JPS62154340A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS62154340A JPS62154340A JP60298865A JP29886585A JPS62154340A JP S62154340 A JPS62154340 A JP S62154340A JP 60298865 A JP60298865 A JP 60298865A JP 29886585 A JP29886585 A JP 29886585A JP S62154340 A JPS62154340 A JP S62154340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- liquid crystal
- polymer liquid
- optical recording
- cholesteric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光記録媒体、特に消去可能な光記録媒体に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術）
レーザビームを集光レンズによシ微小スポットに集光し
、光記録媒体面に照射し前記媒体上に光学的変化を生じ
せしめて情報を記録する光記録方式は高密度の情報記録
が可能な方式として注目されている。前記光記録に用い
る媒体としては極めて多岐に渡るものが提案検討されて
いる。本発明に係わる特に消去可能な光記録媒体として
はファラデー効果、カー効果等の磁気光学効果を示す磁
気光学材料を媒体とした所謂光磁気記録媒体とカルコゲ
ナイド化合物の如き材料の相変化によシ光学特性の差異
を生ずる所謂相変化を用いた記録媒体が代表的な記録媒
体として知られている。この他にも、種々の媒体が提案
されており、本発明と同様高分子液晶を用いた情報記録
媒体も提案されている（特開昭５９−１０９３０ 、特
開昭５９−３５９８９）。
、光記録媒体面に照射し前記媒体上に光学的変化を生じ
せしめて情報を記録する光記録方式は高密度の情報記録
が可能な方式として注目されている。前記光記録に用い
る媒体としては極めて多岐に渡るものが提案検討されて
いる。本発明に係わる特に消去可能な光記録媒体として
はファラデー効果、カー効果等の磁気光学効果を示す磁
気光学材料を媒体とした所謂光磁気記録媒体とカルコゲ
ナイド化合物の如き材料の相変化によシ光学特性の差異
を生ずる所謂相変化を用いた記録媒体が代表的な記録媒
体として知られている。この他にも、種々の媒体が提案
されており、本発明と同様高分子液晶を用いた情報記録
媒体も提案されている（特開昭５９−１０９３０ 、特
開昭５９−３５９８９）。
（発明が解決しようとする問題点）
光磁気記録媒体は現在量も有力な記録媒体であシ、実用
化に近いものであるが一般的ＫＳへが〜４０ｄＢと低い
こと、媒体に印加する外部磁場の応答速度が遅いため、
情報の記録単位であるビット毎の部分消去ができず、１
トラック一括消去のため、情報の書き換えが複雑になる
欠点を有する。
化に近いものであるが一般的ＫＳへが〜４０ｄＢと低い
こと、媒体に印加する外部磁場の応答速度が遅いため、
情報の記録単位であるビット毎の部分消去ができず、１
トラック一括消去のため、情報の書き換えが複雑になる
欠点を有する。
又、相変化を利用した記録媒体として現在検討されてい
る材料はＴｅ系酸化物もしくはＴｏ系合金であるが、こ
れらは材料の毒性の問題があシ、人体への悪影響が危惧
される。又、これらの記録媒体は蒸着、スパッタ等の技
術により薄膜化されるが材料、製造的にコストが高い欠
点を有する。簡便な製法でかつコスト的にも安い光記録
媒体が強く望まれる。以上のような欠点を解決する一方
法として高分子液晶を用いた記録媒体が前述の如く提案
されているが、かかる記録媒体においては特にネマチッ
ク性高分子液晶のランダム配向状態を書き込みあるいは
消去のいずれかの状態として用いるため、入射光が散乱
され検出機構が制限されるためＳ△比が必ずしも充分で
ない欠点を有する。
る材料はＴｅ系酸化物もしくはＴｏ系合金であるが、こ
れらは材料の毒性の問題があシ、人体への悪影響が危惧
される。又、これらの記録媒体は蒸着、スパッタ等の技
術により薄膜化されるが材料、製造的にコストが高い欠
点を有する。簡便な製法でかつコスト的にも安い光記録
媒体が強く望まれる。以上のような欠点を解決する一方
法として高分子液晶を用いた記録媒体が前述の如く提案
されているが、かかる記録媒体においては特にネマチッ
ク性高分子液晶のランダム配向状態を書き込みあるいは
消去のいずれかの状態として用いるため、入射光が散乱
され検出機構が制限されるためＳ△比が必ずしも充分で
ない欠点を有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記した欠点を改善する、即ち製造的にも簡便
で低コストであり、かつ高いＳ、４比を実現できる消去
可能な記録媒体を提供する事を目的とし、光吸収剤を含
むコレステリック性高分子液晶層から成る光記録層を備
え、かつ前記コレステリック性高分子液晶のラセンピッ
チが可視光から近赤外光波長域に光選択反射するように
調整されている構成とした。
で低コストであり、かつ高いＳ、４比を実現できる消去
可能な記録媒体を提供する事を目的とし、光吸収剤を含
むコレステリック性高分子液晶層から成る光記録層を備
え、かつ前記コレステリック性高分子液晶のラセンピッ
チが可視光から近赤外光波長域に光選択反射するように
調整されている構成とした。
（作用）
本発明の基本的動作原理を説明する。記録層にはコレス
テリック性高分子液晶を用いる。コレステリック性高分
子液晶は液晶基がラセン配列している事が知られておシ
、前記ラセン配列をなすため、コレステリック特有の光
学特性を示す。代表的光学特性として前記ラセン構造の
周期ピッチに対応した光の波長選択反射現象がある。こ
れはコレステリック高分子液晶のピッチをｐ、屈折率を
ｎとすると波長２＝Ｈｐでかつラセンの回転方向と同方
向に回転する円偏光のみ選択的に反射される現象である
。本発明はこの選択反射現象に基づくものである。光選
択反射波長は、前記高分子液晶の屈折率、ピッチを変え
る事によシ変化させる事が可能である。従来、低分子系
コレステリック液晶ではピッチは温度等により変化する
事が知られている。
テリック性高分子液晶を用いる。コレステリック性高分
子液晶は液晶基がラセン配列している事が知られておシ
、前記ラセン配列をなすため、コレステリック特有の光
学特性を示す。代表的光学特性として前記ラセン構造の
周期ピッチに対応した光の波長選択反射現象がある。こ
れはコレステリック高分子液晶のピッチをｐ、屈折率を
ｎとすると波長２＝Ｈｐでかつラセンの回転方向と同方
向に回転する円偏光のみ選択的に反射される現象である
。本発明はこの選択反射現象に基づくものである。光選
択反射波長は、前記高分子液晶の屈折率、ピッチを変え
る事によシ変化させる事が可能である。従来、低分子系
コレステリック液晶ではピッチは温度等により変化する
事が知られている。
本発明者が鋭意検討した結果、コレステリック相にある
コレステリック高分子液晶にレーザビーム照射によシ急
激に加熱すると、ラセンピッチ長変化もしくはラセン軸
の回転等の変化に対応すると思われる光選択波長変化に
よる色変化（透過率変化）が生じ、かつレーザビーム照
射の除去により急激に冷却すると前記色変化状態が保存
される事が判明した。これは変化したピッチ状態が急冷
効果のためそのまま保存されたものと考えられる。
コレステリック高分子液晶にレーザビーム照射によシ急
激に加熱すると、ラセンピッチ長変化もしくはラセン軸
の回転等の変化に対応すると思われる光選択波長変化に
よる色変化（透過率変化）が生じ、かつレーザビーム照
射の除去により急激に冷却すると前記色変化状態が保存
される事が判明した。これは変化したピッチ状態が急冷
効果のためそのまま保存されたものと考えられる。
一方、徐冷した場合は前記色変化状態が消失し、元の状
態に戻ることが判明した。レーザビームの照射エネルギ
ーを更に大きくした場合は前記ピッチ長変化に対応する
色変化と：ま異なシ、ビット形成が生じ急冷により保存
され、更に前記形成されたビットは再加熱徐冷によシ消
失し元の状態に戻ることが確認された。
態に戻ることが判明した。レーザビームの照射エネルギ
ーを更に大きくした場合は前記ピッチ長変化に対応する
色変化と：ま異なシ、ビット形成が生じ急冷により保存
され、更に前記形成されたビットは再加熱徐冷によシ消
失し元の状態に戻ることが確認された。
本発明を図を用いて更に詳細に説明する。第１図は本発
明の光記録媒体の一実施例の模式的断面図である。第１
図において、プラスチック又はガラス基板１上に書き込
み光ビームを効率的に熱に変換する光吸収剤を含む高分
子液晶層２が形成されている。光吸収剤としては光ビー
ムの波長域で大きな吸収を有し融点が比較的高いものが
望ましい。
明の光記録媒体の一実施例の模式的断面図である。第１
図において、プラスチック又はガラス基板１上に書き込
み光ビームを効率的に熱に変換する光吸収剤を含む高分
子液晶層２が形成されている。光吸収剤としては光ビー
ムの波長域で大きな吸収を有し融点が比較的高いものが
望ましい。
光ビームとして半導体レーザ（λ＝０．７８〜０．８３
μｍ）を用いる時はバナジルフタロシアニン等フタロシ
アニン化合物等が利用できる。コレステリック性高分子
液晶としては種々の物が利用できる。
μｍ）を用いる時はバナジルフタロシアニン等フタロシ
アニン化合物等が利用できる。コレステリック性高分子
液晶としては種々の物が利用できる。
−例を上げれば下記構造式ＣＩ）で示されるようなコレ
ステロール誘導体とネマチック性液晶分子を付加したシ
ロキサン系高分子液晶がある。
ステロール誘導体とネマチック性液晶分子を付加したシ
ロキサン系高分子液晶がある。
Ｃ
Ｈｌ
本発明においては、前記コレステリック液晶中には前記
光吸収剤が含まれている。更に成膜性を向上させるため
微量の可塑剤等添加物が含まれていてもよい。光吸収剤
は稽々の形態で前記コレステリック液晶中に含ませるこ
とが可能である。例えば、前記光吸収剤を分散させるだ
けで良い。しかし、一般には光吸収を充分性なうことが
できる址を分散させ、均一な高分子液晶層を得ることが
できないため、分散量は制約がある。そこで、本発明の
如く、前記バナジルフタロシアニンの如きマー等のポリ
マーに付加重合したもの、−例を上げれば、下記化合物
（ＩＩ）のようなものを用いれば■ｏＰＣ（バナジルフ
タロシアニン） 光吸収剤の実質的添加量を増加し、光吸収効果が大きく
なり、かつ均一な高分子液晶層が形成できる。同様な効
果は、下記化合物（１）の如き、液晶性基を有するユニ
ットと、光吸収性を有するユニットを共重合したもので
も得られる。
光吸収剤が含まれている。更に成膜性を向上させるため
微量の可塑剤等添加物が含まれていてもよい。光吸収剤
は稽々の形態で前記コレステリック液晶中に含ませるこ
とが可能である。例えば、前記光吸収剤を分散させるだ
けで良い。しかし、一般には光吸収を充分性なうことが
できる址を分散させ、均一な高分子液晶層を得ることが
できないため、分散量は制約がある。そこで、本発明の
如く、前記バナジルフタロシアニンの如きマー等のポリ
マーに付加重合したもの、−例を上げれば、下記化合物
（ＩＩ）のようなものを用いれば■ｏＰＣ（バナジルフ
タロシアニン） 光吸収剤の実質的添加量を増加し、光吸収効果が大きく
なり、かつ均一な高分子液晶層が形成できる。同様な効
果は、下記化合物（１）の如き、液晶性基を有するユニ
ットと、光吸収性を有するユニットを共重合したもので
も得られる。
とＨ８
前記高分子液晶薄膜化は種々の方法により可能である。
前記高分子液晶を適当な溶媒に可溶化し、スピンコード
等により塗布する方法、グラビア印刷で転写する方法、
ドクターブレードで塗布する方法等が採用でき、前記塗
布膜を加熱乾燥することで薄膜化できる。あるいは基板
上で加熱加圧下で成形することＫよシ薄膜化することも
可能である。
等により塗布する方法、グラビア印刷で転写する方法、
ドクターブレードで塗布する方法等が採用でき、前記塗
布膜を加熱乾燥することで薄膜化できる。あるいは基板
上で加熱加圧下で成形することＫよシ薄膜化することも
可能である。
前記高分子液晶薄膜の膜厚は０．１μｍ〜数十μｍＫ調
整される。前記高分子液晶薄膜上には一般に保護膜もし
くは保護層３が形成される。しかし、前記保護膜４は本
発明の必須要件ではなく、これがないても良い。前記高
分子液晶のラセン回転方向は用いる光学活性物質により
決まる。前記構造式〔ｌ〕で示されるようなコレステロ
ール誘導体を含む高分子液晶は左回シ円偏光のλ＝ｎｐ
で示される波長を中心に選択反射される。
整される。前記高分子液晶薄膜上には一般に保護膜もし
くは保護層３が形成される。しかし、前記保護膜４は本
発明の必須要件ではなく、これがないても良い。前記高
分子液晶のラセン回転方向は用いる光学活性物質により
決まる。前記構造式〔ｌ〕で示されるようなコレステロ
ール誘導体を含む高分子液晶は左回シ円偏光のλ＝ｎｐ
で示される波長を中心に選択反射される。
従って、前記ピッチを選択反射波長を可視域から近赤外
波長域に調整し、かつ前記コレステリックと同方向に回
転した円偏光を読み出し光４に用いた場合、極めて大き
な光学変化を示し、高い牧を実現できる。即ち、あらか
じめピッチｐを読み出し光源波長λに対してλがほぼｎ
ｐに等しくなるように調整しておけば、情報が書き込ま
れない領域では極めて高い反射率を示し、一方ビットを
形成するようなモードで情報を書き込んだ領域では急激
な反射率低下が生じ結果的に高牧が実現できる。一方、
前記ピッチｐをあらかじめ前記読み出し光源の波長λに
対してλ＞ ｎ ｐ に調整し、かつピッチ長が長く
なるような光量領域で情報を書き込めば、情報の非曹込
部は極めて低い反射率、書込部は高反射率になシ高Ｓべ
が同様に実現できる。
波長域に調整し、かつ前記コレステリックと同方向に回
転した円偏光を読み出し光４に用いた場合、極めて大き
な光学変化を示し、高い牧を実現できる。即ち、あらか
じめピッチｐを読み出し光源波長λに対してλがほぼｎ
ｐに等しくなるように調整しておけば、情報が書き込ま
れない領域では極めて高い反射率を示し、一方ビットを
形成するようなモードで情報を書き込んだ領域では急激
な反射率低下が生じ結果的に高牧が実現できる。一方、
前記ピッチｐをあらかじめ前記読み出し光源の波長λに
対してλ＞ ｎ ｐ に調整し、かつピッチ長が長く
なるような光量領域で情報を書き込めば、情報の非曹込
部は極めて低い反射率、書込部は高反射率になシ高Ｓべ
が同様に実現できる。
記録層は塗布、印刷などの方法で簡単に、かつ、同時に
大ｔＫ形成できる。また作製時間が蒸着に比べて１／２
ｏ以下になりｅ産性に優れている。材料費もＴｓ等無機
材料に比べて１／１ｏ以下と安く、低コストになる。
大ｔＫ形成できる。また作製時間が蒸着に比べて１／２
ｏ以下になりｅ産性に優れている。材料費もＴｓ等無機
材料に比べて１／１ｏ以下と安く、低コストになる。
（実施例１）
ガラス基板上に化合物〔Ｉ〕で示した高分子液晶と化合
物（ｌ［）で示したバナジルフタロシアニンを付加した
ポリマーを溶媒に溶かしスピンコードで塗布し、乾燥さ
せる事で光吸収剤を含む高分子液晶層を形成した。前記
高分子液晶の選択反射中心波長はほぼ８３０ｎｍＫ調整
した。光ビームは波長８３０ｎｍのレーザダイオードを
用いた。８ｍＷ８０μｓのパルス光で書き込みを行ない
ビットの形成を確認した。前記媒体を１ｍＷの左回シ円
偏光で再生したところ、Ｓ／Ｎ−６０ｄＢで再生できた
。前記情報を盲込んだ媒体を７０℃以上に加熱すること
で前記情報は完全に消去できた。なお、媒体の劣化は認
められなかった。
物（ｌ［）で示したバナジルフタロシアニンを付加した
ポリマーを溶媒に溶かしスピンコードで塗布し、乾燥さ
せる事で光吸収剤を含む高分子液晶層を形成した。前記
高分子液晶の選択反射中心波長はほぼ８３０ｎｍＫ調整
した。光ビームは波長８３０ｎｍのレーザダイオードを
用いた。８ｍＷ８０μｓのパルス光で書き込みを行ない
ビットの形成を確認した。前記媒体を１ｍＷの左回シ円
偏光で再生したところ、Ｓ／Ｎ−６０ｄＢで再生できた
。前記情報を盲込んだ媒体を７０℃以上に加熱すること
で前記情報は完全に消去できた。なお、媒体の劣化は認
められなかった。
（実施例２）
光吸収剤を含む高分子液晶として化合物（１）を用いた
以外は実施例１と同じ構成の媒体で同様な光照射を行な
ったところ、実施例１とほとんど同じ結果が得られた。
以外は実施例１と同じ構成の媒体で同様な光照射を行な
ったところ、実施例１とほとんど同じ結果が得られた。
（実施り１ｊ３）
高分子液晶の選択反射波長を５５０ｎｍに調整した以外
は実施例１と同じ構成の媒体に５ｍＷ８０μＳのパルス
光で書き込みを行ないピッチ長変化に基づく色変化を確
認した。１ｍＷの左回り円偏光で再生したところ、情報
記録部では顕著な反射率上昇があシ、Ｓ、！〜５０ｄＢ
で再生できた。なお、入射パワー密度を２５〜６５ｍＪ
／＋Ｊ間で連続的に変化させたところ、前記入射エネル
ギー密度に対応して反射率の連続的上昇が見られた。こ
の事から、入射エネルギーの多値的制御による多値的記
録の可能性も判明した。前記記録部は７０℃以上の加熱
により消去できた。
は実施例１と同じ構成の媒体に５ｍＷ８０μＳのパルス
光で書き込みを行ないピッチ長変化に基づく色変化を確
認した。１ｍＷの左回り円偏光で再生したところ、情報
記録部では顕著な反射率上昇があシ、Ｓ、！〜５０ｄＢ
で再生できた。なお、入射パワー密度を２５〜６５ｍＪ
／＋Ｊ間で連続的に変化させたところ、前記入射エネル
ギー密度に対応して反射率の連続的上昇が見られた。こ
の事から、入射エネルギーの多値的制御による多値的記
録の可能性も判明した。前記記録部は７０℃以上の加熱
により消去できた。
（実施例４）
光吸収剤を含む高分子液晶として化合物〔１）を用いた
以外は実施例３）と同じ構成にした媒体に、実施例３）
と同じ光照射を行なったところ、実施例３）とほとんど
同じ結果が得られた。
以外は実施例３）と同じ構成にした媒体に、実施例３）
と同じ光照射を行なったところ、実施例３）とほとんど
同じ結果が得られた。
（発明の効果）
前述の如く、本発明によシ製造的にも簡便でかつ低コス
トであシ、かつ６０ｄＢと高Ｓ、ｍ比を実現できる消去
可能な記録媒体を提供することができた。
トであシ、かつ６０ｄＢと高Ｓ、ｍ比を実現できる消去
可能な記録媒体を提供することができた。
第１図は本発明になる記録媒体の模式的断面略図である
。 図において、 １・−支持基板 ２・・・光吸収層を含む高分子液晶
３・・・保護＠ ４・−光ビーム ／′ 代理人弁理士 内 原 晋（ノー：。 第１図
。 図において、 １・−支持基板 ２・・・光吸収層を含む高分子液晶
３・・・保護＠ ４・−光ビーム ／′ 代理人弁理士 内 原 晋（ノー：。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光吸収剤を含むコレステリック性高分子液晶から成
る光記録層を備え、かつ前記コレステリック性高分子液
晶のラセンピッチが可視光から近赤外光波長域に光選択
反射するように調整されている事を特徴とする光記録媒
体。 ２）前記光吸収剤が高分子材料に付加されたものである
ことを特徴とする特許請求の範囲（１）記載の光記録媒
体。 ３）前記光吸収剤を含むコレステリック性高分子液晶が
光吸収性分子とコレステリック性液晶分子を共重合した
ものであることを特徴とする特許請求の範囲（１）記載
の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60298865A JPS62154340A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60298865A JPS62154340A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154340A true JPS62154340A (ja) | 1987-07-09 |
| JPH0441915B2 JPH0441915B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=17865190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60298865A Granted JPS62154340A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154340A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0302497A2 (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Data recording medium |
| US5066107A (en) * | 1988-06-16 | 1991-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display medium, liquid crystal display method and liquid crystal display apparatus for outputting color images |
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| US5316806A (en) * | 1990-06-12 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Information memory medium and information recording/holding process making use of the medium |
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-
1985
- 1985-12-27 JP JP60298865A patent/JPS62154340A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441915B2 (ja) | 1992-07-09 |
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