JPS63259850A - 光記録方法および光記録媒体 - Google Patents
光記録方法および光記録媒体Info
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- JPS63259850A JPS63259850A JP62093277A JP9327787A JPS63259850A JP S63259850 A JPS63259850 A JP S63259850A JP 62093277 A JP62093277 A JP 62093277A JP 9327787 A JP9327787 A JP 9327787A JP S63259850 A JPS63259850 A JP S63259850A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光ディスクに代表される光記録において、記
録および消去の可能な、いわゆるEDRAW型光記録方
法に関するものである。
録および消去の可能な、いわゆるEDRAW型光記録方
法に関するものである。
[従来の技術]
C52−Te系光ディスクに代表される追記型光記録方
法は、レーサー光を記録媒体に照射し物理的に穴を開け
ることで、読み出しレーサー光の反射率を変化させて記
録を行う穴開は光記録方式であった。このため、今まて
の追記型光記録方法では記録媒体に穴を開りてしまうた
め、記録をすなわち穴を消去することかてきず、同し場
所に別の記録を再書き込みすることもてきなかった。さ
らに、穴を開けるときに発生するカスを逃がすために光
デイスク内に空隙層を設けたエアーサンドイッチ構造に
し、しかもガスを光ディスクから放出するための穴を設
けねばならず、外界と記録層とか接触していたため外界
の温度や湿度、ゴミ等によって記録安定性が損なわれて
いた。また、穴の開く大きさか決まっているため、記録
ピット間(穴と穴の間隔)を詰めることかてきす穴の大
きさにより記録密度か限定されていた。
法は、レーサー光を記録媒体に照射し物理的に穴を開け
ることで、読み出しレーサー光の反射率を変化させて記
録を行う穴開は光記録方式であった。このため、今まて
の追記型光記録方法では記録媒体に穴を開りてしまうた
め、記録をすなわち穴を消去することかてきず、同し場
所に別の記録を再書き込みすることもてきなかった。さ
らに、穴を開けるときに発生するカスを逃がすために光
デイスク内に空隙層を設けたエアーサンドイッチ構造に
し、しかもガスを光ディスクから放出するための穴を設
けねばならず、外界と記録層とか接触していたため外界
の温度や湿度、ゴミ等によって記録安定性が損なわれて
いた。また、穴の開く大きさか決まっているため、記録
ピット間(穴と穴の間隔)を詰めることかてきす穴の大
きさにより記録密度か限定されていた。
さらに、レーサーで記録媒体に穴を開りるときに生しる
飛散物や記録191〜周辺部の盛り上かり、穴の形状に
よって読み出し時の信号の劣化(S/N比の低下)か起
きていた。
飛散物や記録191〜周辺部の盛り上かり、穴の形状に
よって読み出し時の信号の劣化(S/N比の低下)か起
きていた。
追記型光記録方法の外にEDRAW型光記録・消去方法
すなわち記録の消去・再書き込みのできる光デイスク媒
体には、カー効果を利用する光磁気媒体等かあるか、光
磁気記録では読み出し信号となる旋光角度の変化(カー
効果による旋光角度の変化)は非常に小さく、05〜1
度程度しかない。
すなわち記録の消去・再書き込みのできる光デイスク媒
体には、カー効果を利用する光磁気媒体等かあるか、光
磁気記録では読み出し信号となる旋光角度の変化(カー
効果による旋光角度の変化)は非常に小さく、05〜1
度程度しかない。
このため、光記録媒体に書き込まれた記録信号を検出す
るための光磁気ヘットの設計・開発は非常に困難なもの
てあった。また、光磁気記録媒体で使用する材料は高価
な金属てありコスト高となる。しかも量産体制となった
場合には材料が金属であるため洗処理問題か深刻になる
恐れがある。
るための光磁気ヘットの設計・開発は非常に困難なもの
てあった。また、光磁気記録媒体で使用する材料は高価
な金属てありコスト高となる。しかも量産体制となった
場合には材料が金属であるため洗処理問題か深刻になる
恐れがある。
[発明か解決しようとする問題点コ
本発明は上述した従来の欠点、すなわち穴開は方式にお
りる記録密度の限界、 S/N比の低下およびカー効果
を利用する方法における旋光角の小ささに由来する読み
取りの困難を解決し、記録密度か高く、S/N比か犬ぎ
く、かつ旋光角の大きな光記録方法を提イノ(すること
を目的とする。
りる記録密度の限界、 S/N比の低下およびカー効果
を利用する方法における旋光角の小ささに由来する読み
取りの困難を解決し、記録密度か高く、S/N比か犬ぎ
く、かつ旋光角の大きな光記録方法を提イノ(すること
を目的とする。
[問題点を解決するだめの手段コ
このような目的を達成するために、本発明は光学活性で
ありかつ光照射または加熱により旋光度か変化する有機
化合物を少なくとも一種類含む薄膜に、光を照射して旋
光度を変化させることによって記録を行うことを特徴と
する。
ありかつ光照射または加熱により旋光度か変化する有機
化合物を少なくとも一種類含む薄膜に、光を照射して旋
光度を変化させることによって記録を行うことを特徴と
する。
[作 用]
本発明は、穴を開けずに記録することかてき、しかも記
録の消去・再書ぎ込みの可能なEDRAW型光記録・消
去方式であるため、従来の穴開は光記録では不可能であ
った記録の消去・再書ぎ込みか可能となった。また、穴
開は記録方式と違って穴の大きざによる記録密度の限界
かなく飛躍的に記録密度を向上することかで参る。また
、記録ビットの回りの盛り上かりもなく、しかも記録時
の飛散物か全く発生しないため、穴開り光記録方式のよ
うな穴の形状および飛散物による信号劣化か起こること
かない。
録の消去・再書ぎ込みの可能なEDRAW型光記録・消
去方式であるため、従来の穴開は光記録では不可能であ
った記録の消去・再書ぎ込みか可能となった。また、穴
開は記録方式と違って穴の大きざによる記録密度の限界
かなく飛躍的に記録密度を向上することかで参る。また
、記録ビットの回りの盛り上かりもなく、しかも記録時
の飛散物か全く発生しないため、穴開り光記録方式のよ
うな穴の形状および飛散物による信号劣化か起こること
かない。
また、記録膜に使用する媒体材料は有機物であるため、
コストか安くなり、しかも破棄は燃焼しさえずれは良い
ため洗処理問題は発生しないという長所を合わせ持って
いる。
コストか安くなり、しかも破棄は燃焼しさえずれは良い
ため洗処理問題は発生しないという長所を合わせ持って
いる。
本発明において用いる光学活性で光照射または加熱によ
り旋光度変化を伴う有機化合物としては、スピロピラン
類と、ロイコ染料か挙げられる。
り旋光度変化を伴う有機化合物としては、スピロピラン
類と、ロイコ染料か挙げられる。
これら記録媒体主剤としてのスピロピラン類としては、
下記に示す化合物を挙げることかできる。すなわち、ス
ピロ[2H−1−ベンゾピラン−2,2’−インドリン
]2スピロインドリノナフトビラン、スピロヘンソイン
トリノベンゾピラン。
下記に示す化合物を挙げることかできる。すなわち、ス
ピロ[2H−1−ベンゾピラン−2,2’−インドリン
]2スピロインドリノナフトビラン、スピロヘンソイン
トリノベンゾピラン。
スビロインドリノフェナンI・ロビラン、スピロ[2H
刊=ヘンゾピラン−2,2′ −ヘンソヂアゾリン]
、スピロ[2+1−1−ヘンゾビラン−2,2′ −
ヘンソオキサソ゛リン]、スピロ(ヘンゾチアソ゛リン
−2,3’ −[3+1]−ナフ1〜[2,lb ]
ビラン〕。
刊=ヘンゾピラン−2,2′ −ヘンソヂアゾリン]
、スピロ[2+1−1−ヘンゾビラン−2,2′ −
ヘンソオキサソ゛リン]、スピロ(ヘンゾチアソ゛リン
−2,3’ −[3+1]−ナフ1〜[2,lb ]
ビラン〕。
スピロ[2+11−ヘンゾビラン−2,2′ −ナフ
ト[2,3,−d ]オキサゾリン]、スピロ[211
−1−ヘンゾビラン−2,2′ −ナフト[2,id
]オキサゾリン]、スピロ[インドリン−2,2′
−ピラノ[3,2−H]キノリン]、スピロ[インド
リン−2,3’ −[311]−ナフl−[2,1−
b ]−]1.4−オキサシン]スピロ[インドリン−
2,2’−[2+1]−ピラノ[3,4,−b ]ピリ
ジン]、スピロ[インドリン−2,2’ −[211
]−ピラノ[3,2−b]ビリシンコ。
ト[2,3,−d ]オキサゾリン]、スピロ[211
−1−ヘンゾビラン−2,2′ −ナフト[2,id
]オキサゾリン]、スピロ[インドリン−2,2′
−ピラノ[3,2−H]キノリン]、スピロ[インド
リン−2,3’ −[311]−ナフl−[2,1−
b ]−]1.4−オキサシン]スピロ[インドリン−
2,2’−[2+1]−ピラノ[3,4,−b ]ピリ
ジン]、スピロ[インドリン−2,2’ −[211
]−ピラノ[3,2−b]ビリシンコ。
スピロしイン1〜リン−2,2’−[2H]−ピラノ[
3,2−c]キノリン]、スピロ[211−1,4−ヘ
ンソキサシ−ノー2,2′−インドリン]、スピロ[2
11−1−ヘンゾピラン−2,2’ −[211]キ
ノリン]、スピロ[311−ナフト [2,1−))
:lビラン−3,2’ −[211]ピリジン]、ス
ピロしインドリン−2,2’ =[2+1]ピラノ[
2,3−b]インドール]、スピロ[2+1−1−ヘン
ゾチノ[2,3−b]ビラン−2,2’ −インドリ
ン]。
3,2−c]キノリン]、スピロ[211−1,4−ヘ
ンソキサシ−ノー2,2′−インドリン]、スピロ[2
11−1−ヘンゾピラン−2,2’ −[211]キ
ノリン]、スピロ[311−ナフト [2,1−))
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ピロしインドリン−2,2’ =[2+1]ピラノ[
2,3−b]インドール]、スピロ[2+1−1−ヘン
ゾチノ[2,3−b]ビラン−2,2’ −インドリ
ン]。
これらの化合物の構造式を第1表に示す。
EDIIAW型光記録・消去媒体である光6B気記録媒
体に比較しても、本発明は、光学活性な有機物を用いる
ため、光磁気記録のカー効果による旋光度変化より大き
く、特にスピロピラン化合物ては、光照射によってメロ
シアニン型となり光学活性か失われるため、光磁気用ヘ
ットて有機化合物の旋光度変化を簡単に読み取ることか
できる。
体に比較しても、本発明は、光学活性な有機物を用いる
ため、光磁気記録のカー効果による旋光度変化より大き
く、特にスピロピラン化合物ては、光照射によってメロ
シアニン型となり光学活性か失われるため、光磁気用ヘ
ットて有機化合物の旋光度変化を簡単に読み取ることか
できる。
[実施例]
以下、実施例によって、本発明の詳細な説明する。
実施例1
フォトクロミズムを示すスピロピラン化合物の−っであ
る l’ 、3′、3’ −トリメデル−6−ニトロ
スピロ[2+1−1−ヘンソビラン−2,2′ −イ
ンドリン](略号NBPS)を10%のポリスチレン塩
化メチレン溶液に可溶化させた。
る l’ 、3′、3’ −トリメデル−6−ニトロ
スピロ[2+1−1−ヘンソビラン−2,2′ −イ
ンドリン](略号NBPS)を10%のポリスチレン塩
化メチレン溶液に可溶化させた。
スピロピラン類は第1図に示すようにスピロ炭素(*印
)を持っており光学活性であるか、紫外光を照射すると
スピロ結合が切れてメロシアニン型(略号MC型)とな
り光学活性を失う。しかし、可視光を照射するか加熱(
50〜70℃)すると元のスピロピラン型(略号SP型
)に戻り、再ひ光学活性となる性質を持っている。
)を持っており光学活性であるか、紫外光を照射すると
スピロ結合が切れてメロシアニン型(略号MC型)とな
り光学活性を失う。しかし、可視光を照射するか加熱(
50〜70℃)すると元のスピロピラン型(略号SP型
)に戻り、再ひ光学活性となる性質を持っている。
このNBPSのτ容ζプている10%のボリスヂレン溶
ン夜を、既に溝の付いているボリカーホネート製の5イ
ンチ光ディスク基板1上にスピンコード法(基板回転速
度 8,000rpm)により厚さ約1μm塗布し記録
層2とした。
ン夜を、既に溝の付いているボリカーホネート製の5イ
ンチ光ディスク基板1上にスピンコード法(基板回転速
度 8,000rpm)により厚さ約1μm塗布し記録
層2とした。
このスピンコード層の上から八kを1000人蒸着しく
X空度 2 x 1O−5Torr、蒸着速度、10人
/sec ) 、反射層3を形成した。この光ディスク
に、500W長高圧水銀等(ウシオ社製)の3+i5n
mの紫外光を基板側から1分間照射してNBPSをメロ
シアニン型にし旋光度を失わせ、第2図に示すEDRA
W型光ディスク媒体を作製した。
X空度 2 x 1O−5Torr、蒸着速度、10人
/sec ) 、反射層3を形成した。この光ディスク
に、500W長高圧水銀等(ウシオ社製)の3+i5n
mの紫外光を基板側から1分間照射してNBPSをメロ
シアニン型にし旋光度を失わせ、第2図に示すEDRA
W型光ディスク媒体を作製した。
記録は光磁気用ヘットを用い波長780nm、スポット
径1μmのダイオードレーサーによる加熱でNBPSを
元のスピロピラン型に戻しビットを形成した。光磁気用
ヘットを用い旋光度の変化を読み取ったところ、旋光度
変化か犬ぎいために楽にビットが記録されていることを
確認てぎた。この記録ビットに紫外光を照射して記録の
消去を行うと旋光度は失われており、記録ビットを発見
てぎず記録か消去されていることを確認することかでき
lこ。
径1μmのダイオードレーサーによる加熱でNBPSを
元のスピロピラン型に戻しビットを形成した。光磁気用
ヘットを用い旋光度の変化を読み取ったところ、旋光度
変化か犬ぎいために楽にビットが記録されていることを
確認てぎた。この記録ビットに紫外光を照射して記録の
消去を行うと旋光度は失われており、記録ビットを発見
てぎず記録か消去されていることを確認することかでき
lこ。
実施例2
実施例1と同しように、10%のポリスチレン溶液に第
2表に示すスピロピラン化合物を添加して可溶化させ、
実施例1と同様な実験を行った。結果は、フォトクロミ
ズムを示す化合物は総て光611気用ヘットによって楽
に旋光度の変化を読み取ることかでき、記録の消去・再
書ぎ込みかてきた。
2表に示すスピロピラン化合物を添加して可溶化させ、
実施例1と同様な実験を行った。結果は、フォトクロミ
ズムを示す化合物は総て光611気用ヘットによって楽
に旋光度の変化を読み取ることかでき、記録の消去・再
書ぎ込みかてきた。
実施例3
第2表に示したスピロピラン化合物を第3表に示したプ
ラスチック樹脂溶液に可溶化させ、実施例1と同様な実
験を行った。第3表に示したプラスデック樹脂は総て旋
光度の変化を光磁気用ヘツ1〜によって楽に読み取るこ
とかでき、これらスピロピラン頚ては分散媒体を選ばず
に、記録の消去・再書き込みか可能であった。
ラスチック樹脂溶液に可溶化させ、実施例1と同様な実
験を行った。第3表に示したプラスデック樹脂は総て旋
光度の変化を光磁気用ヘツ1〜によって楽に読み取るこ
とかでき、これらスピロピラン頚ては分散媒体を選ばず
に、記録の消去・再書き込みか可能であった。
上記各実施例とは逆に、光学活性を有する薄I摸にスポ
ット径1μmの紫外光を照射して旋光性を失わせること
によって記録し、またその記録を波長780nmのレー
ザ照射によって消去することができた。
ット径1μmの紫外光を照射して旋光性を失わせること
によって記録し、またその記録を波長780nmのレー
ザ照射によって消去することができた。
[発明の効果]
以上、説明したように本発明による光記録・消去方法は
、従来の追記型光ディスクではてきなかった記録の消去
・再書き込み、いわゆるEDRAW型光ディスクを実現
し、光デイスク構造をエアーサンドイッチではなく記録
安定性の優れた密着封止構造にすることが可能である。
、従来の追記型光ディスクではてきなかった記録の消去
・再書き込み、いわゆるEDRAW型光ディスクを実現
し、光デイスク構造をエアーサンドイッチではなく記録
安定性の優れた密着封止構造にすることが可能である。
また、穴を開けない方式であるから穴の大きさによる記
録密度の限界がなく飛躍的に記録密度を向上させ、レー
ザーで記録する際に飛散物やガスの発生かなく、穴の回
りの盛り上がり等の信号劣化の要因を取り除くことの可
能な光記録方法である。さらに、大ぎな旋光度変化を利
用するため、光磁気用ヘットにより楽に読み取ることか
できる。
録密度の限界がなく飛躍的に記録密度を向上させ、レー
ザーで記録する際に飛散物やガスの発生かなく、穴の回
りの盛り上がり等の信号劣化の要因を取り除くことの可
能な光記録方法である。さらに、大ぎな旋光度変化を利
用するため、光磁気用ヘットにより楽に読み取ることか
できる。
このように、本発明による光記録・消去方法は、記録安
定性の優れた密着封止構造の光ディスクを用い、有機物
の大きな旋光度変化を利用してEDRAW型光ディスク
を実現する全く新しい光記録方法である。
定性の優れた密着封止構造の光ディスクを用い、有機物
の大きな旋光度変化を利用してEDRAW型光ディスク
を実現する全く新しい光記録方法である。
第3表 分散剤
])PMMA (ポリ・メチル・メタクリレ−1・)2
)PC(ボ]ルヵーポネ−1・) 3)PSt(ポリ・スヂレン) 4)FBM (フルオロ・ブチル・メタクリレート)5
)FPM (フルオロ・プロピル・メタクリレート)6
)PAN (ポリ・アクリロニトリル)7)PVC(ポ
リ塩化ビニル)
)PC(ボ]ルヵーポネ−1・) 3)PSt(ポリ・スヂレン) 4)FBM (フルオロ・ブチル・メタクリレート)5
)FPM (フルオロ・プロピル・メタクリレート)6
)PAN (ポリ・アクリロニトリル)7)PVC(ポ
リ塩化ビニル)
第1図は代表的なスピロピラン化合物NBPSの構造異
性変化を説明する図、 第2図は本発明によるE[1llAW型光デイスクの構
造を示す図である。 1・・・基板、 2・・・記録層、 3・・・反射層。
性変化を説明する図、 第2図は本発明によるE[1llAW型光デイスクの構
造を示す図である。 1・・・基板、 2・・・記録層、 3・・・反射層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)光学活性でありかつ光照射または加熱により旋光度
が変化する有機化合物を少なくとも一種類含む薄膜に、
光を照射して旋光度を変化させることによって記録を行
うことを特徴とする光記録方法。 2)前記薄膜に第1の波長の光を照射し、または加熱し
て光学活性な物質にした後、第2の波長の光を照射して
旋光度を変化させて記録することを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の光記録方法。 3)前記記録が前記第1の波長の光の照射または加熱に
よって消去可能であることを特徴とする特許請求の範囲
第2項記載の光記録方法。 4)前記薄膜に第1の波長の光を照射し、または加熱し
て光学活性を失わせるか少なくとも弱くした後に第2の
波長の光を照射して旋光度を変化させて記録することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光記録方法。 5)前記記録が前記第1の波長の光の照射または加熱に
よって消去可能であることを特徴とする特許請求の範囲
第4項記載の光記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62093277A JP2527436B2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 光記録方法および光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62093277A JP2527436B2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 光記録方法および光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63259850A true JPS63259850A (ja) | 1988-10-26 |
JP2527436B2 JP2527436B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=14077940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62093277A Expired - Fee Related JP2527436B2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 光記録方法および光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2527436B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6410440A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Nec Corp | Optical memory medium |
JPH02255380A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体の製造方法 |
EP0418930A2 (en) * | 1989-09-22 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Recording medium and reproducing method therefor |
EP0436228A2 (en) * | 1989-12-28 | 1991-07-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Recording and reproducing methods |
EP0640605A1 (en) * | 1993-03-11 | 1995-03-01 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Spiropyran compound, optically active spiropyran compound, and use thereof |
US7507504B2 (en) * | 2002-02-15 | 2009-03-24 | University Of Massachusetts | Optical storage system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63129339A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | Teijin Ltd | 光記録・再生方法 |
JPS63249691A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Teijin Ltd | 光学記録媒体,それを用いた光学的記録法及び光学的再生法 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP62093277A patent/JP2527436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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EP0640605A4 (ja) * | 1993-03-11 | 1995-03-29 | ||
US7507504B2 (en) * | 2002-02-15 | 2009-03-24 | University Of Massachusetts | Optical storage system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2527436B2 (ja) | 1996-08-21 |
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