JPS61284831A - 磁気2重層垂直磁気記憶体 - Google Patents

磁気2重層垂直磁気記憶体

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JPS61284831A
JPS61284831A JP12543585A JP12543585A JPS61284831A JP S61284831 A JPS61284831 A JP S61284831A JP 12543585 A JP12543585 A JP 12543585A JP 12543585 A JP12543585 A JP 12543585A JP S61284831 A JPS61284831 A JP S61284831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
layer
cobalt
magnetic layer
coercive force
Prior art date
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Pending
Application number
JP12543585A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Tanaka
英男 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61284831A publication Critical patent/JPS61284831A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気ディスク等の磁
気記憶体にかかる。
(従来技術とその問題点) 現在主に用いられている長手記録方式においては、最近
高密度記録媒体として、記憶媒体がめつき法又はスパッ
タ法により製作された連続磁性薄膜型のめっき磁気ディ
スク、フェライトスパッタ磁気ディスクが用いられ始め
た。これらの連続磁性薄膜を記憶媒体とする磁気ディス
クを用いた高性能磁気ディスク装置が1981年に開発
され、線密度14.000 BPI、 )ラック密度1
100TPIの高記録密度が達成されている。
今後、更に高密度化が進む状況にあり、線密度及びトラ
ック密度の向上の為の研究開発が活発に行なわれている
。トラック密度に関しては、従来からサーボディスクを
用いたサーボ面サーボ方式が採用されているが、この方
式ではサーボディスクとデータディスク間の物理的距離
及び構造等に基因する温度差による熱膨張の違いが生じ
てトラック密度の増大の大きな障害になっている。この
欠点を除去する方法として、二層の記憶媒体を有する磁
気ディスクを用いることが報告されている。
即ち主に使用されているr  Fe2O3塗布型ディス
クにおいて、下層媒体層にサーボ情報を記録し、上層媒
体層にデータ情報を記録することにより、温度差による
トラック位置ずれを避ける方法である。しかしながらγ
−Fe203塗布型ディスクにおいては、媒体層を薄く
することが困難な為に記録密度を大巾に増加することは
難しく且つ高密度時の媒体S/Nが小さいという欠点を
有している。
一方垂直記録においては、現在コバルト・クロム合金ス
パッタ媒体を中心にして研究開発が行なわれているが、
リジッドディスクにおいては線密度が70,000FR
PI(Flux Reversal Per Inch
)の可能性があることが報告されており、又フロッピデ
ィスクではI)soで230,0OOFRPI程度の線
密度の可能性があることが報告されている。
又コバルトクロム膜及びコバルト系メッキ膜ヲ除く垂直
磁気異方性膜においても高密度特性が報告されている。
しかしながらこれらの報告で示されたトラック密度は非
常に小さく、長手記録の現状のトラック密度(l100
TPI )よシ大幅に小さい。
(発明の目的) 本発明の目的は高線密度及び高トラツク密度が可能でか
つ萬密度時の媒体8/Nが良好なデータサーボ方式を実
現させる磁気2重層垂直磁気記憶体を提供することにあ
る。
(発明の構成) 本発明による磁気2重層垂直磁気記憶体は、非磁性基板
と、この非磁性基板を被覆する高保磁力コバルト系磁性
層と、この高保磁力コバルト系磁性層を被覆する非磁性
層と、この非磁性層(例えば5iOzスパツタ膜)を被
覆する垂直磁気異方性磁性層(例えばCoVスパッタ膜
、バリウムフェライトスピンコード膜、Osドープト酸
化鉄スパッタ膜)と 備えた多層構造を有している。
(構成の詳細な説明) 本磁気2重層垂直磁気記憶体においてサーボ用磁性媒体
となる下層の高保声カコバルト系磁性層は長手記録でサ
ーボ情報が記録され、データ用磁性媒体となる上層の垂
直磁気異方性磁性層は垂直記録でデータ情報が記録され
る。垂直磁気異方性磁性層にはバリウムフェライト、C
oV、O,ドープフェライト等のコバルトクロム膜及び
コバルト系メッキ膜を除く磁性膜が、非磁性基板にはA
4合金上のN1−P、アルマイト膜、ポリイミド樹脂。
ポリアミド樹脂等があり、非磁性層にはAltOa *
5i02等、保護膜層には5ift 、 AJ203 
、コバルトコンバージョン膜等が考えられる。
以下本発明による磁気2重層垂直磁気記憶体を実施例に
より説明する。
(実施例) 本発明の一実施例を第1図に示す。
第1図においてアルミニウム素板にメッキされ、研磨さ
れた非磁性ニッケル合金の非磁性基板1の上に膜厚0.
2〜0.5μmのCo−Ni を主成分とする高保磁力
(例えば10000e以上)コバルト系磁性層2を被覆
し、との高保磁力コバルト系磁性層2の上に膜厚0.2
〜0.6μmの非磁性層(例えば5iOzスパッタ層)
3を被覆し、この非磁性層3の上にスピンコード法によ
り膜厚0.5μmのバリウムフェライトを主成分とする
垂直磁気異方性磁性層4を被覆し、このバリウム・フェ
ライトを主成分とする垂直磁気異方性磁性層4上に膜厚
0.02μmの保護膜層(例えば5102スパッタ層)
5を形成した。
第2図は実施例1と同様な磁気2重層垂直磁気記憶体の
構成であるが、基板が異なる。
即ち、フレキシブルディスクに適用した場合で、ポリイ
ミド膜6を非磁性基体として、その上に実施例1と同様
な磁気2重層磁性層を構成した。
実施例により得られた磁気2重層垂直磁気記憶体をギャ
ップ長の大きいサーボ記録用ヘッドによりスペーシング
の小さい条件で、サーボ情報を高保磁力コバルト系磁性
層2と垂直磁気異方性磁性層4に記録し、その後ギャッ
プ長の小さいデータ記録再生用ヘッドによりスペーシン
グの大きい条件で、垂直磁気異方性磁性層2に記録され
たサーボ情報だけを消去する。高保磁力コバルト系磁性
fc42には保磁力が高いために、前記データ記録栴生
用ヘッドによるデータの記録・再生に際し何ら変更を受
けず、先に記録されたサーボ情報のみが残り、そのサー
ボ情報をギャップ長の小さい前記データ記録再生用ヘッ
ドで再生し、サーボ信号として使用する。
上層のバリウムフェライトを主成分とする垂直磁気異方
性磁性層4はギャップ長の小さいデータヘッドにより高
級密度(70,0OOFFLPI )の達成を可能にし
、下層の爾保磁カコバルト系磁性層2は高トラツク密度
(1500〜3000TPI)の達成を可能にした。
次に第2図の構造により作製したフレキシブルディスク
は線密度80.000 FRP Tを達成し、十分高密
度化が可能であった。又下層の高保磁力コバルト系磁性
層のサーボ情報により高トラツク密度化が可能となった
。又フレキシブルディスクの基板としてポリイミド以外
の樹脂を用いても何らかまわない。
(発明の効果) 本発明の構成により高記録密度の磁気2重層垂直磁気記
憶体が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は実施例で用いた磁気2重層垂直磁気記
憶体の断面図である。 16非磁性基板、2.高保磁力コバルト系磁性層、3゜
非磁性層、4垂直磁気異方性磁性層、5.保護膜層、6
、ポリイミド膜。 f゛:理人ブ1゛C″士 内 原   へ4、オ  1
  図 オ  2  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非磁性基板と、この非磁性基板を被覆する高保磁力コバ
    ルト系磁性層と、この高保磁力コバルト系磁性層を被覆
    する非磁性層と、この非磁性層を被覆する垂直磁気異方
    性層とを備えたことを特徴とする磁気2重層垂直磁気記
    憶体。
JP12543585A 1985-06-10 1985-06-10 磁気2重層垂直磁気記憶体 Pending JPS61284831A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59142737A (ja) * 1983-02-02 1984-08-16 Nec Corp 磁気2重層垂直磁気記憶体
JPS59142738A (ja) * 1983-02-02 1984-08-16 Nec Corp 磁気記憶体
JPS60263313A (ja) * 1984-06-11 1985-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体

Patent Citations (3)

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