JPH0566647B2 - - Google Patents
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- JPH0566647B2 JPH0566647B2 JP58015665A JP1566583A JPH0566647B2 JP H0566647 B2 JPH0566647 B2 JP H0566647B2 JP 58015665 A JP58015665 A JP 58015665A JP 1566583 A JP1566583 A JP 1566583A JP H0566647 B2 JPH0566647 B2 JP H0566647B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気デイス
ク等の磁気記憶体にかかる。
ク等の磁気記憶体にかかる。
磁気記憶装置における記録密度の向上は斯界の
変わらぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気
記録体の薄層化が不可欠である。
変わらぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気
記録体の薄層化が不可欠である。
従来、磁気デイスクとしては酸化鉄微粒子とバ
インダーの混合を基板上に塗布したいわゆるコー
テイング媒体が広く用いられてきた。記録密度の
増加にともないコーテイング媒体の薄層化がなさ
れているが、この厚さを数千Å以下にし、しかも
均一な記録再生特性を実現することはきわめて困
難である。
インダーの混合を基板上に塗布したいわゆるコー
テイング媒体が広く用いられてきた。記録密度の
増加にともないコーテイング媒体の薄層化がなさ
れているが、この厚さを数千Å以下にし、しかも
均一な記録再生特性を実現することはきわめて困
難である。
そこでコーテイング媒体に代る高性能磁気記録
体として、薄層化が容易な連続薄膜媒体が注目さ
れている。連続薄膜媒体としてメツキ法により作
製されたCo−Ni−Ｐメツキ磁気デイスクが開発
されている。
体として、薄層化が容易な連続薄膜媒体が注目さ
れている。連続薄膜媒体としてメツキ法により作
製されたCo−Ni−Ｐメツキ磁気デイスクが開発
されている。
このように磁気デイスク装置の記録密度は年々
向上し、現在装置として線密度についてはおよそ
14000FRPI、トラツク密度は1100TPI（トラツク
ピツチ23.5μｍ）のものが最高である。従来、デ
イスクの記録トラツクの情報を検出するヘツドの
サーボ方式は、データを記録するデイスクとは別
に、サーボ信号を記録したデイスクを用いるサー
ボ面サーボ方式が一般的であるが、サーボ面サー
ボ方式ではデイスク間の温度差による熱膨張によ
り磁気ヘツドのトラツク位置決め精度が上げられ
ないためにトラツク密度に限界が生じてきてい
る。
向上し、現在装置として線密度についてはおよそ
14000FRPI、トラツク密度は1100TPI（トラツク
ピツチ23.5μｍ）のものが最高である。従来、デ
イスクの記録トラツクの情報を検出するヘツドの
サーボ方式は、データを記録するデイスクとは別
に、サーボ信号を記録したデイスクを用いるサー
ボ面サーボ方式が一般的であるが、サーボ面サー
ボ方式ではデイスク間の温度差による熱膨張によ
り磁気ヘツドのトラツク位置決め精度が上げられ
ないためにトラツク密度に限界が生じてきてい
る。
近年サーボ面サーボ方式と異なつて、γ−Fe2
O3粒子を用いたコーテイングデイスクにおいて
２層の磁性層を使用し、下層にサーボ情報を記録
し、上層にデータ情報を記録したデータ面サーボ
方式（ベリードサーボ方式）の実験結果が報告さ
れている。しかしながらγ−Fe2O3コーテイング
デイスクにおいて磁性膜厚を薄くすることが困難
なために（0.5μｍが限界と言われる）記録密度を
大幅に増加させることはむずかしく、さらに高密
度時の対信号雑音比（SNR）が小さいという欠
点を有する。
O3粒子を用いたコーテイングデイスクにおいて
２層の磁性層を使用し、下層にサーボ情報を記録
し、上層にデータ情報を記録したデータ面サーボ
方式（ベリードサーボ方式）の実験結果が報告さ
れている。しかしながらγ−Fe2O3コーテイング
デイスクにおいて磁性膜厚を薄くすることが困難
なために（0.5μｍが限界と言われる）記録密度を
大幅に増加させることはむずかしく、さらに高密
度時の対信号雑音比（SNR）が小さいという欠
点を有する。
本発明の目的は、これらの問題点を改善して高
密度記録が可能で、かつSNRの良好なデータ面
サーボ方式を実現できる磁気２重層磁気記憶体を
提供することを目的とする。すなわち本発明の磁
気記憶体は非磁性基体上に形成されたCr又はAg
からなる下地体の上にゲルマニウムおよび白金を
含むコバルト合金からなる第１の磁性薄膜が被覆
され、該薄膜の上に直接あるいは非磁性層を介し
て第２の磁性薄膜が被覆された構成を有すること
を特徴とする。
密度記録が可能で、かつSNRの良好なデータ面
サーボ方式を実現できる磁気２重層磁気記憶体を
提供することを目的とする。すなわち本発明の磁
気記憶体は非磁性基体上に形成されたCr又はAg
からなる下地体の上にゲルマニウムおよび白金を
含むコバルト合金からなる第１の磁性薄膜が被覆
され、該薄膜の上に直接あるいは非磁性層を介し
て第２の磁性薄膜が被覆された構成を有すること
を特徴とする。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図は本発明の磁気記憶体の一実施例を示す部分
断面図である。
断面図である。
図において非磁性基体１はガラス、アルマイト
被覆アルミニウム合金、またはニツケル・リン合
金被覆アルミニウム合金を表面研磨した基体があ
りこれらの上にCr又はAgからなる下地層２を被
覆し、さらに下地層２の上にゲルマニウムおよび
白金を含むコバルト合金からなる第１のサーボ用
磁性薄膜３が被覆され、さらにその上にＷ，Ti，
Ni−Ｐ，Zr，Ta，Hf，Cu，Ag，Au，Si，Ge，
Ｂ，Ｃ，Mo，Nb，Ｖ，Mn，Cr，Ru，Rh，
Pd，Os，Ir，Pt，Zn，Cd，Sn，PbまたはAlま
たはそれらの酸化物、窒化物または炭化物又は
Co，Fe又はNiの酸化物、窒化物又は炭化物から
なる非磁性層４が形成され、該非磁性層上に第２
のデータ情報用磁性薄膜５が被覆され、さらにそ
の上に保護膜６が被覆されて構成されている。ま
た前記非磁性層はなくともよいが形成する場合は
非磁性層４は厚さは0.2〜0.8μｍが好ましい。ま
た第２のデータ情報用磁性薄膜５は面内記録用磁
性媒体材料すなわちCo，Fe，Ni，CoNiP，
CoNi，CoNiW，Rco（ＲはSc，Ｙ，La，Ce，
Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，
Er，Tm，Yb，Luなどの希土類金属）又は
CoPt，CoCuなどを使用することが出来る。
被覆アルミニウム合金、またはニツケル・リン合
金被覆アルミニウム合金を表面研磨した基体があ
りこれらの上にCr又はAgからなる下地層２を被
覆し、さらに下地層２の上にゲルマニウムおよび
白金を含むコバルト合金からなる第１のサーボ用
磁性薄膜３が被覆され、さらにその上にＷ，Ti，
Ni−Ｐ，Zr，Ta，Hf，Cu，Ag，Au，Si，Ge，
Ｂ，Ｃ，Mo，Nb，Ｖ，Mn，Cr，Ru，Rh，
Pd，Os，Ir，Pt，Zn，Cd，Sn，PbまたはAlま
たはそれらの酸化物、窒化物または炭化物又は
Co，Fe又はNiの酸化物、窒化物又は炭化物から
なる非磁性層４が形成され、該非磁性層上に第２
のデータ情報用磁性薄膜５が被覆され、さらにそ
の上に保護膜６が被覆されて構成されている。ま
た前記非磁性層はなくともよいが形成する場合は
非磁性層４は厚さは0.2〜0.8μｍが好ましい。ま
た第２のデータ情報用磁性薄膜５は面内記録用磁
性媒体材料すなわちCo，Fe，Ni，CoNiP，
CoNi，CoNiW，Rco（ＲはSc，Ｙ，La，Ce，
Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，
Er，Tm，Yb，Luなどの希土類金属）又は
CoPt，CoCuなどを使用することが出来る。
第１のサーボ用磁性薄膜３にサーボ信号を、ま
た第２のデータ情報用磁性薄膜５にデータ信号が
記録される。サーボ用磁性薄膜３はデータ情報用
磁性薄膜５にデータ信号が記録される際ヘツド磁
界の影響がない様に1000〜4000oeまでの保磁力
が好ましく、これにより高トラツク密度時のサー
ボ信号のSNR及びデータ信号のSNRが向上する
のでSNRの良好なデータ面サーボ方式を可能に
することが出来る。
た第２のデータ情報用磁性薄膜５にデータ信号が
記録される。サーボ用磁性薄膜３はデータ情報用
磁性薄膜５にデータ信号が記録される際ヘツド磁
界の影響がない様に1000〜4000oeまでの保磁力
が好ましく、これにより高トラツク密度時のサー
ボ信号のSNR及びデータ信号のSNRが向上する
のでSNRの良好なデータ面サーボ方式を可能に
することが出来る。
さらに第１のサーボ用磁性薄膜としてゲルマニ
ウムと白金を含むコバルト合金を用いる場合、下
地層を形成するのは特にHcを増大させる効果が
認められるからである。
ウムと白金を含むコバルト合金を用いる場合、下
地層を形成するのは特にHcを増大させる効果が
認められるからである。
次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。
実施例 １
非磁性基体１として、旋盤加工および熱矯正に
よつて十分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下
および半径方向で10μｍ以下）をもつた面に仕上
げられたデイスク状アルミニウム合金盤上にニツ
ケル−燐合金を約50μｍの厚さにめつきし、この
ニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ0.02μｍ、
厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げして非磁性基体１
を作つた。該非磁性基体１の上にCrの0.1μｍの厚
の下地層２をスパツタリングにより被覆し、さら
に該下地層２の上にゲルマニウムおよび合金をそ
れぞれ８原子パーセント、20原子パーセント含む
コバルト合金をアルゴン圧４×10-2torr，電力密
度1W／cm2にて0.2μｍの厚さにサーボ用磁性薄膜
３としてスパツタリングにより被覆した。さらに
該磁性薄膜３の上に非磁性層４としてSiO2をス
パツタリングにより0.2μｍ厚に被覆し、さらにそ
の上にデータ情報用磁性薄膜５としてCo−Ni−
Pt合金を300Åの厚さでスパツタリングにより被
覆した。さらに該磁性薄膜５の上に保護膜６とし
てSiO2をスパツタリング200Åの膜厚で被覆して
磁気デイスクを作つた。
よつて十分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下
および半径方向で10μｍ以下）をもつた面に仕上
げられたデイスク状アルミニウム合金盤上にニツ
ケル−燐合金を約50μｍの厚さにめつきし、この
ニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ0.02μｍ、
厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げして非磁性基体１
を作つた。該非磁性基体１の上にCrの0.1μｍの厚
の下地層２をスパツタリングにより被覆し、さら
に該下地層２の上にゲルマニウムおよび合金をそ
れぞれ８原子パーセント、20原子パーセント含む
コバルト合金をアルゴン圧４×10-2torr，電力密
度1W／cm2にて0.2μｍの厚さにサーボ用磁性薄膜
３としてスパツタリングにより被覆した。さらに
該磁性薄膜３の上に非磁性層４としてSiO2をス
パツタリングにより0.2μｍ厚に被覆し、さらにそ
の上にデータ情報用磁性薄膜５としてCo−Ni−
Pt合金を300Åの厚さでスパツタリングにより被
覆した。さらに該磁性薄膜５の上に保護膜６とし
てSiO2をスパツタリング200Åの膜厚で被覆して
磁気デイスクを作つた。
サーボ用磁性薄膜３のHcは3000oeであり、デ
ータ情報用磁性簿膜５のHcは900oeであつた。
ータ情報用磁性簿膜５のHcは900oeであつた。
実施例 ２
実施例１と同様にして，但し下地層２として
Crの代りにAgを用いて磁気デイスクを作つた。
サーボ用磁性薄膜３のHcは1700oeであつた。
Crの代りにAgを用いて磁気デイスクを作つた。
サーボ用磁性薄膜３のHcは1700oeであつた。
実施例 ３
実施例１と同様にして但し非磁性層４として
Crを用いて磁気デイスクを作つた。
Crを用いて磁気デイスクを作つた。
データ情報用磁性薄膜５のHcは1200oeであつ
た。
た。
実施例 ４
実施例１と同様にして但し非磁性層４としてＷ
を用いて磁気デイスクを作つた。
を用いて磁気デイスクを作つた。
データ情報用磁性薄膜５のHcは1000oeであつ
た。
た。
実施例 ５
実施例１と同様にして但し非磁性層４として
Crを用い、さらにデータ情報用磁性薄膜５とし
てCo−Ni合金を用いて磁気デイスクを作つた。
データ情報用磁性薄膜５のHcは700oeであつた。
Crを用い、さらにデータ情報用磁性薄膜５とし
てCo−Ni合金を用いて磁気デイスクを作つた。
データ情報用磁性薄膜５のHcは700oeであつた。
実施例 ６
実施例１と同様にして但しサーボ用磁性薄膜３
としてゲルマニウムおよび白金をそれぞれ４原子
パーセント、10原子パーセント含むコバルト合金
を用いて磁気デイスクを作つた。
としてゲルマニウムおよび白金をそれぞれ４原子
パーセント、10原子パーセント含むコバルト合金
を用いて磁気デイスクを作つた。
サーボ用磁性薄膜３のHcは2500oeであつた。
実施例 ７
実施例１と同様にして但し非磁性基体１として
ガラスを用いて磁気デイスクを作つた。
ガラスを用いて磁気デイスクを作つた。
実施例 ８
実施例１と同様にして但し非磁性基体１として
アルマイトを被覆したアルミニウム合金を用いて
磁気デイスクを作つた。
アルマイトを被覆したアルミニウム合金を用いて
磁気デイスクを作つた。
実施例 ９
実施例１と同様にして但し非磁性層４を被覆せ
ずに第１の磁性薄膜の上に直接第２の磁性薄膜を
被覆して磁気デイスクを作つた。
ずに第１の磁性薄膜の上に直接第２の磁性薄膜を
被覆して磁気デイスクを作つた。
以上実施例１〜９の磁気デイスクのデータ情報
用磁性薄膜５に記録したデータ信号の記録密度は
磁気ヘツドのギヤツプ長0.15〜1.0μｍでD50（孤立
波出力の1/2となる出力の記録密度）が25〜
66KFRPIでSNRの良好な高密度特性が得られ
た。
用磁性薄膜５に記録したデータ信号の記録密度は
磁気ヘツドのギヤツプ長0.15〜1.0μｍでD50（孤立
波出力の1/2となる出力の記録密度）が25〜
66KFRPIでSNRの良好な高密度特性が得られ
た。
またサーボ用磁性薄膜３に記録したサーボ信号
のSNRは高保磁力磁性層の為に良好でありサー
ボ信号とデータ信号を容易に区別することが出
来、高トラツク密度（1500〜3000TPI）の達成が
可能となつた。又、本発明のサーボ用磁性薄膜３
として用いたゲルマニウムおよび白金を含むコバ
ルト合金は耐食性が良く、25℃の水中に１ケ月以
上浸漬しても磁気特性の変化が全くなく腐食に関
しきわめて強いことが分つた。
のSNRは高保磁力磁性層の為に良好でありサー
ボ信号とデータ信号を容易に区別することが出
来、高トラツク密度（1500〜3000TPI）の達成が
可能となつた。又、本発明のサーボ用磁性薄膜３
として用いたゲルマニウムおよび白金を含むコバ
ルト合金は耐食性が良く、25℃の水中に１ケ月以
上浸漬しても磁気特性の変化が全くなく腐食に関
しきわめて強いことが分つた。
図は本発明の実施例で用いた磁気記憶体の断面
図である。 １は非磁性基体、２は下地層、３は第１の磁性
薄膜、４は非磁性層、５は第２の磁性薄膜、６は
保護膜である。
図である。 １は非磁性基体、２は下地層、３は第１の磁性
薄膜、４は非磁性層、５は第２の磁性薄膜、６は
保護膜である。
Claims (1)
- １ 非磁性基体上にCr又はAgからなる下地体を
設け、該下地体の上にゲルマニウムおよび白金を
含むコバルト合金からなる第１の磁性薄膜が被覆
され、該薄膜の上に直接あるいは非磁性層を介し
て第２の磁性薄膜が被覆され、該第２の磁性薄膜
上に保護膜が被覆された構成を有することを特徴
とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015665A JPS59142738A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015665A JPS59142738A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59142738A JPS59142738A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0566647B2 true JPH0566647B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=11895030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015665A Granted JPS59142738A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59142738A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120330A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-07 | Ulvac Corp | 面内記録型磁気記録体 |
| JPS61284831A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Nec Corp | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
| JPS62137720A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体 |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| US5153044A (en) * | 1987-02-25 | 1992-10-06 | Komag, Inc. | Magnetic disk for longitudinal recording comprising an amorphous intermediate layer |
| DE3728711A1 (de) * | 1987-08-28 | 1989-03-16 | Hydraulik Ring Gmbh | Druckregelventil |
| US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
| US6627253B2 (en) | 1988-08-10 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
| US5051288A (en) * | 1989-03-16 | 1991-09-24 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk comprising alternating layers of a CoNi or CoPt alloy and a non-magnetic spacer layer |
| JPH04248120A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-09-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| EP1605442A4 (en) * | 2003-03-17 | 2006-03-22 | Fujitsu Ltd | MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5162007A (ja) * | 1974-11-27 | 1976-05-29 | Suwa Seikosha Kk | Jikikirokutai |
| JPS5319809A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS53141607A (en) * | 1977-05-16 | 1978-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Production of magnetic head |
| JPS55113133A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium for thermal transcription |
| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP58015665A patent/JPS59142738A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5162007A (ja) * | 1974-11-27 | 1976-05-29 | Suwa Seikosha Kk | Jikikirokutai |
| JPS5319809A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59142738A (ja) | 1984-08-16 |
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