JPH02273338A - 情報記憶媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、可逆的、光学的に超大容量のデータを記憶す
る情報記憶媒体に関し、特に高分子液晶化合物を用いた
情報記憶媒体に関する。

［従来の技術］ 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｄ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしては追記型光ディスク（
ＷＯ）　、光カード（ＯＣ）か知られており、金属薄膜
の相変化を用いるものや、有機染料のビット形式を用い
るものかある。

さらに、書き換え型光ディスクの研究か進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている（特開昭５９−１０９３０
号公報、特開昭５９−３５９８９号公報、特開昭６２−
１５４３４０号公報）。その中では記録方式としてコレ
ステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるか、
あるいは無配向状態のビット形成によって光反射率を多
値的に変化せしめる方式も提案されている（特開昭６２
−１０７４４８号公報、特開昭６２−１２９３７号公報
）。

前記情報記憶媒体においては、基板にガラスもしくはプ
ラスチックを用いた場合には、大容量の記憶を行なうた
めに基板に微細なトラックを形式する必要かある。基板
にトラックを形成する方法としては、平面基板に千ツマ
−を塗布し、トラック形成スタンバ−を用いて一定の形
状としたのちモノマーを重合硬化し、スタンバ−を取り
除いて微細なトラックを有する基板を得る方法やトラッ
ク形成用スタンバ−を有する型へ基板用樹脂を射出成形
して得る方法、および基板をエツチングしてトラックを
形成する方法等かある。

［発明か解決しようとする課題］ しかしなから、前記従来例における様な、微細なトラッ
クを有する基板上へ高分子液晶を含有する記録層を設け
て情報記憶媒体を形成し、トラッキングを行う場合に、
基板材料もしくはトラックを形成する材料と高分子液晶
を含有する記憶層との屈折率差か小さく、十分なトラッ
キングを行うことがてきない欠点かあった。さらに、十
分なトラッキングを行うために、トラックの高低差を大
きくすることやトラックを形成した基板と高分子液晶を
含有する記録層の間に反射率を高めるための層、具体的
には金属半透明膜や高屈折率化合物膜を設ける等の方法
かあるか、これ等の方法は製造コストを上昇させ、また
コントラスト等を低下させる欠点かあった。

本発明は、この様な従来技術の欠点を数片するためにな
されたものてあり、高分子液晶化合物を含有する記録層
に凹凸を形成することにより、容易にトラッキングを行
うことかてきるとともに高精度な情報記憶媒体を低コス
トて提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］および［作用］すなわち
、本発明は、高分子液晶化合物を含有する記録層を有す
る情報記憶媒体において、前記高分子液晶化合物を含有
する記録層か凹凸を有していることを特徴とする情報記
憶媒体である。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明の情報記憶媒体の一例を示す断面図で
ある。同図において、本発明の情報記憶媒体は、基板ｌ
上に高分子液晶化合物を含有する記録層２を形成し、該
記録層２の上に反射層４を設けてなり、前記高分子液晶
化合物を含有する記録層か凹凸を有していることを特徴
とする。

この様に、本発明は、高分子液晶化合物を含有する記録
層を有する情報記憶媒体において、前記高分子液晶化合
物を含有する記録層に凹凸を有するトラックを形成する
ことにより、四部と凸部て光学位相差をグーえることか
可能となり、またトラックを形成することにより、従来
のレーザービームのトラッキング方法である、３ビーム
法、プッシュプル法、差動プッシュプル法、サンプルサ
ーボ法等の方式を用いることが可能となった。

また、本発明における高分子液晶化合物を含有する記録
層の凹凸て形成されるトラックは、同心円状てもスパイ
ラル状でもよい。

記録層に形成された四部と凸部の高低差は、高分子液晶
化合物の配向方向、屈折率、レーザー光の波長等によっ
て選択されるが、通常５００人〜１μｍの範囲か望まし
い。５００人未満では、凹凸を形成するためのスタンバ
−やレジストの精度が得られず、ｌｐｍをこえると特に
トラック巾が１．０ｇｍ以下のときはスタンバ−て凹凸
を形成するのか困難となり、また本発明の特色である低
コストてのトラック形成か困難となる。四部と凸部の高
低差は、さらに好ましくは５００人〜５０　［１１１人
である。また、情報の記録・再生・消去に用いられるレ
ーザー光の波長入に対して高分子液晶化合物を含有する
記録層の凹凸によって生しる光学的相差を１／３２人〜
１７４　人とすることか望ましい。

上記のような凹凸を記録層に形成する方法としては、コ
ンプレッション法、インジェクションコンプレッション
法、インジェクション法等があり、基板上に高分子液晶
化合物からなる記録層を設けたのちに前記手法によって
凹凸を形成することか出来る。さらに、高分子液晶化合
物のモノマーを用いて２Ｐ法によって形成することも可
能である。

次に、本発明において用いることの出来る高分子液晶化
合物の例としては、下記に示すものが挙げられる。

（下記式（１）〜（１３）中、１５〉ｎ≧１である。）
Ｃ１（３ →（ＪＩ２−Ｃ→「 （下記式（１４）〜（１７）中、 ｐ＝５〜１０００゜ １）Ｉ＋＋１２＝ Ｃ］１３ −（−ＣＨ２−Ｃ→「 ５〜１０００゜ ｑ＝ｌ　〜１６゜ １〜＋６．ｑ２ １〜１６ である。

Ｃ１（３ →ＣＨ２−Ｃ→「 ■ （下記式（１８）〜（４６）中、 ＊は不斉炭素中心を 示し、 ｎ＝５〜１０００である。

（ｍ、＝２〜１０） ■ ＣＨ３ ４ＣＨ２−Ｃ桟「 （ｆｆｉ２＝２〜１５） （ｍ２＝２〜１５） （２４）　　　　　Ｈ ＋　ＣＨ２−Ｃ→− （ｘ＋ｙ＝１゜ １〜１０．　Ｐ２＝　１へ１５） ＣＨ：Ｉ ＣＩ＋２（：１Ｉ２ｃｌＨＣ１＋□→−（Ｃｌ１２→− （ｘ＋ｙ １．１１１２ ２〜１５） ■ ＣＨ３ Ｒ，＝　−Ｃ：８２ＣＨ（ＣＨ２→− Ｒ，＝（Ｃ１１゜→− （ｘ＋ｙ＝１．ｍ２＝２〜１５） （ｘ　＋　ｙ　＝　１　、　＋０２＝　２〜１５）（Ｉ
ｌｌ：ｌ＝　１〜５） （ｘ＋ｙ＝　１　） （＋ｎ５＝０〜５） ｒ （Ｉ！２　＝５〜１８） 前記高分子液晶化合物は低分子液晶化合物と組み合わせ
て用いることが可能である。低分子液晶化合物としては
、ネマチック相、スメクチック相、カイラルネマチック
相、カイラルスメクチック相、ディスコティック相等を
有するものかあるが、その中でカイラルスメクチック相
を有する低分子液晶化合物の具体例としては、次のよう
なものが挙げられる。

Ｐ デシロキシへンシリデンーＰ′−アミノー２メチルブチ
ルシンナメート　（ＤＯＢＡＭＢＣ）Ｐ−テトラデシロ
キシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２メチルブチル− ｐ−へキシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノクロルプ
ロピルシンナメート　（ＨＯＢＡＣＰＣ）一 Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２メ
チルツチルーα−クロロシンナメー）　　（ＯＯＢ八Ｍ
へＣＧ）Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−メチルブチル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡ
ＭＢＣＣ）Ｐ−才クチルオキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ２−メチルブチル−α−メチルシンナメートメチル
ブチル）エステル ヘキシルオキシフェニル ブチル）ビフェニル−４′ ４−（２″−メチル カルボキシレート ＝４′ オクチルアニリン （ＭＢｌ？Ａ ４−才クチルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレートオキシビフェ
ニル−４ カルボキシレート ４−へキシルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート（Ｉ３） （工５） （２″−メチルブチル）フェニル−４−（４″−メチル
ヘキシル）ビフェニル−４′−カルボキシレート＜４’
−＜４−ヘキシルオキシ）フェニルオキシカルボニル）
フェニル−Ｐ−（４″−メチルへキシルオキシ）ベンゾ
エートさらに、 レーザー光等にて書き込み。

消去を行 う場合には、 レーザー光吸収層を設けるか、 もし ４−　（２’−（プロとルオキシ）プロピル）オキシフ
ェニル４−（デシロキシ）ビフェニ）’Ｉ、−４’−カ
ルボキシレートくは高分子液晶層へレーザー光吸収化合
物を添加することによって感度を向上させることかでき
る。

高分子液晶層へ添加するレーザー光吸収化合物の例とし
ては、 下記に示すようなものが挙げら れる。

■ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　２８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　９８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｖｉｏｌｅｔ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１５１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１ Ｄｉｒｅｃｔ　　Ｒｅｄ　　８１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｏｒａｎｇｅ　３９ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ　　２１４ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ ｅｄ ＡｓＦ６θ また、半導体レーザーの波長に適合したレーザー光吸収
化合物としては、下記に示すようなものか挙げられる。

具体的には、フタロシアニン類、ナフタロシアニン類、
テトラベンゾポルフィリン類やその他置換、非置換ポル
フィリン類か用いられる。

特に有効なものとして、下記一般式（Ｉ）て表わされる
フタロシアニン、ナフタロシアニン等がある。

（一般式（１）中符号 で示される。

［但し、Ｒ１−Ｒ２０は水素原子、炭素原子数４〜２゜
の直鎖もしくは分岐したアルキル基、アルコキシ基、ア
ルケニル基もしくは下記から選択される置換基を示す。

Ｓ＋Ｑ＋Ｑ２（ｈ 　ＳＱ４ 　Ｃ０Ｑ５ −　ｃｏｏｑ６ Ｑ７Ｑ８ （Ｑ、〜Ｑ８は水素原子、炭素原子数１〜２ｏの直鎖も
しくは分岐したアルキル基又はアルケニル基を示す。月 ＭはＧｅ、　Ｓｎ、遷移金属＋　Ａｊ）、　Ｃａ、　Ｉ
ｎ、アルカリ土類金属、ランタニド金属、アフチニド金
属およびその酸化物、ハロゲン化合物もしくはアルコキ
シ化合物を示す。） 光記録を行う場合に近赤外から赤色可視に波長を有する
半導体レーザーを用いることは記録再生装置の小型化、
高性能化に重要であるが、その波長域で用いることが可
能な可溶性有機大環状色素としてはナフタロシアニン類
か特に優れている。

特に、一般式（１’Ｉ）て示されるものは、溶解性に優
れているため本発明の記憶媒体に適している。

（Ｘａ＋＋）ｂ ［一般式（ＩＩ）中 Ｍ　：　Ｇｅ、”　Ｓｎ、遷移金属、　ＡＲ，Ｃａ、　
Ｉｎ、アルカリ土類金属、ランタニド金属又はアフチニ
ト金属 Ｘ　ハロゲン基、アルキル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、エーテル基又はアルケニル基等を、 Ｘｍ、〜Ｘｌ１１４；ハロゲン基、アルキル基、スルフ
ァセイル基、エーテル基又はアルケニル基等を、 ａ〜ｄ：０〜４を示す。

（但しａ　＋　ｂ　＋　ｃ　＋　ｄ≧１）。］これらの
化合物は、特開昭６１−９０２９１号公報に開示された
方法等によって容易に合成できる。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、アミニウム塩化合物又はジイモニウ
ム塩化合物が挙げられる。

本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモニ
ウム塩化合物は、それぞれ下記の一般式［ｍｌ　、　　
［ＩＶｌおよび［Ｖ］で表わされる。

一般式１ｍ１ 一般式［ＩＶｌ 一般式［Ｖ］ 上記の一般式［ｍｌ、　［ＩＶｌおよび［Ｖ］において
、Ｒ０〜Ｒ１゜は同種または異種の水素原子、またはア
ルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−メチル基、５ｅｃ−ブチ
ル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−メチル基、ｎ−アミル基
、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ
−オクチル基および０９〜ＣＩ２のアルキル基など）を
示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基（
例えば２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピ
ル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエチル
基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３
−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−ス
ルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェー
トプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチ
ルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチル
スルファミル）プロピル基、４−（アセチルスルファミ
ル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロ
ヘキシル基など）、アルケニル基（ビニル基、アリル基
、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニ
ル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基、プ
レニル基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、
フェネチル基。

α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基など）、
置換アラルキル基（例えば、カルボキシベンジル基、ス
ルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など）を包含す
る。

香族環上にアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を置
換してもよい。

Ａｏは陰イオン、例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、クロライド、サルフ
ェート、バーアイオタイト、ｐ−トノレニンスルフォネ
ートなと゛を表わす。

これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合
物は、特公昭４３−２５３３５号公報などに開示される
合成法に準じて合成することができる。

次に、前記一般式［ｍｌ、　［ＩＶｌで示されるアミニ
ウム塩化合物（ＡＭ）の代表例を下記の表１に挙げる。

次に前記一般式［Ｖ］て示されるジイモニウム塩化合物
（ＩＭ）の代表例を下記の表２に挙げる。

表 １Ｍ−Ｉ １Ｍ−２ １Ｍ−３ １Ｍ−４ １Ｍ−５ １Ｍ−５ ト７ ト８ ト９ ＩＭ−１：Ｉ １Ｍ−１４ １Ｍ−１５ １Ｍ−１６ １Ｍ−１７ １Ｍ−１８ ＣＨ。

ＣＨ３ ＣＨ。

Ｃ２Ｈ！。

Ｃ２Ｈ。

２Ｈ５ −ＣＪｙ ｉｓｏ−Ｃ，Ｒ７ ｎ−Ｃ，Ｒ９ ｎ−Ｃ，ＦＩ９ −Ｃ４Ｈ９ ｎ−Ｃ，ｌ１９ −Ｃ４Ｈ９ ｎ−Ｃ４Ｈ。

ｔ−Ｃ，１１９ ｔ−Ｃ，ＦＩ９ ｎ−Ｃ６）１．ｆｆ ｎ−Ｃａ１ｌ□７ ＡｓＦ、ｅ Ｃρ０４０ ＳｂＦ６゜ ＡｓＦ５゜ ｃＲｏ４゜ ＢＰ、θ ＡｓＦ、ｅ Ｃ１’０４゜ ｃＩ！ｏ、。

ＡｓＦ、θ ＳｂＦ、θ ８Ｆ、。

■ｅ ＣＨ３＋ＳＯ３゜ ｃｐｏ、。

ＡｓＦ、θ ＣＩ！Ｏ，。

ＡｓＦ６θ ＩＭ４９　　ｎ−ｃ１２１（２５←　　←　　←　　　
　　ＳｂＦ６０１Ｍ−２０Ｃ２Ｈ４ＯＨ←　　←　　←
　　　　　ＳｂＦ６θｌＮ−２１Ｃ２Ｈ，０１＋　　　
　←　　←　　←　　　　　ｃｐｏ、。

ＩＭ−２２Ｃ２Ｈ，ＯＨ←　　←　　←　　　　　ＮＯ
３０１Ｍ−２：ｌ　　（：２Ｈ，ＯＨ←　　←　　←　
　　　　ＳｂＦ６゜上記アミニウム塩化合物（以下、Ａ
Ｍ化合物と記す）およびジイモニウム塩化合物（以下、
ＩＭ化合物と記す）は近赤外域に吸収をもち、安定な光
吸収色素として有用てありかつ、高分子液晶に対して相
溶性もしくは分散性かよい。

さらに、半導体レーザーの吸収剤として、次ぎのような
金属キレート化合物が挙げられる。

本発明て使用される金属キレート化合物の例を挙げると
下記の一般式［１］〜［７］て表わされる。

一般式 ［ トロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、ＭはＣｕ。

Ｎｉ、　Ｇｏ又はＰｄを表わす。） 一般式［３コ Ｉ５ （式中、Ｒ０５は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル
基、アリール基てもう一方のＲ□５と結合しても良い。

Ｒ１６はアルキル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基な表わし、中心金属ＭはＣｕ、　
Ｎｉ、　Ｇｏ又はＰｄを表わす。）一般式［２コ （式中、ＲＩ９はアルキル基、アリール基、Ｒ２゜は水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ニト
ロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ又
はＰｄを表わす。） 一般式［４］ （式中、Ｒ１７は水素原子、水酸基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のＲＩ７と結合しても良い。

ＲＩ８は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ニ水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系基な
表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、又はＰｄを表わず。） 一般式［５］ （式中、Ｒ２３は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を表わし、ＭはＣｕ又はＮｉを表わす。）一般式［６
］ 一般式［７］ （式中、Ｒ２’ｉ＋　Ｒ２６は、置換ないし非置換のア
ルキル基、アシル基又はアリール基またはＲ２Ｓ＋　Ｒ
２６て芳香族環を形成しても良い。ＭはＣｕ、　Ｎｉ、
　Ｇｏ又はＰｄを表わす。この場合、Ｍは電荷を持ち、
カウンターイオンを持っても良い。） 次に、前記一般式［１１〜［７］て示される金属キレー
ト化合物の具体的な化合物例を下記の表３に挙げるか、
本発明はこれらに限定されるものではない。

（式中、Ｒ２４は水素原子、又はアルキル基を表わし、
ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　Ｇｏ又はＭｎを表わす。）表　　
３ 表　　３−２ ［１１ ［１１ ［１］ ［１］ ［１１ ［１１ ［１］ ［１］ ［１］ ［１１ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ Ｒ，５＝ＤＨ Ｒ，５＝０１１ Ｒ＋！５＝Ｈ Ｒ１５＝Ｃ２Ｈ５ Ｒ，＝ｉ−Ｃ３１（ｔ Ｒ１５＝ｎ−Ｃ６Ｈ１３ Ｒ１５”ｎ−Ｃ６１１＋ｉ Ｒ＋５＝ＣａＦＩｓ Ｒｌｅ、＝Ｈ ＲＩ５＝−Ｃ）＋２− Ｒ＋　７＝Ｈ Ｒ１７”ＣＨ３ Ｒ＋ｔ＝ＯＲ Ｒ，、＝Ｃ２Ｈ５ Ｒ１７＝Ｃ３１１７ Ｒ＋　７＝（ＣＨ２）　５ＣＨ３ Ｒ、＝（ＯＨ２）＋＋ＣＨ＋ Ｒ１７＝ｉ−Ｃ３Ｈｔ Ｒ，、＝Ｏ１１ １，７＝ＯＨ Ｒ□７＝−ＣＨ２− Ｒ１６＝Ｈ Ｒ、＝Ｈ Ｒ６＝４−Ｃ，１ｌＳ Ｒ，、＝５−Ｃｊ） Ｒ＋６＝Ｈ Ｒ，６＝４−ＣＦＩ。

Ｒ、−４−Ｃ：Ｈ。

Ｒ１６＝■ Ｒ，、＝５．６−Ｃ，ｌｌ。

Ｒ６＝４−ＮＯ２ Ｒａ”Ｈ Ｒ□、＝ｌｌ Ｒ，８＝５−Ｃ２Ｈ５ Ｒ，、＝５−Ｃ，Ｈ。

Ｒ、＝４−ＣＩ！ Ｒ１８＝４−ＣＨＩ Ｒ，８＝５．６−ＣＪ。

Ｒａ＝５．６−Ｃ６Ｈ４ ＲｌＢ＝４−Ｃ：＋）＋７ Ｒ、＝Ｈ ＲＩ６＝４−ＮＯ２ ［２］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［５］ ［５］ Ｒ１７＝−ＣＨ２− Ｒ，９＝ＣＨ。

Ｒ１９＝ＣＪ５ Ｒ１９＝Ｃ６１１５ Ｒ，、＝４’−（ＣＨ３）２Ｎ−Ｃ６Ｈ４Ｒ９＝４’−
ｆＪ！−Ｃ６Ｈ。

Ｒ，９＝ＣＩ３ Ｒ＋５＝ＣＪｓ Ｒ□９＝ＣＨ。

Ｒｔｓ”Ｃａ１ｌｓ Ｒ２，＝ＣＨ３ Ｒ２１＝Ｃ２Ｈ５ Ｒ２，＝（Ｊｌ。

Ｒ１５＝Ｃ２Ｈ５ Ｒ２＋＝（Ｃ２Ｈ５）ＣＨ３ Ｒ２＋　＝（（Ｊｌ２）ｙｃｌＩ＋ Ｒ２１＝Ｃ２Ｈ５ Ｒ２□＝Ｃ１１ｆｆ Ｒ２１＝（Ｃ１１２）５ＣＨ：ｌ Ｒ２３＝Ｈ Ｒ２３＝Ｈ Ｒ１１１七４−Ｎｏ２ ２Ｏ−Ｈ Ｒ２０＝４−ＣＨ３ Ｒ２０＝４−Ｃ２Ｈ５ Ｒ２０＝Ｈ Ｒ２０＝４−ＣＨ３ Ｒ２，＝４−ＣＨ３ Ｒ２，＝４−Ｃ４） Ｒ２０＝４−ＮＯ２ Ｒ２０＝Ｃ６Ｈ５ Ｒ２２＝Ｈ Ｒ２２＝４−ＣＨ。

Ｒ１ｌ２＝Ｈ Ｒ２２−４−ＣＨ：Ｉ Ｒ２□＜、＋１゜ Ｒ２２＝Ｃ６Ｈ５ Ｒ２゜＝５．６−Ｃ６Ｈ４ Ｒ２□＝Ｈ Ｒ２２＝４−ＣＩ！ ［５］ ［６コ ［６］ ［６］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７コ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ Ｎｉ Ｎｉ Ｎｉ 表　　３−３ Ｒ２３＝４−ＣＨ３ Ｒ２４＝Ｈ Ｒ２，＝ＦＩ Ｒ２４＝２−Ｃ２Ｈ１゜ Ｒ２５＝Ｃ６Ｈ５Ｒ２６＝ＣＪ５ Ｒ２５＝Ｃ６１１ｓ　　　　　　　　　　Ｒｚ６＝Ｃ６
Ｈ５Ｒ２５＝Ｐ−（Ｃ２Ｈ５）　Ｊ−ＣＪＩ４Ｒ２６＝
Ｃ６Ｈ５Ｒ２ｓ＝Ｐ−（ＣＨＪ２Ｎ−０６１（４Ｒ２６
＝ＣＪ５Ｒ２５＝ＣＨ３ＣＯＲ２６＝ＣＨ３ＣＯＲ２５
−Ｒ２６＝−ＣＨ＝ＣＩｌ−Ｃ’Ｈ＝ＣＨ−Ｒ２５−Ｒ
２６＝−ＣＨ＝Ｃ−Ｃ＝ＣＨ−ＣｌｌＣｌ！ −Ｒ２５−Ｒ２６＝−ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｎ（Ｃ２
Ｈ５）２ Ｒｇｓ−８２６＝−ＣＩＩ＝Ｃ−ＣＩ！ＡＣＨ−ＣＨ３ −Ｒ２５−Ｒ２６＝−ＣＨ＝Ｃ−Ｃ＝ＣＨ−Ｃ）１．　
　ＣＨ。

−Ｒ２５−Ｒ２ａ＝−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−上記金
属キレート化合物は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸
収色素として有用てありかつ、高分子液晶に対して相溶
性もしくは分散性かよい。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、次のようなものが挙げられる。

一般式［８］ （式中、Ｒ２？はイオウ原子、置換ないし非置換のアミ
ノ基、酸素原子又はチオケトン基、Ｒ２Ｂは水素原子、
アルキル基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わし、Ｍは
Ｚｎ、　Ｃｕ又はＮｉを表わす。）一般式［９］ （式中、Ｒ２９はアルキル基、アリール基又はスチリル
基を表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、又はＣｒｏを表わす。

） 一般式［１０］ （式中、Ｒ３０は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アシル基又はアリール基を表わし、ＭはＮｉ又はＺｒ
を表わす。） 一般式［１１］ 一般式 ［１２］ ＋１０ Ｒ：ｌ：１ （式中、Ｒ１２＋　Ｒ３３はアルキル基又はアリール基
、ＭはＮｉを表わす。） 一般式 ［１３］ （式中、Ｒ３１はアルキル基又はアリール基、ＭはＣｕ
、　Ｎｉ又はＣＯを表わす。） ０、　　　０ ゛・Ｈ／ （式中、Ｒ，、、Ｒ，５はアルキル基、アミノ基、アリ
ール基又はフラン基、又はＲｆｆ４とＲ１５て脂環式化
合物を形成しても良い。ＭはＮｉを表わす。）一般式 ［１４コ （式中、　Ｒ３８１Ｒ：１９は水素原子、アルキル基、
ハロゲン原子又はニトロ基、Ｘは酸素原子又は硫黄原子
、ＭはＮｉ、　Ｙ＠は４級アンモニウムカチオンを表わ
す。） 一般式［１６］ （式中、Ｒ３６＋　Ｒ：＋７は水素原子、ハロゲン原子
又はアルキル基てＸは酸素原子又は硫黄原子、ＭはＮｉ
を表わす。） 一般式［１５］ （式中＋　　Ｒ４０はアミノ基、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　
Ｇｏ又はＰｄを表わす。） 一般式 ［１７］ （式中、　Ｒ４１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基、ＭはＺｎ
、　Ｃｕ、　Ｎｉ又はＧｏを表わす、、）次に、前記一
般式「８］乃至［１７］て示される化合物の代表例を下
記の表４に挙げるが、本発明はこれ等に限定されるもの
てはない。

表 ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［９］ ［９］ ［９］ ［９］ ［１０］ ［１０］ ［１０］ Ｒ２７“０ Ｒ２７；０ Ｒ２７°５ ＲＱｊ・Ｓ Ｒａ、：５ Ｒ２７・５ Ｒ２７・５ Ｒ２７・ＮＨ Ｒ２７・ＮＨ Ｒ２７・ＮＧ１１３ Ｒ２？・Ｎｉ１ Ｒ２７・Ｃ＝Ｓ Ｒ２９°ＣＪ７ Ｒ２９°Ｃ６１１５ Ｉ（２９・Ｃ，，１１５ＣＨ＝ｃｌｌ Ｒ２９・Ｃ１’−Ｃ６Ｈ４Ｃ１１＝ＣＨＲ３０・１１ Ｒ３０・）Ｉ Ｒ３０−ＣＨ３ＣＯ Ｒ２８・Ｈ ＩＮ□。・５−ｅｌｌｌ １１２６・１１ Ｒ２Ｏ・５−（Ｊ！ Ｒ２８・５−Ｃ１１゜ Ｒ２１１・４−Ｃ８４ Ｒ２１１・５−（Ｃ１１３）２Ｎ Ｒ２８°■ Ｒ２ｏ−５−Ｃ８４ Ｒ２１１・１１ Ｒ２８・６−ＣａＨａ Ｒ２８・Ｈ Ｘ； Ｘ、ＣＩ！ Ｘ： 表　　　４−２ 表 ［ｌＯ］ ［１０］ ［１１］ ［１１］ ［１１］ ［１１コ ［１２］ ［１２］ ［１２］ ［１３］ ［１３］ Ｒ＋ｏ；（：ｊ’　　　　　　　　　ｘ；−Ｒ３０；Ｃ
３１１７Ｘ； Ｒ３１・Ｃ，Ｈ７ Ｒ３，；Ｃ３）＋７ Ｒ３１；ｐ−（ＣＨ３）Ｊ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ３１；ｐ−（
Ｃ１１３）２Ｎ−Ｃ６１１４−Ｒ３２；（Ｈ３１ｈｓ；
ＣＴ。

Ｒ３２；ＣＩｌ５　　　　　　　　Ｒ３３；Ｃ２Ｈ６Ｒ
：＋ａ；Ｃｓｌ”Ｉｓ　　　　　　　　Ｒｘ３；Ｃ６Ｈ
ａＲ−Ａ、；Ｎ１ｔ２Ｒ３Ｓ；Ｎ１ｔ２ Ｒ３Ｓ　；Ｃ５Ｈｓ　　　　　　　　Ｒ３Ｓ　；Ｃ６Ｈ
５［１３］　　　Ｎｉ ［１３コ ［１３］ ［１４］ ［１４］ Ｒ３４ニーＣＨ２ＣＨａ−Ｒ３１５；−ＣＨ２ＣＨ２−
（Ｒ３４とＲ３−、は結合して環を形成）Ｒ，、；ｃｎ
、　　　　　　　Ｒ３５；ＣＨ３Ｒ：＋４；ＣＪ５Ｒ：
＋ｓ；ＣＪｓ Ｘ；ＯＲ３６；ＨＲ３７；■ Ｘ；ＯＲ：１６；５−ＣＨ３Ｒ３７；ｌ１ｌ−ＣＨ３化
合物　一般弐　Ｍ Ｎ。

置 換 ［１４］ ［１４］ ［１４］ ［１４］ ［１４］ ［１４コ ［１５］ ［１５］ ［１５］ ［１５］ ［１５］ ［１６］ ［１６］ ［１７］ ［１７］ ［１７コ ［１７］ Ｘ：ＯＲ３Ｇ’４−ＣＩｌ：Ｉ Ｘ；ＯＲ：＋ｓ・５−ＣＩ！ ｘ；ｓ　　　　Ｒ３，・■ Ｘ’Ｓ　　　　Ｒ：＋ａ；５Ｊ：Ｈ，＋ｘ；ｓ　　　　
、ｉｌ、、；４−ＣＨ。

Ｘ’Ｓ　　　　Ｒ：＋ｇ・５−ＣＲ ｘ；ｏ　　　　Ｒ，、−３−ＣＨ。

Ｘ；ＯＲ３，・３−ＣＩ！ Ｘ；ＯＲ，，６；４−ＮＯ□ Ｘ、Ｓ　　　　Ｒ，、−Ｈ ｘｉｓ　　　　Ｒ３８・３−Ｎｏ２ Ｒ４ｏ；（Ｃ４Ｈ９）ｇＮ Ｒ−０；（（：５Ｈ１１）２Ｎ Ｒ４□・Ｈ Ｒ４，；４−Ｃ１） Ｒ４□・４−Ｎ０２ Ｒ４、；　５−ＧＨｚ 基 Ｒ３，；ｍ−Ｃｌ１゜ Ｒ：＋、；ｐ−ＣＩ！ Ｒ３？・Ｈ Ｒ３？・ｍ−Ｃ１３ Ｒ：＋７；０ｌ−Ｃ２Ｈ５ Ｒ：＋ｙ；１ｌ−ＣＪ５ Ｒ３９・１１ Ｒ３９・４−　ＣＨ。

Ｒ３９・４−ＣＨ。

Ｒ，、；４−ＣＨ。

Ｒ：＋９；４−ＣＪｓ 本発明に用いられる上記金属錯体類は、バリー・ビー・
グレイ等がジャナル・オツ・シ・アメリカン・ケミカル
・ソサイエティ　８８巻　４３〜５０頁および４８７０
〜４８７５頁、もしくはシュランツアおよびマイベーク
等によるジャナル・オブ・シ・アメリカン・ケミカル・
ソサイエティ　８７巻　１４８３〜１４８９頁により記
載されている方法に準じて合成される。

前記半導体レーザー用化合物は近赤外域に吸収をもち、
安定な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶化
合物に対して相溶性もしくは分散性がよい。又中には二
色性を有するものもあり、これら二色性を有する化合物
を高分子液晶中に混合すれば、熱的に安定なホスト−ゲ
スト型のメモリー及び表示媒体を得ることもできる。

また高分子液晶化合物中には上記の化合物が二種類以上
含有されていてもよい。

また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や２色性色素を
組み合せてもよい。好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフエツジチアジン、キサンテン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙げられる。

なお、液晶に対する上記化合物の添加量は重量％で、０
．１％〜２０％程度、好ましくは、０．５〜ｌＯ％がよ
い。本発明で用いる高分子液晶化合物は高分子サーモト
ロピック液晶てあり、中間相であるネマチックやスメク
チックやカイラルスメクチックやコレステリックの相を
利用する。

次に、第２図は本発明の情報記憶媒体の他の例を示す断
面図である。同図に示す情報記憶媒体は、ガラス板又は
プラスチック板などからなる基板１に透明電極２が平面
もしくは所定のパターンで形成されている。

この様な透明電極２を設けた基板ｌには、配向制御膜と
して、例えば−酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、
フ・ン化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、
ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミ
ド。

ポリバラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド
、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリ
ア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜
形成した配向制御膜５を設けることができる。

この配向制御膜５は、前述の如き無機絶縁物質又は有機
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得ら
れる。

本発明の別の好ましい具体例ては、ＳｉＯやＳｉＯ□な
どの無機絶縁物質を基板１の上に斜め蒸着法によって被
膜形成することによって配向制御膜５を得ることかてき
る。

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板ｌの表面あるいは基板ｌの上に前述した無機絶縁物
質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被膜の表面を
斜方エツチング法によりエツチングすることにより、そ
の表面に配向制御効果を付与することかできる。

前述の配向制御膜５は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このために、この配向制御ｌ１５！
５の膜厚は一般に　１００人〜Ｉ＃Ｌ＋ａ、好ましくは
５００人〜５０００人の範囲に設定することができる。

この絶縁層は記録層３に微量に含有される不純物等のた
めに生ずる電流の発生を防止てきる利点をも有しており
、従って動作を繰り返し行っても高分子液晶化合物を劣
化させることがない。

また、本発明においては、記録層の高分子液晶化合物の
分子配列を確実に行うものとしては、軸延伸、二軸延伸
、インフレーション延伸等の延伸法やシェアリングによ
る再配列か好ましい。単独ではフィルム性がなく延伸が
困難なものはフィルムにサンドイッチすることて共延伸
し、望ましい配向を得ることかてきる。

その他の配向方法としては、電場や磁場による配向やシ
ェアリングによる配向等を用いることカイできる。

また１本発明の高分子液晶化合物を含有する記録層は、
配向されていないものも用いることが可能てあり、この
場合には液晶相−等吉相、液晶相液晶相の相転移を用い
た記録方法において用いるか、コレステリック相・カイ
ラルスメクチック相てのらせん構造の変化等を用いるこ
とか出来る。配向していない記録層を用いる場合は、記
録層の厚みは、０．Ｏ１ｇＩｍ〜５ｏＩＬＩ１１が望ま
しい。０．０１１ｉ、ｍ未満てはコントラストが得られ
ないために好ましくなく、５０１Ｌ１１をこえると配向
の乱れによる散乱のために有効なトラッキングを行うこ
とかてきない。

さらに望ましくは、０．０５〜２０ＩＬＩＩｌである。

基板上に設けた高分子液晶化合物を含有する記録層の溝
形状の一例を第３図（ａ）〜（ｄ）に示す。

又、実験の結果から、第４図に例示する溝の大きさ、す
なわち溝の深さａ、溝の幅す、溝のランド部幅Ｃは、溝
の深さａは０．０５ｇｍ　〜０．２　ｐ、ｍ、溝の幅す
は０．５　μｍ　〜２．０　μｍ、溝のランド部の幅Ｃ
は０．５〜２．０μｍ、特に溝の深さａは０．ｉ　ｐ、
ｍ　〜０．２　ＩＪ、ｔｔｒ、溝の幅すは０．５ｇｍ〜
１．０　ｐｍ、溝のランド部の幅Ｃは１．０　ｐｔｒｒ
〜２．Ｏｐ、ｍが好ましいことか確認できた。たたし、
上記条件の３つとも全てを満たさずとも上記条件の中て
溝の深さを少なくとも上記範囲内に設定しておけばそれ
でも効果は得られる。又溝の形はさほど影響しないこと
も確認できた。

上述の特定のディスク基板を用いて情報記憶媒体を得る
と、この基板にはさまれた高分子液晶層を等方性液体温
度以上に昇温し、徐冷して配向させるとスパイラル状又
はコンセントリック状の溝方向に均一配向する情報記憶
媒体を得ることかできる。ディスクの構成として、第６
図て示された断面図のように、記録層３か片方たけ溝付
き基板ｌａて他方は平板の基板ｌて挟まれる構造（第６
図参照）でもよい。少なくとも一方が本発明の溝形状を
有していれば、いずれも良好に配向した液晶層か得られ
る。また、溝はスタンンバーを用いて転写力や射出成形
により形成させることかてきる。

また、第７図で示すように電界を印加することを可能に
したディスク構成も用いられる。１つの例として、第７
図ては、基板１の上にＩＴＯ蒸着膜のような導電性膜１
１を設け、その上に溝構造をもつの膜■３を形成した基
板と、導電性膜（反射層４）を設けたもう一方の基板ｌ
との間に高分子液晶化合物を含有する記録層３を配置し
た断面構造より成っている。

又、第８図に本発明の情報記憶媒体を用いて、記録再生
する装置の概略図を示す。記録の際は半導体レーザ９を
光学系を通して情報記憶媒体７に照射し、又再生する際
は半導体レーザ９をいったん情報記憶媒体７にあて、も
どってきた光をビームスプリッタ−８を通じて光検出器
ｌＯて読みとる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１ 直径１３０■ｍ、厚さ１．２■のディスク状ガラス基板
上に、下記の構造式（Ｉ）て示される高分子化合物に下
記の構造式（ＩＩ　）で示されるＪＲ吸収色素を１．Ｏ
ｗｔ％加えた後に、シクロヘキサンに溶解したものをス
ピンナー塗布し、乾燥後の厚み２ＩＬｍの高分子液晶層
を形成した。

ｎ≧１０ （Ｉ） （ＩＩ　） 次に、基板およびスタンバ−を１２０°Ｃに加熱し、ス
タンバ−を高分子液晶層に圧接することにより、スパイ
ラル状溝を形成した。基板をスタンバ−からはがしたの
ち、高分子液晶層上にＡｊ？を３０００人の厚さに蒸着
して反射層を形成した。第３図（ａ）て示したような断
面図の溝形状をもつ記録層を形成した。得られた溝形状
は、溝の深さａＯ，０８Ｈ，溝の幅ｂ　１．Ｏｇｍ　、
溝ラント部の幅ｃ　Ｏ，５終■であった。

この情報記憶媒体に基板側から８：ｌＯｎｍの半導体レ
ーザーを用いて、ディスク回転数１８００ｒｐ■、８ｍ
Ｗで記録し、１ｍＷで再生したところ、良好なトラッキ
ングがかかり、かつ再生Ｃ／Ｎ　　（再生波形のスペク
トル解析の分解能帯域幅３０ＫＨｚ　）はＩ　ＭＨｚで
４５ｄＢであった。

実施例２ 直径１：ｌｈｍ　、厚さ１．ｈｍのディスク状ポリカー
ボネート基板に、９０°Ｃで下記の構造式（ｍ）で示さ
れる高分子化合物モノマーに０．１ｗｔ％の光重合開始
剤を加えたものを２終１の厚さに塗布した後、スタンバ
−を用いて転写法で同心円状に溝を形成し、ＵＶ硬化さ
せた。得られた高分子液晶記録層は４０〜１．１０℃て
ネマチック相を示した。この記録層にアルコールに溶解
した下記の構造式（ＩＶ）て示されるＩＲ吸収色素をス
ピナー塗布して５００人厚０色素層を形成した。次に、
Ａ！を５０００人の厚さに蒸着して、第５図て示したよ
うな断面図の溝形状を形成した。得られた溝の大きさは
、溝の深さａ　１．０）ｈｍ　、溝の＠　ｂ　１．Ｏｇ
＋ｓ　、溝ランド部の幅Ｃ００６隔ｍであった。

ＣＨ２＝ＣＨ （ｍ） （ＩＶ） この情報記憶媒体に基板側から８３０ｎｍの半導体レー
ザーを用いて、実施例１と同様に８ｍＷで記録し、１ｍ
Ｗで再生ところ、良好なトラッキングが得られた。再生
Ｃ／ＮはＩＭＨｚて４２ｄＢてあった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、高分子液晶化合
物を含有する記録層に凹凸を形成することにより、容易
にトラッキングを行うことか可能となるとともに平板基
板を用いてスタンパ−にて記録層ごと成形することか可
能となるのて低コス１〜て高精度の情報記憶媒体を得る
ことが出来る。

また、基板よりも軟化温度の低い高分子液晶化合物から
なる記録層を用いることてスタンバ−の寿命を延長する
ことも可能となる。更に、高分子液晶子ツマ−を基板上
て金型に流し込んだのち硬化する方法も可能てあり、低
温での成形が可能ときさを示す説明図、第６図及び第７
図は本発明の情報記憶媒体の部分模式図および第８図は
本発明の情報記憶媒体を用いた記録再生装置の概略図で
ある。

１、ｌａ・・・基板　　　２・・・透明電極３・・・記
録層　　　　　４・・・反射層５・・・配向制御膜　　
　６・・・溝

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子液晶化合物を含有する記録層を有する情報
   記憶媒体において、前記高分子液晶化合物を含有する記
   録層が凹凸を有していることを特徴とする情報記憶媒体
   。
2. （２）前記凹凸の高低差が５００Å〜１μｍである請求
   項１記載の情報記憶媒体。