JPH04176039A - 光磁気記録媒体の記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の記録方法Info
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- JPH04176039A JPH04176039A JP31273090A JP31273090A JPH04176039A JP H04176039 A JPH04176039 A JP H04176039A JP 31273090 A JP31273090 A JP 31273090A JP 31273090 A JP31273090 A JP 31273090A JP H04176039 A JPH04176039 A JP H04176039A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、光の照射により反射率が変化する反射膜を
使用した光磁気記録媒体に関する。
使用した光磁気記録媒体に関する。
［従来の技術および発明が解決しようとする課題］光磁
気ディスクのような光磁気記録媒体は、記録層にレーザ
ビームを照射して磁化反転部を形成することにより情報
を記録し、レーザビームを照射してその反射光のカー回
転角の変化を検出することにより情報を読み取っている
。従って、ビットの読取り信号の大きさはカー回転角の
変化分だけで決まる。このカー回転角の変化量は小さい
ため、従来、アルミニウム等で形成された反射層を設け
てカー回転角をエンハンスすることが試みられている。
気ディスクのような光磁気記録媒体は、記録層にレーザ
ビームを照射して磁化反転部を形成することにより情報
を記録し、レーザビームを照射してその反射光のカー回
転角の変化を検出することにより情報を読み取っている
。従って、ビットの読取り信号の大きさはカー回転角の
変化分だけで決まる。このカー回転角の変化量は小さい
ため、従来、アルミニウム等で形成された反射層を設け
てカー回転角をエンハンスすることが試みられている。
しかし、このようなエンハンス膜を設けても、Ｃ／Ｎの
大きさの指標である性能指数Ｒ１″ ・θ、（ただし、
Ｒは反射率、θ８はカー回転角）を十分に大きくするこ
とは困難であり、Ｃ／Ｎの飛躍的な向上を達成すること
が望めないのが現状である。
大きさの指標である性能指数Ｒ１″ ・θ、（ただし、
Ｒは反射率、θ８はカー回転角）を十分に大きくするこ
とは困難であり、Ｃ／Ｎの飛躍的な向上を達成すること
が望めないのが現状である。
この発明はこのような実情に鑑みてなされたものであっ
て、大きなＣ／Ｎを得ることができる光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
て、大きなＣ／Ｎを得ることができる光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、この発明では、基板と、光
の照射により磁化の向きが変化し得る光磁気記録層と、
光の照射による加熱条件によって読取り用照射光に対す
る反射率が変化する反射層とを具備し、光照射により前
記光磁気記録層の磁化の向きの変化と前記反射層の反射
率の変化とを生じさせて情報を記録することを特徴とす
る光磁気記録媒体を提供する。
の照射により磁化の向きが変化し得る光磁気記録層と、
光の照射による加熱条件によって読取り用照射光に対す
る反射率が変化する反射層とを具備し、光照射により前
記光磁気記録層の磁化の向きの変化と前記反射層の反射
率の変化とを生じさせて情報を記録することを特徴とす
る光磁気記録媒体を提供する。
［作用コ
この発明においては、光の照射によって光磁気記録層及
び反射層の温度を局部的に上昇させ、これらの層に記録
ビット（ピット）を形成する。この場合に、記録ビット
のうち光磁気記録層に対応する部分では、通常の光磁気
記録と同様に、外部磁場によって磁化の向きが変化し、
また、反射層に対応する部分は読取り用の光に対する反
射率が変化する。従って、読取りの際に、磁化の向きの
変化に伴うカー回転角の変化と反射層の反射率変化とを
重畳させることができ、性能指数を上昇させることがで
きるので、極めて高いＣ／Ｎを得ることができる。また
、このようにして記録された情報は、条件の異なる光を
照射することにより記録ビットにおける光磁気記録層の
磁化の向きおよび反射層の反射率を元に戻すことによっ
て実現される。
び反射層の温度を局部的に上昇させ、これらの層に記録
ビット（ピット）を形成する。この場合に、記録ビット
のうち光磁気記録層に対応する部分では、通常の光磁気
記録と同様に、外部磁場によって磁化の向きが変化し、
また、反射層に対応する部分は読取り用の光に対する反
射率が変化する。従って、読取りの際に、磁化の向きの
変化に伴うカー回転角の変化と反射層の反射率変化とを
重畳させることができ、性能指数を上昇させることがで
きるので、極めて高いＣ／Ｎを得ることができる。また
、このようにして記録された情報は、条件の異なる光を
照射することにより記録ビットにおける光磁気記録層の
磁化の向きおよび反射層の反射率を元に戻すことによっ
て実現される。
［実施例］
以下、この発明の実施例について詳細に説明する。
第１図は、この発明の一実施例に係る光磁気ディスクの
部分断面図である。この実施例に係る光熱磁気記録媒体
は、基板１と、高屈折率の透明な誘電体で形成されたエ
ンハンス層２と、光磁気記録層３と、反射層４と、保護
層５がこの順に積層されて構成されている。
部分断面図である。この実施例に係る光熱磁気記録媒体
は、基板１と、高屈折率の透明な誘電体で形成されたエ
ンハンス層２と、光磁気記録層３と、反射層４と、保護
層５がこの順に積層されて構成されている。
基板１は透明で安定な材料、例えばガラス又はポリカー
ボネート等の高分子体で形成されている。
ボネート等の高分子体で形成されている。
エンハンス層２は光磁気記録層３のカー回転角をエンハ
ンスすることを目的として形成された層であり、例えば
０およびＮを含むＺｎＳで形成されている。このＺｎＳ
は、透明領域の光、例えば波長６３３ｎ＊の光の屈折率
が２．４１より大きく、カー回転角のエンハンス膜とし
て望ましい特性を有する。
ンスすることを目的として形成された層であり、例えば
０およびＮを含むＺｎＳで形成されている。このＺｎＳ
は、透明領域の光、例えば波長６３３ｎ＊の光の屈折率
が２．４１より大きく、カー回転角のエンハンス膜とし
て望ましい特性を有する。
光磁気記録層３は層面に垂直な磁化容易軸を有している
ことが好ましく、例えばＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移
金属非晶質合金で形成されている。
ことが好ましく、例えばＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移
金属非晶質合金で形成されている。
この記録層の厚みは、２ｏ乃至５００人であることが好
ましい。
ましい。
反射層４は、熱処理により反射率が可逆的に変化する物
質、例えばＡｇＺｎで形成されている。
質、例えばＡｇＺｎで形成されている。
ＡｇＺｎは通常銀白色を呈しているが、２９０℃以上に
加熱し急冷すると結晶構造が変化してピンク色に変わり
、またピンク色を呈している状態のものを１４０〜２８
５℃に加熱し徐冷すると結晶構造が元に戻り、再び銀白
色に変わる性質を有している。第４図はＡｇＺｎの分光
反射率を示したもので、ａは銀白色を呈している時の分
光反射率を示し、ｂはピンク色を呈している時の分光反
射率を示す。同図から明らかなように、現在実用化され
ている半導体レーザに波長領域（７８０〜９０５ｎｍ）
では１０％以上の反射率変化がある。
加熱し急冷すると結晶構造が変化してピンク色に変わり
、またピンク色を呈している状態のものを１４０〜２８
５℃に加熱し徐冷すると結晶構造が元に戻り、再び銀白
色に変わる性質を有している。第４図はＡｇＺｎの分光
反射率を示したもので、ａは銀白色を呈している時の分
光反射率を示し、ｂはピンク色を呈している時の分光反
射率を示す。同図から明らかなように、現在実用化され
ている半導体レーザに波長領域（７８０〜９０５ｎｍ）
では１０％以上の反射率変化がある。
保護層５は光磁気記録層３および反射層４を保護する機
能を有するものであり、例えば０およびＮを含むＺｎＳ
で形成されている。
能を有するものであり、例えば０およびＮを含むＺｎＳ
で形成されている。
このような光熱磁気記録媒体に情報を記録する場合には
、基板１側から光磁気記録層３および反射層４に照射光
として所定波長のレーザビームを照射する。この場合、
半導体レーザを使用することがてきる。そして、レーザ
ビームの照射により、記録層３および反射層４に記録ビ
ット（ビット）７が形成される。すなわち、記録ビット
７の記録層３に対応する部分は光照射によりキュリー温
度近傍まで温度が上昇し、外部磁界の影響で磁化が反転
された状態となっており、反射層に対応する部分は、光
照射により加熱急冷されて銀白色からピンク色に色調が
変化する。
、基板１側から光磁気記録層３および反射層４に照射光
として所定波長のレーザビームを照射する。この場合、
半導体レーザを使用することがてきる。そして、レーザ
ビームの照射により、記録層３および反射層４に記録ビ
ット（ビット）７が形成される。すなわち、記録ビット
７の記録層３に対応する部分は光照射によりキュリー温
度近傍まで温度が上昇し、外部磁界の影響で磁化が反転
された状態となっており、反射層に対応する部分は、光
照射により加熱急冷されて銀白色からピンク色に色調が
変化する。
なお、本実施例の場合、光磁気記録層３に使用されてい
るＴｂＦｅＣｏ合金の結晶化温度（３３０℃程度）と反
射層４に使用されているＡｇＺｎの転移温度（２９０℃
）が近接していることに加え、記録媒体がディスクであ
るので、レーザビーム照射による加熱温度を厳密に制御
する必要がある。例えば、レーザのパワー、パルス幅、
外部磁場の強度等の書き込み条件を一定にして情報を記
録する場合には、情報を記録すべきトラック位置に応じ
て光磁気ディスクの回転速度を切替え、線速度が同一に
なるようにして行う。また、光磁気ディスクの回転速度
を一定にして情報を記録する場合には、情報を記録すべ
きトラック位置に応じてレーザのパワー及び（又は）外
部磁場の強度をも切替えて行う。また、レーザビームは
光磁気記録層に集光させてもよいが、前述した如く、Ｔ
ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ合金の結晶化温度とＡｇＺｎの転位
温度が近接しているので、反射層４に集光させた方が温
度制御は容易となる。
るＴｂＦｅＣｏ合金の結晶化温度（３３０℃程度）と反
射層４に使用されているＡｇＺｎの転移温度（２９０℃
）が近接していることに加え、記録媒体がディスクであ
るので、レーザビーム照射による加熱温度を厳密に制御
する必要がある。例えば、レーザのパワー、パルス幅、
外部磁場の強度等の書き込み条件を一定にして情報を記
録する場合には、情報を記録すべきトラック位置に応じ
て光磁気ディスクの回転速度を切替え、線速度が同一に
なるようにして行う。また、光磁気ディスクの回転速度
を一定にして情報を記録する場合には、情報を記録すべ
きトラック位置に応じてレーザのパワー及び（又は）外
部磁場の強度をも切替えて行う。また、レーザビームは
光磁気記録層に集光させてもよいが、前述した如く、Ｔ
ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ合金の結晶化温度とＡｇＺｎの転位
温度が近接しているので、反射層４に集光させた方が温
度制御は容易となる。
しかして、情報の再生は、半導体レーザ等を用いて記録
層に比較的低出力のレーザビームを照射し、その反射光
を検光子を介して充電変換素子で受けて電気信号に変換
することによってなされる。この再生信号のＣ／Ｎ比は
、性能指数Ｒ１／２ ・θＫ （ただし、Ｒは反射率、
θ、はカー回転角）に比例する。本実施例の場合、記録
層３においては記録ビットと非記録部分とでカー回転角
の向きが逆になるから検光子を通過する反射光の光量が
異なり、また、反射層４においては記録ビットと非記録
部とで上述のように色調が異なるから、再生用レーザと
して半導体レーザを使用した場合には、前述した如く、
レーザビームの波長範囲（７８０〜９０５ｎｍ）に対す
る反射率が１０％程度異なる。従って、これらを光電変
換することにより得られる再生信号は、カー回転角の変
化と反射率の両方が変化することになり、実質的にカー
回転角の変化のみで情報を再生していた従来の光磁気デ
ィスクよりも、Ｃ／Ｎを飛躍的に増加させることができ
る。従来のアルミニウム等で形成された反射層は書き込
みレーザによる熱程度では反射率が変化せず、結果とし
て光照射による反射率変化は生じない。
層に比較的低出力のレーザビームを照射し、その反射光
を検光子を介して充電変換素子で受けて電気信号に変換
することによってなされる。この再生信号のＣ／Ｎ比は
、性能指数Ｒ１／２ ・θＫ （ただし、Ｒは反射率、
θ、はカー回転角）に比例する。本実施例の場合、記録
層３においては記録ビットと非記録部分とでカー回転角
の向きが逆になるから検光子を通過する反射光の光量が
異なり、また、反射層４においては記録ビットと非記録
部とで上述のように色調が異なるから、再生用レーザと
して半導体レーザを使用した場合には、前述した如く、
レーザビームの波長範囲（７８０〜９０５ｎｍ）に対す
る反射率が１０％程度異なる。従って、これらを光電変
換することにより得られる再生信号は、カー回転角の変
化と反射率の両方が変化することになり、実質的にカー
回転角の変化のみで情報を再生していた従来の光磁気デ
ィスクよりも、Ｃ／Ｎを飛躍的に増加させることができ
る。従来のアルミニウム等で形成された反射層は書き込
みレーザによる熱程度では反射率が変化せず、結果とし
て光照射による反射率変化は生じない。
情報の消去は、書き込みの際よりも低いパワーのレーザ
ビームを照射することによりなされる。
ビームを照射することによりなされる。
また、消去の際のレーザビームは記録ビットを完全にカ
バーする範囲に照射しなければならないので、記録の際
よりもパルス幅を広くする。この消去用レーザビームの
照射と共に、記録の際の外部磁界と逆向きの磁界を印加
することにより、記録ビット７の記録層３に対応する部
分の磁化が反転され、非記録部と同一の方向に磁化され
る。また、記録ビット７の反射層４に対応する部分は、
記録の際よりも低温に加熱されるので、その部分が徐冷
されて色調が元の銀白色に戻る。
バーする範囲に照射しなければならないので、記録の際
よりもパルス幅を広くする。この消去用レーザビームの
照射と共に、記録の際の外部磁界と逆向きの磁界を印加
することにより、記録ビット７の記録層３に対応する部
分の磁化が反転され、非記録部と同一の方向に磁化され
る。また、記録ビット７の反射層４に対応する部分は、
記録の際よりも低温に加熱されるので、その部分が徐冷
されて色調が元の銀白色に戻る。
この際の記録および消去の過程を第３図に模式的に示す
。第３図は横軸に時間をとり、縦軸に温度をとって、記
録用および消去用のレーザパルスを示し、あわせて外部
磁界の向きを示したものである。この図に示すように、
記録用のレーザビームはパワーが大きいので、高温に加
熱されて急冷される。また、消去用のレーザビームはパ
ワーが小さいので、より低温に加熱されて相対的に徐冷
されたこととなる。この加熱条件により、反射層４のＡ
ｇＺｎの色調が銀白色とピンク色との間で可逆的に変化
する。また、このような記録用および消去用のレーザビ
ームの照射の際に、図示されている方向に外部磁界が印
加されるので、記録層３の記録ビット部の磁化が所望の
向きに反転し、記録層３にも記録および消去がなされる
ことになる。なお、光磁気記録層と反射層との積層順を
逆にしても、反射層の厚みを５００Å以下にすることに
より、上述の層構成の場合と同様の効果を得ることがで
きる。
。第３図は横軸に時間をとり、縦軸に温度をとって、記
録用および消去用のレーザパルスを示し、あわせて外部
磁界の向きを示したものである。この図に示すように、
記録用のレーザビームはパワーが大きいので、高温に加
熱されて急冷される。また、消去用のレーザビームはパ
ワーが小さいので、より低温に加熱されて相対的に徐冷
されたこととなる。この加熱条件により、反射層４のＡ
ｇＺｎの色調が銀白色とピンク色との間で可逆的に変化
する。また、このような記録用および消去用のレーザビ
ームの照射の際に、図示されている方向に外部磁界が印
加されるので、記録層３の記録ビット部の磁化が所望の
向きに反転し、記録層３にも記録および消去がなされる
ことになる。なお、光磁気記録層と反射層との積層順を
逆にしても、反射層の厚みを５００Å以下にすることに
より、上述の層構成の場合と同様の効果を得ることがで
きる。
第２図は、他の実施例に係る光磁気ディスクを示す部分
断面図である。この実施例では、光磁気記録層３と反射
層４との間に０およびＮを含むＺｎＳ等の誘電体で形成
された断熱層６が介在されている。この断熱層６の存在
により、レーザ照射による局所上昇温度を記録層３と反
射層４とで異ならせることができる。従って、この構造
であれば、レーザビームの集光位置を反射層４にするこ
とにより、反射層を構成する物質として、ＡｇＺｎのよ
うに色調（反射率）の転位温度が光磁気記録層３の使用
臨界温度（ＴｂＦｅＣｏ合金における結晶化温度）に近
接している場合はもちろんのこと、色調の転移温度が光
磁気記録層３の使用限界温度より高い物質であっても使
用することができる。このような物質としては、ＣｕＡ
ＩＪＮｉ合金や、ＣｕＡｌＡｇ合金等がある。
断面図である。この実施例では、光磁気記録層３と反射
層４との間に０およびＮを含むＺｎＳ等の誘電体で形成
された断熱層６が介在されている。この断熱層６の存在
により、レーザ照射による局所上昇温度を記録層３と反
射層４とで異ならせることができる。従って、この構造
であれば、レーザビームの集光位置を反射層４にするこ
とにより、反射層を構成する物質として、ＡｇＺｎのよ
うに色調（反射率）の転位温度が光磁気記録層３の使用
臨界温度（ＴｂＦｅＣｏ合金における結晶化温度）に近
接している場合はもちろんのこと、色調の転移温度が光
磁気記録層３の使用限界温度より高い物質であっても使
用することができる。このような物質としては、ＣｕＡ
ＩＪＮｉ合金や、ＣｕＡｌＡｇ合金等がある。
また、このような構成の光ディスクは、記録層３および
反射層４に記録ビットを形成することができるので、こ
れらのビット形成を独立に温度コントロールすることに
より４つの記録状態をつくることができ、記録密度を上
昇させることができる。
反射層４に記録ビットを形成することができるので、こ
れらのビット形成を独立に温度コントロールすることに
より４つの記録状態をつくることができ、記録密度を上
昇させることができる。
なお、この実施例の場合にも、上述したように反射層の
厚みを５００Å以下にすることにより、光磁気記録層と
反射層との積層順を逆にしても同様の効果を得ることが
できる。
厚みを５００Å以下にすることにより、光磁気記録層と
反射層との積層順を逆にしても同様の効果を得ることが
できる。
［発明の効果］
この発明によれば、情報の読取りの際に、磁化の向きの
変化に伴うカー回転角の変化と反射層の反射率変化とを
重畳させることができ、性能指数を上昇させることがで
きるので、Ｃ／Ｎの飛躍的な上昇を得ることができる。
変化に伴うカー回転角の変化と反射層の反射率変化とを
重畳させることができ、性能指数を上昇させることがで
きるので、Ｃ／Ｎの飛躍的な上昇を得ることができる。
従って、高Ｃ／Ｎが要求されるアナログ記録画像ファイ
ルメモリとして利用することができる。
ルメモリとして利用することができる。
第１囚および第２図はこの発明の実施例に係る光磁気デ
ィスクを示す部分断面図、第３図は記録および消去の際
のレーザビームによる加熱温度およびパルス幅と外部磁
界の向きとを示す図、第４図はＡｇＺｎの分光反射率を
示す図である。 １；基板、２；エンハンス層、３；光磁気記録層、４；
反射層、５；保護層、６；断熱層、７；記録ビット 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第２図
ィスクを示す部分断面図、第３図は記録および消去の際
のレーザビームによる加熱温度およびパルス幅と外部磁
界の向きとを示す図、第４図はＡｇＺｎの分光反射率を
示す図である。 １；基板、２；エンハンス層、３；光磁気記録層、４；
反射層、５；保護層、６；断熱層、７；記録ビット 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第２図
Claims (6)
- （１）基板と、光の照射により磁化の向きが変化し得る
光磁気記録層と、光の照射による加熱条件によって読取
り用照射光に対する反射率が変化する反射層とを具備し
、光照射により前記光磁気記録層の磁化の向きの変化と
前記反射層の反射率の変化とを生じさせて情報を記録す
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）前記反射層はＡｇＺｎ、ＣｕＡｌＮｉ、又はＣｕ
ＡｌＡｇで形成されていることを特徴とする請求項１に
記載の光磁気記録媒体。 - （３）前記基板と光磁気記録層との間又は光磁気記録層
と反射層との間に設けられたカー回転角をエンハンスす
るためのエンハンス層を具備することを特徴とする請求
項１または２に記載の光磁気記録媒体。 - （４）前記光磁気記録層は前記基板と前記反射層との間
に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３いず
れか１項に記載の光磁気記録媒体。 - （５）前記反射層は前記基板と前記光磁気記録層との間
に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３いず
れか１項に記載の光磁気記録媒体。 - （６）前記光磁気記録層は、希土類−遷移金属非晶質合
金で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５い
ずれか１項に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02312730A JP3082240B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-11-20 | 光磁気記録媒体の記録方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-175317 | 1990-07-04 | ||
| JP17531790 | 1990-07-04 | ||
| JP02312730A JP3082240B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-11-20 | 光磁気記録媒体の記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04176039A true JPH04176039A (ja) | 1992-06-23 |
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