物、窒化物又
は炭化物からなる非磁性層４が形成され、該非磁性層上
に第２のデータ情報用磁性薄膜５が被覆され、さらにそ
の上に保護膜６が被覆されて構成されている。また前記
非磁性層はなくともよいが形成する場合は非磁性層４は
厚さは０．２〜０．８μｍが好ましい。また第２のデー
タ情報用磁性薄膜５は面内記録用磁性媒体材料すなわち
Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ ＋ＣｏＮ１Ｐ＋ＣｏＮｉ＋ＣｏＮ１
Ｗ。
ＲＣｏ（ＲはＳ ｃ ＊ Ｙ ＊ Ｌ ａ ＋ Ｃｅ
＋ Ｐ ｒ ＋ Ｎ ｄ ＋ Ｐ ｍ ＋８ｍ ＋ Ｅ
ｕ ｅ Ｇｄ ＋ Ｔ ｂ ＊ Ｄ ｙ ＋ Ｈｏ
ｒ Ｆｉ ｒ ＋ Ｔｍ ＋ Ｙ ｂ ＊ Ｌｕなどの
希土類金属）又はＣｏＰｔ＊ＣｏＣｕなどを使用するこ
とが出来る。
＋ Ｐ ｒ ＋ Ｎ ｄ ＋ Ｐ ｍ ＋８ｍ ＋ Ｅ
ｕ ｅ Ｇｄ ＋ Ｔ ｂ ＊ Ｄ ｙ ＋ Ｈｏ
ｒ Ｆｉ ｒ ＋ Ｔｍ ＋ Ｙ ｂ ＊ Ｌｕなどの
希土類金属）又はＣｏＰｔ＊ＣｏＣｕなどを使用するこ
とが出来る。
第１の丈−ポ用磁性薄膜３Ｉこサーボ信号を、また第２
のデータ情報用磁性薄膜５にデータ信号が記録される。
のデータ情報用磁性薄膜５にデータ信号が記録される。
丈−ボ用磁性薄膜３はデータ情報用磁性薄膜５Ｉこデー
タ信号が記録される際ヘッド磁界の影響がない様に１０
００〜４ｏｏｏ ｏｅｉでの保磁力が好ましく、これに
より高トラツク密度時の丈−ボ信号の８ＮＲ及びデータ
信号の８ＮＲが向上するのでＳＮＨの良好なデータ面サ
ーボ方式を可能にするこ−とが出来る。
タ信号が記録される際ヘッド磁界の影響がない様に１０
００〜４ｏｏｏ ｏｅｉでの保磁力が好ましく、これに
より高トラツク密度時の丈−ボ信号の８ＮＲ及びデータ
信号の８ＮＲが向上するのでＳＮＨの良好なデータ面サ
ーボ方式を可能にするこ−とが出来る。
さらに第１のサーボ用磁性薄膜としてゲルマニウムと白
金を含むコバルト合金を用いる場合、下地層を形成する
のは特にＨｃを増木させる効果が認められるからである
。
金を含むコバルト合金を用いる場合、下地層を形成する
のは特にＨｃを増木させる効果が認められるからである
。
次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。
実施例１
非磁性基体１として、旋盤加工および熱矯正によって十
分小さ７ようねり（円周方向で５０μｍ以下および半径
方向で１０μｍ以下）をもった面嘉こ仕上げられたディ
スク状アルミニウム合金盤上にニッケルー燐合金を約５
０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐めっき“膜
を最大表面粗さ０．０２μｍ１厚さ３０μｍ１で鏡面研
磨仕上げして非磁性基体１を作った。該非磁性基体１の
上にＣｒの０．１μｍ厚の下地層２をスパッタリングに
より被覆し、さらに該下地層２の上にゲルマニウムおよ
び白金ヲソれぞれ８厚子パーセント、２０厚子パーセン
ト含むコバルト合金をアルゴン圧４ Ｘ ｌ Ｏｔｏｒ
ｒ＋電力密度Ｉ Ｗ／ｃｄにて０．２μｍの厚さにサー
ボ用磁性薄膜３としてスパッタリングにより被覆した。
分小さ７ようねり（円周方向で５０μｍ以下および半径
方向で１０μｍ以下）をもった面嘉こ仕上げられたディ
スク状アルミニウム合金盤上にニッケルー燐合金を約５
０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐めっき“膜
を最大表面粗さ０．０２μｍ１厚さ３０μｍ１で鏡面研
磨仕上げして非磁性基体１を作った。該非磁性基体１の
上にＣｒの０．１μｍ厚の下地層２をスパッタリングに
より被覆し、さらに該下地層２の上にゲルマニウムおよ
び白金ヲソれぞれ８厚子パーセント、２０厚子パーセン
ト含むコバルト合金をアルゴン圧４ Ｘ ｌ Ｏｔｏｒ
ｒ＋電力密度Ｉ Ｗ／ｃｄにて０．２μｍの厚さにサー
ボ用磁性薄膜３としてスパッタリングにより被覆した。
さらに該磁性薄膜３の上に非磁性層４としてＳｉＯをス
パッ４１１ングにより０．２μｍ厚に被覆し、さらにそ
の上にデーｌ情報用磁性薄膜５としてＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ
合金を３ｏｎ７ｅの厚さでスノぐツタ１１フフ番こより
被覆した。さらに該磁性薄膜５の上に保護膜６としてＳ
ｉＯ２をスパンｌリング２ｎｏ７ｅの膜厚で被覆して磁
気ディスクを作った。
パッ４１１ングにより０．２μｍ厚に被覆し、さらにそ
の上にデーｌ情報用磁性薄膜５としてＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ
合金を３ｏｎ７ｅの厚さでスノぐツタ１１フフ番こより
被覆した。さらに該磁性薄膜５の上に保護膜６としてＳ
ｉＯ２をスパンｌリング２ｎｏ７ｅの膜厚で被覆して磁
気ディスクを作った。
サーボ用磁性薄膜３のＨｃは３０００ｏｅであり、デー
タ情報用磁性薄膜５のＨｃは９００ｏｅであったＯ 実施例２ 実施例１と同様にして、但し下地層２としてＣｒの代り
にＡｇを用いて磁気ディスクを作った。サーボ用磁性薄
膜３のＨｅは１７００ｏｅであった。
タ情報用磁性薄膜５のＨｃは９００ｏｅであったＯ 実施例２ 実施例１と同様にして、但し下地層２としてＣｒの代り
にＡｇを用いて磁気ディスクを作った。サーボ用磁性薄
膜３のＨｅは１７００ｏｅであった。
実施例３
実施例１と同様にして但し非磁性層４としてＣｒを用い
て磁気ディスクを作ったＯ データ情報用磁性薄膜５のＨｃはＩ２００ｏｅであった
Ｏ 実施例４゜ 実施例１と同様にして但し非磁性層４としてＷを用いて
磁気ディスクを作った。
て磁気ディスクを作ったＯ データ情報用磁性薄膜５のＨｃはＩ２００ｏｅであった
Ｏ 実施例４゜ 実施例１と同様にして但し非磁性層４としてＷを用いて
磁気ディスクを作った。
データ情報用玉性薄膜５のＩ−１ｃは］０００ｎｅであ
った０ 実施例５ 実施例１と同様にして但し非磁性層４としてＣｒを用い
、さらにデータ情報用磁性薄膜５としてＣｏ＝Ｎｉ合金
を用いて磁気ディスクを作ったＯデータ情報用磁性薄ｇ
５のＨｃは７（１０，ｏｅであった。
った０ 実施例５ 実施例１と同様にして但し非磁性層４としてＣｒを用い
、さらにデータ情報用磁性薄膜５としてＣｏ＝Ｎｉ合金
を用いて磁気ディスクを作ったＯデータ情報用磁性薄ｇ
５のＨｃは７（１０，ｏｅであった。
実施例６
実施例１と同様にして但しサーボ用磁性薄膜３としてゲ
ルマニウムおよび白金をそれぞれ４厚子パーセント、１
０厚子パーセント含むコバルト合金を用いて磁気ディス
クを作った。
ルマニウムおよび白金をそれぞれ４厚子パーセント、１
０厚子パーセント含むコバルト合金を用いて磁気ディス
クを作った。
サーボ用磁性薄膜３のＨｃは２５００ ｏｅであった０
実施例７ 実施例１と同様にして但し非磁性基体１としてガラスを
用いて磁気ディスクを作った。
実施例７ 実施例１と同様にして但し非磁性基体１としてガラスを
用いて磁気ディスクを作った。
実施例８
実施例１と同様にして但し非磁性基体ｌとしてアルマイ
トを被覆したアルミニウム合金を用いて磁気ディスクを
作った。
トを被覆したアルミニウム合金を用いて磁気ディスクを
作った。
実施例９
実施例１と同様にして但し非磁性層４を被覆せずに第１
の磁性薄膜の上に直接筒２の磁性薄膜を被覆して磁気デ
ィスクを作った。
の磁性薄膜の上に直接筒２の磁性薄膜を被覆して磁気デ
ィスクを作った。
以上実施例１〜９の磁気ディスクのデータ情報用磁性薄
膜５ζこ記録したデータ信号の記録密度は磁気ヘッドの
ギャップ長０．１５〜１．０μｍ ’Ｔ’Ｄ５゜（孤立
波出力のイとなる出力の記録密度）力５２５〜６６ＫＦ
ＲＰＩで８ＮＥＬの良好な高密度特性が得られた。
膜５ζこ記録したデータ信号の記録密度は磁気ヘッドの
ギャップ長０．１５〜１．０μｍ ’Ｔ’Ｄ５゜（孤立
波出力のイとなる出力の記録密度）力５２５〜６６ＫＦ
ＲＰＩで８ＮＥＬの良好な高密度特性が得られた。
またサーボ用磁性薄膜３１こ記録したサーボ信号の５Ｎ
ＦＬは高保磁力磁性層の為に良好であり丈−ポ信号とデ
ータ信号を容易１こ区別することが出来、高トラツク密
度（１５００〜３０００ＴＰＩ）の達成が可能となった
。又、本発明のサーボ用磁性薄膜３として用いたゲルマ
ニウムおよび白金を含むコバルト合金は耐食性が良く、
２５゛Ｃの水中にｌケ月以上浸漬しても磁気特性の変化
が全くなく腐食に関しきわめて強いことが分った。
ＦＬは高保磁力磁性層の為に良好であり丈−ポ信号とデ
ータ信号を容易１こ区別することが出来、高トラツク密
度（１５００〜３０００ＴＰＩ）の達成が可能となった
。又、本発明のサーボ用磁性薄膜３として用いたゲルマ
ニウムおよび白金を含むコバルト合金は耐食性が良く、
２５゛Ｃの水中にｌケ月以上浸漬しても磁気特性の変化
が全くなく腐食に関しきわめて強いことが分った。
図は本発明の実施例で用いた磁気記憶体の断面図である
。 １は非磁性基体、２は下地層、３は第１の磁性薄膜、４
は非磁性層、５は第２の磁性薄膜、６Ｃま保護膜である
。
。 １は非磁性基体、２は下地層、３は第１の磁性薄膜、４
は非磁性層、５は第２の磁性薄膜、６Ｃま保護膜である
。
Claims (1)
- １、 非磁性基体上にＣｒ又はＡｇからなる下地体を設
け、該下地体の上憂こゲルマニウムおよび白金を含むコ
バルト合金からなる第１の磁性薄膜が被覆され、該薄膜
の上に直接あるいは非磁性層を介して第２の磁性薄膜が
被覆され、該第２の磁性薄膜上に保護膜が被覆された構
成を有することを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015665A JPS59142738A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015665A JPS59142738A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59142738A true JPS59142738A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0566647B2 JPH0566647B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=11895030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015665A Granted JPS59142738A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59142738A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0183120A2 (en) * | 1984-11-14 | 1986-06-04 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetic recording member |
| JPS61284831A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Nec Corp | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
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| US6627253B2 (en) | 1988-08-10 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
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-
1983
- 1983-02-02 JP JP58015665A patent/JPS59142738A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566647B2 (ja) | 1993-09-22 |
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