JPS62164592A - 記録方法 - Google Patents
記録方法Info
- Publication number
- JPS62164592A JPS62164592A JP61007445A JP744586A JPS62164592A JP S62164592 A JPS62164592 A JP S62164592A JP 61007445 A JP61007445 A JP 61007445A JP 744586 A JP744586 A JP 744586A JP S62164592 A JPS62164592 A JP S62164592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- wavelength
- light
- irradiated
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光の照射により可逆的に発色又は消色するフ
ォトクロミック物質を記録層に用いた光学式情報記録媒
体への記録方法に関するものである。
ォトクロミック物質を記録層に用いた光学式情報記録媒
体への記録方法に関するものである。
本発明は、フォトクロミック物質を記録層に用いた光学
式情報記録媒体への記録方法において、記録層としてレ
ーザ素子の基本波発振波長領域に発色吸収帯を有するフ
ォトクロミック物質を用い、レーザ素子を光源としてそ
の基本波と第２高周波の光によって記録、消去を行なわ
せることによって、この種の記録装置の小型化を可能に
したものである。
式情報記録媒体への記録方法において、記録層としてレ
ーザ素子の基本波発振波長領域に発色吸収帯を有するフ
ォトクロミック物質を用い、レーザ素子を光源としてそ
の基本波と第２高周波の光によって記録、消去を行なわ
せることによって、この種の記録装置の小型化を可能に
したものである。
従来、光の照射により発色又は消色するフォトクロミッ
ク物質を、記録物質として光学式情報記録媒体へ応用し
ようとする試みが数多くなされてきた。その代表的な例
としてはスピロピラン化合物やフルギド化合物が知られ
ている。これら化合物は紫外から近紫外の波長領域の光
の照射により消色状態から発色状態への変化が起き、ま
たそれぞれの化合物の発色吸収帯に対応する波長領域の
光を照射することにより、発色状態から消色状態への変
化が起きる。従来のフォトクロミンク化合物の発色吸収
帯は７００ｎｍより短い波長領域である。
ク物質を、記録物質として光学式情報記録媒体へ応用し
ようとする試みが数多くなされてきた。その代表的な例
としてはスピロピラン化合物やフルギド化合物が知られ
ている。これら化合物は紫外から近紫外の波長領域の光
の照射により消色状態から発色状態への変化が起き、ま
たそれぞれの化合物の発色吸収帯に対応する波長領域の
光を照射することにより、発色状態から消色状態への変
化が起きる。従来のフォトクロミンク化合物の発色吸収
帯は７００ｎｍより短い波長領域である。
フォトクロミック物質を光学式情報記録媒体として応用
する際には、発色と消色のために２つの波長領域の光が
必要である。これらの光を得る方法としては、（ｉ）発
色と消色に別々の光源を用いる、例えば紫外光源として
超高圧水銀灯、可視光源として計＋レーザ、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ、 Ｋｒ＋レーザ等のレーザ光源を用いる。（ｉ
ｉ）マルチライン発振レーザの紫外領域と可視領域の発
振線を用いる、（ｉｉｉ ）光ポンピングの波長可変色
素レーザを用いる、（ｉｖ） Ｎｄ” ＹＡＧレーザの
第２高周波と第３高周波を用いる、あるいはルビーレー
ザの基本波と第２高周波を用いる、等の方法が従来の技
術から考えられる。
する際には、発色と消色のために２つの波長領域の光が
必要である。これらの光を得る方法としては、（ｉ）発
色と消色に別々の光源を用いる、例えば紫外光源として
超高圧水銀灯、可視光源として計＋レーザ、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ、 Ｋｒ＋レーザ等のレーザ光源を用いる。（ｉ
ｉ）マルチライン発振レーザの紫外領域と可視領域の発
振線を用いる、（ｉｉｉ ）光ポンピングの波長可変色
素レーザを用いる、（ｉｖ） Ｎｄ” ＹＡＧレーザの
第２高周波と第３高周波を用いる、あるいはルビーレー
ザの基本波と第２高周波を用いる、等の方法が従来の技
術から考えられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし乍ら、上述の方法に共通しである大きな欠点はシ
ステムが巨大になることである。また、夫々の方法につ
いては次のような欠点がある。上記（ｉ）の方法ではビ
ット毎の記録、消去が原理的に不可能である。上記（ｉ
ｉ ） （ｉｉｉ ）の方法では波長を変えるための
操作が大変で実験では可能であるが、実用的ではない。
ステムが巨大になることである。また、夫々の方法につ
いては次のような欠点がある。上記（ｉ）の方法ではビ
ット毎の記録、消去が原理的に不可能である。上記（ｉ
ｉ ） （ｉｉｉ ）の方法では波長を変えるための
操作が大変で実験では可能であるが、実用的ではない。
上記（ｉｖ）の方法では、ルビーレーザの場合にはパル
ス発振レーザであり信号周波数に対応するような高くり
かえし発振が不可能であり、Ｎｄ” ＹＡＧレーザの場
合には直接変調が原理的に不可能である。
ス発振レーザであり信号周波数に対応するような高くり
かえし発振が不可能であり、Ｎｄ” ＹＡＧレーザの場
合には直接変調が原理的に不可能である。
本発明は、上述の点に鑑み、フォトクロミンク物質を記
録層として用いた光学式情報記録媒体への記録方法にお
いて、記録装置の大幅な小型化を可能とする等、実用に
供し得る記録方法を提供するものである。
録層として用いた光学式情報記録媒体への記録方法にお
いて、記録装置の大幅な小型化を可能とする等、実用に
供し得る記録方法を提供するものである。
本発明の記録方法は、第１の波長で発振するレーザ素子
と、第１の波長の第２高周波を生ずる変換素子と、変換
素子からの第２の波長の光の照射によりレーザ素子から
の第１の波長の光の波長に吸収を有する発色状態に変化
し、かつ加熱により第１の波長の光の波長に実質的に吸
収を有しない消色状態に可逆的に変化するフォトクロミ
ンク化合物よりなる記録層を有し、第１及び第２の波長
の光を選択的に記録層に照射することにより記録、消去
を行う様にする。
と、第１の波長の第２高周波を生ずる変換素子と、変換
素子からの第２の波長の光の照射によりレーザ素子から
の第１の波長の光の波長に吸収を有する発色状態に変化
し、かつ加熱により第１の波長の光の波長に実質的に吸
収を有しない消色状態に可逆的に変化するフォトクロミ
ンク化合物よりなる記録層を有し、第１及び第２の波長
の光を選択的に記録層に照射することにより記録、消去
を行う様にする。
上述の光学特性を有するフォトクロミック化合物よなる
記録層に、変換素子を通して得られた第２の波長の光即
ち第２高周波の光を照射すると発色し、レーザ素子より
の第１の波長の光即ち基本波の光を照射すると消色する
。
記録層に、変換素子を通して得られた第２の波長の光即
ち第２高周波の光を照射すると発色し、レーザ素子より
の第１の波長の光即ち基本波の光を照射すると消色する
。
従って、予め記録層を全面発色状態又は全面消色状態と
なして、第１及び第２の波長の光を選択的に照射させる
ことにより、情報の記録と消去が行える。
なして、第１及び第２の波長の光を選択的に照射させる
ことにより、情報の記録と消去が行える。
本例においては、半導体レーザ基本波発振波長領域に発
色吸収帯を有するフォトクロミック物質よりなる記録層
を用い、半導体レーザ素子を光源としてその基本波と第
２高周波を用いて記録、消去を行うようになす。
色吸収帯を有するフォトクロミック物質よりなる記録層
を用い、半導体レーザ素子を光源としてその基本波と第
２高周波を用いて記録、消去を行うようになす。
第２高周波を発生させるには、半導体レーザの光を非線
型光学結晶に通すことによって発生させることができる
。この非線型光学結晶としては、Ｌｉ１０４（過ヨウ素
酸すチウ）、ＬｉＮｂ０４（ニオブ酸リチウム） 、
Ｋ Ｄ Ｐ （ＫＨ２ＰＯ４ニリン酸二水素カリウム）
、 ＡＤＰ （ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４ニリン酸二水素アン
モニウム） 、ＯＤ Ａ （Ｃ５Ｈ，Ａ！！０４ ：ヒ
酸二水素セシウム）等の結晶を用いることができる。
型光学結晶に通すことによって発生させることができる
。この非線型光学結晶としては、Ｌｉ１０４（過ヨウ素
酸すチウ）、ＬｉＮｂ０４（ニオブ酸リチウム） 、
Ｋ Ｄ Ｐ （ＫＨ２ＰＯ４ニリン酸二水素カリウム）
、 ＡＤＰ （ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４ニリン酸二水素アン
モニウム） 、ＯＤ Ａ （Ｃ５Ｈ，Ａ！！０４ ：ヒ
酸二水素セシウム）等の結晶を用いることができる。
上記記録層に用い得るフォトクロミック物質としては、
例えばベンゾチオビラン系スピロピラン化合物を用いる
ことができ、例えば下記一般式で示されるフォトクロミ
ンク化合物がある。
例えばベンゾチオビラン系スピロピラン化合物を用いる
ことができ、例えば下記一般式で示されるフォトクロミ
ンク化合物がある。
（式中、Ｒ１は炭素数１〜２０個のアルキル基、Ｒ２１
Ｒ３，Ｒ４及びＲ５は水素原子、炭素数１〜５１［１の
アルキル基、炭素数１〜５ ｆｌｌｉｌのアルコキシ基
、ハロゲン原子、ニトロ基又はジメチルアミノ基を表わ
し、ＲＧ、Ｒ？及びＲ８は水素原子、炭素数１〜５個の
アルキル基、炭素数１〜５個のアルコキシ基又はハロゲ
ン原子を表わす） 次に具体例を説明する。
Ｒ３，Ｒ４及びＲ５は水素原子、炭素数１〜５１［１の
アルキル基、炭素数１〜５ ｆｌｌｉｌのアルコキシ基
、ハロゲン原子、ニトロ基又はジメチルアミノ基を表わ
し、ＲＧ、Ｒ？及びＲ８は水素原子、炭素数１〜５個の
アルキル基、炭素数１〜５個のアルコキシ基又はハロゲ
ン原子を表わす） 次に具体例を説明する。
１′−ｎヘキシル−５′メトキシ−３’、３’−ジメチ
ル−８メトキシ−６−ニトロスビロＣ２Ｈ−１−ベンゾ
チオビラン−２，２′−インドリン〕 １重量部、塩化
ビニル−塩化ビニリデン共重合体（電気化学工業社製デ
ンカビニル＃ １０００Ｗ）２重量部、シクロへキサノ
ン３０重量部からなる溶液を、光学研磨した厚さ １
、２ｍｍのパイレックスガラス基板（１）（第１図参照
）上にスピンナで塗布した。塗布条件は２７００回転／
分で、回転時間は１０秒であった。この塗布層を減圧下
８０°Ｃで２．５時間乾燥し、スピロピラン層による記
録層（２）を形成した。乾燥後の記録層（２）の厚さは
０．７μｍである。
ル−８メトキシ−６−ニトロスビロＣ２Ｈ−１−ベンゾ
チオビラン−２，２′−インドリン〕 １重量部、塩化
ビニル−塩化ビニリデン共重合体（電気化学工業社製デ
ンカビニル＃ １０００Ｗ）２重量部、シクロへキサノ
ン３０重量部からなる溶液を、光学研磨した厚さ １
、２ｍｍのパイレックスガラス基板（１）（第１図参照
）上にスピンナで塗布した。塗布条件は２７００回転／
分で、回転時間は１０秒であった。この塗布層を減圧下
８０°Ｃで２．５時間乾燥し、スピロピラン層による記
録層（２）を形成した。乾燥後の記録層（２）の厚さは
０．７μｍである。
この記録層（２）上に真空蒸着法によりＡｇを２０００
人の厚さに蒸着しＡｇ反射膜（３）を形成して第１図に
示す記録媒体となる試料（４）を作製した。
人の厚さに蒸着しＡｇ反射膜（３）を形成して第１図に
示す記録媒体となる試料（４）を作製した。
このスピロピラン層による記録層（２）の光吸収スペク
トルを第３図に示す。消色状態の吸収スペクトル（Ａ）
は発振波長７８０ｎｍの半導体レーザの第２高周波の波
長（３９０ｎｍ） （図中符号■参照）に大きな吸収
を有し、発色状態の吸収スペクトル（Ｂ）は半導体レー
ザの基本波の波長（７８０ｎｍ）（図中符号■参照）に
も吸収帯部ち発色吸収帯が存在している。なお、上述の
ベンゾチオビラン系スピロピラン化合物もこのような条
件を満たすものである。
トルを第３図に示す。消色状態の吸収スペクトル（Ａ）
は発振波長７８０ｎｍの半導体レーザの第２高周波の波
長（３９０ｎｍ） （図中符号■参照）に大きな吸収
を有し、発色状態の吸収スペクトル（Ｂ）は半導体レー
ザの基本波の波長（７８０ｎｍ）（図中符号■参照）に
も吸収帯部ち発色吸収帯が存在している。なお、上述の
ベンゾチオビラン系スピロピラン化合物もこのような条
件を満たすものである。
かかる試料（４）に対する発色、消色は次のようにして
行った。
行った。
発色
発振波長７８０ｎｍ、定格出力１００ｍＷの連続発振半
導体レーザを光源として、その光路に非線型光学結晶例
えは厚さ２．５ｍｍのＬｉＩＯ３結晶を配し、角度位相
整合により第２高周波（３９０ｎｍ）を発生させた。発
生効率は０．５％以下（即ち０．５ｍＷ以下）であった
。このＬｉＩＯ３結晶を通った光を光学フィルタにより
基本波をカントした後、レンズで直径約３μｍに絞って
試料（４）に照射し発色を行った。発色は７８０ｎｍの
レーザ光での反射率が３６％となるまで行った。
導体レーザを光源として、その光路に非線型光学結晶例
えは厚さ２．５ｍｍのＬｉＩＯ３結晶を配し、角度位相
整合により第２高周波（３９０ｎｍ）を発生させた。発
生効率は０．５％以下（即ち０．５ｍＷ以下）であった
。このＬｉＩＯ３結晶を通った光を光学フィルタにより
基本波をカントした後、レンズで直径約３μｍに絞って
試料（４）に照射し発色を行った。発色は７８０ｎｍの
レーザ光での反射率が３６％となるまで行った。
消色
発振波長７８０ｎｍの連続発振半導体レーザの出力を１
０ｍＷにして、レーザビーム径を試料面上で１．５μｍ
に絞って、パルス幅を０．１から７μｍまで変えて照射
し消色を行った。７８０ｎｍのレーザ光での反射率が２
０％上昇（従って全体として５６％まで上昇）するのに
必要なエネルギは０．３Ｊ／ａｌｌであった・ 次に、この試料（４）を記録媒体としたときの情報の記
録、消去及び読み出しを説明する。
０ｍＷにして、レーザビーム径を試料面上で１．５μｍ
に絞って、パルス幅を０．１から７μｍまで変えて照射
し消色を行った。７８０ｎｍのレーザ光での反射率が２
０％上昇（従って全体として５６％まで上昇）するのに
必要なエネルギは０．３Ｊ／ａｌｌであった・ 次に、この試料（４）を記録媒体としたときの情報の記
録、消去及び読み出しを説明する。
−例としては、先ず第２図Ａに示すように記録媒体（４
）の記録層（２）を全面発色状態にしておく。そして、
記録時には、第２ｍ８に示すように上述の発振波長７８
０ｎｍ、出力１０ｍＷの変調された半導体レーザビーム
（ビーム径１．５μｍ ） （５１を基板（１）側から
照射して選択的に加熱し照射部（７）を消色して情報を
記録する。次にこのようにして記録した情報を読み出す
ときは発振波長７８０ｎｍ、出力０．５ｍＷ以下（記録
時よりパワーが小さい）の半導体レーザビームを基板（
１）側より照射して反射光の大小を検出して読み出す。
）の記録層（２）を全面発色状態にしておく。そして、
記録時には、第２ｍ８に示すように上述の発振波長７８
０ｎｍ、出力１０ｍＷの変調された半導体レーザビーム
（ビーム径１．５μｍ ） （５１を基板（１）側から
照射して選択的に加熱し照射部（７）を消色して情報を
記録する。次にこのようにして記録した情報を読み出す
ときは発振波長７８０ｎｍ、出力０．５ｍＷ以下（記録
時よりパワーが小さい）の半導体レーザビームを基板（
１）側より照射して反射光の大小を検出して読み出す。
次に、記録された情報を消去したいときには、第２図Ｃ
に示すように上述の発振波長７８０ｎｍの半導体レーザ
光を非線型光学結晶を通して得られた第２高周波（波長
３９０ｎｍ）の光ビーム（ビーム径３μｍ ） （６１
を消去したいところに基板（１）側より照射すれば発色
状態に変化し、消去される。
に示すように上述の発振波長７８０ｎｍの半導体レーザ
光を非線型光学結晶を通して得られた第２高周波（波長
３９０ｎｍ）の光ビーム（ビーム径３μｍ ） （６１
を消去したいところに基板（１）側より照射すれば発色
状態に変化し、消去される。
他の例としては、図示せざるも上述とは逆に予め記録媒
体（４）の記録層（２）を消色状態にしておき、記録時
には上述の第２高周波（波長３９０ｎｍ）の光ビームを
照射して選択的に発色させて情報を記録し、又記録され
た情報を消去する時には上述の発振波長７８０ｎｍ、出
力１０ｍＷの半導体レーザビームを照射し加熱して消色
させて消去するようになす。
体（４）の記録層（２）を消色状態にしておき、記録時
には上述の第２高周波（波長３９０ｎｍ）の光ビームを
照射して選択的に発色させて情報を記録し、又記録され
た情報を消去する時には上述の発振波長７８０ｎｍ、出
力１０ｍＷの半導体レーザビームを照射し加熱して消色
させて消去するようになす。
読み出しは上述と同様である。
なお、基本波と第２高周波の各光を得る手段としては、
例えば１つの半導体レーザ素子からのレーザ光を２分割
し、一方より基本波（波長７８０ｎｍ）の光を得、他方
のレーザ光を非線型光学結晶を通して第２高周波（波長
３９０ｎｍ）を得るようにすることができる。或いは、
２つの半導体レーザ素子を用い、一方のレーザ素子から
基本波（波長７８０ｒｖ＋）の光を得、他方のレーザ素
子のレーザ光を非線型光学結晶を通して第２高周波（波
長３９０ｎｍ）の光を得るようにすることもできる。
例えば１つの半導体レーザ素子からのレーザ光を２分割
し、一方より基本波（波長７８０ｎｍ）の光を得、他方
のレーザ光を非線型光学結晶を通して第２高周波（波長
３９０ｎｍ）を得るようにすることができる。或いは、
２つの半導体レーザ素子を用い、一方のレーザ素子から
基本波（波長７８０ｒｖ＋）の光を得、他方のレーザ素
子のレーザ光を非線型光学結晶を通して第２高周波（波
長３９０ｎｍ）の光を得るようにすることもできる。
この様に、光学式記録媒体の記録層として半導体レーザ
発振波長領域に発色吸収帯を有するフォトクロミンク化
合物の層を用い、一方半導体レーザを光源として、その
基本波と第２高周波の光を用いて記録、消去を行うよう
にしたことにより、斯る光学式記録装置の小型化が可能
となり、且つビット毎の記録、消去が可能となる。又基
本波と第２高周波の切替も容易に行える。さらにレーザ
の変調が半導体レーザの電流変調により行えるので、他
のレーザを光源に用いた場合に不可能もしくは非常に難
しいレーザの直接変調が容易となる。
発振波長領域に発色吸収帯を有するフォトクロミンク化
合物の層を用い、一方半導体レーザを光源として、その
基本波と第２高周波の光を用いて記録、消去を行うよう
にしたことにより、斯る光学式記録装置の小型化が可能
となり、且つビット毎の記録、消去が可能となる。又基
本波と第２高周波の切替も容易に行える。さらにレーザ
の変調が半導体レーザの電流変調により行えるので、他
のレーザを光源に用いた場合に不可能もしくは非常に難
しいレーザの直接変調が容易となる。
本発明の記録方法によれば、記録装置の大幅な小型化を
可能にし、又、基本波と第２高周波の切替えも容易であ
り、ビット毎の記録、消去も可能である。従って、フォ
トクロミック物質を記録層に用いた光学式情報記録媒体
への情報記録の実用化を可能にする。
可能にし、又、基本波と第２高周波の切替えも容易であ
り、ビット毎の記録、消去も可能である。従って、フォ
トクロミック物質を記録層に用いた光学式情報記録媒体
への情報記録の実用化を可能にする。
第１図は本発明に用いる記録媒体の例を示す断面図、第
２図Ａ−Ｃは記録、消去の方法を示す説明図、第３図は
記録層に用いるフォトクロミック物質の光学特性図であ
る。 （１）はガラス基板、（２）はフォトクロミンク物質よ
りなる記録層、（３）はＡｇ反射膜である。
２図Ａ−Ｃは記録、消去の方法を示す説明図、第３図は
記録層に用いるフォトクロミック物質の光学特性図であ
る。 （１）はガラス基板、（２）はフォトクロミンク物質よ
りなる記録層、（３）はＡｇ反射膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）第１の波長で発振するレーザ素子と、 （ｂ）前記第１の波長の第２高周波を生ずる変換素子と
、 （ｃ）前記変換素子からの第２の波長の光の照射により
、前記レーザ素子からの第１の波長の光の該波長に吸収
を有する発色状態に変化し、且つ加熱により前記第１の
波長の光の該波長に実質的に吸収を有しない消色状態に
可逆的に変化するフォトクロミック化合物よりなる記録
層を有し、 （ｄ）前記第１及び第２の波長の光を選択的に前記記録
層に照射することにより、記録、消去を行う様にしたこ
とを特徴とする記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61007445A JPS62164592A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61007445A JPS62164592A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164592A true JPS62164592A (ja) | 1987-07-21 |
Family
ID=11666038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61007445A Pending JPS62164592A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62164592A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923635A (ja) * | 1972-06-23 | 1974-03-02 | ||
| JPS55159411A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Laser recorder |
| JPS59122577A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-16 | Sony Corp | フオトクロミツク感光性組成物 |
| JPS59128525A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-24 | Nec Corp | 高変換効率波長変換装置 |
| JPS60241219A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-11-30 | Nec Corp | レ−ザ利用薄膜形成方法 |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP61007445A patent/JPS62164592A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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