JPS60231931A - 光可逆記録方法 - Google Patents
光可逆記録方法Info
- Publication number
- JPS60231931A JPS60231931A JP59088072A JP8807284A JPS60231931A JP S60231931 A JPS60231931 A JP S60231931A JP 59088072 A JP59088072 A JP 59088072A JP 8807284 A JP8807284 A JP 8807284A JP S60231931 A JPS60231931 A JP S60231931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electric field
- laser light
- electrodes
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/02—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using ferroelectric record carriers; Record carriers therefor
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は強誘電体のヒステリシス特性を利用してレーザ
ー光で記録、再生を行なう新規な光可逆記録方法に関す
る。
ー光で記録、再生を行なう新規な光可逆記録方法に関す
る。
従来技術
レーザー光で記録、再生を行なう光可逆記録方法として
は磁性膜（一般に希土類金属〜遷移金属非晶質合金から
なる）の光磁気特性を利用するいわゆる光磁気方式や結
晶〜非晶質混合膜（例えばカルコゲン化物）の相転移を
利用する方法等が提案されている。しかしこれらの方式
、特に光磁気方式に用いられる非晶質合金膜はきわめて
酸化され易く、このため経時により磁気特性か劣化して
記録、再生か不能になるという欠点かあった。
は磁性膜（一般に希土類金属〜遷移金属非晶質合金から
なる）の光磁気特性を利用するいわゆる光磁気方式や結
晶〜非晶質混合膜（例えばカルコゲン化物）の相転移を
利用する方法等が提案されている。しかしこれらの方式
、特に光磁気方式に用いられる非晶質合金膜はきわめて
酸化され易く、このため経時により磁気特性か劣化して
記録、再生か不能になるという欠点かあった。
目 的
本発明の目的は酸化劣化の恐れかない保存性の優れた強
誘電体膜を記録媒体に使用することにより、常に安定し
一〇記録、再生か行なえる光可逆記録方法を提供するこ
とである０構 成 本発明の光可逆記録方法は透明基板の一方の面に強誘電
体層及びその上に・電極を、他方の面に電極を配置して
なり且つ前記２つの電極の少くとも一方は透明である記
録媒体の前記両電極間に電界を印加して前記層を分極せ
しめ、これにレーザー光を照射すると同時に、前記電極
間に情報信号に応じた方向に電界を印加して強誘電体層
の分極状態を変化せしめ、ついでこの分極状態の変化を
レーザー光で光学的に検知することを特徴とするもので
ある。
誘電体膜を記録媒体に使用することにより、常に安定し
一〇記録、再生か行なえる光可逆記録方法を提供するこ
とである０構 成 本発明の光可逆記録方法は透明基板の一方の面に強誘電
体層及びその上に・電極を、他方の面に電極を配置して
なり且つ前記２つの電極の少くとも一方は透明である記
録媒体の前記両電極間に電界を印加して前記層を分極せ
しめ、これにレーザー光を照射すると同時に、前記電極
間に情報信号に応じた方向に電界を印加して強誘電体層
の分極状態を変化せしめ、ついでこの分極状態の変化を
レーザー光で光学的に検知することを特徴とするもので
ある。
本発明方法は強誘電体の分極の電界に対するヒステリシ
ス特性を利用したもので、一般に強誘電体は第１図に示
すようなヒステリシス特性を持っている。即ち第１図に
おいて強誘電体に＠場ＥをＰｃから−Ｅｃ （マイナス
はＥｃの方向とは逆方向を表わす。）の範囲で印加する
と、分極Ｐは図のようにループ状に変化する。
ス特性を利用したもので、一般に強誘電体は第１図に示
すようなヒステリシス特性を持っている。即ち第１図に
おいて強誘電体に＠場ＥをＰｃから−Ｅｃ （マイナス
はＥｃの方向とは逆方向を表わす。）の範囲で印加する
と、分極Ｐは図のようにループ状に変化する。
本発明方法で用いられる記録媒体は透明基板の一方の面
に以上のような強誘電体からなる層及びその上に電極を
、他方の面に電極を配置したものであるが、前記２つの
電極のうち、少くとも一方は透明でなければならない。
に以上のような強誘電体からなる層及びその上に電極を
、他方の面に電極を配置したものであるが、前記２つの
電極のうち、少くとも一方は透明でなければならない。
こ＼で強誘電体層を構成する強誘電体としてはＰｂＴｉ
０．− ＰｂＺｒ０１ 等が例示される。強誘電体層の
厚さは０．１〜１μ程度である。一方、電極の材料とし
ては８ｎ０２ 、 Ｉｎ１Ｏ１等の透明材料やＡｌ、
Ｏｕ 、Ａｇ等の不透明材料が挙げられる。
０．− ＰｂＺｒ０１ 等が例示される。強誘電体層の
厚さは０．１〜１μ程度である。一方、電極の材料とし
ては８ｎ０２ 、 Ｉｎ１Ｏ１等の透明材料やＡｌ、
Ｏｕ 、Ａｇ等の不透明材料が挙げられる。
電極の厚さは０．１〜１μ程度が適当である。
基板としては石英、シリコン等の透明材料が使用される
。厚さは１〜２■程度か普通である。なお強誘電体層及
び電極の形成法としては一般に蒸着法やスノぞツタリン
グ法か採用される。
。厚さは１〜２■程度か普通である。なお強誘電体層及
び電極の形成法としては一般に蒸着法やスノぞツタリン
グ法か採用される。
次に本発明方法を図面によって説明すると、第２図にお
いて、まず記録媒体の両電極２．２′（この例ではいず
れも透明）に直流電源４により強誘電体層ｌ全体に所望
方向に強誘電体の抗電場を充分越える程度の強度の電界
を印加する。次に電界を切ると、第１図のＡ点で分極す
る。次にこの強誘電体層ｌの所望部分にレーザー光源６
からのレーザー光をレンズ７、ビームスプリッタ−８及
びレンズ９を通して透明基板３側からスポット状（５は
スポット状レーザー光）に照射すると、この部分の強誘
電体層１は加熱されて昇温する。この時の温度をＴｗと
すれば、第２図の温度Ｔと抗′Ｉｔ場Ｅ′との関係によ
り抗電場はＥｃ’となる。
いて、まず記録媒体の両電極２．２′（この例ではいず
れも透明）に直流電源４により強誘電体層ｌ全体に所望
方向に強誘電体の抗電場を充分越える程度の強度の電界
を印加する。次に電界を切ると、第１図のＡ点で分極す
る。次にこの強誘電体層ｌの所望部分にレーザー光源６
からのレーザー光をレンズ７、ビームスプリッタ−８及
びレンズ９を通して透明基板３側からスポット状（５は
スポット状レーザー光）に照射すると、この部分の強誘
電体層１は加熱されて昇温する。この時の温度をＴｗと
すれば、第２図の温度Ｔと抗′Ｉｔ場Ｅ′との関係によ
り抗電場はＥｃ’となる。
このレーザー光照射と同時に電極２，２′間に情報信号
に応じた方向（最初に印加した電場の方向とは逆方向）
に電界を印加する。この時の電界Ｅの大きさはＢｃ’
＜ Ｂ ＜ Ｅｃでなければならない。これにより強誘
電体層ｌのレーザー光照射一部分の分極は選択的に反転
して第１図のＢ点のようになり、こうして記録、即ち書
込みが行なわれる。次にこの分極状態が変化した高誘電
体層ｌに前述のようにして再びレーザー光をスポット状
に照射する。この時のレーザー光強度は書込時よりも低
くしなければならない。これによりレーザー光は強誘電
体層ｌ内の分極状態の変化に応じて反転され、更にこの
反射光はレンズ９を通った後、ビームスプリッタ−８に
よりレンズ１ｏを経て検知器１１に導かれて光学的に検
知され、こうして再生、即ち読出しが行なわれる。なお
このような光学的検知による続出法の原理は次の通りで
ある。即ち、一般に物質の屈折率ｎは誘電率をε、透磁
藁をμとすれば、ｎ＝０７で表わされるが、誘電体では
μ＝一定と考えられるから、前記式はｎｏｃ５となる。
に応じた方向（最初に印加した電場の方向とは逆方向）
に電界を印加する。この時の電界Ｅの大きさはＢｃ’
＜ Ｂ ＜ Ｅｃでなければならない。これにより強誘
電体層ｌのレーザー光照射一部分の分極は選択的に反転
して第１図のＢ点のようになり、こうして記録、即ち書
込みが行なわれる。次にこの分極状態が変化した高誘電
体層ｌに前述のようにして再びレーザー光をスポット状
に照射する。この時のレーザー光強度は書込時よりも低
くしなければならない。これによりレーザー光は強誘電
体層ｌ内の分極状態の変化に応じて反転され、更にこの
反射光はレンズ９を通った後、ビームスプリッタ−８に
よりレンズ１ｏを経て検知器１１に導かれて光学的に検
知され、こうして再生、即ち読出しが行なわれる。なお
このような光学的検知による続出法の原理は次の通りで
ある。即ち、一般に物質の屈折率ｎは誘電率をε、透磁
藁をμとすれば、ｎ＝０７で表わされるが、誘電体では
μ＝一定と考えられるから、前記式はｎｏｃ５となる。
こ＼で誘電率εは分極Ｐの変化に応じて変化するので、
屈折率ｎも変化する。一方、屈折率の異なる２種の媒質
境界面での光の強度反射率孔は屈折率ｎｌの媒質（この
場合は透明電極）から屈折率ｎ、の媒質（この場合は強
誘電体層）に垂直に入射した時 Ｂ ＝＝ （：■セで
表わされる。従って強誘電体層の分極状態の変化はレー
ザー光（スポット状）の反射強度の変化となって現われ
る。
屈折率ｎも変化する。一方、屈折率の異なる２種の媒質
境界面での光の強度反射率孔は屈折率ｎｌの媒質（この
場合は透明電極）から屈折率ｎ、の媒質（この場合は強
誘電体層）に垂直に入射した時 Ｂ ＝＝ （：■セで
表わされる。従って強誘電体層の分極状態の変化はレー
ザー光（スポット状）の反射強度の変化となって現われ
る。
以上のようにして書込み、読出しが行なわれるが、消去
は書込部にレーザー光を照射すると同時に書込時とは逆
方向に電極２，７間に電界を印加して強誘電体層１の分
極状態を第１図のＡ点に戻すことにより行なわれる。
は書込部にレーザー光を照射すると同時に書込時とは逆
方向に電極２，７間に電界を印加して強誘電体層１の分
極状態を第１図のＡ点に戻すことにより行なわれる。
この時のレーザー光強度は喪込時と同じでよい。
効 果
本発明方法は酸化劣化の恐れのない保存性の優れた強誘
電体膜を記録媒体に使用したので、レーザー光により常
に安定して記録、再生を行なうことができる。
電体膜を記録媒体に使用したので、レーザー光により常
に安定して記録、再生を行なうことができる。
第１図は強誘電体のヒステリシス曲線図、第２図は強誘
電体の温度と抗′亀場との関係図、第３図は本発明方法
を実施するための説明図であるＯ １・・・強誘電体層 ２．２′・・・透Ｅ！Ａ−極３・
・・透明基板 ５・・・レーザー光（スポット状）１１
・・・検知器 乃１図 珀３閃
電体の温度と抗′亀場との関係図、第３図は本発明方法
を実施するための説明図であるＯ １・・・強誘電体層 ２．２′・・・透Ｅ！Ａ−極３・
・・透明基板 ５・・・レーザー光（スポット状）１１
・・・検知器 乃１図 珀３閃
Claims (1)
- Ｌ 透明基板の一方の面に強誘電体層及びその上に電極
を、他方の面に電極を配置してなり、且つ前記２つの電
極の少くとも一方は透明である記録媒体の前記両電極間
にｗ１界を印加して強誘電体層を分極させた後、これに
レーザー光を照射すると同時に、前記電極間に情報信号
に応じた方向に電界を印加して強誘電体層の分極状態を
変化せしめ、ついでこの分極状態の変化をレーザー光で
光学的に検知することを特徴とする光可逆記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088072A JPS60231931A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 光可逆記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088072A JPS60231931A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 光可逆記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231931A true JPS60231931A (ja) | 1985-11-18 |
Family
ID=13932648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59088072A Pending JPS60231931A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 光可逆記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002073612A1 (fr) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Sony Corporation | Appareil d'enregistrement/lecture optique, appareil de lecture optique, support d'enregistrement/lecture optique, procede d'enregistrement/lecture optique, procede d'enregistrement optique, procede de lecture optique, et procede de detection de couche optique |
| KR100393180B1 (ko) * | 1996-02-01 | 2003-12-24 | 삼성전자주식회사 | 강유전체박막을이용한디스크장치 |
-
1984
- 1984-05-01 JP JP59088072A patent/JPS60231931A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393180B1 (ko) * | 1996-02-01 | 2003-12-24 | 삼성전자주식회사 | 강유전체박막을이용한디스크장치 |
| WO2002073612A1 (fr) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Sony Corporation | Appareil d'enregistrement/lecture optique, appareil de lecture optique, support d'enregistrement/lecture optique, procede d'enregistrement/lecture optique, procede d'enregistrement optique, procede de lecture optique, et procede de detection de couche optique |
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