JPS6374135A - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents
光情報記録媒体とその記録方法Info
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- JPS6374135A JPS6374135A JP61218470A JP21847086A JPS6374135A JP S6374135 A JPS6374135 A JP S6374135A JP 61218470 A JP61218470 A JP 61218470A JP 21847086 A JP21847086 A JP 21847086A JP S6374135 A JPS6374135 A JP S6374135A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 30
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 14
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- -1 dFeCo is used Chemical class 0.000 description 4
- 230000033458 reproduction Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- JEVCWSUVFOYBFI-UHFFFAOYSA-N cyanyl Chemical group N#[C] JEVCWSUVFOYBFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- UXPRYWUYYVZSAC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyltriphenylene Chemical group C1=CC=C2C3=C(C)C(C)=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 UXPRYWUYYVZSAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、書き換え自在な光情報記録媒体とその記録
方法に関する。
方法に関する。
書き換え可能な光記録媒体としては、これまで光磁気記
録媒体や相転移形光記録媒体等が知られている。
録媒体や相転移形光記録媒体等が知られている。
前者の光磁気記録媒体は、記録層としてＴｂＦｅ、Ｇ、
ｄＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属のアモルファス合金の
薄膜を用い、上記記録層での磁気カー効果を利用して記
録、消去を行うものである。この方式の光記録媒体は、
再生時に得られる光の強度差が小さいため、高いＣ／Ｎ
値が得られに（い。
ｄＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属のアモルファス合金の
薄膜を用い、上記記録層での磁気カー効果を利用して記
録、消去を行うものである。この方式の光記録媒体は、
再生時に得られる光の強度差が小さいため、高いＣ／Ｎ
値が得られに（い。
後者の相転移形光記録媒体では、Ｔｅ系化合物等の結晶
とアモルファスとの相変化を利用したものが知られてい
るが、さらに安定性に優れたものとして、液晶の固相と
ネマチック相との可逆的相転移を利用するものが提案さ
れている。
とアモルファスとの相変化を利用したものが知られてい
るが、さらに安定性に優れたものとして、液晶の固相と
ネマチック相との可逆的相転移を利用するものが提案さ
れている。
これは１例えば、第３図に示すように、透明な基板３．
４の表面に形成した透明電極５．６の間に液晶ｌを封入
した溝道を育する（特開昭５９−１０４６２４号）。
４の表面に形成した透明電極５．６の間に液晶ｌを封入
した溝道を育する（特開昭５９−１０４６２４号）。
液晶の相転移は、結晶とアモルファスの相転移に比べて
可逆性に優れ、主として反射率の変化で記録の読み出し
を行うため、高いＣ／Ｎが得られ、記録の安定性も高い
。
可逆性に優れ、主として反射率の変化で記録の読み出し
を行うため、高いＣ／Ｎが得られ、記録の安定性も高い
。
しかし、液晶の相転移を利用した上記光情報記録媒体は
、液晶１に電界を与えるための透明電極５．６を必要と
する。また、その記録時には、高速で回転する光情報記
録媒体に接点を接触させ、これを介して上記透明電極５
，６に電圧を印加しなければならない。従って、比較的
複雑な構造や記録方法をとらなければならない。
、液晶１に電界を与えるための透明電極５．６を必要と
する。また、その記録時には、高速で回転する光情報記
録媒体に接点を接触させ、これを介して上記透明電極５
，６に電圧を印加しなければならない。従って、比較的
複雑な構造や記録方法をとらなければならない。
この発明は、液晶の相転移を利用した従来の書き換え可
能な光情報記録媒体における上記の問題点を解決するこ
とを目的とする。
能な光情報記録媒体における上記の問題点を解決するこ
とを目的とする。
ｃ問題を解決するための手段〕
この発明の構成を図面の符号を引用しながら説明すると
、第一の発明による光情報記録媒体は、基板１１上に形
成された記録層１２が、転移温度が常温より高く、かつ
レーザ光照射時の温度より低い液晶からなるものである
９ また。第二の発明による記録方法は、上記記録層１２に
レーザ光を照射しながら、照射個所に記録ｒｌ１２の表
面に対して垂直または同表面と平行な磁界を形成し、記
録層１２への記録またはその消去を行う方法である。
、第一の発明による光情報記録媒体は、基板１１上に形
成された記録層１２が、転移温度が常温より高く、かつ
レーザ光照射時の温度より低い液晶からなるものである
９ また。第二の発明による記録方法は、上記記録層１２に
レーザ光を照射しながら、照射個所に記録ｒｌ１２の表
面に対して垂直または同表面と平行な磁界を形成し、記
録層１２への記録またはその消去を行う方法である。
次に、この発明の実施例について説明する。
（実施例１）
高温液晶である下記の（ａ）の化学式で表されるシアニ
ル号ルベンチジン２重量％と、下記の由）の化学式で表
されるレーザ吸収色素であるインドール系シアニン色素
０．５Ｅｔ量％とを、ジアセトンアルコールに溶解した
。
ル号ルベンチジン２重量％と、下記の由）の化学式で表
されるレーザ吸収色素であるインドール系シアニン色素
０．５Ｅｔ量％とを、ジアセトンアルコールに溶解した
。
（ａ）
し＋１３１
にＨ３この溶液を直径１３０ｎ、厚さ１．２ｆ
ｌのポリメチルメタクレート基板の表面にスピンナ法に
よって塗布し、基板が磁界を垂直に切るよう１０に’Ｏ
ｅの磁場を通した後、乾燥し、厚さ７０ｎｍの記録層を
形成した。さらにこの上に市販のルミフロン（旭硝子株
式会社製）をスピンナ法によって塗布し、光情報記録媒
体を製作した。
にＨ３この溶液を直径１３０ｎ、厚さ１．２ｆ
ｌのポリメチルメタクレート基板の表面にスピンナ法に
よって塗布し、基板が磁界を垂直に切るよう１０に’Ｏ
ｅの磁場を通した後、乾燥し、厚さ７０ｎｍの記録層を
形成した。さらにこの上に市販のルミフロン（旭硝子株
式会社製）をスピンナ法によって塗布し、光情報記録媒
体を製作した。
第１図で示すように、２μｍの間隔で電磁石ａ、ｂの磁
極を対向させると共に、これら磁極を同磁極として、い
わゆる付き合わせ磁極を形成した。これによって、記録
層１２の表面に１００００８の垂直な磁界を加えながら
、基板１１側から波長８３０ｎｍ、入射パワー１０ｍＪ
スポット径１μｍの半導体レーザ光を照射し、線速１
．４ｍ／ｓｅｃ。
極を対向させると共に、これら磁極を同磁極として、い
わゆる付き合わせ磁極を形成した。これによって、記録
層１２の表面に１００００８の垂直な磁界を加えながら
、基板１１側から波長８３０ｎｍ、入射パワー１０ｍＪ
スポット径１μｍの半導体レーザ光を照射し、線速１
．４ｍ／ｓｅｃ。
記録周波数５００ＫＨｚで記録した。
次いで、この光情報記録媒体に波長８３０ｎｍ。
入射パワー０．３ｍＷのレーザ光を照射し、再生信号の
Ｃ／Ｎ値を測定し、その結果を表１に示した。また、こ
の再生を１０５回繰り返し、これによるＣ ／ Ｎ値の
低下を求め、その結果を表１に示した。
Ｃ／Ｎ値を測定し、その結果を表１に示した。また、こ
の再生を１０５回繰り返し、これによるＣ ／ Ｎ値の
低下を求め、その結果を表１に示した。
その後、第２図で示すように、上記対向する磁極を異な
る磁極とし、記録層１２の表面に１００００８の平行な
磁界を加えながら、基板１１側から波長８３０ｎｍ、入
射パワー１０１．スポット径１μｍの半導体レーザ光を
照射し、上記の記録を消去した。
る磁極とし、記録層１２の表面に１００００８の平行な
磁界を加えながら、基板１１側から波長８３０ｎｍ、入
射パワー１０１．スポット径１μｍの半導体レーザ光を
照射し、上記の記録を消去した。
（実施例２）
上記実施例１において、シアニルサルベンチシンとイン
ドール系シアニン色素に代えて、テトラメチルベンゾフ
ェナジン２重量％と、洞フタロシアニン０．５重量％を
それぞれ使用し、同様にして光情報記録媒体を作った。
ドール系シアニン色素に代えて、テトラメチルベンゾフ
ェナジン２重量％と、洞フタロシアニン０．５重量％を
それぞれ使用し、同様にして光情報記録媒体を作った。
また、同様にしてこの光情報記録媒体に記録し、それを
再生することによって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生
後のＣ／ Ｎ値の低下とを求め。
再生することによって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生
後のＣ／ Ｎ値の低下とを求め。
これらを表１に示した。
（実施例３）
上記実施例１において、シアニルサルベンチジンに代え
て、下記の化学式で表されるジアニルサルベンチジン誘
導体を同量使用し、同様にして光情報記録媒体を作った
。
て、下記の化学式で表されるジアニルサルベンチジン誘
導体を同量使用し、同様にして光情報記録媒体を作った
。
ＣＨ３０−Ｃ）−ＣＨ＝ Ｎ÷ＣＨ２
−ＣＨ２−（〕−〕Ｎ＝ＣＨ−Ｑ−ＯＣＨまた。同様に
してこの光情報記録媒体に記録し、それを再生すること
によって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生後のＣ／Ｎ値
の低下とを求め。
してこの光情報記録媒体に記録し、それを再生すること
によって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生後のＣ／Ｎ値
の低下とを求め。
これらを表１に示した。
（実施例４）
上記実施例２において、テトラメチルベンゾフェナジン
に代えて、下記の化学式で表されるジメチルトリフェニ
レンを同量使用し、同様にして光情報記録媒体を作った
。
に代えて、下記の化学式で表されるジメチルトリフェニ
レンを同量使用し、同様にして光情報記録媒体を作った
。
また、同様にしてこの光情報記録媒体に記録し、それを
再生することによって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生
後のＣ／Ｎ値の低下とを求め。
再生することによって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生
後のＣ／Ｎ値の低下とを求め。
これらを表１に示した。
（実施例５）
上記実施例１において、シアニルサルベンチジンに代え
て、下記の化学式で表される叶ｎ−ヘプタノキシベンジ
リデンアミノビフェニルヨウ素置換体を同量使用し１同
様にして光情報記録媒体を作った。
て、下記の化学式で表される叶ｎ−ヘプタノキシベンジ
リデンアミノビフェニルヨウ素置換体を同量使用し１同
様にして光情報記録媒体を作った。
■
また、同様にしてこの光情報記録媒体に記録し、それを
再生することによって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生
後のＣ／Ｎ値の低下とを求め。
再生することによって、初期のＣ／Ｎ値と１０５回再生
後のＣ／Ｎ値の低下とを求め。
これらを表１に示した。
表 １
既に述べた通り、記録層１２を形成する液晶の転移温度
は、常温より充分高いことが必要であるが、特に１００
℃以上であることが望ましい。
は、常温より充分高いことが必要であるが、特に１００
℃以上であることが望ましい。
これは、液晶の転移温度が１００℃以下のときは。
高いＣ／Ｎ値が得られに＜＜、繰り返し再生したときの
Ｃ／Ｎ値の劣化も大きいことによる。
Ｃ／Ｎ値の劣化も大きいことによる。
因に、上記実施例５で記録層１２を形成している液晶の
転移温度が７９℃、それ以外の実施例１〜４では何れも
１５０℃を超えるが、後者のＣ／Ｎ値が何れも４０ｄＢ
以上、１０５回再生後の劣化が２ｄＢ以下であるのに対
し、前者のＣ／Ｎ値は３５ｄＢ。
転移温度が７９℃、それ以外の実施例１〜４では何れも
１５０℃を超えるが、後者のＣ／Ｎ値が何れも４０ｄＢ
以上、１０５回再生後の劣化が２ｄＢ以下であるのに対
し、前者のＣ／Ｎ値は３５ｄＢ。
その１０５回再生後の劣化は１０ｄＢであった。
以上説明した通り、この発明による光情報記録媒体とそ
の記録方法では、従来の液晶を使用した光情報記録媒体
やその記録方法のように。
の記録方法では、従来の液晶を使用した光情報記録媒体
やその記録方法のように。
液晶に電界を加える必要がないため、透明電極で記録層
を挟む必要がなく、また、記録時に光情報記録媒体に接
点を接触させる必要もない。
を挟む必要がなく、また、記録時に光情報記録媒体に接
点を接触させる必要もない。
従って、光情報記録媒体の構造や記録方法を簡素化でき
るという効果がある。
るという効果がある。
第１図は、この発明の実施例を示す光情報記録媒体とそ
の記録方法の概念図、第２図は、同じく光情報記録媒体
どその記録の消去方法を示す櫃念図、第３図は、光情報
記録媒体の従来例を示す縦断面図である。
の記録方法の概念図、第２図は、同じく光情報記録媒体
どその記録の消去方法を示す櫃念図、第３図は、光情報
記録媒体の従来例を示す縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板１１上に書き換え自在な記録層１２が形成され
た光情報記録媒体において、転移温度が常温より高く、
かつレーザ光照射時の温度より低い液晶により記録層１
２が形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。 ２、基板１１上に書き換え自在な記録層１２が形成され
た光情報記録媒体に記録する方法において、記録層１２
にレーザ光を照射しながら、照射個所に記録層１２の表
面に対して垂直または同表面と平行な磁界を形成するこ
とを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218470A JP2641049B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218470A JP2641049B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6374135A true JPS6374135A (ja) | 1988-04-04 |
| JP2641049B2 JP2641049B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=16720422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61218470A Expired - Lifetime JP2641049B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2641049B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503890A (en) * | 1992-12-31 | 1996-04-02 | Cheil Synthetics Inc. | Optical recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212937A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Nec Corp | 光記録方式 |
| JPS62154340A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Nec Corp | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61218470A patent/JP2641049B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212937A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Nec Corp | 光記録方式 |
| JPS62154340A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Nec Corp | 光記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503890A (en) * | 1992-12-31 | 1996-04-02 | Cheil Synthetics Inc. | Optical recording medium |
| US5516568A (en) * | 1992-12-31 | 1996-05-14 | Cheil Synthetics, Inc. | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2641049B2 (ja) | 1997-08-13 |
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