JPS6130329B2 - - Google Patents
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- JPS6130329B2 JPS6130329B2 JP54135273A JP13527379A JPS6130329B2 JP S6130329 B2 JPS6130329 B2 JP S6130329B2 JP 54135273 A JP54135273 A JP 54135273A JP 13527379 A JP13527379 A JP 13527379A JP S6130329 B2 JPS6130329 B2 JP S6130329B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ
装置において、記録時のトラツキングを容易に
し、かつ高い信号雑音比が得られる光メモリ媒体
に関するものである。
装置において、記録時のトラツキングを容易に
し、かつ高い信号雑音比が得られる光メモリ媒体
に関するものである。
従来のこの種の光メモリ媒体としては、ガラス
あるいはプラスチツク基体の上に記録層として、
Al、Se、Te、Biなどの金属層を形成し、集束レ
ーザ光による溶融蒸発を原理とした凹凸形成によ
り情報を記録するものが多く使われている。この
ような記録媒体において、基本表面の微小なキズ
は情報再生において光学的欠陥となり、ドロツプ
アウトあるいはビツトエラーなどのメモリ媒体と
しての性能を低下させる原因となるものである。
又この種の記録媒体では情報トラツクの追加記録
時、トラツキングを行う場合、補助ビームを用い
記録された最終トラツクの再生によりトラツキン
グ制御信号を得て記録時のトラツキング信号とす
るか、あるいは記録された最終トラツクの再生に
より得られたトラツキング制御信号をいつたんメ
モリ装置に記憶し、追記の場合のトラツキング制
御信号として利用するなど装置構成が複雑となる
欠点があつた。
あるいはプラスチツク基体の上に記録層として、
Al、Se、Te、Biなどの金属層を形成し、集束レ
ーザ光による溶融蒸発を原理とした凹凸形成によ
り情報を記録するものが多く使われている。この
ような記録媒体において、基本表面の微小なキズ
は情報再生において光学的欠陥となり、ドロツプ
アウトあるいはビツトエラーなどのメモリ媒体と
しての性能を低下させる原因となるものである。
又この種の記録媒体では情報トラツクの追加記録
時、トラツキングを行う場合、補助ビームを用い
記録された最終トラツクの再生によりトラツキン
グ制御信号を得て記録時のトラツキング信号とす
るか、あるいは記録された最終トラツクの再生に
より得られたトラツキング制御信号をいつたんメ
モリ装置に記憶し、追記の場合のトラツキング制
御信号として利用するなど装置構成が複雑となる
欠点があつた。
一方、情報トラツク位置に溝が形成された透明
プラスチツク基体上にTeなどの金属層を形成
し、集束レーザ光による凹凸形成により情報を記
録する例が発表されている。この種の記録媒体で
は情報トラツクの追加記録時におけるトラツキン
グは容易に行えるが、基体表面の微少なキズは、
そのまま残り情報再生における光学的欠陥とな
り、ドロツプアウトあるいはビツトエラーなどの
原因となつてメモリ媒体としての性能を著しく劣
化させる欠点がある。
プラスチツク基体上にTeなどの金属層を形成
し、集束レーザ光による凹凸形成により情報を記
録する例が発表されている。この種の記録媒体で
は情報トラツクの追加記録時におけるトラツキン
グは容易に行えるが、基体表面の微少なキズは、
そのまま残り情報再生における光学的欠陥とな
り、ドロツプアウトあるいはビツトエラーなどの
原因となつてメモリ媒体としての性能を著しく劣
化させる欠点がある。
また凹凸面上に直接記録層を形成しているため
に、入射角依存性のある記録層には不適当である
という欠点があつた。
に、入射角依存性のある記録層には不適当である
という欠点があつた。
本発明は情報トラツク位置に溝が形成された透
明プラスチツク基体上に該基体と屈折率が異なる
液状プラスチツクを塗布したのち硬化させて光学
的欠陥を除去し、平坦な表面上に記録層を形成
し、基体の裏面から記録再生する形態をとつた光
メモリ媒体であり、その目的は高い信号雑音比を
得ること、および情報トラツクの追加記録時にお
けるトラツキングを容易にすることにある。
明プラスチツク基体上に該基体と屈折率が異なる
液状プラスチツクを塗布したのち硬化させて光学
的欠陥を除去し、平坦な表面上に記録層を形成
し、基体の裏面から記録再生する形態をとつた光
メモリ媒体であり、その目的は高い信号雑音比を
得ること、および情報トラツクの追加記録時にお
けるトラツキングを容易にすることにある。
次に本発明の実施例を図面について説明する。
第１ａ図は本発明の一実施例であり、図におい
て１は透明プラスチツク基体、２は情報トラツク
位置に形成された溝、３はプラスチツク基体１と
屈折率が異なるプラスチツク被覆層、５はプラス
チツク基体１の表面上に存在する光学的欠陥ある
いはプレストその後の処理により生じた光学的欠
陥である。透明プラスチツク基体１は光学的に均
質であること、透過率が高いこと、機械的強度に
優れていることが好ましく、そのためポリメチル
メタクリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ジグリコールジアリルカーボネート、エポキ
シ樹脂などが用いられる。次にポリメチルメタク
リレート板を用いた実施例について説明する。厚
さ１mmのポリメチルメタクリレート板を直径25cm
の円板に加工し、基体として用いた。この基体の
情報トラツク位置にプレスにより溝加工を行うの
であるが、この場合、プレス以前に存在した基体
表面のキズ及びプレスとその後の処理により生じ
た基体表面のキズが情報トラツク位置に生ずるこ
とになる。このキズを埋没せしめる目的で被覆層
３を塗布する。この被覆層材料に要求される条件
としては屈折率が基体１と異なるものであること
が望ましい。なぜなら、第１図ｂに示すように溝
を通過し記録層により反射した光と溝を通過せず
に記録層により反射した光は、光学的光路差の違
いにより位相変化が生じ、反射光の光強度分布が
変化するためトラツキング信号検出が可能となる
からである。これは情報トラツクの追加記録時ト
ラツキングを可能とするものである。
て１は透明プラスチツク基体、２は情報トラツク
位置に形成された溝、３はプラスチツク基体１と
屈折率が異なるプラスチツク被覆層、５はプラス
チツク基体１の表面上に存在する光学的欠陥ある
いはプレストその後の処理により生じた光学的欠
陥である。透明プラスチツク基体１は光学的に均
質であること、透過率が高いこと、機械的強度に
優れていることが好ましく、そのためポリメチル
メタクリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ジグリコールジアリルカーボネート、エポキ
シ樹脂などが用いられる。次にポリメチルメタク
リレート板を用いた実施例について説明する。厚
さ１mmのポリメチルメタクリレート板を直径25cm
の円板に加工し、基体として用いた。この基体の
情報トラツク位置にプレスにより溝加工を行うの
であるが、この場合、プレス以前に存在した基体
表面のキズ及びプレスとその後の処理により生じ
た基体表面のキズが情報トラツク位置に生ずるこ
とになる。このキズを埋没せしめる目的で被覆層
３を塗布する。この被覆層材料に要求される条件
としては屈折率が基体１と異なるものであること
が望ましい。なぜなら、第１図ｂに示すように溝
を通過し記録層により反射した光と溝を通過せず
に記録層により反射した光は、光学的光路差の違
いにより位相変化が生じ、反射光の光強度分布が
変化するためトラツキング信号検出が可能となる
からである。これは情報トラツクの追加記録時ト
ラツキングを可能とするものである。
又、被覆層の屈折率をn2、基体の屈折率をn1と
すると、２層の境界面での反射率Ｒは、 Ｒ＝（n1−n2）2／（n1＋n2）2 で与えられ、トラツキング信号検出可能な範囲内
でn1とn2の値を近い値とすることにより境界面で
の反射率を低減させ、光学的欠陥をほぼ除去する
ことが可能である。又、トラツキング信号検出に
関係する光の位相変化すなわち溝を通過した光と
溝を通過しなかつた光との間の位相の違いφは、
溝の深さをｄとすると φ＝２π（ｎ１−ｎ２）ｄ／λ で与えられ、境界面での反射率を低減させるため
n1とn2の値が非常に近い場合には溝の深さｄを十
分大きくすることにより、トラツキング信号を十
分検出することが可能となる。このような構成に
おいてポリメチルメタクリレート基体の屈折率は
n0＝1.49であり、被覆層材料として例えば基体と
同程度の屈折率をもつ酢酸ビニル（n0＝1.45）、
ポリエステル樹脂（n0＝1.54）が適用できる。一
例としてポリエステル樹脂をトリクロルエチレン
に溶融し、スピナーにより被覆層を形成すること
ができた。一方、このような被覆層表面は凹凸の
ない極めて平坦な面となるため、この表面上に記
録媒体を形成することにより光学的欠陥の除去さ
れた記録層を形成することが可能であつた。
すると、２層の境界面での反射率Ｒは、 Ｒ＝（n1−n2）2／（n1＋n2）2 で与えられ、トラツキング信号検出可能な範囲内
でn1とn2の値を近い値とすることにより境界面で
の反射率を低減させ、光学的欠陥をほぼ除去する
ことが可能である。又、トラツキング信号検出に
関係する光の位相変化すなわち溝を通過した光と
溝を通過しなかつた光との間の位相の違いφは、
溝の深さをｄとすると φ＝２π（ｎ１−ｎ２）ｄ／λ で与えられ、境界面での反射率を低減させるため
n1とn2の値が非常に近い場合には溝の深さｄを十
分大きくすることにより、トラツキング信号を十
分検出することが可能となる。このような構成に
おいてポリメチルメタクリレート基体の屈折率は
n0＝1.49であり、被覆層材料として例えば基体と
同程度の屈折率をもつ酢酸ビニル（n0＝1.45）、
ポリエステル樹脂（n0＝1.54）が適用できる。一
例としてポリエステル樹脂をトリクロルエチレン
に溶融し、スピナーにより被覆層を形成すること
ができた。一方、このような被覆層表面は凹凸の
ない極めて平坦な面となるため、この表面上に記
録媒体を形成することにより光学的欠陥の除去さ
れた記録層を形成することが可能であつた。
第１図ｃは本発明の他の実施例を示す。図にお
いて溝の部分のみを基体と屈折率の異なつた材料
２′で埋めた後、記録層と接する面は別の材料
１′をもうけることによつて平面性よく仕上げる
ことが可能である。材料１′は基体と同一屈折率
に選ぶことによつて溝のない部分での光学的特性
の乱れを少なくすることができる。
いて溝の部分のみを基体と屈折率の異なつた材料
２′で埋めた後、記録層と接する面は別の材料
１′をもうけることによつて平面性よく仕上げる
ことが可能である。材料１′は基体と同一屈折率
に選ぶことによつて溝のない部分での光学的特性
の乱れを少なくすることができる。
第２図は本発明における情報記録体を用いた光
メモリ装置の構成例を示す。図において８は記録
再生用レーザ、９はレーザ光変調用駆動電源、１
０はレーザ光集束光学系、１１はビームスプリツ
ター、１２はλ／４板、１３はレーザ光集束光学
系、１４は光検出器である。記録時８より発せら
れたレーザ光はレーザ光集束光学系１０により平
行ビームとなりビームスプリツター１１、λ／４
板１２を通過後、レーザ光集束光学系１３により
記録層上に集光される。記録層として例えばBi、
Teなどの低融点金属が用いられる。１５はレー
ザにより記録層が溶融蒸発して形成されたピツト
を示す。記録時におけるトラツキングは基体１に
あらかじめ形成されている溝２を通つて反射され
る。反射光を光検出器１４で受光し、トラツキン
グ制御信号を得ることができた。又、再生時はレ
ーザパワーを弱め、記録時と同様な原理のトラツ
キングを行いつつ、記録層からの反射光を光検出
器１４で受光することにより再生信号を得ること
ができた。
メモリ装置の構成例を示す。図において８は記録
再生用レーザ、９はレーザ光変調用駆動電源、１
０はレーザ光集束光学系、１１はビームスプリツ
ター、１２はλ／４板、１３はレーザ光集束光学
系、１４は光検出器である。記録時８より発せら
れたレーザ光はレーザ光集束光学系１０により平
行ビームとなりビームスプリツター１１、λ／４
板１２を通過後、レーザ光集束光学系１３により
記録層上に集光される。記録層として例えばBi、
Teなどの低融点金属が用いられる。１５はレー
ザにより記録層が溶融蒸発して形成されたピツト
を示す。記録時におけるトラツキングは基体１に
あらかじめ形成されている溝２を通つて反射され
る。反射光を光検出器１４で受光し、トラツキン
グ制御信号を得ることができた。又、再生時はレ
ーザパワーを弱め、記録時と同様な原理のトラツ
キングを行いつつ、記録層からの反射光を光検出
器１４で受光することにより再生信号を得ること
ができた。
記録層が例えばTeOxのように透過率を変える
ような材料の場合には、透過光を検出することに
よつて反射形と同様な原理によつて信号の再生に
トラツキングが可能である。
ような材料の場合には、透過光を検出することに
よつて反射形と同様な原理によつて信号の再生に
トラツキングが可能である。
以上説明したように本発明によれば透明プラス
チツク基体の情報トラツク位置に溝を形成し、そ
の面に該基体と異なる屈折率のプラスチツク被覆
層を塗布することによりキズのない極めて高精度
の鏡面を有する平面上に記録層を形成することが
でき、情報再生においてキズなどによるドロツプ
アウトあるいはビツトエラーなどを防ぐことがで
きるとともに情報トラツクの追加記録において、
トラツキングを容易に行うことができる。
チツク基体の情報トラツク位置に溝を形成し、そ
の面に該基体と異なる屈折率のプラスチツク被覆
層を塗布することによりキズのない極めて高精度
の鏡面を有する平面上に記録層を形成することが
でき、情報再生においてキズなどによるドロツプ
アウトあるいはビツトエラーなどを防ぐことがで
きるとともに情報トラツクの追加記録において、
トラツキングを容易に行うことができる。
また記録層は平坦であるため、記録時レーザ光
の入射角依存性が存在しない効果をも有する。
の入射角依存性が存在しない効果をも有する。
第１図ａは本発明の実施例の断面図、第１図ｂ
はレーザ光の通過位置を説明する図、第１図ｃは
本発明の他の実施例の断面図、第２図は本発明を
用いた光メモリ装置構成例を示す。 １……透明プラスチツク基体、１′……被覆
層、２……溝、３……被覆層、４……記録層、５
……光学的欠陥、６……溝を通過しないレーザ
光、７……溝を通過するレーザ光、８……レーザ
光源、９……レーザ駆動電源、１０……集束光学
系、１１……ビームスプリツタ、１２……λ／４
板、１３……集束光学系、１４……光検出器、１
５……ピツト。
はレーザ光の通過位置を説明する図、第１図ｃは
本発明の他の実施例の断面図、第２図は本発明を
用いた光メモリ装置構成例を示す。 １……透明プラスチツク基体、１′……被覆
層、２……溝、３……被覆層、４……記録層、５
……光学的欠陥、６……溝を通過しないレーザ
光、７……溝を通過するレーザ光、８……レーザ
光源、９……レーザ駆動電源、１０……集束光学
系、１１……ビームスプリツタ、１２……λ／４
板、１３……集束光学系、１４……光検出器、１
５……ピツト。
Claims (1)
- １ 情報トラツク位置に溝が形成された透明な基
体と、該基体の溝を基体と屈折率が異なつた材料
によつて埋め込むことにより平坦にした被覆層
と、該被覆層或はその上にさらに他の一層をもう
けた被覆層上に形成された光学的記録層からなる
ことを特徴とする光学的メモリ媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13527379A JPS5661048A (en) | 1979-10-22 | 1979-10-22 | Optical memory medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13527379A JPS5661048A (en) | 1979-10-22 | 1979-10-22 | Optical memory medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5661048A JPS5661048A (en) | 1981-05-26 |
| JPS6130329B2 true JPS6130329B2 (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=15147842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13527379A Granted JPS5661048A (en) | 1979-10-22 | 1979-10-22 | Optical memory medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5661048A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212820Y2 (ja) * | 1985-12-27 | 1990-04-10 | ||
| JPH0224421Y2 (ja) * | 1986-09-18 | 1990-07-04 | ||
| JPH0343939Y2 (ja) * | 1986-08-28 | 1991-09-13 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3042960A1 (de) * | 1980-11-14 | 1982-07-08 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur depolymerisation von polytetramethylenglykolether |
| JPS57158047A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Toshiba Corp | Optical information recording medium |
| US4578788A (en) * | 1983-06-02 | 1986-03-25 | International Business Machines Corporation | High performance optical storage medium with separate mechanical servo tracks embedded within the medium |
| JPS6252739A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Canon Inc | 光記録媒体 |
| JPS62204448A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPH07111788B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録媒体 |
| JPH0762919B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1995-07-05 | 三菱化学株式会社 | 再生専用型光ディスク |
-
1979
- 1979-10-22 JP JP13527379A patent/JPS5661048A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212820Y2 (ja) * | 1985-12-27 | 1990-04-10 | ||
| JPH0343939Y2 (ja) * | 1986-08-28 | 1991-09-13 | ||
| JPH0224421Y2 (ja) * | 1986-09-18 | 1990-07-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5661048A (en) | 1981-05-26 |
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