JPH08138228A - 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ヘッドが低浮上可能で、高密度記録が可能な
磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気記録装置を
提供する。 【構成】 非磁性ディスク基板１１と、その上に形成さ
れた磁性膜１４を有する磁気記録媒体において、磁性膜
１４中のＣｒの濃度を１０原子％以上、２０原子％以
下、Ｔａの濃度を２原子％以上、６原子％以下、Ｓｍの
濃度を１原子％以上、２０原子％以下とし、同時にヘッ
ド走行方向に測定した磁性膜の残留磁化Ｂｒと総膜厚δ
との積Ｂｒδの値を５Ｇμｍ以上、１００Ｇμｍ以下と
し、かつ、保磁力を２．５ｋＯｅ以上、５ｋＯｅ以下と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ドラム、磁気テー
プ、磁気ディスク、磁気カード等の磁気記録媒体および
磁気記録装置に係り、特に高密度磁気記録に好適な薄膜
媒体およびこれを用いた小型大容量磁気記録装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子計算機の小型化・高速化に伴
い、磁気ディスク装置その他の外部記録装置の大容量化
・高速アクセス化に対する要求が高まりつつある。その
中で、磁気ディスク記録装置は高密度化・高速化に適し
た情報記憶装置であり、その需要が一段と強い。磁気デ
ィスク装置に用いられる記録媒体には、金属磁性体の薄
膜を基板上にスパッタ蒸着した薄膜媒体が用いられてい
る。薄膜媒体の基板にはＮｉ−Ｐめっき膜形成されたＡ
ｌ合金や、ガラス等のセラミック基板が用いられる。ま
た、磁気ヘッドの再生部に磁気抵抗効果型（以後、ＭＲ
と略記する）素子を用いることにより、ヘッドの再生感
度を従来の誘導型磁気ヘッドに比べて向上した記録再生
分離型ヘッド（以後、ＭＲヘッドと略記する）が開発さ
れている。このヘッドを用いると記録ビットの面積が小
さくても充分な信号Ｓ／Ｎが得られるので、媒体の記録
密度を飛躍的に向上することができる。

【０００３】記録密度が５００Ｍｂ／ｉｎ² 以下では磁
性膜の材料として保磁力Ｈｃの高いＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の合金が用いられている。Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ系では媒体からのノイズが小さいため、高い
Ｓ／Ｎが得られることが例えば特開平１−１３３２１７
号公報や特開平２−２９２７１５号公報に記載されてい
る。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系において媒体ノイズが小さい理
由は、主に磁性膜の結晶粒界部にＣｒが偏析しやすく、
結晶粒子間の磁気的な相互作用（以後、粒子間相互作用
と略記する）が低下するためと考えられている。また、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性膜は腐食を防ぐ作用をするＴａ
元素を含むため、極めて高い耐食信頼性を有する。一
方、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ではＣｒやＰｔ濃度の制御によ
り耐食性や保磁力の向上、さらにはノイズの低減を図れ
ることが、例えば特開昭６３−１８７４１４号公報や特
開平１−２８３８０３号公報に記載されている。特に、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ではＰｔ濃度を高めることにより異
方性磁界ＨｋをＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系より高くできるた
め、高い保磁力が得られることがジャーナル・オブ・ア
プライド・フィジックス、７３巻、５５６９頁（１９９
３年）に記載されている。ただし、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系
の耐食信頼性はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系に比べて劣る。

【０００４】さらに、面内記録あるいは垂直記録用の高
保磁力材料としてＣｏとＳｍを含む合金が特開昭５５−
１２５５３３号公報や特開昭５９−２２７１０８号公
報、特開昭６０−８９９０６号公報や特開昭６４−３２
４２２号公報に記載されている。ＣｏにＳｍを添加する
と、異方性磁界Ｈｋや一軸磁気異方性定数Ｋｕが増加す
るため、高い保磁力Ｈｃが得られることが知られてい
る。このように磁性膜の合金組成を制御することにより
５００Ｍｂ／ｉｎ² 以下の記録密度において、ＭＲヘッ
ドの特性に適合した磁気記録媒体が設計、生産されてき
た。

【０００５】一方、記録媒体に低密度で記録した孤立波
の再生出力はヘッド走行方向に測定した磁性膜の残留磁
束密度Ｂｒと磁性膜の膜厚δとの積Ｂｒδに近似的に比
例する。誘導型の磁気ヘッドを用いて面記録密度１５０
Ｍｂ／ｉｎ² を達成するためには、例えば媒体のＢｒδ
として３３０Ｇμｍ（２．６ｍｅｍｕ／ｃｍ² ）程度が
適当であるが、誘導型磁気ヘッドより感度の高いＭＲヘ
ッドを用いる場合にはＢｒδを従来より低減することが
適当であり、面記録密度１Ｇｂ／ｉｎ² を達成するため
には、Ｂｒδとして９０Ｇμｍ（０．７ｍｅｍｕ／ｃｍ
² ）程度が適当であることが雑誌アイイーイーイー・ト
ランサクション・オン・マグネティクス、２６巻、２２
７１頁（１９９０年）に述べられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】今後、記録密度を１〜
１０Ｇｂ／ｉｎ² まで向上するためには再生感度の高い
ＭＲヘッドを用いることが必須である。ＭＲヘッドの能
力を有効に使うためには、媒体の保磁力を２．５ｋＯｅ
以上に高めるとともにＢｒδおよび媒体ノイズを従来よ
り低減することが必要である。これは、Ｂｒδが過度に
大きいとＭＲ膜の磁化が過度に回転して不安定化するた
め、ヘッドよりバルクハウゼンノイズが発生し、使用不
能となるためである。さらに、再生信号の波形が正側と
負側で非対称となり、信号の弁別が困難となる問題もあ
る。また、ＭＲヘッドでは、記録された信号とともに媒
体ノイズに対する感度も高いため、媒体ノイズを従来よ
り著しく低減する必要がある。

【０００７】従来、媒体ノイズの低減には磁性膜として
粒子間相互作用の小さいＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の合金を用
い、さらにＣｒ濃度を増加したり（Ｂｒの低減）、磁性
膜の膜厚δを減らすことにより、Ｂｒδおよび媒体ノイ
ズを低減してきた。しかしながら、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
では残留磁束密度Ｂｒを従来より減らすと異方性磁界Ｈ
ｋが低減する上、膜厚δを従来より減らすと磁化の熱揺
らぎの影響により２．５ｋＯｅ以上の保磁力Ｈｃを得る
ことが困難なことが見出された。Ｈｃを高めるには上述
のようにＨｋの高いＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系やＣｏ−Ｓｍ系
の合金を用いることが有効であるが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
系やＣｏ−Ｓｍ系では粒子間相互作用が大きいため媒体
ノイズを充分に低減することができない。特に、Ｃｏ−
Ｓｍ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｓｍ系では磁性膜が非晶質構造と
なるため、Ｃｒ等の非磁性物質が結晶粒界や粒内へ偏析
しないため粒子間相互作用の低減が起こらない。このた
め媒体ノイズが高くなる問題がある。また、Ｓｍは空気
中で特に腐食しやすい元素のため、Ｃｏ−Ｓｍ系やＣｏ
−Ｃｒ−Ｓｍ系では充分な耐食信頼性が得られず磁性膜
材料に適用するのは困難である。このため、高いＨｃ
（高いＨｋ）、低い媒体ノイズ、高い耐食信頼性を同時
に満足する磁性膜材料を開発することが強く求められて
いる。

【０００８】また、媒体からの磁束を有効にＭＲヘッド
で検出するためには、ヘッドの浮上量を０．０２μｍ以
上、０．１μｍ以下とする必要がある。しかし、従来の
媒体ではヘッド粘着防止あるいは磁気特性向上の目的
で、基板表面に中心線平均粗さ（Ｒａと略記する；ＪＩ
Ｓ−Ｂ０６０１により定義される）が３ｎｍを超えるテ
クスチャーが形成されており、浮上量を下げるとテクス
チャーの突起部とヘッドが接触しやすく、浮上量を０．
１μｍ以下に低減できないという問題がある。従って、
ヘッドが安定に浮上できるように、従来より表面が平滑
な媒体を形成する必要がある。

【０００９】以上の課題および状況を鑑み、本発明の第
一の目的は、再生感度の高いＭＲヘッドに適応した、高
いＨｃ（２．５ｋＯｅ以上）、低い媒体ノイズ、高い耐
食信頼性を同時に満足する磁気記録媒体を提供すること
である。さらに、ＭＲヘッドの浮上量０．０２μｍ以
上、０．１μｍ以下において線記録密度１５０ｋＢＰＩ
以上、トラック密度７ｋＴＰＩ以上での記録再生時のＳ
／Ｎの値が４以上の磁気記録媒体を提供することであ
る。本発明の第二の目的はこのような媒体を再現性良く
製造する方法を提供することであり、本発明の第三の目
的は、このような媒体を用いた大容量で信頼性の高い磁
気記録装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、磁性膜の
合金組成と保磁力Ｈｃおよび媒体ノイズとの関係を数多
くの合金組成に対して調べた結果、上記目的を達成する
ためには、磁気記録媒体の磁性膜の組成として、Ｃｏを
主たる成分として有し、濃度が１０原子％以上、２０原
子％以下のＣｒと、濃度が２原子％以上、６原子％以下
のＴａと、濃度が１原子％以上、２０原子％以下のＳｍ
とを含む合金が適していることを見出した。

【００１１】また、上記目的を達成するための第二の方
法として、磁性膜の組成としてＣｏを主たる成分として
有し、Ｃｏに対するＣｒの相対濃度が１１．４％以上、
２７．０％以下、Ｃｏに対するＴａの相対濃度が２．３
％以上、８．１％以下である組成を採用し、Ｓｍまたは
Ｓｍ合金からなる膜厚０．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下の中
間層により、磁性膜が２層以上に多層化されており、さ
らに、中間層中のＳｍの一部が磁性膜中に拡散した構造
が適していることを見出した。Ｓｍの拡散は、成膜温度
が高い場合には成膜中に行われ、より確実には成膜後に
加熱することによって行われる。また、磁性膜中Ｓｍ濃
度が１原子％以上、２０原子％以下の磁性膜部分の磁性
膜総膜厚に占める割合が５％以上となるように、Ｓｍを
磁性膜中に充分に拡散させると、２．５ｋＯｅ以上の高
いＨｃが得られるので好ましい。この第二の方法は磁性
膜の耐食信頼性に優れており、媒体ノイズも著しく低い
ので好ましい。

【００１２】上記磁気記録媒体において、４ｋＯｅ以上
の高いＨｃを得るためには、前記磁性膜はＣｏに対する
Ｃｒの相対濃度が１４．１％以上、２３．７％以下、Ｃ
ｏに対するＴａの相対濃度が３．５％以上、７．９％以
下、Ｓｍの濃度が２原子％以上、１０原子％以下、残部
がＣｏの合金からなることが好ましい。また、Ｓｍを中
間層から拡散させる場合、拡散前の中間層中のＳｍ濃度
は１０原子％以上が高いＨｃを得る上で好ましい。

【００１３】さらに、上記磁気記録媒体において、総磁
性膜厚δを５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下とし、保磁力Ｈｃ
を２．５ｋＯｅ以上とすると、磁化遷移領域の磁化の乱
れが低減して磁化遷移領域の幅が減少し、高記録密度領
域においても高い出力が得られるので好ましい。特にＢ
ｒδを５Ｇμｍ以上、１００Ｇμｍ以下とすると媒体ノ
イズが低減し、高い媒体Ｓ／Ｎが得られるので特に好ま
しい。また、良好な重ね書き（オーバーライト）特性を
保証するためには保磁力Ｈｃは５ｋＯｅ以下とすること
が好ましい。

【００１４】さらに、上記磁気記録媒体において、ヘッ
ド走行方向と垂直の方向に測定した媒体保護膜表面の中
心線平均粗さＲａを０．３ｎｍ以上、３ｎｍ以下とする
と、ヘッド浮上量が０．０２μｍ以上、０．１μｍ以下
でも安定に浮上するため好ましい。ここで、中心線平均
粗さＲａは針先径が０．２μｍ以下の触針式表面粗さ
計、走査トンネル顕微鏡、電子線三次元粗さ測定装置等
により求められ、測定距離は１０μｍ以上、１００μｍ
以下であることが正確な測定値を得る上で好ましい。

【００１５】また、磁性膜の磁化容易軸が基板面と略平
行となるように結晶を配向成長させると、ヘッド走行方
向の磁気異方性が向上して保磁力Ｈｃが向上するので好
ましい。磁化容易軸が基板面と略平行となるよう磁性膜
結晶を成長させるには、面粗さが小さい基板上に媒体を
形成することが有効である。例えば、基板表面の中心線
表面粗さＲａが２ｎｍ未満となるようテクスチャー加工
した後に、直接もしくは下地層を介して磁性層、保護層
を形成すると、磁性膜結晶の磁化容易軸が基板面とほぼ
平行となるので好ましい。また、上記基板をアルゴンガ
スを用いてプラズマエッチングした後、直接もしくは非
磁性下地層を介して磁性膜を形成すると磁性膜結晶の磁
化容易軸が基板面とほぼ完全に平行となるので好まし
い。このプラズマエッチング処理において、プラズマ出
力密度を３０ｍＷ／ｃｍ² 以上、１Ｗ／ｃｍ² 以下と
し、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波プラズマを用いる
と、磁性膜の結晶性が向上するので好ましい。

【００１６】さらに、成膜真空槽の排気速度や膜の成長
速度を増したり、基板に負のバイアス電圧を１０Ｖ以
上、５００Ｖ以下で印加して成膜すると、磁性膜や下地
膜中に混入する水や酸素等の不純物濃度が低減するとと
もに、磁性膜中の応力が増加しＨｃが増加し、さらに、
磁性膜をＳｍを含有する中間層により二層化する場合
に、Ｓｍが磁性膜中に拡散しやすくなるので好ましい。
特に磁性膜を形成する際に、合金ターゲット中の酸素濃
度を５０ｐｐｍ以下とすると、Ｓｍが磁性膜中に拡散し
やすくなり、高いＨｃが得られるので好ましい。また、
磁性膜の耐食性も２倍以上に向上するので好ましい。ま
た、上記下地膜、磁性膜あるいは中間膜をＥＣＲプラズ
マ方式のスパッタリングにより形成すると、結晶配向性
が向上するため保磁力が向上するとともに、膜が緻密に
なり、耐食信頼性も向上するので好ましい。

【００１７】また、媒体表面の中心線平均粗さＲａを従
来より小さい値とした場合に、コンタクト・スタート・
ストップ（ＣＳＳ）動作時のヘッドの粘着を抑制するに
は、磁性膜上に保護膜を形成した後にマスクを用いてプ
ラズマエッチングすることで表面に高さ２０ｎｍ以下の
微細な凹凸を形成したり、化合物、混合物のターゲット
を用いて保護膜表面に微細な突起が生じるように形成し
たり、あるいは熱処理によって表面に微細な凹凸を形成
すると、ＣＳＳ動作時にヘッドと媒体の摩擦力が低減で
き、ヘッドが媒体に粘着する問題が回避されるので好ま
しい。

【００１８】また、媒体を形成するにあたっては、基板
の温度を２００℃以上、５００℃以下とすると、磁性膜
中のＣｒの偏析が促進されてＨｃが向上するとともに、
磁性膜を、Ｓｍを含有する中間層により二層化する場合
には、Ｓｍが磁性膜中に拡散しやすくなるので好まし
い。さらに、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，
Ｔｉ，Ｂ，Ｂｅ，Ｃ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｂの少なくとも
一つを主たる成分として、膜厚が０．５ｎｍ以上、５ｎ
ｍ以下である非磁性中間層により、磁性膜を２層以上に
多層化すると単層の磁性膜に比べて媒体ノイズがさらに
低下するので好ましい。また、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂあ
るいはＴａを主たる成分とし、Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓ
ｉ，Ｆｅ，Ｖ，Ｐ，Ｂのいずれか少なくとも１種の元素
を添加した合金下地層を膜厚５〜５００ｎｍ形成する
と、媒体ノイズが低下するので好ましい。また、前記下
地層が少なくとも２層の非磁性層で構成され、基板側の
下地層としてＺｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｃ，Ａｌ，Ｃ，Ｇ
ｅ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｖ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｒｈ，
Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｂもしくはこれらを主たる成分とする
合金膜を膜厚５〜５００ｎｍ形成すると、ガラスやＴｉ
Ｏ₂ 、カーボン等のセラミック材料からなる基板を用い
たときでも高いＨｃが得られるので好ましい。

【００１９】磁性層としては、六方晶結晶構造の（１１
０）結晶格子面が基板と略平行となるよう結晶を配向成
長させるとＨｃが向上するので望ましい。さらに、磁性
膜の保護層としてカーボン、水素添加カーボン、もしく
はカーボンを主たる成分とする非磁性材料を膜厚１０〜
５０ｎｍ形成し、さらに吸着性のパーフルオロアルキル
ポリエーテル等の潤滑層を膜厚３〜２０ｎｍ設けること
により信頼性が高く、高密度記録が可能な磁気記録媒体
が得られる。保護層にはＷＣ，（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ等の炭
化物、（Ｚｒ−Ｎｂ）−Ｎ，Ｓｉ₃Ｎ₄ 等の窒化物、Ｓ
ｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ 等の酸化物、あるいはＢ，Ｂ₄Ｃ，Ｍ
ｏＳ₂ ，Ｒｈ等を用いると耐摺動性、耐食性を向上でき
るので好ましい。これらの保護膜はマスクを用いて表面
をエッチングし、面積比で１〜２０％の突起を設ける
か、成膜条件、組成等を調整し、保護膜中に異なる相か
らなる突起物を析出せしめることで、保護膜が磁性膜表
面に比べて大きな面粗さを有することがより好ましい。

【００２０】本磁気記録媒体とトラック幅が３μｍ以下
のＭＲヘッドとを組合せることにより、大容量で高信頼
性の磁気記録装置を提供することができる。また、最尤
復号法による信号処理回路とを組み合わせるとさらに記
録密度を向上できるのでより好ましい。

【００２１】

【作用】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性膜中にＳｍを添加する
と磁性膜の異方性磁界Ｈｋが向上するため、保磁力Ｈｃ
が向上する。また、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性膜中のＣｒ
等の非磁性物質の結晶粒界や粒内への偏析はＳｍの添加
により実質的には変化せず、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ
−Ｓｍ系、あるいはＣｏ−Ｃｒ−Ｓｍ系合金に比べて粒
子間相互作用は著しく小さい。従って、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ−Ｓｍ系では２．５ｋＯｅ以上の高いＨｃがＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系に比べて容易に得られ、さらに、非磁性物質
が偏析した結晶粒構造を有することからＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ系、Ｃｏ−Ｓｍ系、あるいはＣｏ−Ｃｒ−Ｓｍ系合金
に比べて媒体ノイズを低減することが可能になる。

【００２２】さらに、磁性膜中に腐食を防ぐ効果を有す
るＴａ元素を有するため磁性膜の耐食信頼性が大幅に向
上する。すなわち、本発明により高Ｈｃ、低ノイズ特
性、高い耐食信頼性のいずれをも満足する磁気記録媒体
を形成できる。磁性膜をＳｍまたはＳｍ合金からなる中
間層により２層以上に多層化し、中間層中のＳｍの一部
を磁性膜中に拡散せしめると、Ｓｍが拡散した磁性膜の
磁気異方性定数Ｈｋや保磁力Ｈｃが向上するとともに、
磁性膜の結晶粒の成長が中間層の形成により中断される
ため、単層の磁性膜に比べ結晶粒径を減少でき、これに
より媒体ノイズを低減できる。

【００２３】成膜当初から磁性膜中にＳｍを添加する場
合に比べ、成膜後に中間層中のＳｍを拡散により磁性膜
中に添加する方法では、磁性膜中のＣｒ等の非磁性物質
の偏析が成膜時に既に充分に進行している。このため、
Ｓｍ拡散後も粒子間相互作用をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金
と同様に低くできるので媒体ノイズを低減できる。耐食
性の面からも中間層中のＳｍを磁性膜中に拡散する本方
法は、空気に触れる磁性膜表面部分のＳｍ濃度を低減で
きるため腐食が進行しにくく、耐食信頼性に優れてい
る。

【００２４】媒体の総磁性膜厚δを５ｎｍ未満とする
と、δが減少するに従い磁性膜の結晶粒径が小さくなり
すぎ、磁化の熱ゆらぎの効果等によりＨｃは低下する。
また、δが３０ｎｍを超えると磁性膜が垂直方向に磁化
しやすくなるためＨｃが低下する。従ってＨｃを２．５
ｋＯｅ以上とするためにはδを５ｎｍ以上、３０ｎｍ以
下の値とする必要がある。Ｈｃを２．５ｋＯｅ以上とす
ると磁化遷移領域の幅が減少して出力半減記録密度Ｄ₅₀
が向上するため、高線記録密度時にも高い出力が得ら
れ、同時に媒体ノイズが減少するため再生信号のＳ／Ｎ
が向上する。また、Ｈｃを５ｋＯｅよりも高くするとオ
ーバーライト特性が２０ｄＢ以下となるので、Ｈｃを５
ｋＯｅ以下とすることが好ましい。

【００２５】また、媒体のＢｒδが過度に大きいとＭＲ
膜の磁化回転が不安定となり、ヘッドよりバルクハウゼ
ンノイズが発生する。また、Ｂｒδが増すと記録ビット
の遷移領域において反磁界が増して磁化の揺らぎが大き
くなるため、再生感度が高いＭＲヘッドを用いた場合に
媒体ノイズが著しく大きくなる。さらに、ＭＲヘッドは
再生感度が高いため、Ｂｒδが１００Ｇμｍを超えると
再生出力が飽和して出力信号の波形が非対称となる。一
方、Ｂｒδが５Ｇμｍ未満では再生出力が小さく、媒体
ノイズの大きさと同程度となるため高い信号Ｓ／Ｎが得
られない。従って、使用するＭＲヘッドの再生感度に適
合して媒体のＢｒδを５Ｇμｍ以上、１００Ｇμｍ以下
の範囲に制御することが高いＳ／Ｎを得る上で好まし
い。

【００２６】媒体からの磁束を有効にＭＲヘッドで検出
するためには、ヘッドの浮上量を減少することが有効で
ある。ヘッド走行方向と垂直の方向に測定した媒体保護
膜表面の中心線平均粗さＲａを０．３ｎｍ以上、３ｎｍ
以下とすると浮上量が０．０２μｍ以上、０．１μｍ以
下でもヘッドが安定に浮上する。本発明による媒体はＳ
／Ｎが極めて高いため、トラック幅が３μｍ以下のＭＲ
ヘッドで再生した場合にトラック密度７ｋＴＰＩ以上、
１５０ｋＢＰＩ以上の高い記録密度においてＳ／Ｎが４
以上の大容量磁気記録装置が得られる。また、最尤復号
法により信号処理回路とを組み合わせることでさらに記
録密度を向上できるのでさらに好ましい。

【００２７】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。 〔実施例１〕図１は、本発明の一実施例による薄膜媒体
の断面構造を模式的に示したものである。同図におい
て、符号１１はＡｌ−Ｍｇ合金、化学強化ガラス、有機
樹脂、Ｔｉ，Ｓｉ，カーボン、あるいはＴｉＯ₂ ，Ｓｉ
Ｃ等のセラミックス等からなる基板、１２は基板１１の
両面に形成したＮｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ等からなる非磁
性メッキ層である。Ａｌ−Ｍｇ合金を基板として用いた
場合にはこのようなメッキ層を備えたものを基板として
用いることが好ましい。１３はＣｒ，Ｍｏ，ＷまたはＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｗのいずれかを主な成分とする合金からなる
金属下地膜、１４は下地膜の上に形成したＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ−Ｓｍ合金磁性層、１５は磁性膜の上に形成したカ
ーボン、ＷＣ，（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ，（Ｗ−Ｚｒ）−Ｃ，
ＳｉＣ，（Ｚｒ−Ｎｂ）−Ｎ，Ｓｉ₃Ｎ₄ ，ＳｉＯ₂ ，
ＺｒＯ₂ ，ボロン，Ｂ₄Ｃ，ＭｏＳ₂，あるいはＲｈ等か
らなる非磁性保護膜をそれぞれ示す。

【００２８】外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．３
ｍｍのＡｌ−Ｍｇディスク基板の両面にＮｉ−２１Ｐ
（元素記号の前に記した数字は、膜中の当該元素の原子
％で表わした濃度）からなるメッキ層を１３μｍの膜厚
で形成した。この非磁性基板の表面を、ラッピングマシ
ンを用いて中心線平均粗さＲａが０．５ｎｍとなるまで
平滑に研磨し、洗浄および乾燥した。その後、テープポ
リッシングマシンを用い、平均砥粒径１μｍ以下の研磨
剤の存在下で、研磨テープをコンタクトロールを通して
ディスク基板１１を回転させながらディスク面の両側に
押しつけることにより、Ｒａが１．５ｎｍのテクスチャ
ー溝を形成した。さらに、基板に付着した研磨剤等の汚
れを洗浄して乾燥した。

【００２９】このディスク基板を直流スパッタリング成
膜装置中で、真空槽体積当りの水蒸気の排気速度２００
ｌ／ｓ以上の排気ポンプを用いて真空保持し、３００℃
まで加熱した後、アルゴン圧５ｍＴｏｒｒにおいて基板
を周波数１３．５６ＭＨｚにてプラズマエッチングし
た。プラズマ出力密度は１０ｍＷ／ｃｍ² 以上、２００
０ｍＷ／ｃｍ² 以下とし、エッチング膜厚は２ｎｍ以下
とした。その後、２ｍＴｏｒｒのアルゴン圧において膜
厚２５ｎｍのＣｒ下地膜を形成した。この下地膜上に含
有酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の合金ターゲットを用い
て（８０−ｘ）Ｃｏ−１６Ｃｒ−４Ｔａ−ｘＳｍ合金系
磁性膜を膜厚１５ｎｍ成膜した。その後、磁性膜上に膜
厚１０ｎｍのカーボン保護膜を形成し、最後に保護膜上
に吸着性のパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑
層を形成した。

【００３０】本媒体のヘッド走行方向と垂直の方向に測
定した、保護膜表面のＲａは３ｎｍであった。媒体の面
内方向の静磁気特性（Ｈｃ，Ｂｒ，Ｈｋ）を最大印加磁
界１４ｋＯｅの振動式磁化測定機（ＶＳＭ）、トルクメ
ーターにより求めた。また、記録再生特性を、ヘッド浮
上量０．０８μｍ、実効ギャップ長０．３μｍ、トラッ
ク幅２μｍ、再生部にＭＲ素子を有する複合型薄膜磁気
ヘッドを用いて線記録密度１５０ｋＢＰＩにおいて再生
信号のＳ／Ｎの値を求めた。

【００３１】磁性膜中のＳｍ濃度（ｘ）と面内保磁力
（Ｈｃ）の関係を図２に示す。ｘが１原子％以上、２０
原子％以下の時にＨｃが２．５ｋＯｅ以上、５ｋＯｅ以
下となった。この時のＢｒδの値は７０Ｇμｍ以上、９
５Ｇμｍ以下であった。また、ｘが２原子％以上、１０
原子％以下の時にＨｃが４ｋＯｅ以上、５ｋＯｅ以下と
なった。また、異方性磁界Ｈｋの値はＳｍを０，１，
５，２０原子％と増すことにより、順次５，９，１２，
１５ｋＯｅと向上した。

【００３２】上記方法により形成された本発明の磁気記
録媒体をＸ線回折分析した結果、Ｃｒ下地層では体心立
方構造の（２００）結晶格子面が基板面と略並行となる
よう結晶が配向成長していることが確認された。また、
磁性層では六方晶構造の（１１０）面がディスク基板表
面と略並行となるよう配向し、基板面内方向に磁化容易
軸（ｃ軸）を有していた。

【００３３】本媒体を用いて、浮上量０．０８μｍにお
いてＭＲヘッドを媒体内周から外周まで１０万回シーク
した結果、ヘッドと媒体の接触は起こらないことが確認
された。さらに、この媒体を用いて浮上量０．０５μ
ｍ、記録密度１５０ｋＢＰＩ、７ｋＴＰＩの条件でＭＲ
ヘッドを用いて測定した信号再生Ｓ／Ｎと、Ｓｍ濃度
（ｘ）との関係を図３に示す。ｘの値が１原子％以上、
２０原子％以下の時にＳ／Ｎが向上し、４以上となっ
た。さらに、媒体の信頼性試験として、媒体表面に塩水
を噴霧した後、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの恒温恒湿
槽に１週間保持した後、ＶＳＭにより磁化量を測定した
ところ、磁化の減少は５％以下と従来のＣｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ系磁気記録媒体と同等であり、良好な耐食性が確認さ
れた。

【００３４】〔実施例２〕図４に断面略図を示す磁気記
録媒体を作製した。作製に当たっては、外径６５ｍｍ、
内径２０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのガラスディスク基板４
１を、ラッピングマシンを用いて中心線平均粗さＲａが
０．５ｎｍとなるまで平滑に研磨し、洗浄および乾燥し
た。このディスク基板４１をＥＣＲプラズマスパッタリ
ング成膜装置内に真空保持し、４００℃まで加熱した
後、１ｍＴｏｒｒのアルゴン圧において、図４の断面構
造に示すように、膜厚１０ｎｍのＣｒ下地膜４２、膜厚
１０ｎｍの８０Ｎｉ−２０Ｐ下地膜４３、膜厚２５ｎｍ
の８０Ｃｒ−２０Ｔｉ下地膜４４を形成した。この下地
膜上に含有酸素濃度が５０ｐｐｍ以下の合金ターゲット
を用いて膜厚１０ｎｍのＣｏ−１６Ｃｒ−６Ｔａ合金磁
性膜４５、膜厚２ｎｍの５０Ｓｍ−５０Ｃｒ中間膜４７
を積層し、さらに含有酸素濃度が５０ｐｐｍ以下の合金
ターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＣｏ−１６Ｃｒ−６
Ｔａ合金磁性膜４５を順次積層した。Ｃｒ下地層４２は
接着層としての機能、下地層４３はその上に形成される
Ｃｒ−Ｔｉ膜４４の結晶配向制御機能、下地層４４はそ
の上に形成される磁性膜４５の結晶配向制御機能を有す
る。磁性膜４５，４５には、成膜中にＳｍ拡散層４６が
形成された。中間膜や磁性膜を成膜する際には、基板に
負のバイアス電圧を２００Ｖ印加した。また、基板温度
３００℃にて３０分間加熱してＳｍを磁性膜中に拡散せ
しめた。

【００３５】その後、磁性膜上に膜厚１０ｎｍの水素含
有カーボン保護膜４８を形成し、最後に保護膜上に吸着
性のパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を形
成した。本媒体のヘッド走行方向と垂直の方向に測定し
た、保護膜表面のＲａは０．３ｎｍであった。実施例１
と同様に媒体の静磁気特性を測定し、ＭＲヘッドを用い
て記録再生特性を求めた。また、磁性膜および中間層中
のＣｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｓｍの膜厚方向の濃度分布をイオ
ンマイクロアナライザーにより分析した。図５に、磁性
膜および中間層中のＳｍの膜厚方向の濃度分布を示す。
中間層４７中のＳｍが磁性膜４５，４５中に拡散し、磁
性膜総膜厚中の９０％の磁性膜部分中のＳｍ濃度は１原
子％以上、２０原子％以下となっていた。本媒体の保磁
力は３ｋＯｅ、Ｈｋは１０ｋＯｅであり、２００ｋＢＰ
Ｉ、１０ｋＴＰＩの条件で測定したＳ／Ｎは５であっ
た。

【００３６】比較のために中間層中のＳｍの濃度を０と
して作製した媒体の保磁力は２ｋＯｅ、Ｈｋは５ｋＯｅ
であり、２００ｋＢＰＩ、１０ｋＴＰＩの条件で測定し
たＳ／Ｎは２．５と低く、Ｓｍの添加効果が明らかとな
った。上記Ｓｍ−Ｃｒ中間層４７の膜厚と記録再生Ｓ／
Ｎの関係を図６に示す。中間層の膜厚を０．５ｎｍ以
上、５ｎｍ以下とするとＳ／Ｎは４以上に向上した。ま
た、磁性膜の総膜厚は一定として、Ｓｍ−Ｃｒ中間層の
数を２，３，４，５と増した場合のＳ／Ｎはそれぞれ
５，５，４，３．５となり、Ｓｍ−Ｃｒ中間層を５層以
上とした場合にはＳ／Ｎの向上はＣｒ中間層に比べて僅
かであった。さらに、中間層をＳｍ単体あるいはＳｍと
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒとの合金（ただ
し、合金中のＳｍ濃度は１０原子％以上とする）とした
ときにも同様の効果が得られた。

【００３７】また、このＳｍ添加効果は第２層下地膜４
３としてＺｒ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｃ，Ａｌ，Ｃ，Ｇｅ，Ｓ
ｂ，Ｇａ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｖ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｒｈ，
Ｎｉ−Ｂもしくはこれらの合金を用いた場合でも同様に
認められ、基板４１としてＴｉ基板、ＳｉＣ基板、グラ
ファイト基板を用いた場合でも同様に認められた。さら
に媒体の信頼性試験として、媒体表面に塩水を噴霧した
後、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１週間
保持したあとＶＳＭにより磁化量を測定したところ、磁
化の減少は３％以下と従来のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁気記
録媒体と同等であり、良好な耐食性が確認された。

【００３８】〔実施例３〕外径６５ｍｍ、内径２０ｍ
ｍ、厚さ０．３ｍｍのカーボンディスク基板表面を、ラ
ッピングマシンを用いて中心線平均粗さＲａが０．５ｎ
ｍとなるまで平滑に研磨し、洗浄および乾燥した。その
後、実施例２と同様にＥＣＲスパッタリング成膜装置内
で５００℃まで加熱した後、５ｍＴｏｒｒのアルゴン圧
において下地膜としてＣｒを３０ｎｍ形成し、次いで含
有酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の合金ターゲットを用い
て（９７−ｙ−ｚ）Ｃｏ−ｙＣｒ−ｚＴａ−３Ｓｍ合金
磁性膜を形成した。この時、磁性膜厚δを変化させてＢ
ｒδの値を変化させた。この磁性膜上に実施例１と同様
に保護膜および潤滑膜を形成した。

【００３９】図７にＴａ濃度を４原子％とした磁性膜中
のＣｒ濃度（ｙ）と保磁力Ｈｃの関係、図８にＣｒ濃度
を１６原子％とした磁性膜中のＴａ濃度（ｚ）と保磁力
Ｈｃの関係、図９にＣｒ濃度を１６原子％、Ｔａ濃度を
６％とした磁性膜のＢｒδとＳ／Ｎの関係を示す。

【００４０】Ｃｒ濃度を１０原子％以上、２０原子％以
下、Ｔａ濃度を２原子％以上、６原子％以下とするとＨ
ｃが２．５ｋＯｅ以上、５ｋＯｅ以下となった。また、
Ｂｒδを５以上、１００以下とするとＳ／Ｎが４以上と
なった。また、Ｃｒ濃度を１２原子％以上、１８原子％
以下、Ｔａ濃度を３原子％以上、６原子％以下とすると
Ｈｃが４ｋＯｅ以上、５ｋＯｅとなった。また、Ｈｃが
３ｋＯｅ以上、５ｋＯｅ以下の範囲の媒体の記録再生特
性を２６０ｋＢＰＩ、１５ｋＴＰＩ、ヘッド浮上量０．
０３μｍの条件で測定した結果、いずれも４〜５のＳ／
Ｎが得られた。これらの効果は下地膜としてＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａもしくはこれらを主たる成分とし、
Ｔｉ，Ｓｉ，Ａｇを添加した合金を用いた場合でも同様
に認められた。

【００４１】〔実施例４〕実施例１と同等の磁気記録媒
体のカーボン保護膜表面に開口部のピッチ１μｍ以上、
１００μｍ以下の粒子化マスクを設置した。その後、マ
スクに覆われない部分の水素含有カーボン保護膜を酸素
プラズマエッチングにより深さ１ｎｍ以上、２０ｎｍ以
下でエッチングして、保護膜が磁性膜表面と比べて異な
る面粗さを有するようにした。その結果、カーボン保護
膜表面にピッチ１μｍ以上、１００μｍ以下の凹凸が形
成された。

【００４２】本実施例の媒体を用いてヘッドの浮上性お
よび記録再生特性を測定した結果、カーボン保護膜表面
を５〜２０ｎｍエッチングした場合に実施例１の媒体と
同等の記録再生特性が得られた。ロード・アンロード方
式によりヘッドを浮上した場合には、本実施例の媒体は
実施例１と同等の耐摺動信頼性を示したが、特に、コン
タクト・スタート・ストップ方式でヘッドを浮上させた
場合には実施例１の媒体よりヘッドの粘着を低減するこ
とができ、信頼性が向上した。保護膜としてｉ−Ｃ（io
n-assisted carbon)，ＷＣ，（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ，（Ｎｂ
−Ｚｒ）−Ｎ，ＭｏＳ₂ ，Ｓｉ₃Ｎ₄ ，ＳｉＯ₂ ，Ｚｒ
Ｏ₂ ，Ｒｈ，Ｂ₄Ｃ，Ｂ等を用いた場合にも同様の効果
が認められた。

【００４３】〔実施例５〕実施例１ないし４に示した媒
体と同等の特性を有する磁気記録媒体４枚を使用し、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−ＦｅもしくはＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金を記録用
磁極材とし、再生部にＭＲ素子を有する複合型薄膜磁気
ヘッド７個と、サーボ用のＮｉ−Ｆｅ合金を記録再生用
磁極とする薄膜ヘッドとを組み合わせた磁気記録装置を
作製した。この装置は、平面図１０（ａ）およびＡ−
Ａ’断面図１０（ｂ）に示すように磁気記録媒体１０
１、磁気記録媒体駆動部１０２、磁気ヘッド１０３、磁
気ヘッド駆動部１０４、記録再生信号処理系１０５など
の部品から構成される。

【００４４】この磁気記録装置を使用し、スペーシング
０．０２μｍにおいてエラーが発生するまでの平均時間
を求めたところ従来装置の約２倍となり、信頼性が極め
て高いことを実証できた。また、本実施例で作製した磁
気記録装置はヘッド浮上量が低いため、信号の記録再生
における位相マージンが広くなり、面記録密度をＳｍを
用いない媒体の約２倍に高めることができ、小形で大容
量の磁気記録装置を提供できた。本装置を用いてトラッ
ク幅が２μｍ以下のＭＲヘッドで再生した場合に１５０
ｋＢＰＩ以上、７ｋＴＰＩ以上の高い記録密度において
Ｓ／Ｎが４以上、さらに、オーバーライト特性が２６ｄ
Ｂ以上の大容量磁気記録装置が得られた。また、基板表
面のテクスチャー形状が小さいためサーボ信号の品位も
高く、良好なヘッド位置決めができた。

【００４５】本実施例では、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅもしくは
Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金を磁極材とする薄膜磁気ヘッドを
用いた場合について説明したが、ＮｉＦｅ，Ｆｅ−Ａｌ
合金磁性膜、もしくはこれらを用いた多層磁性膜等を記
録用磁極材とする録再分離型薄膜磁気ヘッド、Ｃｏ−Ｔ
ａ−Ｚｒ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金等をギャップ部に設け
たメタル・イン・ギャップ型（ＭＩＧ）録再分離複合磁
気ヘッド、さらには誘導型薄膜ヘッドまたはＭＩＧヘッ
ドを用いた場合にも同様の効果が得られることを確認し
た。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、再生感度の高いＭＲヘ
ッドに適応した、高Ｓ／Ｎで、しかもＭＲヘッドが浮上
量０．０２μｍ以上、０．１μｍ以下で浮上可能な磁気
記録媒体、およびその製造方法、さらにこれを用いた小
形で大容量の磁気記録装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の薄膜型磁気記録媒体の縦断
面構造図。

【図２】磁性膜中におけるＳｍ濃度と面内保磁力との関
係を示す図。

【図３】Ｓｍ濃度と記録再生時のＳ／Ｎとの関係を示す
図。

【図４】本発明の他の実施例の薄膜型磁気記録媒体の縦
断面構造図。

【図５】磁性膜および中間層中のＳｍの膜厚方向の濃度
分布を示す図。

【図６】Ｓｍ−Ｃｒ中間層の膜厚と記録再生時のＳ／Ｎ
との関係を示す図。

【図７】磁性膜中におけるＣｒ濃度と面内保磁力との関
係を示す図。

【図８】磁性膜中におけるＴａ濃度と面内保磁力との関
係を示す図。

【図９】残留磁束密度膜厚積（Ｂｒδ）と記録再生時の
Ｓ／Ｎとの関係を示す図。

【図１０】磁気記録装置の縦断面構造図。

【符号の説明】

１１…磁気ディスク基板、１２…非磁性メッキ層、１３
…金属下地膜、１４…金属磁性膜、１５…非磁性保護
膜、４１…磁気ディスク基板、４２…第一下地層、４３
…第二下地膜、４４…第三下地層、４５…磁性膜、４６
…Ｓｍ拡散層、４７…中間層、４８…非磁性保護膜、１
０１…磁気記録媒体、１０２…磁気記録媒体駆動部、１
０３…磁気ヘッド、１０４…磁気ヘッド駆動部、１０５
…記録再生信号処理系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/85 Ａ 7303−5Ｄ Ｈ０１Ｆ 10/16 (72)発明者 山本 朋生 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板と、該非磁性基板上に直接も
   しくは少なくとも一層の下地膜を介して形成された磁性
   膜とを少なくとも有する磁気記録媒体において、前記磁
   性膜はＣｏを主たる成分とし、濃度が１０原子％以上、
   ２０原子％以下のＣｒと、濃度が２原子％以上、６原子
   ％以下のＴａと、濃度が１原子％以上、２０原子％以下
   のＳｍとを含む合金からなることを特徴とする磁気記録
   媒体。
2. 【請求項２】 前記磁性膜はＣｏを主たる成分とし、濃
   度が１２原子％以上、１８原子％以下のＣｒと、濃度が
   ３原子％以上、６原子％以下のＴａと、濃度が２原子％
   以上、１０原子％以下のＴａとを含む合金からなること
   を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 非磁性基板と、該非磁性基板上に直接も
   しくは少なくとも一層の下地膜を介して形成された磁性
   膜とを少なくとも有する磁気記録媒体において、前記磁
   性膜はＳｍを含有する膜厚０．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下
   の中間層により２層以上に多層化されており、かつ前記
   磁性膜はＣｏを主たる成分とし、Ｃｏに対する相対濃度
   が１１．４％以上、２７．０％以下のＣｒと、Ｃｏに対
   する相対濃度が２．３％以上、８．１％以下のＴａと、
   前記中間層から拡散した膜厚方向に濃度が異なるＳｍと
   を含む合金からなることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記磁性膜中Ｓｍ濃度が１原子％以上、
   ２０原子％以下の磁性膜部分の磁性膜総膜厚に占める割
   合が５％以上であることを特徴とする請求項３記載の磁
   気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記磁性膜はＣｏに対するＣｒの相対濃
   度が１４．１％以上、２３．７％以下、Ｃｏに対するＴ
   ａの相対濃度が３．５％以上、７．９％以下、磁性膜中
   のＳｍ濃度が２原子％以上、１０原子％以下である磁性
   膜部分の磁性膜総膜厚に占める割合が５％以上であるこ
   とを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 磁性膜の磁化容易軸が実質的に基板面内
   方向に配向していることを特徴とする請求項１〜５のい
   ずれか１項記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 ヘッド走行方向に測定した磁性膜の残留
   磁化と膜厚との積が５Ｇμｍ以上、１００Ｇμｍ以下で
   あり、保磁力が２．５ｋＯｅ以上、５ｋＯｅ以下である
   ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の磁
   気記録媒体。
8. 【請求項８】 非磁性基板上に下地膜を形成する工程
   と、その上に含有酸素濃度が５０ｐｐｍ以下のターゲッ
   トを用いてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金膜を形成する工程と、
   その上に１０原子％以上のＳｍを含有する中間膜を形成
   する工程と、その上に含有酸素濃度が５０ｐｐｍ以下の
   ターゲットを用いてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金膜を成膜する
   工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。
9. 【請求項９】 中間層中のＳｍを、隣接するＣｏ−Ｃｒ
   −Ｔａ合金膜中に２００℃以上、５００℃以下の基板温
   度で拡散させる加熱工程をさらに含むことを特徴とする
   請求項８記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 【請求項１０】 ヘッド走行方向と垂直の方向に測定し
    た表面の中心線平均粗さが０．３ｎｍ以上、３ｎｍ以下
    である請求項７記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体駆
    動部と、磁気抵抗効果型再生部を有する磁気ヘッドと、
    磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系とを備え、磁
    気ヘッドの浮上量が０．０２μｍ以上、０．１μｍ以下
    であることを特徴とする磁気記録装置。
11. 【請求項１１】 前記磁気記録媒体の線記録密度が１５
    ０ｋＢＰＩ以上であることを特徴とする請求項１０記載
    の磁気記録装置。
12. 【請求項１２】 前記磁気記録媒体の記録トラック密度
    が７ｋＴＰＩ以上であることを特徴とする請求項１１記
    載の磁気記録装置。