JP2002298445A - 光記録媒体及び光記録媒体製造用原盤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 浅い溝のグルーブと深い溝のグルーブを備え
た光記録媒体にあって、適切にそれらグルーブの深さを
設定する。 【解決手段】 第１の記録トラックTrackＡ及び第２の
記録トラックTrackＢと、これら第１の記録トラックTra
ckＡ及び第２の記録トラックTrackＢに沿って深さｄ１
で螺旋状に形成される第１のグルーブ６と、第１の記録
トラックTrackＡ及び第２の記録トラックTrackＢに沿っ
て第１のグルーブ６と２重螺旋を描くように形成される
深さｄ２（ｄ１＜ｄ２）の第２のグルーブ７とを備え、
第１の光の検出出力と第２の光の検出出力との和信号の
ＡＣ成分をＤＣ成分に比して０．１５以下とする条件を
満たして、第１のグルーブの深さｄ１に対して第２のグ
ルーブの深さｄ２を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ランドからなる記
録トラックに沿ってグルーブが形成されてなる光記録媒
体に関する。また、本発明は、そのような光記録媒体を
製造する際に使用される光記録媒体製造用原盤に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクのうち、光磁気ディスクや相
変化型光ディスクのように書き込みが可能な光ディスク
では、通常、記録トラックに沿ったグルーブ（groove）
がディスク基板に形成される。ここで、グルーブとは、
主にトラッキングサーボを行えるようにするために、記
録トラックに沿って形成される、いわゆる案内溝のこと
である。なお、グルーブとグルーブの間の部分は、ラン
ド（land）と称される。

【０００３】ところで、前記書き込みが可能な光ディス
クでは、高密度化を達成するために、トラック密度を高
めることが線密度を高めることと並んで有効である。ト
ラック密度を高める方法としては、ランドとグルーブの
双方に信号を記録する方法としてランド＆グルーブ（La
nd&Groove）方式と、本件出願人が特開平１１−２９６
９１０号公報に開示しているようにランドを挟んで２重
螺旋状に描くように形成する二つのグルーブを浅い（Sh
allow）溝、深い（Deep）溝にする方法としてシャロー
＆ディープ（Shallow&Deep）方式がある。

【０００４】このうち前記特開平１１−２９６９１０号
公報に開示の、グルーブの深さを変えるShallow&Deep方
式を、ランドに信号を記録する場合を例として説明す
る。従来の光ディスクにおいては隣接するトラックのグ
ルーブの深さ及び幅は等しいが、この形状でトラックピ
ッチを詰めるとトラックの空間周波数がＭＴＦ（Modula
tion Transfer Function）を超え、トラッキング信号が
発生しない。このため、記録再生特性としてはさらに密
度を高められる可能性を残しながらも、トラッキングを
かけられないという理由で、トラック密度が制限されて
いた。前記Shallow&Deep方式では、１本おきにグルーブ
の深さを変える。これにより、トラックピッチの１／２
の周波数成分が発生し、トラッキングエラー信号が得ら
れる。Shallow&Deep方式では例えばトラックを二つにす
るというような場合でも二つのトラックの形状は鏡面対
象であり、記録特性を揃えることが容易となる。前記La
nd&Groove方式ではランドとグルーブという異なる部分
に信号を記録するために記録特性差が生じるのに対し対
照的であり、Shallow&Deep方式の長所となっている。

【０００５】Shallow&Deep方式ではトラッキングエラー
信号がトラック二つを単位とした周期となるため、通常
トラックの場合とは差信号、和信号ともに異なる。また
二つのグルーブの深さによって差信号、和信号の大きさ
も異なる。和信号とは反射回折された第１の光の検出出
力と反射回折された第２の光の検出出力の和信号のこと
である。差信号はプッシュプル信号とも呼ばれるもので
ある。また、前記和信号はクロストラック信号とも呼ば
れるものである。

【０００６】例えば、近年の高密度記録光ディスクで
は、プッシュプル信号を用いてトラッキングサーボを安
定に行おうとすると、プッシュプル信号振幅比を０．１
５程度以上必要とする。また、クロストラック信号を用
いてシークを安定に行おうとすると、クロストラック信
号を０．０６程度以上必要とする。ここで、プッシュプ
ル信号振幅比は、プッシュプル信号のＡＣ成分のミラー
反射成分すなわちディスク鏡面での和信号の最大値に対
する比である。また、クロストラック信号振幅もクロス
トラック信号のＡＣ成分のミラー反射成分に対する比で
ある。

【０００７】ところで、近年、前記Shallow&Deep方式に
よる光ディスクの第１のグルーブである浅い（Shallo
w）溝の深さを、前記特開平１１−２９６９１０号公報
にて開示していたときの深さよりも深くし、第２のグル
ーブの深さをさらに深くすると、さらに高密度記録が可
能になるタイプの光ディスクが考えられるようになっ
た。

【０００８】磁壁移動検出（Domain Wall Displacement
Detection：ＤＷＤＤ）によって記録マークが検出され
るタイプの光ディスクに、前記Shallow&Deep方式を採用
した場合である。ＤＷＤＤは、再生時の光スポットより
も小さな記録マークを、光スポットで誘起された熱分布
により、磁区拡大して読み取る技術である。磁壁移動検
出は、マークのエッジをきれいに検出できるので、いわ
ゆる「マークエッジ記録」を採用した光磁気ディスクを
再生する場合に適している。

【０００９】このＤＷＤＤによって記録信号を再生する
タイプの光ディスクと前記Shallow&Deep方式とを組み合
わせたとき、ＤＷＤＤではグルーブが例えば１００ｎｍ
以上のようにある程度深くする必要があるといわれてい
るので、前記第１のグループを１００ｎｍ、第２のグル
ーブをさらに深くする必要がある。

【００１０】

【課題が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みてなされたものであり、例えば、前記ＤＷＤＤによ
って記録マークが検出されるタイプの光ディスクのよう
に元々溝の深いグルーブに、前記Shallow&Deep方式を適
用したときに、適切な第１グルーブ（Shallow）と第２
グルーブ（Deep）の深さを設定できる光記録媒体及び光
記録媒体製造用原盤の提供を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願発明は、光が照射さ
れて記録及び／又は再生がなされる光記録媒体におい
て、上記記録媒体にらせん状に形成されたランドと、前
記ランドの一方の面に沿って形成される深さｄ１の第１
のグルーブと、前記ランドの他方の面に沿って前記第１
のグルーブと異なる深さｄ２の第２のグルーブとを備
え、上記記録媒体に照射された上記光の反射光を上記ラ
ンドまたはグルーブによるトラック中心に対して対称に
配置された二つの光検出器により検出し、一方の光検出
出力をＡ、他方の光検出出力をＢとしたとき、Ａ＋Ｂで
表される和信号のＡＣ成分をＤＣ成分に比して０．１５
以下とする条件を満たす上記ｄ１とｄ２とが設定された
光記録媒体を提供することを目的としている。

【００１２】更に、本願発明は、光が照射されて記録及
び／又は再生がなされる光記録媒体を製造する際に使用
される光記録媒体製造用原盤において、上記記録媒体に
らせん状に形成されたランドと、前記ランドの一方の面
に沿って形成される深さｄ１の第１のグルーブと、前記
ランドの他方の面に沿って前記第１のグルーブと異なる
深さｄ２の第２のグルーブとを備え、上記記録媒体に照
射された上記光の反射光を上記ランドまたはグルーブに
よるトラック中心に対して対称に配置された二つの光検
出器により検出し、一方の光検出出力をＡ、他方の光検
出出力をＢとしたとき、Ａ＋Ｂで表される和信号のＡＣ
成分をＤＣ成分に比して０．１５以下とする条件を満た
す上記ｄ１とｄ２とが設定された光記録媒体を製造する
ために用いられる光記録媒体製造用原盤を提供すること
を目的としている。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。先ず、本発明を適用し
た光磁気ディスクについて説明する。この光磁気ディス
クは、磁気光学（ＭＯ）効果によりマークが記録される
とともに、磁壁移動検出（Domain Wall Displacement D
etection：ＤＷＤＤ）によって記録マークが検出される
タイプの光磁気ディスクである。

【００１４】また、この光磁気ディスクは、図１に示す
ように、第１の記録トラックTrackＡ及び第２の記録ト
ラックTrackＢと、これら第１の記録トラックTrackＡ及
び第２の記録トラックTrackＢに沿って深さｄ１で螺旋
状に形成される第１のグルーブ６と、第１の記録トラッ
クTrackＡ及び第２の記録トラックTrackＢに沿って第１
のグルーブ６と２重螺旋を描くように形成される深さｄ
２（ｄ１＜ｄ２）の第２のグルーブ７とを備える。そし
て、第１のグルーブ６から反射回折された第１の光の検
出出力と第２のグルーブ７から反射回折された第２の光
の検出出力との和信号のＡＣ成分をＤＣ成分に比して
０．１５以下とする条件を満たして、第１のグルーブの
深さｄ１に対して第２のグルーブの深さｄ２を設定して
なる。

【００１５】第１のグルーブ６は、±１０ｎｍの振幅に
て一定の周期で蛇行するように形成されたウォブリング
グルーブである。以降第１のグルーブ６をウォブリング
グルーブ６とも呼ぶ。また、第２のグルーブ７は、スト
レートグルーブである。すなわち、この光磁気ディスク
は、一方のグルーブ（すなわちウォブリンググルーブ
６）を蛇行させることにより、グルーブにアドレス情報
を付加している。以降第２のグルーブ７はストレートグ
ルーブとも呼ぶ。

【００１６】第１の記録トラックTrackＡは、ウォブリ
ンググルーブ６とストレートグルーブ７の間の部分のラ
ンドであって、ディスク内周側がストレートグルーブ７
となっており、情報信号が記録される場所である。第２
の記録トラックTrackＢは、ウォブリンググルーブ６と
ストレートグルーブ７の間の部分のランドであって、デ
ィスク内周側がウォブリンググルーブ６となっており、
情報信号が記録される場所である。

【００１７】ここでは、２重螺旋状に形成されてなる二
つのグルーブがウォブリンググルーブ６とストレートグ
ルーブ７からなる例を挙げる。しかし本発明に係る光記
録媒体において、これら二つのグルーブは、両方ともス
トレートグルーブであっても良い。また両方ともウォブ
ルグルーブであってもよい。なお、グルーブをウォブリ
ングさせた場合には、グルーブ自体にアドレス情報を付
加することができるという利点がある。しかも、本例の
ように、一方のグルーブをウォブリンググルーブとし、
他方のグルーブをストレートグルーブとした場合には、
両方のグルーブをウォブリンググルーブとした場合に比
べて、狭トラック化をはかり易いので、さらなる高密度
化を実現できる。

【００１８】そして、この光磁気ディスク１において、
トラックピッチTPitchは０．５μｍとされている。ここ
で、トラックピッチTPitchは、ウォブリンググルーブ６
とストレートグルーブ７の中心位置の間隔に相当する。
すなわち、この光磁気ディスクにおいて、ウォブリング
グルーブ６とストレートグルーブ７の中心位置の間隔
は、０．５０μｍとされている。また、隣接するストレ
ートグルーブ７の中心位置の間隔のことをトラックピリ
オドTPeriodと称する。

【００１９】図２に示すように、この光磁気ディスク
は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリカー
ボネート（ＰＣ）等からなるディスク基板２と、ＭＯに
より信号が記録されるとともにＤＷＤＤにより信号が再
生される信号層３と、信号層３を保護する保護層４とか
ら形成されている。さらに信号層３は、光ピックアップ
の再生時の光スポットよりも小さなマークが記録される
記録層と、光ピックアップの再生時の光スポットで誘起
された熱分布により前記小さなマークを磁区拡大して読
み取る拡大層とを、それらの間にスイッチング層を挟ん
で積層して構成されている。

【００２０】そして、本発明を適用してなる光磁気ディ
スクでは、ウォブリンググルーブ６とストレートグルー
ブ７とが、それらの深さｄ１と、ｄ２とが異なるように
形成されている。以下、それらの深さｄ１、ｄ２の設定
について詳細に説明する。

【００２１】先ず、図３にはShallow&Deep方式を適用し
ていない、これまでの光ディスクの差信号と、和信号の
波形を、光ピックアップにより形成されたメインスポッ
トのランドＬとグルーブＧ上の位置に対応するように示
す。図３の（ａ）はランドＬすなわちトラックＴからの
グルーブＧの深さを示す。図３の（ｂ）は差信号の波形
を、図３の（ｃ）は和信号の波形を示す。横軸はディス
ク上の半径方向への距離を示し、縦軸は（ａ）にあって
は深さ、（ｂ）及び（ｃ）にあってはレベルを示す。

【００２２】ここで、差信号とは、図４に示すように、
ウォブリンググルーブ６から反射回折された第１の光の
検出出力Ａとストレートグルーブ７から反射回折された
第２の光の検出出力Ｂとの差信号Ａ−Ｂ、つまりプッシ
ュプル信号のことである。また、和信号とは前記第１の
光の検出出力Ａと前記第２の光の検出出力Ｂの和信号Ａ
＋Ｂ、つまりクロストラック信号のことである。

【００２３】図３において、メインスポットがトラック
ＴすなわちランドＬの中心Ｃにあるとき、図３の（ｃ）
に示す和信号は最大となる。トラック反射率が最大とな
るからである。また、メインスポットがトラック中心Ｃ
からデトラックするにつれ和信号は低下する。トラック
中心Ｃでは、和信号は＋ピーク値、つまり和信号の曲線
の微分値が０であることからも分かるように、デトラッ
クしたときの和信号の変動は比較的小さい。

【００２４】次に、図５には、Shallow&Deep方式を適用
した光ディスクの差信号と、和信号の波形を、光ピック
アップにより形成されたメインスポットのランドＬとグ
ルーブＧ上の位置に対応するように示す。図５の（ａ）
はランドＬ（トラックＴ）からのグルーブＧの深さを示
す。図５の（ｂ）は差信号の波形を、図５の（ｃ）は和
信号の波形を示す。横軸はディスク上の半径方向への距
離を示し、縦軸は（ａ）にあっては深さ、（ｂ）及び
（ｃ）にあってはレベルを示す。

【００２５】メインスポットがトラックＴ１、Ｔ２の中
心Ｃにあるとき、図５の（ｃ）に示す和信号はＤＣ成分
値と等しく、メインスポットがトラックＴ１又はＴ２の
中心Ｃから左右にデトラックするとＡＣ成分の影響によ
り、トラック反射率が激しく上下し、和信号も激しく上
下する。つまり、トラックＴ１又はＴ２の中心Ｃで和信
号曲線（図５の（ｃ））の微分値は最大であり、一番変
動が大きい位置であるためである。この変動を抑えるに
は、和信号のＡＣ成分の振幅を小さくすることが有効で
ある。

【００２６】トラック反射率は、記録の再生信号に影響
する。光磁気ディスクにおいて再生信号の大きさはトラ
ック反射率とカー回転角に比例するので、トラック反射
率の変動は再生信号の変動となる。

【００２７】したがって、トラック反射率に対する和信
号のＡＣ成分を小さくすることが、Shallow&Deep方式を
適用した光ディスクでは利点となる。例えば、ＤＷＤＤ
によって記録マークが検出されるタイプの光ディスクの
ように元々溝の深いグルーブにShallow&Deep方式を適用
した、上記実施の形態には特に有効である。

【００２８】なお、相変化ディスク等の反射率の変化を
記録信号とする光ディスクに前記Shallow&Deep方式を適
用したときにも、トラック反射率の変動はそのまま再生
信号の変動となるので有効である。

【００２９】ところで、従来の光ディスクにおいては、
和信号のＡＣ成分がある程度の値以上あることは、シー
クを安定に行うために必要であった。しかし、前記Shal
low&Deep方式を適用した光ディスクでは、和信号のＡＣ
成分は必須でなく、たとえそれが０であってもシークを
行える。

【００３０】このため、和信号のＡＣ成分のpeak to pe
ak値は、理想的には０が良いが、実用上はトラック上の
ＤＣ成分に対して０．１５以下であればよい。すなわ
ち、和信号のＡＣ成分をＤＣ成分に比して０．１５以下
とする条件を満たせばよい。

【００３１】これに対して、メインスポットがトラック
Ｔ１、Ｔ２の中心Ｃにあるとき、図５の（ｂ）に示す差
信号は最大又は最小となる。メインスポットがトラック
中心Ｃからデトラックするにつれ差信号は低下、又は増
加する。しかし、トラック中心Ｃで、差信号は＋ピーク
値、又は−ピーク値であり、差信号の曲線の微分値が０
であることからも分かるように、デトラックしたときの
差信号の変動は比較的小さい。

【００３２】よって、差信号のＡＣ成分はある程度大き
い方がよい。近年の高密度記録光ディスクと同様に、プ
ッシュプル信号を用いてトラッキングサーボを安定に行
うために、差信号のＡＣ成分をＤＣ成分に比して０．１
５以上とする条件を満たすようにすればよい。

【００３３】次に、ＤＷＤＤにより記録信号が再生され
る光磁気ディスクに、Shallow&Deep方式を適用した場合
の、前記第１のグルーブの深さｄ１と、第２のグルーブ
の深さｄ２の設定具体例について説明する。

【００３４】光ピックアップから照射されるレーザ光が
赤色レーザであるとき、現行技術、すなわち、前記Shal
low&Deep方式を適用せずに、ＤＷＤＤ動作を安定に行わ
せるためには、グルーブを１００ｎｍ以上にする必要が
ある。そこで、前記Shallow&Deep方式を適用すると、浅
い（Shallow）溝が１００ｎｍとなる。これに対して深
い（Deep）溝をどの位に設定すべきかが問題となる。

【００３５】図６には、第１グルーブの浅い（Shallo
w）溝を１００ｎｍとしたときに、第２グルーブの深い
（Deep）溝を変化させた場合の、和信号のＡＣ成分のＤ
Ｃ成分に対するレベル比と、差信号のＡＣ成分のＤＣ成
分に対するレベル比を示す。照射したレーザ光の波長λ
は６６０ｎｍ、光学系の開口数ＮＡは０．５２である。

【００３６】差信号のＡＣ成分のＤＣ成分に対するレベ
ル比を０．１５以上、和信号のＡＣ成分のＤＣ成分に対
するレベル比を０．１５という条件で選択すると、第２
グルーブの溝の深さｄ２は、１５３〜２００ｎｍという
範囲で選択できることになるが、上述したように和信号
のＡＣ成分のＤＣ成分に対するレベル比は理想的には０
がよいので、ｄ２を１７０ｎｍ前後にするのが望まし
い。もちろん、ｄ２を２００ｎｍとすることも上記条件
を満たしているので可能ではあるが、２００ｎｍという
深さのグルーブは非常に深いものであり、ディスクの成
型を難しくする。

【００３７】よって、ＤＷＤＤにより記録信号が再生さ
れる光磁気ディスクに、Shallow&Deep方式を適用した場
合の、第１のグルーブの深さｄ１と、第２のグルーブの
深さｄ２は、ｄ１＝１００ｎｍ、ｄ２＝１７０ｎｍ前後
に設定できる。

【００３８】以上より、図１に示した光磁気ディスクで
は、ウォブリンググルーブ６の深さｄ１を１００ｎｍと
し、ストレートグルーブ７の深さを例えば１７２ｎｍと
することにより、トラッキングサーボに必要な信号を充
分なレベルで得ることができる。

【００３９】以上のような光磁気ディスクを製造する際
には、この光磁気ディスクの原盤となる光記録媒体製造
用原盤の作製にレーザカッティング装置が使用される。
以下、光記録媒体製造用原盤の作製に使用されるレーザ
カッティング装置の一例について、図７を参照して詳細
に説明する。

【００４０】図７に示したレーザカッティング装置１０
は、ガラス基板１１の上に塗布されたフォトレジスト１
２を露光して潜像を形成するためのものである。このレ
ーザカッティング装置１０でフォトレジスト１２に潜像
を形成する際、フォトレジスト１２が塗布されたガラス
基板１１は、移動光学テーブル上に設けられた回転駆動
装置に取り付けられる。そして、フォトレジスト１２を
露光する際、ガラス基板１１は、フォトレジスト１２の
全面にわたって所望のパターンでの露光がなされるよう
に、図中矢印Ａ１に示すように回転駆動装置によって回
転駆動されるとともに、移動光学テーブルによって平行
移動される。

【００４１】このレーザカッティング装置１０は、２つ
の露光ビームによってフォトレジスト１２を露光するこ
とが可能となっており、ウォブリンググルーブ６に対応
した潜像と、ストレートグルーブ７に対応した潜像と
を、それぞれの露光ビームにより形成する。すなわち、
このレーザカッティング装置１０では、第１の露光ビー
ムによってウォブリンググルーブ６に対応した潜像を形
成し、第２の露光ビームによってストレートグルーブ７
に対応した潜像を形成する。

【００４２】このレーザカッティング装置１０は、レー
ザ光を出射する光源１３と、光源１３から出射されたレ
ーザ光の光強度を調整するための電気光学変調器（ＥＯ
Ｍ：Electro Optical Modulator）１４と、電気光学変
調器１４から出射されたレーザ光の光軸上に配された検
光子１５と、検光子１５を透過してきたレーザ光を反射
光と透過光とに分割する第１のビームスプリッタ１７
と、第１のビームスプリッタ１７を透過してきたレーザ
光を反射光と透過光とに分割する第２のビームスプリッ
タ１８と、第２のビームスプリッタ１８を透過してきた
レーザ光を検出するフォトディテクタ（ＰＤ：Photo De
tector）１９と、電気光学変調器１４に対して信号電界
を印加して当該電気光学変調器１４から出射されるレー
ザ光強度を調整するオートパワーコントローラ（ＡＰ
Ｃ：Auto Power Controller）２０とを備えている。

【００４３】上記レーザカッティング装置１０におい
て、光源１３から出射されたレーザ光は、先ず、オート
パワーコントローラ２０から印加される信号電界によっ
て駆動される電気光学変調器１４によって所定の光強度
とされた上で検光子１５に入射する。ここで、検光子１
５はＳ偏光だけを透過する検光子であり、この検光子１
５を透過してきたレーザ光はＳ偏光となる。

【００４４】なお、光源１３には、任意のものが使用可
能であるが、比較的に短波長のレーザ光を出射するもの
が好ましい。具体的には、例えば、波長λが３５１ｎｍ
のレーザ光を出射するＫｒレーザや、波長λが４４２ｎ
ｍのレーザ光を出射するＨｅ−Ｃｄレーザなどが、光源
１３として好適である。

【００４５】そして、検光子１５を透過してきたＳ偏光
のレーザ光は、先ず、第１のビームスプリッタ１７によ
って反射光と透過光とに分けられ、更に、第１のビーム
スプリッタ１７を透過したレーザ光は、第２のビームス
プリッタ１８によって反射光と透過光とに分けられる。
なお、このレーザカッティング装置１０では、第１のビ
ームスプリッタ１７によって反射されたレーザ光が第１
の露光ビームとなり、第２のビームスプリッタ１８によ
って反射されたレーザ光が第２の露光ビームとなる。

【００４６】第２のビームスプリッタ１８を透過したレ
ーザ光は、フォトディテクタ１９によって、その光強度
が検出され、当該光強度に応じた信号がフォトディテク
タ１９からオートパワーコントローラ２０に送られる。
そして、フォトディテクタ１９から送られてきた信号に
応じて、オートパワーコントローラ２０は、フォトディ
テクタ１９によって検出される光強度が所定のレベルに
て一定となるように、電気光学変調器１４に対して印加
する信号電界を調整する。これにより、電気光学変調器
１４から出射するレーザ光の光強度が一定となるよう
に、自動光量制御（ＡＰＣ：Auto Power Control）が施
され、ノイズの少ない安定したレーザ光が得られる。

【００４７】また、上記レーザカッティング装置１０
は、第１のビームスプリッタ１７によって反射されたレ
ーザ光を光強度変調するための第１の変調光学系２２
と、第２のビームスプリッタ１８によって反射されたレ
ーザ光を光強度変調するための第２の変調光学系２３
と、第１及び第２の変調光学系２２，２３によって光強
度変調が施された各レーザ光を再合成してフォトレジス
ト１２上に集光するための光学系２４とを備えている。

【００４８】そして、第１のビームスプリッタ１７によ
って反射されてなる第１の露光ビームは、第１の変調光
学系２２に導かれ、第１の変調光学系２２によって光強
度変調が施される。同様に、第２のビームスプリッタ１
８によって反射されてなる第２の露光ビームは、第２の
変調光学系２３に導かれ、第２の変調光学系２３によっ
て光強度変調が施される。

【００４９】すなわち、第１の変調光学系２２に入射し
た第１の露光ビームは、集光レンズ２９によって集光さ
れた上で音響光学変調器３０に入射し、この音響光学変
調器３０によって、所望する露光パターンに対応するよ
うに光強度変調される。ここで、音響光学変調器（ＡＯ
Ｍ）３０に使用される音響光学素子としては、例えば、
酸化テルル（ＴｅＯ2）からなる音響光学素子が好適で
ある。そして、音響光学変調器３０によって光強度変調
された第１の露光ビームは、コリメータレンズ３１によ
って平行光とされた上で、第１の変調光学系２２から出
射される。

【００５０】ここで、音響光学変調器３０には、当該音
響光学変調器３０を駆動するための駆動用ドライバ３２
が取り付けられている。そして、フォトレジストの露光
時には、所望する露光パターンに応じた信号Ｓ１が駆動
用ドライバ３２に入力され、当該信号Ｓ１に応じて駆動
用ドライバ３２によって音響光学変調器３０が駆動さ
れ、第２の露光ビームに対して光強度変調が施される。

【００５１】具体的には、例えば、一定の深さのウォブ
リンググルーブ６に対応したグルーブパターンの潜像を
フォトレジスト１２に形成するような場合には、一定レ
ベルのＤＣ信号が駆動用ドライバ３２に入力され、当該
ＤＣ信号に応じて駆動用ドライバ３２によって音響光学
変調器３０が駆動される。これにより、所望するグルー
ブパターンに対応するように、第１の露光ビームに対し
て光強度変調が施される。

【００５２】また、第２の変調光学系２３に入射した第
２の露光ビームは、集光レンズ３３によって集光された
上で音響光学変調器３４に入射し、この音響光学変調器
３４によって、所望する露光パターンに対応するように
光強度変調される。ここで、音響光学変調器３４に使用
される音響光学素子としては、例えば、酸化テルル（Ｔ
ｅＯ2）からなる音響光学素子が好適である。そして、
音響光学変調器３４によって光強度変調された第２の露
光ビームは、コリメータレンズ３５によって平行光とさ
れるとともに、λ／２波長板３６を透過することにより
偏光方向が９０°回転させられた上で、第２の変調光学
系２３から出射される。

【００５３】ここで、音響光学変調器３４には、当該音
響光学変調器３４を駆動するための駆動用ドライバ３７
が取り付けられている。そして、フォトレジスト１２の
露光時には、所望する露光パターンに応じた信号Ｓ２が
駆動用ドライバ３７に入力され、当該信号Ｓ２に応じて
駆動用ドライバ３７によって音響光学変調器３４が駆動
され、第２の露光ビームに対して光強度変調が施され
る。

【００５４】具体的には、例えば、一定の深さのストレ
ートグルーブ７に対応したグルーブパターンの潜像をフ
ォトレジスト１２に形成するような場合には、一定レベ
ルのＤＣ信号が駆動用ドライバ３７に入力され、当該Ｄ
Ｃ信号に応じて駆動用ドライバ３７によって音響光学変
調器３４が駆動される。これにより、所望するグルーブ
パターンに対応するように、第２の露光ビームに対して
光強度変調が施される。

【００５５】以上のようにして、第１の露光ビームは第
１の変調光学系２２によって光強度変調が施され、第２
の露光ビームは第２の変調光学系２３によって光強度変
調が施される。このとき、第１の変調光学系２２から出
射された第１の露光ビームはＳ偏光のままであるが、第
２の変調光学系２３から出射された第２の露光ビーム
は、λ／２波長板３６を透過することにより偏光方向が
９０°回転させられているので、Ｐ偏光となっている。

【００５６】そして、第１の変調光学系２２から出射さ
れた第１の露光ビームは、ミラー４１によって反射さ
れ、移動光学テーブル上に水平且つ平行に導かれ、偏向
光学系４６に入射する。そして、第１の露光ビームは、
偏向光学系４６によって光学偏向が施された上で、ミラ
ー４４によって反射されて進行方向が９０°曲げられた
上で偏光ビームスプリッタ４５に入射する。一方、第２
の変調光学系３２から出射された第２の露光ビームは、
ミラー４２によって反射され、移動光学テーブル上に水
平且つ平行に導かれ、そのまま偏光ビームスプリッタ４
５に入射する。

【００５７】ここで、偏向光学系４６は、ウォブリング
グルーブのウォブリングに対応するように、第１の露光
ビームに対して光学偏向を施すためのものである。すな
わち、第１の変調光学系２２から出射され偏向光学系４
６に入射した第１の露光ビームは、ウェッジプリズム４
７を介して音響光学偏向器（ＡＯＤ：Acousto Optical
Deflector）４８に入射し、この音響光学偏向器４８に
よって、所望する露光パターンに対応するように光学偏
向が施される。ここで、音響光学偏向器４８に使用され
る音響光学素子としては、例えば、酸化テルル（ＴｅＯ
2）からなる音響光学素子が好適である。そして、音響
光学偏向器４８によって光学偏向が施された第１の露光
ビームは、ウエッジプリズム４９を介して偏向光学系４
６から出射される。

【００５８】ここで、音響光学偏向器４８には、当該音
響光学偏向器４８を駆動するための駆動用ドライバ５０
が取り付けられており、当該駆動用ドライバ５０には、
電圧制御発振器（ＶＣＯ：Voltage Controlled Oscilla
tor）５１からの高周波信号が、アドレス情報を含む制
御信号Ｓ３によりＦＭ変調され供給される。そして、フ
ォトレジスト１２の露光時には、所望する露光パターン
に応じた信号が、電圧制御発振器５１から駆動用ドライ
バ５０に入力され、当該信号に応じて駆動用ドライバ５
０によって音響光学偏向器４８が駆動され、これによ
り、第１の露光ビームに対して光学偏向が施される。

【００５９】具体的には、例えば、周波数８４．６７２
ｋＨｚにてグルーブをウォブリングさせることにより、
グルーブにアドレス情報を付加するような場合には、例
えば中心周波数が２２４ＭＨｚの高周波信号を周波数８
４．６７２ｋＨｚの制御信号にてＦＭ変調した信号を、
電圧制御発振器５１から駆動用ドライバ５０に供給す
る。そして、この信号に応じて、駆動用ドライバ５０に
よって音響光学偏向器４８を駆動し、当該音響光学偏向
器４８の音響光学素子のブラッグ角を変化させ、これに
より、周波数８４．６７２ｋＨｚのウォブリングに対応
するように、第１の露光ビームに対して光学偏向を施
す。

【００６０】そして、このような偏向光学系４６によっ
て、ウォブリンググルーブ６のウォブリングに対応する
ように光学偏向が施された第１の露光ビームは、上述し
たように、ミラー４４によって反射されて進行方向が９
０°曲げられた上で偏光ビームスプリッタ４５に入射す
る。

【００６１】ここで、偏光ビームスプリッタ４５は、Ｓ
偏光を反射し、Ｐ偏光を透過するようになされている。
そして、第１の変調光学系２２から出射され偏向光学系
４６によって光学偏向が施された第１の露光ビームは、
Ｓ偏光であり、また、第２の変調光学系２３から出射さ
れた第２の露光ビームは、Ｐ偏光である。したがって、
第１の露光ビームは当該偏光ビームスプリッタ４５によ
って反射され、第２の露光ビームは当該偏光ビームスプ
リッタ４５を透過する。これにより、第１の変調光学系
２２から出射され偏向光学系４６によって光学偏向が施
された第１の露光ビームと、第２の変調光学系２３から
出射された第２の露光ビームとは、進行方向が同一方向
となるように再合成される。

【００６２】そして、進行方向が同一方向となるように
再合成されて偏光ビームスプリッタ４５から出射した第
１及び第２の露光ビームは、拡大レンズ５２によって所
定のビーム径とされた上でミラー５３によって反射され
て対物レンズ５４へと導かれ、当該対物レンズ５４によ
ってフォトレジスト１２上に集光される。これにより、
フォトレジスト１２が露光され、フォトレジスト１２に
潜像が形成されることとなる。このとき、フォトレジス
ト１２が塗布されているガラス基板１１は、上述したよ
うに、フォトレジスト１２の全面にわたって所望のパタ
ーンでの露光がなされるように、図中矢印Ａ１に示すよ
うに回転駆動装置によって回転駆動されるとともに、移
動光学テーブルによって平行移動される。この結果、第
１及び第２の露光ビームの照射軌跡に応じた潜像が、フ
ォトレジスト１２の全面にわたって形成されることとな
る。

【００６３】なお、露光ビームをフォトレジスト１２の
上に集光するための対物レンズ５４は、より微細なグル
ーブパターンを形成できるようにするために、開口数Ｎ
Ａが大きい方が好ましく、具体的には、開口数ＮＡが
０．９程度の対物レンズが好適である。

【００６４】また、このように第１及び第２の露光ビー
ムをフォトレジスト１２に照射する際は、必要に応じ
て、拡大レンズ５２によって第１及び第２の露光ビーム
のビーム径を変化させ、対物レンズ５４に対する有効開
口数を調整する。これにより、フォトレジスト１２の表
面に集光される第１及び第２の露光ビームのスポット径
を変化させることができる。

【００６５】ところで、偏光ビームスプリッタ４５に入
射した第１の露光ビームは、当該偏光ビームスプリッタ
４５の反射面にて、第２の露光ビームと合成される。こ
こで、偏光ビームスプリッタ４５は、当該偏向ビームス
プリッタの反射面が、当該反射面で合成されて出射され
る光の進行方向に対して適度な反射角をなすように配さ
れる。

【００６６】具体的には、偏光ビームスプリッタ４５の
反射面の反射角は、第１の露光ビームに対応するスポッ
トと、第２の露光ビームに対応するスポットとの、ガラ
ス基板１１の半径方向における間隔が、トラックピッチ
TPitchに対応するように設定しておく。これにより、第
１の露光ビームによりウォブリンググルーブ６に対応す
る部分を露光し、同時に、第２の露光ビームによりスト
レートグルーブ７に対応する部分を露光することが可能
となる。

【００６７】以上のようなレーザカッティング装置１０
では、ウォブリンググルーブ６に対応した潜像を形成す
るための第１の露光ビームに対応した光学系と、ストレ
ートグルーブ７に対応した潜像を形成するための第２の
露光ビームに対応した光学系とを備えているので、この
レーザカッティング装置１０だけで、ウォブリンググル
ーブ６に対応した潜像と、ストレートグルーブ７に対応
した潜像とをまとめて形成することができる。しかも、
このレーザカッティング装置１０では、第１の露光ビー
ムと第２の露光ビームとを合成するための偏向ビームス
プリッタ４５の向きを調整することにより、第１の露光
ビームの照射位置と第２の露光ビームの照射位置とを容
易に調整することができる。

【００６８】つぎに、図１及び図２に示した光磁気ディ
スク１の製造方法について、具体的な一例を挙げて詳細
に説明する。

【００６９】光磁気ディスク１を作製する際は、先ず、
原盤工程として、ウォブリンググルーブ６及びストレー
トグルーブ７に対応した凹凸パターンを有する光記録媒
体製造用原盤を作製する。

【００７０】この原盤工程においては、先ず、表面を研
磨した円盤状のガラス基板１１を洗浄し乾燥させ、その
後、このガラス基板１１上に感光材料であるフォトレジ
スト１２を塗布する。次に、このフォトレジスト１２を
上記レーザカッティング装置１０によって露光し、ウォ
ブリンググルーブ６及びストレートグルーブ７に対応し
た潜像をフォトレジスト１２に形成する。

【００７１】なお、後述する評価用光磁気ディスクを作
製する際、レーザカッティング装置１０の光源１３に
は、波長λが３５１ｎｍのレーザ光を出射するＫｒレー
ザを使用し、第１及び第２の露光ビームをフォトレジス
ト１２上に集光するための対物レンズ５４には、開口数
ＮＡが０．９のものを使用した。また、拡大レンズには
焦点距離が７０ｍｍのレンズを使用した。

【００７２】そして、フォトレジスト１２をレーザカッ
ティング装置１０によって露光する際は、第１及び第２
の露光ビームによってフォトレジスト１２を露光するこ
とにより、ウォブリンググルーブ６及びストレートグル
ーブ７に対応した潜像をフォトレジスト１２に形成す
る。

【００７３】ここで、第１の露光ビームによってフォト
レジスト１２を露光することにより、ウォブリンググル
ーブ６に対応した潜像をフォトレジスト１２に形成する
際は、第１の露光ビームに対して、第１の変調光学系２
２により光強度変調を施すとともに、光学偏向系４６に
より光学偏向を施す。

【００７４】具体的には、先ず、一定レベルのＤＣ信号
を駆動用ドライバ３２に入力し、当該ＤＣ信号に基づい
て駆動用ドライバ３２によって音響光学変調器３０を駆
動し、これにより、ウォブリンググルーブ６のパターン
に対応するように、第１の露光ビームに対して光強度変
調を施す。ここで、ウォブリンググルーブ６は一定の深
さの連続した溝であるので、ウォブリンググルーブ６に
対応した潜像を形成している間は、第１の露光ビームの
光強度が一定となるように光強度変調を施す。

【００７５】次いで、第１の変調光学系２２によって光
強度変調が施された第１の露光ビームに対して、偏向光
学系４６により光学偏向を施す。具体的には、電圧制御
発振器５１から高周波信号を制御信号にてＦＭ変調して
駆動用ドライバ５０に供給し、この信号に基づいて駆動
用ドライバ５０によって音響光学偏向器４８を駆動し
て、当該音響光学偏向器４８の音響光学素子のブラッグ
角を変化させ、これにより、第１の露光ビームに対して
光学偏向を施す。

【００７６】そして、このように光強度変調及び光学偏
向を施した第１の露光ビームを、対物レンズ５４によっ
てフォトレジスト１２上に集光することにより、フォト
レジスト１２を露光し、ウォブリンググルーブ６に対応
した潜像をフォトレジスト１２に形成する。

【００７７】また、第１の露光ビームによりフォトレジ
スト１２を露光するのと同時に、第２の露光ビームによ
ってフォトレジスト１２を露光することにより、ストレ
ートグルーブ７に対応した潜像をフォトレジスト１２に
形成する。

【００７８】第２の露光ビームによってフォトレジスト
１２を露光することにより、ストレートグルーブ７に対
応した潜像をフォトレジスト１２に形成する際は、第２
の露光ビームに対して、第２の変調光学系２３により光
強度変調を施す。

【００７９】具体的には、一定レベルのＤＣ信号を駆動
用ドライバ３７に入力し、当該ＤＣ信号に基づいて駆動
用ドライバ３７によって音響光学変調器３４を駆動し、
これにより、ストレートグルーブ７のパターンに対応す
るように、第２の露光ビームに対して光強度変調を施
す。ここで、ストレートグルーブ７は一定の深さの連続
した溝であるので、ストレートグルーブ７に対応した潜
像を形成している間は、第２の露光ビームの光強度が一
定となるように光強度変調を施す。

【００８０】そして、このように光強度変調を施した第
２の露光ビームを、対物レンズ５４によってフォトレジ
スト１２上に集光することにより、フォトレジスト１２
を露光し、ストレートグルーブ７に対応した潜像をフォ
トレジスト１２に形成する。

【００８１】なお、このようにフォトレジスト１２を露
光して、ウォブリンググルーブ６及びストレートグルー
ブ７に対応した潜像を形成する際は、フォトレジスト１
２が塗布されているガラス基板１１を、所定の回転速度
にて回転駆動させるとともに、所定の速度にて平行移動
させる。

【００８２】具体的には、後述する評価用光磁気ディス
クを作製する際、ガラス基板１１の回転速度は、第１及
び第２の露光ビームによる光スポットとフォトレジスト
１２との相対的な移動速度が線速１．０ｍ／ｓｅｃとな
るようにした。そして、当該ガラス基板１１を１回転毎
に１．００μｍ（すなわちトラックピリオドTPeriodの
分）だけ、移動光学テーブルによってガラス基板１１の
半径方向に平行移動させた。

【００８３】以上のように第１及び第２の露光ビームに
よってフォトレジスト１２を露光することにより、ウォ
ブリンググルーブ６に対応した潜像と、ストレートグル
ーブ７に対応した潜像とが、ダブルスパイラル状にフォ
トレジスト１２に形成される。

【００８４】なお、このように第１及び第２の露光ビー
ムによってフォトレジスト１２を露光する際は、駆動用
ドライバ３２，３７に入力するＤＣ信号のレベルを調整
して、第１の露光ビームのパワーと第２の露光ビームの
パワーとが異なるようにしておく。これにより、ウォブ
リンググルーブ６に対応した潜像の深さと、ストレート
グルーブ７に対応した潜像の深さとが異なるものとな
る。本実施の形態では、第１の露光ビームのパワーを制
御してウォブリンググルーブの深さｄ１を１００ｎｍと
し、第２の露光ビームのパワーを制御してストレートグ
ルーブの深さｄ２を１７０ｎｍ前後とした。

【００８５】また、上記レーザカッティング装置１０で
は、第１の露光ビームによる光スポットと、第２の露光
ビームによる光スポットとのガラス基板１１の半径方向
における間隔が、トラックピッチTPitchに対応するよう
に、偏光ビームスプリッタ４５の反射面の反射角を設定
しておく。

【００８６】このように偏光ビームスプリッタ４５の反
射面の反射角を設定しておくことにより、第１の露光ビ
ームによってウォブリンググルーブ６に対応した潜像が
形成されるとともに、当該ウォブリンググルーブ６に隣
接したストレートグルーブ７に対応した潜像が第２の露
光ビームによって形成されることとなる。このことは、
換言すれば、ウォブリンググルーブ６とストレートグル
ーブ７との相対的な位置決めは、偏向ビームスプリッタ
４５の向きを調整することにより実現できるということ
でもある。

【００８７】そして、以上のようにしてフォトレジスト
１２に潜像を形成した後、フォトレジスト１２が塗布さ
れている面が上面となるように、ガラス基板１１を現像
機のターンテーブル上に載置する。そして、当該ターン
テーブルを回転させることによりガラス基板１１を回転
させながら、フォトレジスト１２上に現像液を滴下して
現像処理を施して、ガラス基板１１上にウォブリンググ
ルーブ６及びストレートグルーブ７に対応した凹凸パタ
ーンを形成する。

【００８８】次に、上記凹凸パターン上に無電界メッキ
法によりＮｉ等からなる導電化膜を形成し、その後、導
電化膜が形成されたガラス基板１１を電鋳装置に取り付
け、電気メッキ法により導電化膜上にＮｉ等からなるメ
ッキ層を、３００±５μｍ程度の厚さとなるように形成
する。その後、このメッキ層を剥離し、剥離したメッキ
をアセトン等を用いて洗浄し、凹凸パターンが転写され
た面に残存しているフォトレジスト１２を除去する。

【００８９】以上の工程により、ガラス基板１１上に形
成されていた凹凸パターンが転写されたメッキからなる
光記録媒体製造用原盤、すなわち、ウォブリンググルー
ブ６及びストレートグルーブ７に対応した凹凸パターン
が形成された光記録媒体製造用原盤が完成する。

【００９０】なお、この光記録媒体製造用原盤は、本発
明が適用されてなる光記録媒体製造用原盤である。すな
わち、この光記録媒体製造用原盤は、記録トラックに沿
ってウォブリンググルーブ６及びストレートグルーブ７
が形成されてなる光磁気ディスク１を製造する際に使用
される光記録媒体製造用原盤であって、ウォブリンググ
ルーブ６に対応した凹凸パターンである第１のグルーブ
パターンと、ストレートグルーブ７に対応した凹凸パタ
ーンである第２のグルーブパターンとがダブルスパイラ
ル状に形成されてなる。そして、第１のグルーブパター
ンと第２のグルーブパターンとは、それらの深さが上述
したように、互いに異なるように形成されている。

【００９１】次に、転写工程として、フォトポリマー法
（いわゆる２Ｐ法）を用いて、上記光記録媒体製造用原
盤の表面形状が転写されてなるディスク基板を作製す
る。

【００９２】具体的には、先ず、光記録媒体製造用原盤
の凹凸パターンが形成された面上にフォトポリマーを平
滑に塗布してフォトポリマー層を形成し、次に、当該フ
ォトポリマー層に泡やゴミが入らないようにしながら、
フォトポリマー層上にベースプレートを密着させる。こ
こで、ベースプレートには、例えば、１．２ｍｍ厚のポ
リメチルメタクリレート（屈折率１．４９）からなるベ
ースプレートを使用する。

【００９３】その後、紫外線を照射してフォトポリマー
を硬化させ、その後、光記録媒体製造用原盤を剥離する
ことにより、光記録媒体製造用原盤の表面形状が転写さ
れてなるディスク基板２を作製する。

【００９４】なお、ここでは、光記録媒体製造用原盤に
形成された凹凸パターンがより正確にディスク基板２に
転写されるように、２Ｐ法を用いてディスク基板２を作
製する例を挙げたが、ディスク基板２を量産するような
場合には、ポリメチルメタクリレートやポリカーボネー
ト等の透明樹脂を用いて射出成形によってディスク基板
２を作製するようにしても良いことは言うまでもない。

【００９５】次に、成膜工程として、光記録媒体製造用
原盤の表面形状が転写されてなるディスク基板２上に記
録層３及び保護層４を形成する。具体的には、例えば、
先ず、ディスク基板２の凹凸パターンが形成された面上
に、ＳｉＮ等からなる第１の誘電体膜と、ＴｅＦｅＣｏ
合金等からなる垂直磁気記録膜と、ＳｉＮ等からなる第
２の誘電体膜とをスパッタリングによって順次成膜し、
更に、第２の誘電体膜を成膜することにより、第１の誘
電体膜、垂直磁気記録膜、第２の誘電体膜を形成する。
その後、上記記録層３上に紫外線硬化樹脂をスピンコー
ト法により塗布し、当該紫外線硬化樹脂に対して紫外線
を照射し硬化させることにより、保護層４を形成する。
以上の工程により、光磁気ディスク１が完成する。

【００９６】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、和信号のＡＣ成
分をＤＣ成分に比して０．１５以下とする条件を満たし
て、第１のグルーブの深さに対して第２のグルーブの深
さを設定しているので、例えば、ＤＷＤＤによって記録
マークが検出されるタイプの光ディスクのように元々溝
の深いグルーブに、Shallow&Deep方式を適用したとき
に、適切な第１グルーブ（Shallow）と第２グルーブ（D
eep）の深さを設定できる。

【００９７】また、本発明の光記録媒体製造用原盤は、
第１のグルーブから反射回折された第１の光の検出出力
と第２のグルーブから反射回折された第２の光の検出出
力との和信号のＡＣ成分をＤＣ成分に比して０．１５以
下とする条件を満たして、第１のグルーブの深さに対し
て第２のグルーブの深さを設定しているので、例えば、
ＤＷＤＤによって記録マークが検出されるタイプの光デ
ィスクのように元々溝の深いグルーブに、Shallow&Deep
方式を適用したときに、適切な第１グルーブ（Shallo
w）と第２グルーブ（Deep）の深さを設定した光記録媒
体を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光磁気ディスクの記録領域の
一部を拡大して示す図である。

【図２】前記光磁気ディスクの要部の断面図である。

【図３】Shallow&Deep方式を適用していない、これまで
の光ディスクの差信号と、和信号の波形図である。

【図４】差信号と和信号を説明するための図である。

【図５】Shallow&Deep方式を適用した光ディスクの差信
号と、和信号の波形図である。

【図６】第１グルーブの浅い（Shallow）溝を１００ｎ
ｍ一定にしたときに、第２グルーブの深い（Deep）溝を
変化させた場合の、和信号のＡＣ成分のＤＣ成分に対す
るレベル比と、差信号のＡＣ成分のＤＣ成分に対するレ
ベル比を示す図である。

【図７】本発明の光記録媒体及び光記録媒体製造用原盤
を作製する際に使用されるレーザカッティング装置の一
例について、その光学系の概要を示す図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク、６ ウォブリンググルーブ、７
ストレートグルーブ

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D029 KB12 WA02 WA09 WB19 WC03 5D121 AA01 BB22

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光が照射されて記録及び／又は再生がな
   される光記録媒体において、 上記記録媒体にらせん状に形成されたランドと、 前記ランドの一方の面に沿って形成される深さｄ１の第
   １のグルーブと、 前記ランドの他方の面に沿って前記第１のグルーブと異
   なる深さｄ２の第２のグルーブとを備え、 上記記録媒体に照射された上記光の反射光を上記ランド
   またはグルーブによるトラック中心に対して対称に配置
   された二つの光検出器により検出し、一方の光検出出力
   をＡ、他方の光検出出力をＢとしたとき、Ａ＋Ｂで表さ
   れる和信号のＡＣ成分をＤＣ成分に比して０．１５以下
   とする条件を満たす上記ｄ１とｄ２とが設定されたこと
   を特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 前記一方の光検出出力Ａと前記他方の光
   検出出力Ｂとの差信号Ａ−ＢのＡＣ成分をＤＣ成分に比
   して０．１５以上とする条件をさらに満たす上記ｄ１と
   ｄ２とが設定されたことを特徴とする請求項１記載の光
   記録媒体。
3. 【請求項３】 前記第１のグルーブと前記第２のグルー
   ブのうちの少なくとも一方は、少なくとも一部が蛇行す
   るように形成されたウォブリンググルーブであることを
   特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 光が照射されて記録及び／又は再生がな
   される光記録媒体を製造する際に使用される光記録媒体
   製造用原盤において、 上記記録媒体にらせん状に形成されたランドと、 前記ランドの一方の面に沿って形成される深さｄ１の第
   １のグルーブと、 前記ランドの他方の面に沿って前記第１のグルーブと異
   なる深さｄ２の第２のグルーブとを備え、 上記記録媒体に照射された上記光の反射光を上記ランド
   またはグルーブによるトラック中心に対して対称に配置
   された二つの光検出器により検出し、一方の光検出出力
   をＡ、他方の光検出出力をＢとしたとき、Ａ＋Ｂで表さ
   れる和信号のＡＣ成分をＤＣ成分に比して０．１５以下
   とする条件を満たす上記ｄ１とｄ２とが設定された光記
   録媒体を製造するために用いられることを特徴とする光
   記録媒体製造用原盤。
5. 【請求項５】 前記一方の光検出出力Ａと前記他方の光
   検出出力Ｂとの差信号Ａ−ＢのＡＣ成分をＤＣ成分に比
   して０．１５以上とする条件をさらに満たす上記ｄ１と
   ｄ２とが設定された光記録媒体を製造するために用いら
   れることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体製造用
   原盤。
6. 【請求項６】 前記第１のグルーブと前記第２のグルー
   ブのうちの少なくとも一方は、少なくとも一部が蛇行す
   るように形成されたウォブリンググルーブである光記録
   媒体を製造するために用いられることを特徴とする請求
   項５記載の光記録媒体製造用原盤。