JPH041922A - 面内磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
面内磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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- JPH041922A JPH041922A JP2100308A JP10030890A JPH041922A JP H041922 A JPH041922 A JP H041922A JP 2100308 A JP2100308 A JP 2100308A JP 10030890 A JP10030890 A JP 10030890A JP H041922 A JPH041922 A JP H041922A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、情報記録用の面内磁気記録媒体および磁気記
憶装置に係り、特にＳ／Ｎが高く、高密度記録に好適な
面内磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。
憶装置に係り、特にＳ／Ｎが高く、高密度記録に好適な
面内磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。
面内磁性膜を有する面内磁気記録媒体には、垂直磁気記
録媒体と異なり、媒体ノイズが大きいという特有の問題
がある。上記面内磁気記録媒体では、記録方向での磁化
反転の境界で反磁界が強く働くため、磁化のにじみが生
じる。この磁化のにじみが再生時の媒体ノイズの主原因
であると言われている［文献：ジャーナル オブ アプ
ライドフィジックス、５３．（１９８２年）第２５７６
頁から第２５７８頁（Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、
５３ 、（１９８２）ｐｐ２５７６−２５７８）］。
録媒体と異なり、媒体ノイズが大きいという特有の問題
がある。上記面内磁気記録媒体では、記録方向での磁化
反転の境界で反磁界が強く働くため、磁化のにじみが生
じる。この磁化のにじみが再生時の媒体ノイズの主原因
であると言われている［文献：ジャーナル オブ アプ
ライドフィジックス、５３．（１９８２年）第２５７６
頁から第２５７８頁（Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、
５３ 、（１９８２）ｐｐ２５７６−２５７８）］。
従来、特開昭６１−２１７９２５に記載のように、磁性
膜の結晶粒を微細化し、磁気異方性を向上させることで
保磁力を大きくする方法や、特開昭６２−１１７１４３
に記載のように、アニールにより磁性膜の結晶粒界を明
確化する方法により、媒体ノイズを下げる提案がなされ
ている。
膜の結晶粒を微細化し、磁気異方性を向上させることで
保磁力を大きくする方法や、特開昭６２−１１７１４３
に記載のように、アニールにより磁性膜の結晶粒界を明
確化する方法により、媒体ノイズを下げる提案がなされ
ている。
しかし、上記のように面内磁性膜の保磁力を大きくする
方法では、面内磁性膜の材料により保磁力の大きさに限
界があるため１本質的に磁化のにじみを無くすことはで
きない。また面内磁性膜の保磁力が２ｋＯｅ以上に大き
くなると、保磁力に対して磁気ヘッドの磁界強度が不足
し、媒体が飽和記録できなくなる。従って、磁気ヘッド
の記録能力との関係で保磁力の大きさを制限されるとい
った実用上の問題もある。一方、面内磁性膜の結晶粒界
を明確化する方法では、磁性結晶粒間が接しているため
磁気的分離は不完全であり、上記磁化のにじみは原理的
に結晶粒サイズ以下には小さくならない。
方法では、面内磁性膜の材料により保磁力の大きさに限
界があるため１本質的に磁化のにじみを無くすことはで
きない。また面内磁性膜の保磁力が２ｋＯｅ以上に大き
くなると、保磁力に対して磁気ヘッドの磁界強度が不足
し、媒体が飽和記録できなくなる。従って、磁気ヘッド
の記録能力との関係で保磁力の大きさを制限されるとい
った実用上の問題もある。一方、面内磁性膜の結晶粒界
を明確化する方法では、磁性結晶粒間が接しているため
磁気的分離は不完全であり、上記磁化のにじみは原理的
に結晶粒サイズ以下には小さくならない。
本発明の目的は、線記録方向での上記磁化のにじみを完
全になくすことにより、媒体ノイズを直流消去ノイズ程
度にまで小さくし、これにより媒体Ｓ／Ｎを格段に向上
させ、５００Ｍｂ／ｉｎ２以上の面記録密度を達成する
ことにある。
全になくすことにより、媒体ノイズを直流消去ノイズ程
度にまで小さくし、これにより媒体Ｓ／Ｎを格段に向上
させ、５００Ｍｂ／ｉｎ２以上の面記録密度を達成する
ことにある。
上記目的は、非磁性基板とその上に直接もしくは下地膜
を介して形成された面内磁性膜を有する面内磁気記録媒
体において、該面内磁性膜が線記録方向に磁気的分離さ
れた記録部を有しており、該磁気的分離は空気又は非磁
性体で行なわれている面内磁気記録媒体とすることによ
り達成される。
を介して形成された面内磁性膜を有する面内磁気記録媒
体において、該面内磁性膜が線記録方向に磁気的分離さ
れた記録部を有しており、該磁気的分離は空気又は非磁
性体で行なわれている面内磁気記録媒体とすることによ
り達成される。
さらに、上記面内磁気記録媒体が有する複数の同心円状
の記録トランク間も空気又は非磁性体で磁気的に分離さ
れている面内磁気記録媒体とすると、記録トラック端部
の磁化のにじみも無くせるので望ましい。ここで、磁性
膜面内で線記録方向および記録トラック間を分離するこ
とにより仕切られた記録部の平面形状を線記録方向に短
い、長方形状とするのが望ましい。面内磁性膜としては
、垂直磁性膜上に面内磁性膜を積層した複合膜等従来か
ら知られている多層膜を用いることもできる。
の記録トランク間も空気又は非磁性体で磁気的に分離さ
れている面内磁気記録媒体とすると、記録トラック端部
の磁化のにじみも無くせるので望ましい。ここで、磁性
膜面内で線記録方向および記録トラック間を分離するこ
とにより仕切られた記録部の平面形状を線記録方向に短
い、長方形状とするのが望ましい。面内磁性膜としては
、垂直磁性膜上に面内磁性膜を積層した複合膜等従来か
ら知られている多層膜を用いることもできる。
上記面内磁性膜の磁気的分離領域の形成は、非磁性基板
表面に溝を形成し、該凹凸を有する非磁性基板上に直接
もしくは下地膜を介して面内磁性膜を形成して上記溝に
対応する領域を磁気的分離領域とすることができる。こ
の場合、非磁性基板上の、凸部上に１ｋＯｅ以上の保磁
力を有する面内磁性膜、凹部上に１ ｋ Ｏｅ未満の保
磁力を有する面内磁性膜を形成することで、凸部に主信
号を、凹部にトラッキング及びサーボ信号を記録するこ
とが可能となる。上記面内磁気記録媒体を用いた磁気記
憶装置とする。上記面内磁気記録媒体における面内磁性
膜の形成法としては、スパッタリング法、真空蒸着法や
めっき法等を用いてもよい。
表面に溝を形成し、該凹凸を有する非磁性基板上に直接
もしくは下地膜を介して面内磁性膜を形成して上記溝に
対応する領域を磁気的分離領域とすることができる。こ
の場合、非磁性基板上の、凸部上に１ｋＯｅ以上の保磁
力を有する面内磁性膜、凹部上に１ ｋ Ｏｅ未満の保
磁力を有する面内磁性膜を形成することで、凸部に主信
号を、凹部にトラッキング及びサーボ信号を記録するこ
とが可能となる。上記面内磁気記録媒体を用いた磁気記
憶装置とする。上記面内磁気記録媒体における面内磁性
膜の形成法としては、スパッタリング法、真空蒸着法や
めっき法等を用いてもよい。
第１図（ａ）は、半径方向および円周方向に周期性をも
つ溝を形成することにより、磁気的に分離された記録部
（以下これを磁性膜ドメインと呼ぶ）を形成した磁気デ
ィスクの説明図である。前記溝は光、電子線やＸ線等を
用いたりソグラフィ技術で形成することができる。隣接
する磁性膜ドメインを互いに孤立せしめている溝もしく
は非磁性体の幅は数ｎｍ〜５μｍ、望ましくは３０ｎｍ
〜１μｍが適当である。この図に磁気ディスクの片側の
表面形状を示すが、このような形状を両面に形成しても
よい。非磁性基板としては１強化ガラス基板、Ｎ１−Ｐ
めっき層付きＡＱ基板やセラミックス基板等が用いられ
る。下地膜としてはＣｒ 、 Ｃｒ −Ｓ ｉ 、 Ｃ
ｒ −Ｔ ｉ等のＣｒ合金膜あるいはＧｅ膜等を用い、
ることができる。面内磁性膜としては、Ｃｏ、 Ｆｅあ
るいはＮｉ基合金等の面内磁気記録用磁性膜が可能であ
り、その上にＣ７Ｂ 、 Ｓ ｉ Ｎｘ、 Ｓ ｉ Ｏ
ｘ等の保護潤滑膜が形成されていてもよい。第１図（ｂ
）は、磁性膜中に半径方向および円周方向に周期性をも
った非磁性体を介在せしめることによって、磁気的に分
離された記録部を形成した磁気ディスクを示す。このよ
うな構造の媒体を作る方法としては、例えば、第１図（
ａ）に示す溝の間を非磁性体で埋めるか、あるいは−様
に形成した面内磁性膜に酸素イオンビームをマスク照射
して溝に相当する部分を酸化して非磁性膜に変質させる
ことなどが可能である。
つ溝を形成することにより、磁気的に分離された記録部
（以下これを磁性膜ドメインと呼ぶ）を形成した磁気デ
ィスクの説明図である。前記溝は光、電子線やＸ線等を
用いたりソグラフィ技術で形成することができる。隣接
する磁性膜ドメインを互いに孤立せしめている溝もしく
は非磁性体の幅は数ｎｍ〜５μｍ、望ましくは３０ｎｍ
〜１μｍが適当である。この図に磁気ディスクの片側の
表面形状を示すが、このような形状を両面に形成しても
よい。非磁性基板としては１強化ガラス基板、Ｎ１−Ｐ
めっき層付きＡＱ基板やセラミックス基板等が用いられ
る。下地膜としてはＣｒ 、 Ｃｒ −Ｓ ｉ 、 Ｃ
ｒ −Ｔ ｉ等のＣｒ合金膜あるいはＧｅ膜等を用い、
ることができる。面内磁性膜としては、Ｃｏ、 Ｆｅあ
るいはＮｉ基合金等の面内磁気記録用磁性膜が可能であ
り、その上にＣ７Ｂ 、 Ｓ ｉ Ｎｘ、 Ｓ ｉ Ｏ
ｘ等の保護潤滑膜が形成されていてもよい。第１図（ｂ
）は、磁性膜中に半径方向および円周方向に周期性をも
った非磁性体を介在せしめることによって、磁気的に分
離された記録部を形成した磁気ディスクを示す。このよ
うな構造の媒体を作る方法としては、例えば、第１図（
ａ）に示す溝の間を非磁性体で埋めるか、あるいは−様
に形成した面内磁性膜に酸素イオンビームをマスク照射
して溝に相当する部分を酸化して非磁性膜に変質させる
ことなどが可能である。
線記録方向の磁気的分離を行なうために介在せしめる非
磁性体や溝の部分は、クロック信号源として、さらにト
ラック間の磁気的分離を行なうために介在せしめる非磁
性体や溝の部分は、磁気ヘッドの位置決めのための信号
源として、利用することができる。例えば、レーザー光
を照射したときの反射率が磁性膜ドメインに比べ非磁性
部や溝部で変化することを利用してヘッドの高精度な位
置決めをしたり、磁気的に孤立した磁性膜ドメインに正
確に１ビツトを記録することができる。磁性膜の微細構
造や磁気特性を改良するために、上記磁性膜と上記非磁
性基板との間に磁性膜の結晶配向性を制御するための下
地膜などを設けても良い。
磁性体や溝の部分は、クロック信号源として、さらにト
ラック間の磁気的分離を行なうために介在せしめる非磁
性体や溝の部分は、磁気ヘッドの位置決めのための信号
源として、利用することができる。例えば、レーザー光
を照射したときの反射率が磁性膜ドメインに比べ非磁性
部や溝部で変化することを利用してヘッドの高精度な位
置決めをしたり、磁気的に孤立した磁性膜ドメインに正
確に１ビツトを記録することができる。磁性膜の微細構
造や磁気特性を改良するために、上記磁性膜と上記非磁
性基板との間に磁性膜の結晶配向性を制御するための下
地膜などを設けても良い。
さらに、磁気ディスクの中心から外に向かって螺旋状の
溝を形成し、さらに線記録方向に周期的な溝を設けるこ
とにより磁性膜ドメインを形成しても良い。
溝を形成し、さらに線記録方向に周期的な溝を設けるこ
とにより磁性膜ドメインを形成しても良い。
面内磁性膜を用いた面内磁気記録媒体において、該面内
磁性膜を溝又は非磁性体等により線記録方向に磁気的分
離し、この磁気的分離された記録部に１ビツトを割り当
てるように記録すると、線記録方向での磁化反転の境界
を磁気的分離することができる。従って１面内磁性膜を
用いた磁気記録媒体に特有の線記録方向の磁化反転の境
界に生ずる磁化のにじみが無くなる。媒体ノイズの主原
因である該磁化のにじみを無くすことにより、媒体ノイ
ズを直流消去ノイズ程度にまで下げられ、記録再生時の
媒体Ｓ／Ｎを著しく改善できる。さらに、これに加えて
、アイ・イー・イー・イー、トランザクション オン
マグネチックス、エムニー ジー２３．（１９８７年）
第３６９０頁から第３６９２頁（狂ＥＥ、 Ｔｒａｎｓ
、 Ｍａｇｎｅｔｉｃ、 ＭＡＧ２３゜（１９８７）ｐ
ｐ３６９０−３６９２）に論じられているように、磁気
ディスクに複数の同心円状の溝を形成することにより、
記録トラック間を分離する、いわゆる゛′ディスクリー
ト・トラック″を形成すると、記録トラック端部に生ず
る磁化のにじみも無くすことができる。該磁化のにじみ
も、媒体ノイズの一因と考えられるため、該磁化のにじ
みを無くすことにより、さらに記録再生時の媒体Ｓ／Ｎ
が改善される。上記線記録方向における磁気的分離およ
び記録トラック間の磁気的分離により形成される磁性膜
ドメインにおいて、磁気的に分離している溝又は非磁性
体の幅を狭くすると同時に、該磁性膜ドメインの線記録
方向、トラック方向のうち少なくともいずれかの寸法を
減少させることにより１面記録密度が向上するように制
御することが可能である。
磁性膜を溝又は非磁性体等により線記録方向に磁気的分
離し、この磁気的分離された記録部に１ビツトを割り当
てるように記録すると、線記録方向での磁化反転の境界
を磁気的分離することができる。従って１面内磁性膜を
用いた磁気記録媒体に特有の線記録方向の磁化反転の境
界に生ずる磁化のにじみが無くなる。媒体ノイズの主原
因である該磁化のにじみを無くすことにより、媒体ノイ
ズを直流消去ノイズ程度にまで下げられ、記録再生時の
媒体Ｓ／Ｎを著しく改善できる。さらに、これに加えて
、アイ・イー・イー・イー、トランザクション オン
マグネチックス、エムニー ジー２３．（１９８７年）
第３６９０頁から第３６９２頁（狂ＥＥ、 Ｔｒａｎｓ
、 Ｍａｇｎｅｔｉｃ、 ＭＡＧ２３゜（１９８７）ｐ
ｐ３６９０−３６９２）に論じられているように、磁気
ディスクに複数の同心円状の溝を形成することにより、
記録トラック間を分離する、いわゆる゛′ディスクリー
ト・トラック″を形成すると、記録トラック端部に生ず
る磁化のにじみも無くすことができる。該磁化のにじみ
も、媒体ノイズの一因と考えられるため、該磁化のにじ
みを無くすことにより、さらに記録再生時の媒体Ｓ／Ｎ
が改善される。上記線記録方向における磁気的分離およ
び記録トラック間の磁気的分離により形成される磁性膜
ドメインにおいて、磁気的に分離している溝又は非磁性
体の幅を狭くすると同時に、該磁性膜ドメインの線記録
方向、トラック方向のうち少なくともいずれかの寸法を
減少させることにより１面記録密度が向上するように制
御することが可能である。
［実施例１］
第２図は本発明の１実施形態を表す面内磁気記録媒体の
表面近傍の断面構造を示す図である。この図を参照しな
がら実施例を説明する。まず、直径１３０＋ａｍ、厚さ
１．５ｍｍの強化ガラスから成る円板の両面に、円周方
向に幅１．０ μｍ、５．０μｍピッチで深さ４００ｎ
ｍの溝と、さらに半径方向に幅０．２μｍ、０．５μｍ
ピッチで深さ４００ｎｍの溝をフォトリソグラフィーに
より形成し基板１とした。次にこの基板の両面にＤＣマ
グネトロンスパッタ装置により、以下に示すように非磁
性下地膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層内で
形成した。基板温度２００℃、アルゴンガス圧０．７Ｐ
ａ 、投入電力密度５０ｋＷ／−のスパッタ条件でＣ
ｒ膜を２５０ｎｍ形成し、下地膜とした後、同一のスパ
ッタ条件で面内方向に磁化容易軸をもつＣｏ −１０ａ
ｔ％Ｃｒ −１２ａ ｔ％ｐｔ磁性膜３を膜厚１１０
０ｎ形成した。さらに、基板温度１００℃、アルゴンガ
ス圧１．３Ｐａ投入電力密度３０ｋＷ／ｍのスパッタ条
件でカーボンから成る保護潤滑膜４を膜厚２０ｎｍ形成
し。
表面近傍の断面構造を示す図である。この図を参照しな
がら実施例を説明する。まず、直径１３０＋ａｍ、厚さ
１．５ｍｍの強化ガラスから成る円板の両面に、円周方
向に幅１．０ μｍ、５．０μｍピッチで深さ４００ｎ
ｍの溝と、さらに半径方向に幅０．２μｍ、０．５μｍ
ピッチで深さ４００ｎｍの溝をフォトリソグラフィーに
より形成し基板１とした。次にこの基板の両面にＤＣマ
グネトロンスパッタ装置により、以下に示すように非磁
性下地膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層内で
形成した。基板温度２００℃、アルゴンガス圧０．７Ｐ
ａ 、投入電力密度５０ｋＷ／−のスパッタ条件でＣ
ｒ膜を２５０ｎｍ形成し、下地膜とした後、同一のスパ
ッタ条件で面内方向に磁化容易軸をもつＣｏ −１０ａ
ｔ％Ｃｒ −１２ａ ｔ％ｐｔ磁性膜３を膜厚１１０
０ｎ形成した。さらに、基板温度１００℃、アルゴンガ
ス圧１．３Ｐａ投入電力密度３０ｋＷ／ｍのスパッタ条
件でカーボンから成る保護潤滑膜４を膜厚２０ｎｍ形成
し。
磁気ディスクを形成した。
［比較例１コ
実施例１において、直径１３０ｍｍ、厚さ１．５ｗｔｍ
の強化ガラスから成る円板の両面に、半径方向の溝を形
成しない以外は、実施例１と同一構成かつ同一スパッタ
条件で、磁気ディスクを作製した。
の強化ガラスから成る円板の両面に、半径方向の溝を形
成しない以外は、実施例１と同一構成かつ同一スパッタ
条件で、磁気ディスクを作製した。
［比較例２］
実施例１におイテ、直径１３０ｍａ＋、厚さ１．５１の
強化ガラス基板１の両面に円周方向、半径方向共に、溝
を形成しないこと以外は実施例１と同一構成かつ同一ス
パッタ条件で、磁気ディスクを作製した。
強化ガラス基板１の両面に円周方向、半径方向共に、溝
を形成しないこと以外は実施例１と同一構成かつ同一ス
パッタ条件で、磁気ディスクを作製した。
上記実施例１および比較例１，２により得られた磁気デ
ィスクにおける記録再生特性を評価した結果を第１表に
示す。ここで、すべての実施例及び比較例により得られ
た磁気ディスクの記録再生特性は、薄膜型ヘッドにより
、磁性膜表面がらの浮上スペーシングを０．２２μｍと
して評価した。
ィスクにおける記録再生特性を評価した結果を第１表に
示す。ここで、すべての実施例及び比較例により得られ
た磁気ディスクの記録再生特性は、薄膜型ヘッドにより
、磁性膜表面がらの浮上スペーシングを０．２２μｍと
して評価した。
この結果から明らかなように、磁気ディスク用強化ガラ
ス基板上に円周方向、半径方向共に溝を形成した実施例
１は、溝を円周方向にのみ形成した比較例１や、その溝
を全く形成しない比較例２に比べ、媒体Ｓ／Ｎが大幅に
向上している。
ス基板上に円周方向、半径方向共に溝を形成した実施例
１は、溝を円周方向にのみ形成した比較例１や、その溝
を全く形成しない比較例２に比べ、媒体Ｓ／Ｎが大幅に
向上している。
［実施例２］
第３図に示す断面構造をもつ面内磁気記録媒体を作製し
た。直径９５＋＋＋ｎ＋、厚さ１．２ｍｍの強化ガラス
より成る磁気ディスク基板１の両面上に、ＤＣマグネト
ロンスパッタ装置により、以下に示すように非磁性下地
膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層内で形成し
た。基板温度２００℃。
た。直径９５＋＋＋ｎ＋、厚さ１．２ｍｍの強化ガラス
より成る磁気ディスク基板１の両面上に、ＤＣマグネト
ロンスパッタ装置により、以下に示すように非磁性下地
膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層内で形成し
た。基板温度２００℃。
アルゴンガス圧０．７Ｐａ 、投入電力密度５０ｋＷ
／ｒｒｒのスパッタ条件でＣｒ膜を２５０ｎｍ形成し、
非磁性下地膜２とした後、同一のスパッタ条件で面内方
向に磁化容易軸をもつＧ ｏ −１０ａｔ％Ｃｒ−１２
ａｔ％ｐｔ磁性膜３を膜厚１１００ｎ形成した。さらに
、基板温度１００ ’Ｃ、アルゴンガス圧１．３ Ｐ
ａ ＋投入電力密度３０ｋＷ／−のスパッタ条件でカ
ーボンから成る保護潤滑膜４を膜厚２０ｎｍ形成した。
／ｒｒｒのスパッタ条件でＣｒ膜を２５０ｎｍ形成し、
非磁性下地膜２とした後、同一のスパッタ条件で面内方
向に磁化容易軸をもつＧ ｏ −１０ａｔ％Ｃｒ−１２
ａｔ％ｐｔ磁性膜３を膜厚１１００ｎ形成した。さらに
、基板温度１００ ’Ｃ、アルゴンガス圧１．３ Ｐ
ａ ＋投入電力密度３０ｋＷ／−のスパッタ条件でカ
ーボンから成る保護潤滑膜４を膜厚２０ｎｍ形成した。
その後、この円板の両面に、円周方向に幅１．０μｍ、
５．０μｍピッチで深さ１５０ｎｍの溝と、さらに半径
方向に幅０．２μｍ、０．５μｍピッチで深さ１５０ｎ
ｍの溝をフォトリソグラフィーにより形成し、磁気ディ
スクを作製した。
５．０μｍピッチで深さ１５０ｎｍの溝と、さらに半径
方向に幅０．２μｍ、０．５μｍピッチで深さ１５０ｎ
ｍの溝をフォトリソグラフィーにより形成し、磁気ディ
スクを作製した。
［比較例３］
実施例２において、直径９５ ｍｍ ＋厚さ１．２１の
強化ガラスより成る磁気ディスク基板１の両面に、ＤＣ
マグネトロンスパッタ装置により、非磁性下地膜２．磁
性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層内で形成した後、こ
の円板の両面に半径方向の溝を形成しないこと以外は実
施例２と同一構成かつ同一スパッタ条件で、磁気ディス
クを作製した。
強化ガラスより成る磁気ディスク基板１の両面に、ＤＣ
マグネトロンスパッタ装置により、非磁性下地膜２．磁
性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層内で形成した後、こ
の円板の両面に半径方向の溝を形成しないこと以外は実
施例２と同一構成かつ同一スパッタ条件で、磁気ディス
クを作製した。
上記実施例２および比較例３によって得られた磁気ディ
スクにおける記録再生特性を評価した結果を第１表に示
す。この結果から明らかなように、磁気ディスク用強化
ガラス基板上に形成した面内磁性膜上に円周方向、半径
方向共に溝を形成した実施例２は、溝を円周方向にのみ
形成した比較例３に比べ、媒体Ｓ／Ｎが大幅に向上して
いる。
スクにおける記録再生特性を評価した結果を第１表に示
す。この結果から明らかなように、磁気ディスク用強化
ガラス基板上に形成した面内磁性膜上に円周方向、半径
方向共に溝を形成した実施例２は、溝を円周方向にのみ
形成した比較例３に比べ、媒体Ｓ／Ｎが大幅に向上して
いる。
［実施例３コ
第４図に示す断面構造をもつ面内磁気記録媒体を作製し
た。直径９５ ｆｆ１ｍ ｙ厚さ１．２ｍｍの強化ガラ
スより成る磁気ディスク基板１の両面上に、ＤＣマグネ
トロンスパッタ装置により、以下に示すように非磁性下
地＠２．磁性膜３を同一真空層内で形成した。基板温度
２００℃、アルゴンガス圧０．７Ｐａ 、投入電力密
度５０ｋＷ／イのスパッタ条件でＣｒ膜を３００ｎｍ形
成し、非磁性下地膜２とした後、同一のスパッタ条件で
面内方向に磁化容易軸をもつＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−１
０ａｔ％Ｐｔ磁性膜３を膜厚１１００ｎ形成した。
た。直径９５ ｆｆ１ｍ ｙ厚さ１．２ｍｍの強化ガラ
スより成る磁気ディスク基板１の両面上に、ＤＣマグネ
トロンスパッタ装置により、以下に示すように非磁性下
地＠２．磁性膜３を同一真空層内で形成した。基板温度
２００℃、アルゴンガス圧０．７Ｐａ 、投入電力密
度５０ｋＷ／イのスパッタ条件でＣｒ膜を３００ｎｍ形
成し、非磁性下地膜２とした後、同一のスパッタ条件で
面内方向に磁化容易軸をもつＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−１
０ａｔ％Ｐｔ磁性膜３を膜厚１１００ｎ形成した。
その後、この円板の両面に、円周方向に輻１．０μｒｎ
、５．０ｐｍピッチで深さ１５０ｎｍの溝と、さらに半
径方向に幅０．２μｍ、０．５μｍピッチで深さ１５０
ｎｍの溝をフォトリソグラフィーにより形成した。さら
に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、この円板の
両面に基板温度１００℃、アルゴンガス圧１．３Ｐａ
、投入電力密度３０ｋＷ／ｒｒ１″のスパッタ条件で
カーボンから成る保護潤滑層４を膜厚２０ｎｍ形成し、
磁気ディスクを作製した。
、５．０ｐｍピッチで深さ１５０ｎｍの溝と、さらに半
径方向に幅０．２μｍ、０．５μｍピッチで深さ１５０
ｎｍの溝をフォトリソグラフィーにより形成した。さら
に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、この円板の
両面に基板温度１００℃、アルゴンガス圧１．３Ｐａ
、投入電力密度３０ｋＷ／ｒｒ１″のスパッタ条件で
カーボンから成る保護潤滑層４を膜厚２０ｎｍ形成し、
磁気ディスクを作製した。
［比較例４］
実施例３において、直径９５＋＋＋ｍ、厚さ１．２ｍｍ
の強化ガラス基板１の両面に円周方向、半径方向共に、
溝を形成しないこと以外は実施例３と同一構成かつ同一
スパッタ条件で、磁気ディスクを作製した。
の強化ガラス基板１の両面に円周方向、半径方向共に、
溝を形成しないこと以外は実施例３と同一構成かつ同一
スパッタ条件で、磁気ディスクを作製した。
上記実施例３および比較例４によって得られた磁気ディ
スクにおける記録再生特性を評価した結果を第１表に示
・す。この結果から明らかなように、磁気ディスク用強
化ガラス基板上に形成した面内磁性膜上に円周方向、半
径方向共に溝を形成した実施例３は、溝を円周方向にの
み形成した比較例４に比べ、媒体Ｓ／Ｎが大幅に向上し
ている６また、実施例３の磁気ディスクは実施例２の磁
気ディスクに比べ、磁性膜に形成した溝の側壁部がカー
ボンで覆われているので、より耐食性に優れていた。
スクにおける記録再生特性を評価した結果を第１表に示
・す。この結果から明らかなように、磁気ディスク用強
化ガラス基板上に形成した面内磁性膜上に円周方向、半
径方向共に溝を形成した実施例３は、溝を円周方向にの
み形成した比較例４に比べ、媒体Ｓ／Ｎが大幅に向上し
ている６また、実施例３の磁気ディスクは実施例２の磁
気ディスクに比べ、磁性膜に形成した溝の側壁部がカー
ボンで覆われているので、より耐食性に優れていた。
［実施例４］
第２図において、直径９５■、厚さ１．２■■の強化ガ
ラスよりなる円板の両面に、円板の中心から外周方向に
螺旋状に幅１．０μｍ、５．０μｍピッチで深さ２００
ｎｍの溝と、さらに半径方向に幅０．２μｍ、０．５μ
ｍピッチで深さ２００ｎｍの溝をフォトリソグラフィー
により形成し、基板１とした６次にこの基板の両面にＤ
Ｃマグネトロンスパッタ装置により、以下に示すように
非磁性下地膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層
内で形成した。基板温度１００℃、アルゴンガス圧０．
７Ｐａ 、投入電力密度５０ｋＷ／ｍのスパッタ条件で
Ｃｒ膜を２５０ｎｍ形成し、非磁性下地膜２とした後、
同一のスパッタ条件で面内方向に磁化容易軸をもつＣｏ
−１０ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％ｐｔ磁性膜３を膜厚１１
００ｎ形成した。
ラスよりなる円板の両面に、円板の中心から外周方向に
螺旋状に幅１．０μｍ、５．０μｍピッチで深さ２００
ｎｍの溝と、さらに半径方向に幅０．２μｍ、０．５μ
ｍピッチで深さ２００ｎｍの溝をフォトリソグラフィー
により形成し、基板１とした６次にこの基板の両面にＤ
Ｃマグネトロンスパッタ装置により、以下に示すように
非磁性下地膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空層
内で形成した。基板温度１００℃、アルゴンガス圧０．
７Ｐａ 、投入電力密度５０ｋＷ／ｍのスパッタ条件で
Ｃｒ膜を２５０ｎｍ形成し、非磁性下地膜２とした後、
同一のスパッタ条件で面内方向に磁化容易軸をもつＣｏ
−１０ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％ｐｔ磁性膜３を膜厚１１
００ｎ形成した。
さらに、基板温度１００℃、アルゴンガス圧１．３Ｐａ
、投入電力密度３０ｋＷ／ｍのスパッタ条件でカーボン
から成る保護潤滑層４を膜厚２０ｎｍ形成し、磁気ディ
スクを作製した。このようにして得られた磁気ディスク
の記録再生特性を評価した結果、第１表に示すように、
優れた媒体Ｓ／Ｎを示した。
、投入電力密度３０ｋＷ／ｍのスパッタ条件でカーボン
から成る保護潤滑層４を膜厚２０ｎｍ形成し、磁気ディ
スクを作製した。このようにして得られた磁気ディスク
の記録再生特性を評価した結果、第１表に示すように、
優れた媒体Ｓ／Ｎを示した。
［実施例５］
第５図に示すように、直径９５ｗ＋ｍ、厚さ１．２μｍ
の強化ガラスより成る円板の両面に円周方向に幅１．０
μｍ、５．０μｍピッチで深さ２５０ｎｍの溝と、さら
に半径方向に放射状に中心角６ 、 ＯＸ １０−’ｄ
ｅｇ、の間隔で深さ２５０ｎｍの溝をフォトリソグラフ
ィーにより形成し、基板１とした。次に第２図において
、この基板の両面にＤＣマグネトロンスパッタ装置によ
り、以下に示すように非磁性下地膜２、磁性膜３、保護
潤滑膜４を同一真空層内で形成した。基板温度１００℃
。
の強化ガラスより成る円板の両面に円周方向に幅１．０
μｍ、５．０μｍピッチで深さ２５０ｎｍの溝と、さら
に半径方向に放射状に中心角６ 、 ＯＸ １０−’ｄ
ｅｇ、の間隔で深さ２５０ｎｍの溝をフォトリソグラフ
ィーにより形成し、基板１とした。次に第２図において
、この基板の両面にＤＣマグネトロンスパッタ装置によ
り、以下に示すように非磁性下地膜２、磁性膜３、保護
潤滑膜４を同一真空層内で形成した。基板温度１００℃
。
アルゴンガス圧０．６Ｐａ 、投入電力密度５０ｋＷ
／ｒｄのスパッタ条件でＣｒ膜を２００ｎｍ形成し、非
磁性下地膜２とした後、同一のスパッタ条件で面内方向
に磁化容易軸をもつＣｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％
ｐｔ磁性膜３を膜厚１１００ｎ形成した。さらに、基板
温度１００℃、アルゴンガス圧１．３Ｐａ 、投入電
力密度３０ｋＶｉ／／−のスパッタ条件でカーボンから
成る保護潤滑層４を膜厚２０ｎｍ形成し、磁気ディスク
を作製した。
／ｒｄのスパッタ条件でＣｒ膜を２００ｎｍ形成し、非
磁性下地膜２とした後、同一のスパッタ条件で面内方向
に磁化容易軸をもつＣｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％
ｐｔ磁性膜３を膜厚１１００ｎ形成した。さらに、基板
温度１００℃、アルゴンガス圧１．３Ｐａ 、投入電
力密度３０ｋＶｉ／／−のスパッタ条件でカーボンから
成る保護潤滑層４を膜厚２０ｎｍ形成し、磁気ディスク
を作製した。
この様にして得られた磁気ディスクの記録再生特性を評
価した結果、第１表に示すように、優れた媒体Ｓ／Ｎを
示した。
価した結果、第１表に示すように、優れた媒体Ｓ／Ｎを
示した。
上記の磁気ディスク基板上あるいはその上に形成した薄
膜に溝を形成する手段としては、電子線描画法や機械的
カッティング法を用いることもできる。
膜に溝を形成する手段としては、電子線描画法や機械的
カッティング法を用いることもできる。
［実施例６］
厚さ１．２μｍの強化ガラスより成る円板の両面上に、
ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、以下に示すよう
に非磁性下地膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空
層内で形成した。基板温度１００℃、アルゴンガス圧０
．７Ｐａ 、投入電力密度５０ｋＷ／ｎ−Ｆのスパッ
タ条件でＣｒ膜を２５０ｎｍ形成し、非磁性下地膜２と
した後、同一のスパッタ条件で面内方向に磁化容易軸を
もっＣｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％ｐｔ磁性膜３を
膜厚１１００ｎ形成した。さらに、基板温度１００℃。
ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、以下に示すよう
に非磁性下地膜２．磁性膜３．保護潤滑膜４を同一真空
層内で形成した。基板温度１００℃、アルゴンガス圧０
．７Ｐａ 、投入電力密度５０ｋＷ／ｎ−Ｆのスパッ
タ条件でＣｒ膜を２５０ｎｍ形成し、非磁性下地膜２と
した後、同一のスパッタ条件で面内方向に磁化容易軸を
もっＣｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％ｐｔ磁性膜３を
膜厚１１００ｎ形成した。さらに、基板温度１００℃。
アルゴンガス圧１．３Ｐａ 、投入電力密度３０ｋＷ
／ｒｒｒのスパッタ条件でカーボンから成る保護潤滑層
４を膜厚２０ｎｍ形成した後、第１図（ｂ）に示すよう
に、円周方向に幅１．０μｍ、５．０μｍピッチの間隙
と、さらに半径方向に幅０．２μｍ、０．５ピッチの間
隙が生ずるマスクを形成し、酸素イオンビームを照射し
て この間隙の下部に存在する磁性膜に非磁性体領域６を形
成し、磁気ディスクを作製した。この様にして得られた
磁気ディスクの記録再生特性を評価した結果、第１表に
示すように、優れた媒体Ｓ／Ｎを示した。
／ｒｒｒのスパッタ条件でカーボンから成る保護潤滑層
４を膜厚２０ｎｍ形成した後、第１図（ｂ）に示すよう
に、円周方向に幅１．０μｍ、５．０μｍピッチの間隙
と、さらに半径方向に幅０．２μｍ、０．５ピッチの間
隙が生ずるマスクを形成し、酸素イオンビームを照射し
て この間隙の下部に存在する磁性膜に非磁性体領域６を形
成し、磁気ディスクを作製した。この様にして得られた
磁気ディスクの記録再生特性を評価した結果、第１表に
示すように、優れた媒体Ｓ／Ｎを示した。
第１表
上記実施例１，２，３，４，５，６の磁気ディスクでは
記録再生を行う際、半導体レーザを用いて溝または非磁
性体の位置を検出すること、あるいは非磁性基板と磁気
記録用の磁性膜の間にクロック信号記録用の高保磁力磁
性膜を形成することにより磁気ヘッドの位置決めを行い
、溝または非磁性体により分離された個々の磁性膜に１
ビツトずつ記録することにより、自己同期が可能となり
、ＮＲＺもしくはＮＲＺ−Ｉ変調方式で再生することが
できる。さらに、２個以上の前記分離された磁性膜ドメ
イン毎に、磁化の方向を反転させて記録することにより
、（１，７）、（２，７）符号変調方式もしくは最小磁
化反転間隔のみを制限した変調方式で記録再生すること
もできる。また、非磁性基板として上記実施例に用いて
いる強化ガラスの他に、Ｎ１−Ｐめっき付きＡＱ合金基
板、セラミックス基板、プラスチック基板、プラスチッ
ク被膜付きＡＱ合金基板等を用いた場合にも同様な効果
が認められた。上記実施例１，２，３，４゜５．６にお
いて、溝５を高分子潤滑剤等の非磁性体で埋めると、耐
摺動性および耐食性が向上した。
記録再生を行う際、半導体レーザを用いて溝または非磁
性体の位置を検出すること、あるいは非磁性基板と磁気
記録用の磁性膜の間にクロック信号記録用の高保磁力磁
性膜を形成することにより磁気ヘッドの位置決めを行い
、溝または非磁性体により分離された個々の磁性膜に１
ビツトずつ記録することにより、自己同期が可能となり
、ＮＲＺもしくはＮＲＺ−Ｉ変調方式で再生することが
できる。さらに、２個以上の前記分離された磁性膜ドメ
イン毎に、磁化の方向を反転させて記録することにより
、（１，７）、（２，７）符号変調方式もしくは最小磁
化反転間隔のみを制限した変調方式で記録再生すること
もできる。また、非磁性基板として上記実施例に用いて
いる強化ガラスの他に、Ｎ１−Ｐめっき付きＡＱ合金基
板、セラミックス基板、プラスチック基板、プラスチッ
ク被膜付きＡＱ合金基板等を用いた場合にも同様な効果
が認められた。上記実施例１，２，３，４゜５．６にお
いて、溝５を高分子潤滑剤等の非磁性体で埋めると、耐
摺動性および耐食性が向上した。
また、実施例１，２，３，４，５．６に用いた磁性膜材
料３としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等を用いても同様の効果があった。
料３としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等を用いても同様の効果があった。
以上説明したように本発明では、磁気記録媒体用非磁性
基板上、もしくはその上に形成した面内磁気記録媒体用
面内磁性膜に、線記録方向に、あるいは、線記録方向お
よび記録トラック間に、溝または非磁性体領域を形成す
ることで磁気的に分離した磁性膜ドメインをつくり、磁
化反転の境界に生じる磁化のにじみを無くすことにより
、記録再生時における媒体Ｓ／Ｎが大幅に向上し、従来
に比べ装置容量を大幅に増大した面内磁気記録媒体およ
び磁気記憶装置を提供することができる。
基板上、もしくはその上に形成した面内磁気記録媒体用
面内磁性膜に、線記録方向に、あるいは、線記録方向お
よび記録トラック間に、溝または非磁性体領域を形成す
ることで磁気的に分離した磁性膜ドメインをつくり、磁
化反転の境界に生じる磁化のにじみを無くすことにより
、記録再生時における媒体Ｓ／Ｎが大幅に向上し、従来
に比べ装置容量を大幅に増大した面内磁気記録媒体およ
び磁気記憶装置を提供することができる。
第１図（ａ）および第１１３１ （ｂ）は本発明の具体
例の磁気ディスク表面の概略図、第２図は本発明の実施
例１および実施例４の磁気ディスクの断面図、第３図お
よび第４図は各々本発明の実施例２および実施例３の磁
気ディスクの断面図、第５図は本発明の実施例５の磁気
ディスク用基板表面の概略図である。 １・・・非磁性基板、２・・・非磁性下地膜、３・・・
磁性膜、４・・・保護潤滑膜、５・・・溝、６・・・非
磁性体。 図 （ν） 叢 団 縞 図 ダ 圀 〜１ 膚
例の磁気ディスク表面の概略図、第２図は本発明の実施
例１および実施例４の磁気ディスクの断面図、第３図お
よび第４図は各々本発明の実施例２および実施例３の磁
気ディスクの断面図、第５図は本発明の実施例５の磁気
ディスク用基板表面の概略図である。 １・・・非磁性基板、２・・・非磁性下地膜、３・・・
磁性膜、４・・・保護潤滑膜、５・・・溝、６・・・非
磁性体。 図 （ν） 叢 団 縞 図 ダ 圀 〜１ 膚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板と該非磁性基板上に直接もしくは下地膜
を介して形成された面内磁性膜を有する面内磁気記録媒
体において、上記面内磁性膜は線記録方向に磁気的に分
離された記録部を有しており、該磁気的分離は空気又は
非磁性体で行なわれていることを特徴とする面内磁気記
録媒体。 ２、上記面内磁気記録媒体は、複数の同心円状の記録ト
ラックを有しており、該記録トラック間が空気又は非磁
性体で磁気的に分離されている特許請求の範囲第１項記
載の面内磁気記録媒体。 ３、上記記録部の平面形状は上記線記録方向の方が該方
向に垂直な方向より短い長方形である特許請求の範囲第
２項記載の面内磁気記録媒体。 ４、前記面内磁性膜が垂直磁性膜上に面内磁性膜を積層
した複合膜である特許請求の範囲第３項記載の面内磁気
記録媒体。 ５、上記非磁性基板の表面には溝が形成されており、該
溝は上記磁気的分離領域を構成している特許請求の範囲
第３項記載の面内磁気記録媒体。 ６、上記凹凸を有する非磁性基板上の、凸部上に１ｋＯ
ｅ以上の保磁力を有する面内磁性膜、凹部上に１ｋＯｅ
未満の保磁力を有する面内磁性膜が形成されている特許
請求の範囲第５項記載の面内磁気記録媒体。 ７、特許請求の範囲第１項ないし第６項の一に記載の面
内磁気記録媒体を用いたことを特徴とする磁気記憶装置
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100308A JPH041922A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 面内磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| EP91106043A EP0452876B1 (en) | 1990-04-18 | 1991-04-16 | A longitudinal magnetic recording medium |
| DE69103664T DE69103664T2 (de) | 1990-04-18 | 1991-04-16 | Träger für longitudinale magnetische Aufzeichnung. |
| US08/196,811 US5766718A (en) | 1990-04-18 | 1994-01-31 | Longitudinal magnetic recording medium and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100308A JPH041922A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 面内磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
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