JPH07262617A - 光記録媒体及びその再生方法 - Google Patents

光記録媒体及びその再生方法

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JPH07262617A
JPH07262617A JP6054165A JP5416594A JPH07262617A JP H07262617 A JPH07262617 A JP H07262617A JP 6054165 A JP6054165 A JP 6054165A JP 5416594 A JP5416594 A JP 5416594A JP H07262617 A JPH07262617 A JP H07262617A
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JP
Japan
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absorption
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Pending
Application number
JP6054165A
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English (en)
Inventor
Tsuyoshi Tsujioka
強 辻岡
Fumio Tatsuzono
史生 立園
Toshio Harada
俊雄 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光磁気記録媒体以外の媒体にも容易に適用が
可能で、同一トラックを続けて再生することが可能な、
超解像効果による高密度な情報の記録再生を可能とす
る。 【構成】 記録層103の再生光入射側にマスク層10
2を設け、該マスク層102として、再生光波長におけ
る吸収が温度によって変化するサーモクロミック材料を
含有するマスク層を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度な記録再生が可
能な光記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスク装置及び媒体において
は、光の回折限界で決まる記録スポットよりも小さい領
域を記録再生する超解像の手段として、いわゆるMSR
(Magnetically induced Super Resolution )方式が注
目されている。このようなMSR方式は、例えばテクニ
カルダイジェスト・オブ・データ・ストレージ・トピカ
ル・ミーティング 1991 ボリューム5 (Techni
cal Digest of OpticalDate Storage 1991 Volume 5)p
p.112-115(講演番号TuB−3)及び同pp.116-119
(講演番号TuB−4)において開示されている。この
方式は、複数層の光磁気記録膜を用い、情報記録層以外
の周囲の情報をマスクするマスク層が設けられているこ
とを特徴としている。比較的強い再生光照射によって温
度が上昇したマスク層に記録された情報(記録マーク)
が転写されるので、記録密度が高くなっても隣接するト
ラックや線密度方向の記録マークの影響が抑制され光学
的な分解能が向上することになる。
【0003】また、同様の超解像効果を得るための光記
録媒体として、例えば特開平5−225611号公報に
は、可飽和吸収特性等の非線形光吸収現象を生じる光吸
収中心を含む層をマスク層として設けた光記録媒体が開
示されている。特開平5−242524号公報では、同
様に非線形光学現象を利用した記録再生方法が開示され
ており、この公報においては、逆フォトクロミックを示
すスピロセレナゾリノベンゾピランを使用した例が開示
されている。また、特開平5−266478号公報では
同様の技術として、通常は再生光に対して非透過性であ
るが、中央部が所定の強度以上になるように制御された
再生光照射によって、中央部のみが透過性を示し、再生
光通過後は再び非透過性になるような性質を有するマス
ク層を用いる方法が提案されている。該公報において、
具体的なマスク層の材料としては、逆フォトクロミズム
を示すインドリン系スピロピランが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
MSR方式を用いた従来の方法では、記録媒体が光磁気
記録媒体に限定されるという問題があった。また、再生
用レーザーが短波長化したときには、新たに材料を探索
し組成を設計することが必要となり、MSR効果が発現
できるかどうかが判らず、再生用レーザーの短波長化に
即座に対応することができないという問題があった。さ
らに、光磁気記録では、一般にノイズがショットノイズ
によって制限されていることがよく知られているが、M
SR方式ではスポットの全面積に対するマーク部分の面
積が小さくなるため、SN比が小さくなるおそれがあっ
た。
【0005】逆フォトクロミック性材料をマスク層とし
て用いる従来技術においては、マスク層の吸収の低下が
不充分で、大きな超解像効果を得ることが困難であると
いう問題があった。すなわち、逆フォトクロミック性材
料をマスク層として用いる場合、マスク層の吸収を低下
させるための反応は再生光の照射によるフォトクロミッ
ク反応によって行われ、再生光スポットが通過した後、
熱的な反応によってマスク層が再び吸収の高い状態に戻
る。しかしながら、再生光照射時に熱が発生するため、
フォトクロミック反応による吸収低下が生じるととも
に、吸収の増加反応も同時に生じる。このため、マスク
層の吸収の低下が不充分となり、大きな超解像効果を得
ることができない場合があった。
【0006】また、逆フォトクロミック性材料をマスク
層として用いた場合には、熱反応によって再び再生光に
対し吸収の大きい状態に戻るのに数秒〜数分程度要する
ため、一度読み出したトラックをその直後に再度読み出
すことができないという問題もあった。
【0007】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、光磁気記録媒体だけでなく、相変化型媒体な
どの他の書き換え可能型媒体や、追記型媒体、及び再生
専用型媒体にも適用することができ、かつ高いSN比が
得られる、超解像効果による高密度な情報の記録再生を
可能とする光記録媒体を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
情報が記録される記録層と、記録層の再生光が入射する
側に設けられ、再生光波長における吸収が温度によって
変化するサーモクロミック材料を含有するマスク層とを
備えることを特徴としている。
【0009】本発明の再生方法は、上記本発明の光記録
媒体の記録層に再生光を照射して記録された情報を再生
する方法であり、第1の実施態様では、温度上昇により
再生光吸収が低下するサーモクロミック材料を含有する
マスク層に再生光を照射することによりマスク層の一部
に透過率が高められた温度上昇領域を形成する工程と、
再生光スポットと温度上昇領域との重なり部分において
再生光を記録層に照射する工程とを備えている。また第
2の実施態様では、温度上昇により再生光吸収が増加す
るサーモクロミック材料を含有するマスク層に再生光を
照射することによりマスク層の一部に透過率が低下した
温度上昇領域を形成する工程と、再生光スポットと温度
上昇領域以外の領域との重なり部分において再生光を記
録層に照射する工程とを備えている。
【0010】本発明においてマスク層に含有されるサー
モクロミック材料は、再生光の波長において吸収を有
し、該再生光波長における吸収が温度によって変化する
ものである。この吸収の変化は、温度上昇とともに吸収
が増大するものであってもよいし、温度上昇とともに吸
収が低下するものであってもよい。
【0011】本発明においてマスク層に用いることがで
きるサーモクロミック材料は特に限定されるものではな
いが、例えば、Cu2 HgI4 、及びAg2 HgI4
どの無機サーモクロミック材料を挙げることができる。
Cu2 HgI4 は、室温で赤色であり、約70℃で暗紫
色〜黒色となる。Ag2 HgI4 は、室温で黄色であ
り、約48.5℃で赤色〜濃赤色を示す。
【0012】また本発明におけるマスク層のサーモクロ
ミック材料として、フルオラン系、トリフェニルメタン
系クロミック材料や、ロイコ系クロミック材料などの有
機サーモクロミック材料を用いることもできる。
【0013】
【作用】本発明においては、再生光の波長で吸収を有
し、該再生光波長における吸収が温度によって変化する
サーモクロミック材料を含有するマスク層が設けられて
いる。このようなマスク層に再生光スポットを照射しな
がら媒体上を走査すると、走査方向において再生光スポ
ットの前半部分は温度の上昇が不充分なため吸収の変化
が起こらず、再生光スポットの後半部分で温度上昇によ
る吸収の変化が起こる。本発明では、このような再生光
スポット内での部分的な温度上昇領域の形成を利用する
ことにより、再生光スポットよりも小さい領域で再生光
を記録層に照射し、それによって超解像効果を得てい
る。
【0014】図1は、サーモクロミック材料として、温
度上昇により再生光吸収が低下するサーモクロミック材
料を用いた場合の再生光スポットと実効再生光スポット
との関係を示す平面図である。図1を参照して、再生光
スポット1は、図1に示す矢印方向に走査されており、
再生光スポット1により温度が上昇する部分は、再生光
スポット1より遅れてずれた領域となり、吸収低下領域
2として示される部分となる。従って、この吸収低下領
域2の部分のマスク層の透過率が増加しており、吸収低
下領域2と再生光スポット1の重なり部分(ハッチング
を付した部分)が、実効スポット領域3となり、この実
効スポット領域3において再生光が記録層に照射され、
記録層の記録が読み出される。よって、図1において
は、再生光スポット1内に記録マーク10及び11が存
在しているが、実効スポット領域3内にある記録マーク
11のみが再生される。従って、線記録密度を高めるこ
とができる。また図1において、再生光スポット1内に
は、隣接トラックの記録マーク14が存在しているが、
このような隣接トラックの記録マーク14の影響を受け
ることなく再生することができ、トラック密度も向上さ
せることができる。図1において、12は読み出し後の
記録マークを示している。このような読み出し後の記録
マークは、マスク層が再びもとの温度に戻り、再生光に
対する吸収が増加することによって再びマスクされるこ
ととなる。
【0015】図2は、温度上昇により再生光の吸収が増
加するサーモクロミック材料をマスク層に用いた場合の
再生光スポットと実効再生光スポットとの関係を示す平
面図である。図2を参照して、再生光スポット21は図
2に示す矢印方向に走査されている。マスク層は温度上
昇により吸収が増加するものであり、通常は透過率が高
くなるように設定されているので、再生光スポット21
はマスク層の下の記録層に主に吸収される。
【0016】図3は、この状態を説明するための断面図
であり、記録層41の上にマスク層42が設けられてい
る。再生光スポット21が照射されると、マスク層42
を透過して記録層41に吸収され、記録層41の部分が
発熱する。再生光スポット21は走査方向に移動してい
るため、記録層41の温度上昇部分41aは、再生光ス
ポット21よりずれた領域となる。このような記録層4
1の温度上昇領域41aと接しているマスク層の部分
は、温度上昇領域41aからの伝達熱により温度上昇
し、この結果マスク層42に温度上昇領域42aが形成
される。
【0017】図2を再び参照して、この温度上昇領域2
2では、温度上昇により再生光の吸収が増加しておりこ
の温度上昇領域22では、再生光が透過しにくくなって
いる。従って、図2においてハッチングで示す領域が再
生光がマスク層を通過して記録層に到達し得る領域とな
っており、この領域が実効スポット領域23となる。図
2に示されるように、再生光スポット21内には記録マ
ーク30及び31が存在しているが、実効スポット領域
23内には記録マーク30のみが存在しており、記録マ
ーク30の情報のみが読み出される。従って、線記録密
度を高めることができる。記録マーク31の存在する領
域では、再生光スポット21が照射されているが、マス
ク層の温度上昇領域22内であるため、再生光がマスク
層によってマスクされ、記録層に再生光が到達できな
い。再生光スポット21の移動により温度上昇領域22
は再びもとの温度に戻り、再生光波長での吸収が低下
し、マスク層の透過率が高まる。
【0018】以上のように本発明のマスク層には、温度
上昇により再生光吸収が増大するものも、再生光吸収が
低下するものも用いることができる。サーモクロミック
材料の温度による吸収の変化は、高速かつ敏感に起こる
ので、再生パワーの調整により実効的な超解像スポット
の大きさを変化させることができ、高い超解像効果を得
ることができる。
【0019】また、本発明に従えば、再生光スポットに
おける再生光の反射部分の領域が制限されるため、全反
射光量に対する記録マーク部分の寄与が大きくなり、S
N比を改善することができる。また、温度変化による吸
収の変化だけを利用しているので、逆フォトクロミック
材料を用いる従来技術のように、再生光の吸収低下が不
充分となって、超解像効果が低減することがない。
【0020】また、サーモクロミック材料は温度の変化
とともに速やかに、ミリ秒程度の速さで変化するので、
一度読み出したトラックを直後に再度読み出すことが可
能になる。
【0021】
【実施例】図4は、本発明に従う一実施例の光記録媒体
を示す断面図である。図4を参照して、ガラスなどから
形成される透明基板101上には、マスク層102が形
成されている。マスク層102は、温度上昇により再生
光波長の吸収が増加するサーモクロミック材料が用いら
れており、本実施例ではCu2 HgI4 が用いられてい
る。マスク層102の上には記録層103及び保護層1
04が順次形成されている。記録層103の記録材料と
しては、公知の光磁気材料や相変化材料等の種々のもの
が使用できるが、本実施例ではTbFeCo系の光磁気
材料を用いている。また保護層104は、紫外線硬化樹
脂から形成されている。
【0022】本実施例において、マスク層102は、ス
パッタリング法により膜厚0.15μmとなるように形
成した。本実施例でサーモクロミック材料として用いて
いるCu2 HgI4 は、室温では赤色を示すが、約70
℃以上で暗紫色〜黒色となる。従って、再生光として赤
色波長域の再生光を用いることにより、上述したような
超解像効果によるスポットを得ることができる。
【0023】本発明において、マスク層は、真空蒸着法
等によっても形成できる。また、樹脂中に混合しスピン
コート法などの塗布によりマスク層を形成してもよい。
マスク層の膜厚は、再生光スポットの焦点深度(1μm
程度)よりも小さく設定しておくことが望ましい。
【0024】本実施例の光学記録材料の記録層に磁界変
調方式で種々の周波数を記録し、これを再生して、線記
録密度(高周波数領域の出力)を測定した。再生光とし
ては、波長630nm帯の半導体レーザー光をスポット
径1.25μmとなるように集光して用いた。再生光パ
ワーを2.0mW、線速度を1.4m/秒とした。ま
た、比較として、マスク層を設けないこと以外は上記実
施例と同様の光記録媒体を作製し、これについても線密
度記録を測定した。
【0025】図5は、これらの実施例及び比較例の再生
信号の周波数特性を示す図である。図5において、低周
波数での出力値を基準(0dB)としている。図5から
明らかなように、出力が6dB低下したときの周波数
は、比較例において0.85MHz(マーク長0.82
μm相当)であったのに対し、実施例では2.0MHz
(マーク長0.35μm相当)であった。従って、本発
明に従う実施例の線記録密度は、比較例の2倍以上向上
していることが判った。
【0026】上記実施例では、サーモクロミック材料と
して、温度上昇により再生光の吸収が増加するサーモク
ロミック材料を用いている。従って、図2を参照して説
明したような超解像効果による実効スポットが得られ
る。この場合、記録層が再生光スポットにより加熱され
るので、記録層に用いている記録材料が光磁気材料や相
変化材料のように、熱によって何らかの影響を受ける材
料の場合、再生光照射による温度上昇が、そのような悪
影響を与える温度以上にならないように設定しておくこ
とが必要である。
【0027】上記実施例においては、温度上昇により再
生光波長の吸収が増加するサーモクロミック材料を用い
た例を説明したが、上述のように本発明は、温度上昇に
より再生光波長の吸収が低下するようなサーモクロミッ
ク材料を用いても、同様の効果が得ることができる。
【0028】
【発明の効果】本発明の光記録媒体では、再生光波長に
おける吸収が温度によって変化するサーモクロミック材
料を含有するマスク層を設けている。このようなマスク
層を有した光記録媒体では、再生光スポットの後半部分
において温度上昇による吸収の変化が起き、再生光スポ
ット内の温度上昇領域あるいは温度が上昇していない領
域が実効スポット領域となり、超解像効果によって、高
密度な情報の記録再生が可能となる。
【0029】本発明でマスク層として用いるサーモクロ
ミック材料の温度による吸収の変化は、高速でかつ敏感
に生じる。このため、再生パワーの調整により、実効的
な超解像スポットの大きさを変化させることができ、高
い超解像効果を得ることができる。
【0030】また、サーモクロミック材料は温度の低下
により速やかにもとの状態に戻るので、一度読み出した
トラックをその直後に再度読み出すことが可能になる。
また、本発明の光記録媒体は、光磁気記録媒体のみなら
ず、相変化型媒体などの他の書き換え可能型の媒体や、
追記型媒体、及び再生専用型媒体へも適用することがで
きるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従う一実施態様における再生光スポッ
トと実効スポット領域との関係を説明するための平面
図。
【図2】本発明に従う他の実施態様における再生光スポ
ットと実効スポット領域との関係を説明するための平明
図。
【図3】図2に示す本発明に従う他の実施態様における
マスク層及び記録層の温度上昇領域を示す断面図。
【図4】本発明に従う一実施例の光記録媒体を示す断面
図。
【図5】本発明に従う一実施例の光記録媒体の再生信号
の周波数特性を示す図。
【符号の説明】
1…再生光スポット 2…温度上昇領域 3…実効スポット領域 10,11,12…記録マーク 14…隣接トラックの記録マーク 21…再生光スポット 22…温度上昇領域 23…実効スポット領域 30,31…記録マーク 41…記録層 41a…記録層の温度上昇領域 42…マスク層 42a…マスク層の温度上昇領域

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 情報が記録される記録層と、 前記記録層の再生光が入射する側に設けられ、再生光波
    長における吸収が温度によって変化するサーモクロミッ
    ク材料を含有するマスク層とを備える光記録媒体。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の光記録媒体の記録層に
    再生光を照射して記録された情報を再生する方法であっ
    て、 温度上昇により再生光吸収が低下するサーモクロミック
    材料を含有するマスク層に前記再生光を照射することに
    よりマスク層の一部に透過率が高められた温度上昇領域
    を形成する工程と、 前記再生光スポットと前記温度上昇領域との重なり部分
    において再生光を前記記録層に照射する工程とを備える
    光記録媒体の再生方法。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の光記録媒体の記録層に
    再生光を照射して記録された情報を再生する方法であっ
    て、 温度上昇により再生光吸収が増加するサーモクロミック
    材料を含有するマスク層に前記再生光を照射することに
    よりマスク層の一部に透過率が低下した温度上昇領域を
    形成する工程と、 前記再生光スポットと前記温度上昇領域以外の領域との
    重なり部分において再生光を前記記録層に照射する工程
    とを備える光記録媒体の再生方法。
JP6054165A 1994-03-24 1994-03-24 光記録媒体及びその再生方法 Pending JPH07262617A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6667146B1 (en) * 1999-08-17 2003-12-23 Sharp Kabushiki Kaisha Optical recording medium and reproducing method therefor
US7903511B2 (en) 2005-09-05 2011-03-08 Nec Corporation Optical information reproducing method, optical information reproducing device, and optical information recording medium for performing reproduction of information by using laser beams

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