JPH07311979A - 光記録媒体及びその再生方法 - Google Patents
光記録媒体及びその再生方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体以外の媒体にも容易に適用が
可能で、かつ大きな光強度を必要とせず、超解像効果に
よる高密度な情報の記録再生を可能とする。 【構成】 記録層１０３の再生光が入射する側に設けら
れ、再生光の波長で吸収を有し、再生光と異なる特定波
長の光を照射することによりフォトクロミック反応で再
生光の波長における吸収が大きくなる状態に変化し、再
生光の照射により熱反応または熱により促進されるフォ
トクロミック反応で再生光の波長における吸収が小さく
なる状態に変化するマスク層１０２を設けることを特徴
としている。
可能で、かつ大きな光強度を必要とせず、超解像効果に
よる高密度な情報の記録再生を可能とする。 【構成】 記録層１０３の再生光が入射する側に設けら
れ、再生光の波長で吸収を有し、再生光と異なる特定波
長の光を照射することによりフォトクロミック反応で再
生光の波長における吸収が大きくなる状態に変化し、再
生光の照射により熱反応または熱により促進されるフォ
トクロミック反応で再生光の波長における吸収が小さく
なる状態に変化するマスク層１０２を設けることを特徴
としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度な情報の記録再
生が可能な光記録媒体及びその再生方法に関するもので
ある。
生が可能な光記録媒体及びその再生方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスク装置及び媒体において
は、光の回折限界で決まる記録スポットよりも小さい領
域を記録再生する超解像の手段として、いわゆるＭＳＲ
（Magnetically induced Super Resolution ）方式が注
目されている。このようなＭＳＲ方式は、例えばテクニ
カルダイジェスト・オブ・データ・ストレージ・トピカ
ル・ミーティング １９９１ ボリューム５ （Techni
cal Digest of OpticalDate Storage 1991 Volume 5）p
p.112-115（講演番号ＴｕＢ−３）及び同pp.116-119
（講演番号ＴｕＢ−４）において開示されている。この
方式は、複数層の光磁気記録膜を用い、情報記録層以外
の周囲の情報をマスクするマスク層が設けられているこ
とを特徴としている。比較的強い再生光照射によって温
度が上昇したマスク層に記録された情報（記録マーク）
が転写されるので、記録密度が高くなっても隣接するト
ラックや線密度方向の記録マークの影響が抑制され光学
的な分解能が向上することになる。
は、光の回折限界で決まる記録スポットよりも小さい領
域を記録再生する超解像の手段として、いわゆるＭＳＲ
（Magnetically induced Super Resolution ）方式が注
目されている。このようなＭＳＲ方式は、例えばテクニ
カルダイジェスト・オブ・データ・ストレージ・トピカ
ル・ミーティング １９９１ ボリューム５ （Techni
cal Digest of OpticalDate Storage 1991 Volume 5）p
p.112-115（講演番号ＴｕＢ−３）及び同pp.116-119
（講演番号ＴｕＢ−４）において開示されている。この
方式は、複数層の光磁気記録膜を用い、情報記録層以外
の周囲の情報をマスクするマスク層が設けられているこ
とを特徴としている。比較的強い再生光照射によって温
度が上昇したマスク層に記録された情報（記録マーク）
が転写されるので、記録密度が高くなっても隣接するト
ラックや線密度方向の記録マークの影響が抑制され光学
的な分解能が向上することになる。
【０００３】また、同様の超解像効果を得るための光記
録媒体として、例えば特開平５−２２５６１１号公報に
は、可飽和吸収特性等の非線形光吸収現象を生じる光吸
収中心を含む層をマスク層として設けた光記録媒体が開
示されている。特開平５−２４２５２４号公報では、同
様に非線形光学現象を利用した記録再生方法が開示され
ており、この公報においては、逆フォトクロミックを示
すスピロセレナゾリノベンゾピランを使用した例が開示
されている。また、特開平５−２６６４７８号公報では
同様の技術として、通常は再生光に対して非透過性であ
るが、中央部が所定の強度以上になるように制御された
再生光照射によって、中央部のみが透過性を示し、再生
光通過後は再び非透過性になるような性質を有するマス
ク層を用いる方法が提案されている。該公報において、
具体的なマスク層の材料としては、逆フォトクロミズム
を示すインドリン系スピロピランが開示されている。
録媒体として、例えば特開平５−２２５６１１号公報に
は、可飽和吸収特性等の非線形光吸収現象を生じる光吸
収中心を含む層をマスク層として設けた光記録媒体が開
示されている。特開平５−２４２５２４号公報では、同
様に非線形光学現象を利用した記録再生方法が開示され
ており、この公報においては、逆フォトクロミックを示
すスピロセレナゾリノベンゾピランを使用した例が開示
されている。また、特開平５−２６６４７８号公報では
同様の技術として、通常は再生光に対して非透過性であ
るが、中央部が所定の強度以上になるように制御された
再生光照射によって、中央部のみが透過性を示し、再生
光通過後は再び非透過性になるような性質を有するマス
ク層を用いる方法が提案されている。該公報において、
具体的なマスク層の材料としては、逆フォトクロミズム
を示すインドリン系スピロピランが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＭＳＲ方式を用いた従来の方法では、記録媒体が光磁気
記録媒体に限定されるという問題があった。
ＭＳＲ方式を用いた従来の方法では、記録媒体が光磁気
記録媒体に限定されるという問題があった。
【０００５】また、非線形光吸収現象を利用する方法で
は、一般に非常に大きな光強度が必要であり、このため
記録層に既に記録されている情報が、発生する熱のため
に破壊されるおそれがあった。
は、一般に非常に大きな光強度が必要であり、このため
記録層に既に記録されている情報が、発生する熱のため
に破壊されるおそれがあった。
【０００６】さらに、逆フォトクロミズムを利用した超
解像方式ではレーザースポットで走査してマスク層にフ
ォトクロミック反応により消色反応を起こしながら再生
を行うが、その後マスク層は熱反応によって自然に着色
状態に戻ってしまうため、マスク層を有しない（すなわ
ち超解像光記録技術を利用しない）媒体との互換性をと
ることが困難であるという問題があった。また再生時に
媒体上に光を集光したときに、フォトクロミック反応に
よって消色反応が進むとともに熱による着色反応が起こ
るため、マスク層の透過率の向上が不充分になるおそれ
があった。
解像方式ではレーザースポットで走査してマスク層にフ
ォトクロミック反応により消色反応を起こしながら再生
を行うが、その後マスク層は熱反応によって自然に着色
状態に戻ってしまうため、マスク層を有しない（すなわ
ち超解像光記録技術を利用しない）媒体との互換性をと
ることが困難であるという問題があった。また再生時に
媒体上に光を集光したときに、フォトクロミック反応に
よって消色反応が進むとともに熱による着色反応が起こ
るため、マスク層の透過率の向上が不充分になるおそれ
があった。
【０００７】本発明の目的は、可飽和吸収のように極め
て大きな光強度を必要とせず、記録層の情報が発生する
熱のため破壊するおそれがなく、また超解像効果を用い
ない光ディスクやそのドライブとの互換性をとることが
可能な、超解像効果による高密度な情報の記録再生を可
能とする光記録媒体及びその再生方法を提供することに
ある。
て大きな光強度を必要とせず、記録層の情報が発生する
熱のため破壊するおそれがなく、また超解像効果を用い
ない光ディスクやそのドライブとの互換性をとることが
可能な、超解像効果による高密度な情報の記録再生を可
能とする光記録媒体及びその再生方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に従
う光記録媒体は、記録層と、再生光照射による熱反応
で、消色反応が進行し再生光波長における吸収が小さく
なる状態に変化するマスク層とを備えている。
う光記録媒体は、記録層と、再生光照射による熱反応
で、消色反応が進行し再生光波長における吸収が小さく
なる状態に変化するマスク層とを備えている。
【０００９】本発明の第２の局面に従う光記録媒体は、
記録層と、再生光照射による熱でフォトクロミック反応
による消色反応が促進され、再生光波長における吸収が
小さくなる状態に変化するマスク層とを備えている。
記録層と、再生光照射による熱でフォトクロミック反応
による消色反応が促進され、再生光波長における吸収が
小さくなる状態に変化するマスク層とを備えている。
【００１０】本発明における光記録媒体においては、マ
スク層が、再生光と異なる特定波長の光照射によりフォ
トクロミック反応で再生光の波長における吸収が大きく
なる状態に変化することが好ましい。
スク層が、再生光と異なる特定波長の光照射によりフォ
トクロミック反応で再生光の波長における吸収が大きく
なる状態に変化することが好ましい。
【００１１】本発明において、マスク層は、記録層の再
生光入射側に設けることができる。また反射型の光記録
媒体の場合には、反射層と記録層の間に位置するように
設けることもできる。
生光入射側に設けることができる。また反射型の光記録
媒体の場合には、反射層と記録層の間に位置するように
設けることもできる。
【００１２】本発明の第２の局面に従う光記録媒体で
は、再生光照射による熱でフォトクロミック反応による
消色反応が促進され、この結果として再生光波長におけ
る吸収が小さくなる状態に変化するマスク層が備えられ
る。このようなマスク層は、再生光照射の際に発生する
熱によってフォトンモード反応性が促進されるようなフ
ォトクロミック材料を含有する。このようなフォトクロ
ミック材料としては、例えば、後述する〔化９〕で示さ
れるようなフルギド系フォトクロミック化合物や下記の
一般式で示されるようなジアリールエテン系フォトクロ
ミック材料などを挙げることができる。
は、再生光照射による熱でフォトクロミック反応による
消色反応が促進され、この結果として再生光波長におけ
る吸収が小さくなる状態に変化するマスク層が備えられ
る。このようなマスク層は、再生光照射の際に発生する
熱によってフォトンモード反応性が促進されるようなフ
ォトクロミック材料を含有する。このようなフォトクロ
ミック材料としては、例えば、後述する〔化９〕で示さ
れるようなフルギド系フォトクロミック化合物や下記の
一般式で示されるようなジアリールエテン系フォトクロ
ミック材料などを挙げることができる。
【００１３】
【化２】
【００１４】（ここで、Ｒ1 〜Ｒ5 は、アルキル基、ハ
ロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、アルコ
キシ基、シアノ基、アミノ基、またはジメチルアミノ基
を示し、Ｂは炭化水素環または複素環を示す。）上記ジ
アリールエテン系材料の具体的な化合物としては、以下
に示すような構造式の化合物を挙げることができる。
ロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、アルコ
キシ基、シアノ基、アミノ基、またはジメチルアミノ基
を示し、Ｂは炭化水素環または複素環を示す。）上記ジ
アリールエテン系材料の具体的な化合物としては、以下
に示すような構造式の化合物を挙げることができる。
【００１５】
【化３】
【００１６】
【化４】
【００１７】
【化５】
【００１８】
【化６】
【００１９】図７は、上記ジアリールエテン系化合物の
反応感度の温度依存性を示す図である。横軸は絶対温度
を示しており、縦軸は吸収を半減させるのに要した照射
光量を示している。図７に示されるように、温度が上昇
するにつれて、すなわち横軸の値が小さくなるにつれ
て、吸収を半減させるのに要する照射光量が減少してお
り、温度上昇により量子収率が増大し、それによってフ
ォトクロミック反応感度が増大していることがわかる。
従って、これらの化合物は熱によりフォトクロミック反
応が促進される化合物である。なおこれらの化合物は、
光を遮断し加熱しても消色反応は起こらない。従って、
熱反応により消色反応が起こらないことがわかる。この
ように、本発明の第２の局面において、マスク層に用い
られるフォトクロミック材料としては、熱反応により実
質的に消色反応が生じない、すなわち再生光波長におけ
る吸収が小さくなる状態に変化しないものが好ましい。
反応感度の温度依存性を示す図である。横軸は絶対温度
を示しており、縦軸は吸収を半減させるのに要した照射
光量を示している。図７に示されるように、温度が上昇
するにつれて、すなわち横軸の値が小さくなるにつれ
て、吸収を半減させるのに要する照射光量が減少してお
り、温度上昇により量子収率が増大し、それによってフ
ォトクロミック反応感度が増大していることがわかる。
従って、これらの化合物は熱によりフォトクロミック反
応が促進される化合物である。なおこれらの化合物は、
光を遮断し加熱しても消色反応は起こらない。従って、
熱反応により消色反応が起こらないことがわかる。この
ように、本発明の第２の局面において、マスク層に用い
られるフォトクロミック材料としては、熱反応により実
質的に消色反応が生じない、すなわち再生光波長におけ
る吸収が小さくなる状態に変化しないものが好ましい。
【００２０】本発明の第３の局面に従う再生方法は、本
発明の第１の局面に従う光記録媒体の記録層に再生光を
照射して記録された情報を再生する方法であり、マスク
層の再生光波長での透過率を低下させるため特定波長の
光をマスク層に照射する工程と、透過率が低下したマス
ク層に再生光を照射することにより熱反応を起こし再生
光スポットに対応するマスク層の一部の透過率を高めて
記録層に再生光を照射する工程とを備えている。
発明の第１の局面に従う光記録媒体の記録層に再生光を
照射して記録された情報を再生する方法であり、マスク
層の再生光波長での透過率を低下させるため特定波長の
光をマスク層に照射する工程と、透過率が低下したマス
ク層に再生光を照射することにより熱反応を起こし再生
光スポットに対応するマスク層の一部の透過率を高めて
記録層に再生光を照射する工程とを備えている。
【００２１】本発明の第４の局面に従う再生方法は、本
発明の第２の局面に従う光記録媒体の記録層に再生光を
照射して記録された情報を再生する方法であり、マスク
層の再生光波長での透過率を低下させるため特定波長の
光をマスク層に照射する工程と、透過率が低下したマス
ク層に再生光を照射することにより熱により促進される
フォトクロミック反応を起こし再生光スポットに対応す
るマスク層の一部の透過率を高めて記録層に再生光を照
射する工程とを備えている。
発明の第２の局面に従う光記録媒体の記録層に再生光を
照射して記録された情報を再生する方法であり、マスク
層の再生光波長での透過率を低下させるため特定波長の
光をマスク層に照射する工程と、透過率が低下したマス
ク層に再生光を照射することにより熱により促進される
フォトクロミック反応を起こし再生光スポットに対応す
るマスク層の一部の透過率を高めて記録層に再生光を照
射する工程とを備えている。
【００２２】本発明の再生方法において、特定波長光の
スポットの大きさは、通常再生光スポットの大きさより
も大きいことを特徴としている。
スポットの大きさは、通常再生光スポットの大きさより
も大きいことを特徴としている。
【００２３】
【作用】マスク層を設けることにより超解像効果を発現
させるためには、光照射によりマスク層の透過率の増
大、すなわち吸収率の減少が非線形的に生じる必要があ
る。このような非線形性が大きいほど超解像効果も大き
くなる。
させるためには、光照射によりマスク層の透過率の増
大、すなわち吸収率の減少が非線形的に生じる必要があ
る。このような非線形性が大きいほど超解像効果も大き
くなる。
【００２４】上記従来技術における逆フォトクロミック
材料をマスク層として用いた超解像再生方式では、マス
ク層の光学濃度を予め高く、すなわち透過率を低く設定
しておくことによりこの非線形性が生じる。図１は、照
射光量に対するマスク層透過率の変化を示すものであ
り、Ａはこのような逆フォトクロミック材料をマスク層
として用いた場合の透過率変化を示している。
材料をマスク層として用いた超解像再生方式では、マス
ク層の光学濃度を予め高く、すなわち透過率を低く設定
しておくことによりこの非線形性が生じる。図１は、照
射光量に対するマスク層透過率の変化を示すものであ
り、Ａはこのような逆フォトクロミック材料をマスク層
として用いた場合の透過率変化を示している。
【００２５】本発明の第１の局面においては、熱反応で
再生光の波長における吸収が小さくなる材料をマスク層
に用いている。このような反応においては、一般にしき
い値である一定温度以上になると急激に変化する性質を
有している。図１に示すＢは、本発明に従うマスク層に
おける透過率変化を示しており、より大きな非線形性を
発現する。
再生光の波長における吸収が小さくなる材料をマスク層
に用いている。このような反応においては、一般にしき
い値である一定温度以上になると急激に変化する性質を
有している。図１に示すＢは、本発明に従うマスク層に
おける透過率変化を示しており、より大きな非線形性を
発現する。
【００２６】また、光記録媒体のマスク層は、熱反応で
消色反応が進行するので、加熱によりマスク層を光学的
に透明とすることができる。従って、加熱によりマスク
層全体を光学的に透明にしマスク層を設けない光記録媒
体と同様に扱うことができ、互換性を保つことが可能に
なる。
消色反応が進行するので、加熱によりマスク層を光学的
に透明とすることができる。従って、加熱によりマスク
層全体を光学的に透明にしマスク層を設けない光記録媒
体と同様に扱うことができ、互換性を保つことが可能に
なる。
【００２７】本発明の第２の局面においては、熱によっ
て促進されるフォトクロミック反応で再生光の波長にお
ける吸収が小さくなる材料をマスク層に用いている。こ
のような反応による場合においても、一定温度以上にな
ると急激に消色反応が進行し、図１に示すＢのように、
大きな非線形性を発現する。
て促進されるフォトクロミック反応で再生光の波長にお
ける吸収が小さくなる材料をマスク層に用いている。こ
のような反応による場合においても、一定温度以上にな
ると急激に消色反応が進行し、図１に示すＢのように、
大きな非線形性を発現する。
【００２８】本発明の第１の局面においては、熱反応で
消色反応が生じるため、着色用ビームを照射した際に発
生する熱反応によりマスク層の消色が同時に起こり、マ
スク効果が不充分になるおそれがある。これを防止する
ためには、着色スポットを大きくしてエネルギー密度を
下げることが必要であるが、エネルギー密度を下げると
光量が不充分となり着色が充分になされない場合があ
る。本発明の第２の局面では、熱によって促進されるフ
ォトクロミック反応による消色反応を利用しているた
め、熱反応のみによっては着色反応も消色反応も起こさ
ないマスク層とすることができる。従って、着色用ビー
ム照射時の発熱による消色反応や、再生消色用ビームに
よる着色反応が起こらないので、上記のような第１の局
面における問題を生じることなく、高い超解像効果を得
ることができる。
消色反応が生じるため、着色用ビームを照射した際に発
生する熱反応によりマスク層の消色が同時に起こり、マ
スク効果が不充分になるおそれがある。これを防止する
ためには、着色スポットを大きくしてエネルギー密度を
下げることが必要であるが、エネルギー密度を下げると
光量が不充分となり着色が充分になされない場合があ
る。本発明の第２の局面では、熱によって促進されるフ
ォトクロミック反応による消色反応を利用しているた
め、熱反応のみによっては着色反応も消色反応も起こさ
ないマスク層とすることができる。従って、着色用ビー
ム照射時の発熱による消色反応や、再生消色用ビームに
よる着色反応が起こらないので、上記のような第１の局
面における問題を生じることなく、高い超解像効果を得
ることができる。
【００２９】また、本発明の第２の局面に従う光記録媒
体のマスク層は、フォトクロミック反応で消色反応が進
行するので、マスク層を光学的に透明にすることができ
る。従って、マスク層を設けない光記録媒体と同様に扱
うことができ、互換性を保つことが可能になる。
体のマスク層は、フォトクロミック反応で消色反応が進
行するので、マスク層を光学的に透明にすることができ
る。従って、マスク層を設けない光記録媒体と同様に扱
うことができ、互換性を保つことが可能になる。
【００３０】また、本発明の光記録媒体において、マス
ク層は、再生光と異なる特定波長の光の照射によりフォ
トクロミック反応で、再生光の波長における吸収が大き
くなり、着色できることが好ましい。
ク層は、再生光と異なる特定波長の光の照射によりフォ
トクロミック反応で、再生光の波長における吸収が大き
くなり、着色できることが好ましい。
【００３１】本発明に従う好ましい実施態様の１つにお
いては、この着色用ビームスポットのスポットの大きさ
を、再生光スポットの大きさよりも大きくする。図２
は、このような本発明に従う好ましい実施態様の１つに
おける再生光スポットと着色光スポットの大きさの関係
を示すための平面図である。図２を参照して、着色光ス
ポット１が、再生光スポット３に先行して走査され、ま
ず着色光スポット１によりマスク層に着色領域２が形成
される。着色領域２は、特定波長を有する着色光スポッ
ト１によりフォトクロミック反応で再生光の波長におけ
る吸収が大きくなることにより形成される。この着色光
スポット１は、再生光スポット３よりも大きく、読み出
しトラックの記録マーク１３に隣接するトラックの記録
マーク１４を含むような大きさにされている。
いては、この着色用ビームスポットのスポットの大きさ
を、再生光スポットの大きさよりも大きくする。図２
は、このような本発明に従う好ましい実施態様の１つに
おける再生光スポットと着色光スポットの大きさの関係
を示すための平面図である。図２を参照して、着色光ス
ポット１が、再生光スポット３に先行して走査され、ま
ず着色光スポット１によりマスク層に着色領域２が形成
される。着色領域２は、特定波長を有する着色光スポッ
ト１によりフォトクロミック反応で再生光の波長におけ
る吸収が大きくなることにより形成される。この着色光
スポット１は、再生光スポット３よりも大きく、読み出
しトラックの記録マーク１３に隣接するトラックの記録
マーク１４を含むような大きさにされている。
【００３２】再生光スポット３も着色光スポット１と同
じ方向に移動しており、再生光スポット３の中心部の後
半部分が、特に照射光量が大きく温度の高い部分とな
る。従って、この後半部分４で、所定の温度となり、熱
により促進されるフォトクロミック反応または熱反応が
進行し、再生光の波長における吸収が小さくなり、透過
率が高められる。従って、再生光スポット３の後半部分
４の透過率が高くなり、再生光スポット３よりも小さい
領域である後半部分４で、再生光が記録層に照射され
る。従って、隣接トラックの記録マーク１４の影響がマ
スクされ、トラックピッチを小さくすることができる。
図２において、１２は読み出し後の記録マークを示して
いる。図２に示されているように、記録マーク読み出し
後においてマスク層は透過率が高いままの状態になって
いるが、再生光スポット３が隣接するトラックに移動し
再生する際には、再生光スポット３に先行して着色光ス
ポット１が走査されるので、この着色光スポット１によ
り着色され、隣接するトラックを読み出す際には、この
ような読み出し後の記録マークの影響を受けることはな
い。
じ方向に移動しており、再生光スポット３の中心部の後
半部分が、特に照射光量が大きく温度の高い部分とな
る。従って、この後半部分４で、所定の温度となり、熱
により促進されるフォトクロミック反応または熱反応が
進行し、再生光の波長における吸収が小さくなり、透過
率が高められる。従って、再生光スポット３の後半部分
４の透過率が高くなり、再生光スポット３よりも小さい
領域である後半部分４で、再生光が記録層に照射され
る。従って、隣接トラックの記録マーク１４の影響がマ
スクされ、トラックピッチを小さくすることができる。
図２において、１２は読み出し後の記録マークを示して
いる。図２に示されているように、記録マーク読み出し
後においてマスク層は透過率が高いままの状態になって
いるが、再生光スポット３が隣接するトラックに移動し
再生する際には、再生光スポット３に先行して着色光ス
ポット１が走査されるので、この着色光スポット１によ
り着色され、隣接するトラックを読み出す際には、この
ような読み出し後の記録マークの影響を受けることはな
い。
【００３３】再生光スポットに先行させて着色光スポッ
トを走査してマスク層を着色する場合、本発明の第１の
局面におけるマスク層は熱により消色するものであるた
め、上述したように、着色光スポットによる熱によって
着色反応とともに消色反応を同時に生じ、着色が不充分
になるおそれがある。このような意味からも、図２に示
すように、着色光スポットの大きさを再生光スポットの
大きさよりも大きく設定し、着色光スポットによるエネ
ルギーを分散させることによって、発生する熱量を小さ
くしておくことが望ましい。また、上述したように、本
発明の第１の局面におけるマスク層は、熱によりフォト
クロミック反応が促進されるものであり、熱により直接
消色反応が生じるものではないので、着色光スポットが
照射され加熱されても、着色光の波長がフォトクロミッ
ク反応による消色反応を生じさせるものでなければ、マ
スク層に消色反応を生じることはない。従って、着色光
スポットにより充分な着色を行うことができ、充分な超
解像効果を得ることができる。
トを走査してマスク層を着色する場合、本発明の第１の
局面におけるマスク層は熱により消色するものであるた
め、上述したように、着色光スポットによる熱によって
着色反応とともに消色反応を同時に生じ、着色が不充分
になるおそれがある。このような意味からも、図２に示
すように、着色光スポットの大きさを再生光スポットの
大きさよりも大きく設定し、着色光スポットによるエネ
ルギーを分散させることによって、発生する熱量を小さ
くしておくことが望ましい。また、上述したように、本
発明の第１の局面におけるマスク層は、熱によりフォト
クロミック反応が促進されるものであり、熱により直接
消色反応が生じるものではないので、着色光スポットが
照射され加熱されても、着色光の波長がフォトクロミッ
ク反応による消色反応を生じさせるものでなければ、マ
スク層に消色反応を生じることはない。従って、着色光
スポットにより充分な着色を行うことができ、充分な超
解像効果を得ることができる。
【００３４】
【実施例】図４は、本発明に従う一実施例の光記録媒体
を示す断面図である。図４を参照して、透明基板１０１
上には、マスク層１０２が設けられている。マスク層１
０２は、着色光照射によってフォトクロミック反応を生
じ、その結果として透過率が低下し、また再生光照射に
よって熱反応または熱により促進されるフォトクロミッ
ク反応で消色反応を起こし透過率が低下するフォトクロ
ミック分子を含有している。マスク層１０２の上には、
記録層１０３及び保護層１０４が順次形成されている。
記録層１０３の記録材料としては、公知の光磁気材料や
相変化型材料など種々のものを利用することができる
が、本実施例ではＴｂＦｅＣｏ系の光磁気材料を用い
る。またマスク層１０２には、次式に示す分子構造を有
するスピロピラン系のフォトクロミック材料を用いる。
を示す断面図である。図４を参照して、透明基板１０１
上には、マスク層１０２が設けられている。マスク層１
０２は、着色光照射によってフォトクロミック反応を生
じ、その結果として透過率が低下し、また再生光照射に
よって熱反応または熱により促進されるフォトクロミッ
ク反応で消色反応を起こし透過率が低下するフォトクロ
ミック分子を含有している。マスク層１０２の上には、
記録層１０３及び保護層１０４が順次形成されている。
記録層１０３の記録材料としては、公知の光磁気材料や
相変化型材料など種々のものを利用することができる
が、本実施例ではＴｂＦｅＣｏ系の光磁気材料を用い
る。またマスク層１０２には、次式に示す分子構造を有
するスピロピラン系のフォトクロミック材料を用いる。
【００３５】
【化７】
【００３６】図３は、上記構造を有するフォトクロミッ
ク材料の吸収スペクトルを示す図である。図３におい
て、（１）は光照射前、（２）３５０ｎｍ光照射後、
（３）５００ｎｍ光照射後または熱処理後の吸収スペク
トルを示している。図３に示されるように、このフォト
クロミック材料は、消色状態において紫外線波長域に吸
収を有しており、紫外線（ＵＶ）照射により可視光波長
域に吸収を有する着色状態へと変化する。この着色状態
は、可視光（ＶＩＳ）照射によるフォトクロミック反応
で消色させることが可能であるが、その感度は低く、主
に熱反応によって消色状態へ変化させることができる。
本実施例では、この熱反応による消色状態への変化を利
用して、マスク層を消色させており、本発明の第１の局
面に従うものである。
ク材料の吸収スペクトルを示す図である。図３におい
て、（１）は光照射前、（２）３５０ｎｍ光照射後、
（３）５００ｎｍ光照射後または熱処理後の吸収スペク
トルを示している。図３に示されるように、このフォト
クロミック材料は、消色状態において紫外線波長域に吸
収を有しており、紫外線（ＵＶ）照射により可視光波長
域に吸収を有する着色状態へと変化する。この着色状態
は、可視光（ＶＩＳ）照射によるフォトクロミック反応
で消色させることが可能であるが、その感度は低く、主
に熱反応によって消色状態へ変化させることができる。
本実施例では、この熱反応による消色状態への変化を利
用して、マスク層を消色させており、本発明の第１の局
面に従うものである。
【００３７】マスク層は、例えば上記フォトクロミック
材料をポリスチレン樹脂に混合し、シクロヘキサノンに
溶解してスピンコート法により形成することができる。
本実施例では、膜厚０．３μｍとなるように形成した。
スピンコート法による形成では、ポリスチレン以外の樹
脂を用いてもよいし、色素のみを溶剤に溶解し薄膜化し
てもよい。またこのような塗布以外の方法としては、色
素を真空蒸着することによってマスク層を形成させても
よい。なお、マスク層の膜厚は再生レーザースポットの
焦点深度（一般には１μｍ程度）よりも小さく設定して
おくことが望ましい。
材料をポリスチレン樹脂に混合し、シクロヘキサノンに
溶解してスピンコート法により形成することができる。
本実施例では、膜厚０．３μｍとなるように形成した。
スピンコート法による形成では、ポリスチレン以外の樹
脂を用いてもよいし、色素のみを溶剤に溶解し薄膜化し
てもよい。またこのような塗布以外の方法としては、色
素を真空蒸着することによってマスク層を形成させても
よい。なお、マスク層の膜厚は再生レーザースポットの
焦点深度（一般には１μｍ程度）よりも小さく設定して
おくことが望ましい。
【００３８】図４に示す実施例において、透光性基板１
０１としては厚さ１．２ｍｍのガラスディスクを用い、
記録層１０３の厚みとしては０．１μｍとし、保護層１
０４としては一般的に使用される紫外線硬化樹脂を用
い、膜厚１０μｍとした。
０１としては厚さ１．２ｍｍのガラスディスクを用い、
記録層１０３の厚みとしては０．１μｍとし、保護層１
０４としては一般的に使用される紫外線硬化樹脂を用
い、膜厚１０μｍとした。
【００３９】予め記録層に磁界変調方式で種々の波長を
記録しておき、本発明の第４の局面に従う方法により再
生を行った。着色光としては波長３６０ｎｍの紫外線レ
ーザーを放射するＡｒレーザー光をスポット径２．０μ
ｍとなるように集光して用いた。再生光としては波長６
３０ｎｍの半導体レーザー光をスポット径１．２５μｍ
となるように集光して用いた。着色光パワーは２．５ｍ
Ｗ、再生光パワー１．５ｍＷ、線速度は１．４ｍ／秒と
した。なお、比較のため、マスク層を設けない以外は本
実施例と同様にして光記録媒体を作製した。
記録しておき、本発明の第４の局面に従う方法により再
生を行った。着色光としては波長３６０ｎｍの紫外線レ
ーザーを放射するＡｒレーザー光をスポット径２．０μ
ｍとなるように集光して用いた。再生光としては波長６
３０ｎｍの半導体レーザー光をスポット径１．２５μｍ
となるように集光して用いた。着色光パワーは２．５ｍ
Ｗ、再生光パワー１．５ｍＷ、線速度は１．４ｍ／秒と
した。なお、比較のため、マスク層を設けない以外は本
実施例と同様にして光記録媒体を作製した。
【００４０】図５は、これらの実施例及び比較例の再生
信号の周波数特性を示す図である。低周波数での出力値
を基準（０ｄＢ）としている。図５から明らかなよう
に、出力が６ｄＢ低下したときの周波数は、比較例が
０．８５ＭＨｚ（マーク長０．８２μｍ相当）であった
のに対し、実施例は１．７ＭＨｚ（マーク長０．４１μ
ｍ相当）となっており、実施例の光記録媒体が線記録密
度において比較例のものの２倍程度向上していることが
判った。
信号の周波数特性を示す図である。低周波数での出力値
を基準（０ｄＢ）としている。図５から明らかなよう
に、出力が６ｄＢ低下したときの周波数は、比較例が
０．８５ＭＨｚ（マーク長０．８２μｍ相当）であった
のに対し、実施例は１．７ＭＨｚ（マーク長０．４１μ
ｍ相当）となっており、実施例の光記録媒体が線記録密
度において比較例のものの２倍程度向上していることが
判った。
【００４１】また、トラックピッチ０．６μｍにおける
トラック間のクロストークを比較したところ、比較例で
は−１５ｄＢであったのに対し、実施例では−３３ｄＢ
程度にまで低減された。以上のことから明らかなよう
に、本発明に従えば、線記録密度を向上させることがで
きるとともに、トラック密度も向上させることができ
る。
トラック間のクロストークを比較したところ、比較例で
は−１５ｄＢであったのに対し、実施例では−３３ｄＢ
程度にまで低減された。以上のことから明らかなよう
に、本発明に従えば、線記録密度を向上させることがで
きるとともに、トラック密度も向上させることができ
る。
【００４２】図８は、本発明に従う他の実施例の光記録
媒体を示す断面図である。図８を参照して、透明基板２
０１の上には、誘電体層２０５、マスク層２０２、誘電
体層２０６、記録層２０３及び反射層２０４が順次積層
されている。透明基板２０１は、厚さ１．２ｍｍのポリ
カーボネート板より形成されている。誘電体層２０５
は、スパッタリング法により形成されたＡｌＮ膜（膜厚
０．０４μｍ）により構成されている。マスク層２０２
は、上記の〔化３〕に示す構造を有するジアリールエテ
ン化合物を含有させたポリスチレン樹脂膜（膜厚０．１
μｍ）から形成されている。誘電体層２０６は、スパッ
タリング法により形成したＡｌＮ膜（膜厚０．０５μ
ｍ）により構成されている。また記録層２０３は、光磁
気材料であるＴｂＦｅＣｏによって膜厚０．０５μｍと
なるように形成されている。反射層２０４は、スパッタ
リング法によりＡｌ膜を形成し、この上に紫外線硬化樹
脂からなる保護層を形成することにより構成されてい
る。
媒体を示す断面図である。図８を参照して、透明基板２
０１の上には、誘電体層２０５、マスク層２０２、誘電
体層２０６、記録層２０３及び反射層２０４が順次積層
されている。透明基板２０１は、厚さ１．２ｍｍのポリ
カーボネート板より形成されている。誘電体層２０５
は、スパッタリング法により形成されたＡｌＮ膜（膜厚
０．０４μｍ）により構成されている。マスク層２０２
は、上記の〔化３〕に示す構造を有するジアリールエテ
ン化合物を含有させたポリスチレン樹脂膜（膜厚０．１
μｍ）から形成されている。誘電体層２０６は、スパッ
タリング法により形成したＡｌＮ膜（膜厚０．０５μ
ｍ）により構成されている。また記録層２０３は、光磁
気材料であるＴｂＦｅＣｏによって膜厚０．０５μｍと
なるように形成されている。反射層２０４は、スパッタ
リング法によりＡｌ膜を形成し、この上に紫外線硬化樹
脂からなる保護層を形成することにより構成されてい
る。
【００４３】比較として、特開平５−２６６４７８号公
報に開示された逆フォトクロミック性を示すインドリン
系スピロピランをマスク層に含有させ、それ以外は図８
に示すのと同様の構造を有する光記録媒体を作成した
（比較例１）。また、熱反応は起こさないがフォトンモ
ード反応が温度依存性をほとんど有しない化合物とし
て、次式に示すようなジアリールエテン系フォトクロミ
ック材料をマスク層に含有させた、図８に示すのと同様
の構造を有する光記録媒体を作成した（比較例２）。
報に開示された逆フォトクロミック性を示すインドリン
系スピロピランをマスク層に含有させ、それ以外は図８
に示すのと同様の構造を有する光記録媒体を作成した
（比較例１）。また、熱反応は起こさないがフォトンモ
ード反応が温度依存性をほとんど有しない化合物とし
て、次式に示すようなジアリールエテン系フォトクロミ
ック材料をマスク層に含有させた、図８に示すのと同様
の構造を有する光記録媒体を作成した（比較例２）。
【００４４】
【化８】
【００４５】以上のようにして作製した光記録媒体を、
図９に示す記録再生装置で記録再生した。図９を参照し
て、情報を記録する際には、光ディスク２０のマスク層
は消色状態となっており、このような状態の光ディスク
２０に、波長６７０ｎｍの半導体レーザー３２からのレ
ーザービームを照射する。半導体レーザー３２からのレ
ーザービームは、コリメータレンズ３１、偏光ビームス
プリッター３０、ダイクロックミラー２９を通り、対物
レンズ２３により光ディスク２０の記録層上に集光され
て記録層を加熱する。光ディスク２０の反対側には、記
録信号に応じて印加磁界を変化させる磁界変調用コイル
２１が設けられており、これらの作用により磁界変調記
録が行われる。
図９に示す記録再生装置で記録再生した。図９を参照し
て、情報を記録する際には、光ディスク２０のマスク層
は消色状態となっており、このような状態の光ディスク
２０に、波長６７０ｎｍの半導体レーザー３２からのレ
ーザービームを照射する。半導体レーザー３２からのレ
ーザービームは、コリメータレンズ３１、偏光ビームス
プリッター３０、ダイクロックミラー２９を通り、対物
レンズ２３により光ディスク２０の記録層上に集光され
て記録層を加熱する。光ディスク２０の反対側には、記
録信号に応じて印加磁界を変化させる磁界変調用コイル
２１が設けられており、これらの作用により磁界変調記
録が行われる。
【００４６】情報を再生する際には、波長３６５ｎｍの
ＨｅＣｄレーザー２８からの着色用ビームスポットが照
射される。この着色用レーザービームは、ＮＤフィルタ
２７、着色ビーム制御信号により制御される制御用素子
２６、コリメータレンズ２５、着色用スポット形状を制
御するための光学素子２４、ダイクロックミラー２９を
通り、対物レンズ２３により光ディスク２０上に照射さ
れる。この着色用ビームスポットは、再生用ビームスポ
ットに先行するように光ディスク２０に照射される。再
生用ビームスポットは、記録の際と同様に、半導体レー
ザー３２から照射されたビームを対物レンズ２３により
光記録媒体２０上に集光して照射される。着色用ビーム
スポットは、光学素子２４により、再生光ビームスポッ
トよりも大きいスポット形状となるように調整されてい
る。ここでは、記録再生用のビームスポットは略真円状
でスポット径１．３μｍとなるように形成されており、
着色用ビームスポットのスポット径は２．２μｍとなる
ように形成されている。
ＨｅＣｄレーザー２８からの着色用ビームスポットが照
射される。この着色用レーザービームは、ＮＤフィルタ
２７、着色ビーム制御信号により制御される制御用素子
２６、コリメータレンズ２５、着色用スポット形状を制
御するための光学素子２４、ダイクロックミラー２９を
通り、対物レンズ２３により光ディスク２０上に照射さ
れる。この着色用ビームスポットは、再生用ビームスポ
ットに先行するように光ディスク２０に照射される。再
生用ビームスポットは、記録の際と同様に、半導体レー
ザー３２から照射されたビームを対物レンズ２３により
光記録媒体２０上に集光して照射される。着色用ビーム
スポットは、光学素子２４により、再生光ビームスポッ
トよりも大きいスポット形状となるように調整されてい
る。ここでは、記録再生用のビームスポットは略真円状
でスポット径１．３μｍとなるように形成されており、
着色用ビームスポットのスポット径は２．２μｍとなる
ように形成されている。
【００４７】光ディスク２０の記録層を通り反射してき
た再生光ビームスポットは、ダイクロックミラー２９を
通り偏光ビームスプリッター３０によりサーボ用・信号
検出用光学系３３に送られ再生信号が取り出される。ま
たサーボ用信号は、制御回路３４に送られ、制御回路３
４からは対物レンズ２３を調整するための制御信号が送
られる。
た再生光ビームスポットは、ダイクロックミラー２９を
通り偏光ビームスプリッター３０によりサーボ用・信号
検出用光学系３３に送られ再生信号が取り出される。ま
たサーボ用信号は、制御回路３４に送られ、制御回路３
４からは対物レンズ２３を調整するための制御信号が送
られる。
【００４８】以上説明したような記録再生装置を用い、
上記各光記録媒体に対し、マスク層が消色状態のとき、
すなわちマスク層の透過率が大きい状態のときに、波長
６７０ｎｍの半導体レーザービームを用いて、周波数３
００ｋ〜６ＭＨｚの信号を、記録パワー７ｍＷ、相対速
度５．５ｍ／秒で磁界変調記録を行った。また記録した
情報を、再生光ビームパワー６ｍＷ、着色光ビームパワ
ー５ｍＷで再生し、周波数と再生出力の関係を測定し
た。
上記各光記録媒体に対し、マスク層が消色状態のとき、
すなわちマスク層の透過率が大きい状態のときに、波長
６７０ｎｍの半導体レーザービームを用いて、周波数３
００ｋ〜６ＭＨｚの信号を、記録パワー７ｍＷ、相対速
度５．５ｍ／秒で磁界変調記録を行った。また記録した
情報を、再生光ビームパワー６ｍＷ、着色光ビームパワ
ー５ｍＷで再生し、周波数と再生出力の関係を測定し
た。
【００４９】図１０は、このようにして測定した周波数
特性と出力との関係を示す図である。図１０に示すよう
に、周波数３００ｋＨｚの出力を基準の０ｄＢとして、
出力が６ｄＢ低下するときの周波数を比較すると、比較
例１が約４．７ＭＨｚであり、比較例２が約４．５ＭＨ
ｚであるのに対し、実施例では、５．８ＭＨｚである。
このように、本発明に従う実施例の光記録媒体では、大
幅に線記録密度が向上していることがわかる。このよう
に熱によりフォトクロミック反応が促進するマスク層を
設けることにより、超解像効果が大きくなり、線記録密
度を向上させることができる。また線記録密度の向上と
同様に、トラック密度の向上も図ることができる。
特性と出力との関係を示す図である。図１０に示すよう
に、周波数３００ｋＨｚの出力を基準の０ｄＢとして、
出力が６ｄＢ低下するときの周波数を比較すると、比較
例１が約４．７ＭＨｚであり、比較例２が約４．５ＭＨ
ｚであるのに対し、実施例では、５．８ＭＨｚである。
このように、本発明に従う実施例の光記録媒体では、大
幅に線記録密度が向上していることがわかる。このよう
に熱によりフォトクロミック反応が促進するマスク層を
設けることにより、超解像効果が大きくなり、線記録密
度を向上させることができる。また線記録密度の向上と
同様に、トラック密度の向上も図ることができる。
【００５０】上記実施例では、ジアリールエテン系フォ
トクロミック材料を用いた例を示したが、マスク層に用
いられる材料は、このような材料に限定されるものでは
なく、熱によって促進されるフォトクロミック反応で消
色反応を起こす材料であればよい。例えば、日本化学会
誌 No.8(1895)p.1598において示されている、次式のよ
うな構造を有するフルギド系化合物を、本発明における
マスク層の材料として用いることができる。
トクロミック材料を用いた例を示したが、マスク層に用
いられる材料は、このような材料に限定されるものでは
なく、熱によって促進されるフォトクロミック反応で消
色反応を起こす材料であればよい。例えば、日本化学会
誌 No.8(1895)p.1598において示されている、次式のよ
うな構造を有するフルギド系化合物を、本発明における
マスク層の材料として用いることができる。
【００５１】
【化９】
【００５２】図６は、上記構造を有するフルギド系化合
物の吸収スペクトルを示しており、（ｉ）が消色状態を
示し、（ii）が着色状態を示している。このフルギド系
化合物は、消色反応であるフォトクロミック反応の量子
収率が、温度の上昇とともに増大する。従って消色反応
であるフォトクロミック反応が熱によって促進され、所
定の温度で急激にフォトクロミック反応が進行し、非線
形性を示す。従って、このような材料も、本発明におけ
るマスク層として使用することができる。
物の吸収スペクトルを示しており、（ｉ）が消色状態を
示し、（ii）が着色状態を示している。このフルギド系
化合物は、消色反応であるフォトクロミック反応の量子
収率が、温度の上昇とともに増大する。従って消色反応
であるフォトクロミック反応が熱によって促進され、所
定の温度で急激にフォトクロミック反応が進行し、非線
形性を示す。従って、このような材料も、本発明におけ
るマスク層として使用することができる。
【００５３】また上記実施例では、記録層として光磁気
記録材料を用いた例を示したが、本発明は、このような
材料に限定されるものではなく、コンパクトディスクの
ようなピット形成による記録媒体や相変化型媒体にも適
用することができ、また短波長レーザーやマークエッジ
記録にも容易に適用することができる。
記録材料を用いた例を示したが、本発明は、このような
材料に限定されるものではなく、コンパクトディスクの
ようなピット形成による記録媒体や相変化型媒体にも適
用することができ、また短波長レーザーやマークエッジ
記録にも容易に適用することができる。
【００５４】また、着色ビーム光源としても、マスク層
の吸収特性が最適化されれば、ＳＨＧレーザーや、今後
実用化されると予想される青色半導体レーザー等も使用
することができる。またこれらのレーザーを再生用の光
源として用いることもできる。
の吸収特性が最適化されれば、ＳＨＧレーザーや、今後
実用化されると予想される青色半導体レーザー等も使用
することができる。またこれらのレーザーを再生用の光
源として用いることもできる。
【００５５】また、上記実施例では、着色用ビームスポ
ット及び再生用ビームスポットを同一の対物レンズで光
記録媒体上に集光したが、それぞれ別個の光学系によっ
て光記録媒体上に集光することも可能である。
ット及び再生用ビームスポットを同一の対物レンズで光
記録媒体上に集光したが、それぞれ別個の光学系によっ
て光記録媒体上に集光することも可能である。
【００５６】
【発明の効果】本発明では、マスク層として、再生光の
照射により熱反応または熱により促進されるフォトクロ
ミック反応で再生光の波長における吸収が小さくなる状
態に変化するマスク層を用いている。このようなマスク
層の消色反応は、所定の温度で急激に進行するので、大
きな非線形性を発現することができる。従って、このよ
うなマスク層を設けることにより超解像効果が得られ、
再生の際の実効スポット径を再生光ビームスポットより
も小さくすることができ、高密度な情報の記録再生が可
能となる。
照射により熱反応または熱により促進されるフォトクロ
ミック反応で再生光の波長における吸収が小さくなる状
態に変化するマスク層を用いている。このようなマスク
層の消色反応は、所定の温度で急激に進行するので、大
きな非線形性を発現することができる。従って、このよ
うなマスク層を設けることにより超解像効果が得られ、
再生の際の実効スポット径を再生光ビームスポットより
も小さくすることができ、高密度な情報の記録再生が可
能となる。
【００５７】また、マスク層は加熱または加熱とともに
行う光照射により消色させることができ、光学的に透明
にすることができるので、マスク層を設けない媒体と同
様にして扱うことができ、互換性を保つことが可能にな
る。
行う光照射により消色させることができ、光学的に透明
にすることができるので、マスク層を設けない媒体と同
様にして扱うことができ、互換性を保つことが可能にな
る。
【図１】照射光量に対するマスク層透過率の非線形的な
変化を説明するための図。
変化を説明するための図。
【図２】本発明に従う一実施例における再生方法を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図３】本発明に従う一実施例で用いたフォトクロミッ
ク材料の吸収スペクトルを示す図。
ク材料の吸収スペクトルを示す図。
【図４】本発明に従う一実施例の光記録媒体の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図５】本発明に従う一実施例の再生信号の周波数特性
を示す図。
を示す図。
【図６】本発明において用いることができる他のフォト
クロミック材料の吸収スペクトルを示す図。
クロミック材料の吸収スペクトルを示す図。
【図７】本発明においてマスク層に用いることができる
ジアリールエテン系フォトクロミック化合物の反応感度
の温度依存性を示す図。
ジアリールエテン系フォトクロミック化合物の反応感度
の温度依存性を示す図。
【図８】本発明に従う他の実施例の光記録媒体の構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図９】本発明の実施例において用いられる記録再生装
置を示す構成図。
置を示す構成図。
【図１０】本発明に従う実施例の光記録媒体を再生する
際の周波数特性と出力との関係を示す図。
際の周波数特性と出力との関係を示す図。
１…着色光スポット ２…着色領域 ３…再生光スポット ４…再生光スポットによる消色領域 １１…読み出し中の記録マーク １２…読み出し後の記録マーク １３…読み出し前の記録マーク １４…隣接トラックの記録マーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立園 史生 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 記録層と、 再生光照射による熱反応で、消色反応が進行し再生光波
長における吸収が小さくなる状態に変化するマスク層と
を備える光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層と、 再生光照射による熱でフォトクロミック反応による消色
反応が促進され、再生光波長における吸収が小さくなる
状態に変化するマスク層とを備える光記録媒体。 - 【請求項３】 前記マスク層が、前記再生光と異なる特
定波長の光照射によりフォトクロミック反応で前記再生
光の波長における吸収が大きくなる状態に変化する請求
項１または２に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記マスク層が、前記記録層の前記再生
光入射側に設けられる請求項１〜３のいずれか１項に記
載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記マスク層に、下記一般式で示される
ジアリールエテン系材料が含まれている請求項２〜４の
いずれか１項に記載の光記録媒体。 【化１】 （ここで、Ｒ1 〜Ｒ5 は、アルキル基、ハロゲン原子、
水素原子、トリフルオロメチル基、アルコキシ基、シア
ノ基、アミノ基、またはジメチルアミノ基を示し、Ｂは
炭化水素環または複素環を示す。） - 【請求項６】 請求項１、３、４または５に記載の光記
録媒体の記録層に再生光を照射して記録された情報を再
生する方法であって、 前記マスク層の前記再生光波長での透過率を低下させる
ため、特定波長の光を前記マスク層に照射する工程と、 前記透過率が低下したマスク層に前記再生光を照射する
ことにより熱反応を起こし、再生光スポットに対応する
マスク層の一部の透過率を高めて前記記録層に再生光を
照射する工程とを備える光記録媒体の再生方法。 - 【請求項７】 請求項２〜４のいずれか１項に記載の光
記録媒体の記録層に再生光を照射して記録された情報を
再生する方法であって、 前記マスク層の前記再生光波長での透過率を低下させる
ため、特定波長の光を前記マスク層に照射する工程と、 前記透過率が低下したマスク層に前記再生光を照射する
ことにより、熱により促進されるフォトクロミック反応
を起こし、再生光スポットに対応するマスク層の一部の
透過率を高めて前記記録層に再生光を照射する工程とを
備える光記録媒体の再生方法。 - 【請求項８】 前記特定波長光のスポットの大きさが前
記再生光スポットの大きさよりも大きいことを特徴とす
る請求項６または７に記載の光記録媒体の再生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6265687A JPH07311979A (ja) | 1994-03-24 | 1994-10-28 | 光記録媒体及びその再生方法 |
| US08/407,857 US5604002A (en) | 1994-03-24 | 1995-03-21 | Optical recording medium and reproducing method therefor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-54164 | 1994-03-24 | ||
| JP5416494 | 1994-03-24 | ||
| JP6265687A JPH07311979A (ja) | 1994-03-24 | 1994-10-28 | 光記録媒体及びその再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07311979A true JPH07311979A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=26394907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6265687A Pending JPH07311979A (ja) | 1994-03-24 | 1994-10-28 | 光記録媒体及びその再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5604002A (ja) |
| JP (1) | JPH07311979A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003082340A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Masahiro Irie | フォトクロミック材料およびその製造方法並びに記録表示媒体 |
| JP2005225006A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Pilot Ink Co Ltd | 装飾用貼着材における色彩記憶性光変色機能の互変的発現方法、及び互変的色彩記憶性光変色性装飾用貼着材 |
| CN100428349C (zh) * | 2006-08-24 | 2008-10-22 | 清华大学 | 光致变色二芳烯化合物的新用途 |
| JP2015141627A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 富士通フロンテック株式会社 | 自動取引装置、自動取引システム、及び、おつり返却方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09128803A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sony Corp | 光ディスク |
| JPH1011756A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学デバイスの光学的操作方法及び光学制御デバイス |
| JPH10340482A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Hitachi Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP3648378B2 (ja) * | 1998-03-20 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | 光ディスク |
| US6191384B1 (en) | 1998-05-05 | 2001-02-20 | Tapematic S.P.A. | Apparatus for trimming dye coated on a recordable disc substrate and related method |
| US6609203B1 (en) * | 1998-11-12 | 2003-08-19 | Global Anti-Piracy Systems, Inc. | Secure optically readable memory usable in connection with a limited number of machines |
| US6661745B1 (en) * | 1999-03-29 | 2003-12-09 | Agency Of Industrial Science And Technology | Optical reproducing and recording method, recording medium, and optical device |
| AUPQ439299A0 (en) * | 1999-12-01 | 1999-12-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | Interface system |
| KR100501829B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2005-07-20 | 한국화학연구원 | 디아릴에텐 유도체와 이를 이용한 광변색 박막 |
| US7127066B2 (en) * | 2001-10-03 | 2006-10-24 | Now Showing Entertainment, Inc. | Limited use DVD-video disc |
| US20030174560A1 (en) * | 2002-02-26 | 2003-09-18 | Klaus-Hermann Dahmen | Photochromic compounds for molecular switches and optical memory |
| AU2003257320A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-25 | Simon Fraser University | Photochromic and electrochromic compounds and methods of synthesizing and using same |
| US7897296B2 (en) * | 2004-09-30 | 2011-03-01 | General Electric Company | Method for holographic storage |
| US20060078802A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-13 | Chan Kwok P | Holographic storage medium |
| WO2006110610A2 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | University Of Miami | Optical data storage and retrieval based on flourescent and photochromatic components |
| US8536205B2 (en) * | 2005-05-25 | 2013-09-17 | Switch Materials Inc. | Photochromic and electrochromic compounds and synthesis and use thereof |
| JP6208137B2 (ja) | 2011-09-30 | 2017-10-04 | スイッチ マテリアルズ インコーポレイテッドＳｗｉｔｃｈ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｃ． | ジアリールエテン化合物およびそれらの使用 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5234799A (en) * | 1990-02-17 | 1993-08-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photochromic material and rewritable optical recording medium |
| US5164287A (en) * | 1990-02-17 | 1992-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photochromic material and rewritable optical recording medium |
| US5215868A (en) * | 1990-07-06 | 1993-06-01 | Pioneer Electronic Corporation | Method for recording information via photo-recording medium |
| JPH0497242A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-30 | Sharp Corp | 情報記録再生方法 |
| JP2662308B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1997-10-08 | シャープ株式会社 | 光メモリー素子の製造方法 |
| JPH0512715A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Pioneer Electron Corp | 光記録媒体 |
| JPH05225611A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | 光記録再生方法および光記録媒体とその製造方法 |
| JP2650559B2 (ja) * | 1992-02-28 | 1997-09-03 | 日本ビクター株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH05266478A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Sharp Corp | 光メモリ素子及びそれを用いた再生方法 |
| JP3258423B2 (ja) * | 1992-04-16 | 2002-02-18 | 三洋電機株式会社 | 光学記録材料及びそれを用いた光記録媒体ならびにその記録再生方法 |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP6265687A patent/JPH07311979A/ja active Pending
-
1995
- 1995-03-21 US US08/407,857 patent/US5604002A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003082340A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Masahiro Irie | フォトクロミック材料およびその製造方法並びに記録表示媒体 |
| JP2005225006A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Pilot Ink Co Ltd | 装飾用貼着材における色彩記憶性光変色機能の互変的発現方法、及び互変的色彩記憶性光変色性装飾用貼着材 |
| CN100428349C (zh) * | 2006-08-24 | 2008-10-22 | 清华大学 | 光致变色二芳烯化合物的新用途 |
| JP2015141627A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 富士通フロンテック株式会社 | 自動取引装置、自動取引システム、及び、おつり返却方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5604002A (en) | 1997-02-18 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |