JPH03130948A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH03130948A JPH03130948A JP2122961A JP12296190A JPH03130948A JP H03130948 A JPH03130948 A JP H03130948A JP 2122961 A JP2122961 A JP 2122961A JP 12296190 A JP12296190 A JP 12296190A JP H03130948 A JPH03130948 A JP H03130948A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、所謂オンランド記録方式の光情報記録媒体に
係り、特に透明基板に形成される案内溝の形状および寸
法に関する。
係り、特に透明基板に形成される案内溝の形状および寸
法に関する。
本願出願人は先に、少なくとも、V字形状の案内溝を有
する透明基板と、該透明基板の屈折率よりも大きな屈折
率を有する透明膜と、該透明膜上に設けられた磁性膜と
から成り、前記案内溝の溝間に情報を記録し、かつ再生
光の波長をλとしたときV字形状の溝の深さをλ/6よ
り浅くしかもλ/8よりも深くした光磁気ディスクを提
案した(特開昭63−225945号公報)、再生光と
しては、現在のところ波長が830nmの半導体レーザ
が多く用いられている。従って、この半導体レーザが搭
載された光磁気記録媒体駆動装置に適用される光磁気記
録媒体については、案内溝の深さが約104〜140n
mに形成される。
する透明基板と、該透明基板の屈折率よりも大きな屈折
率を有する透明膜と、該透明膜上に設けられた磁性膜と
から成り、前記案内溝の溝間に情報を記録し、かつ再生
光の波長をλとしたときV字形状の溝の深さをλ/6よ
り浅くしかもλ/8よりも深くした光磁気ディスクを提
案した(特開昭63−225945号公報)、再生光と
しては、現在のところ波長が830nmの半導体レーザ
が多く用いられている。従って、この半導体レーザが搭
載された光磁気記録媒体駆動装置に適用される光磁気記
録媒体については、案内溝の深さが約104〜140n
mに形成される。
この光磁気ディスクは、案内溝をV字形状にしたので、
溝と溝との間の平坦部(ランド部)に情報を記録した場
合に、良質な再生信号を得ることができる。
溝と溝との間の平坦部(ランド部)に情報を記録した場
合に、良質な再生信号を得ることができる。
また、案内溝の深さを再生光の波長の1/6より浅くl
/8よりも深くしたので、ボール型光検出素子によって
光磁気ディスクからの反射光を検出したとき。
/8よりも深くしたので、ボール型光検出素子によって
光磁気ディスクからの反射光を検出したとき。
lDx −Dz I / (D1+Dz)(但し、Dx
、Dzは各光検出素子の出力)で定義されるトラッキン
グ信号の変調度が最大になり、安定なトラッキングを行
うことができる。
、Dzは各光検出素子の出力)で定義されるトラッキン
グ信号の変調度が最大になり、安定なトラッキングを行
うことができる。
ところで、光情報記録媒体のトラッキング信号検出方式
としては、前記のボール型光検出器を用いる方式のほか
、2分割光検出器を用いたプッシュプル方式がある。
としては、前記のボール型光検出器を用いる方式のほか
、2分割光検出器を用いたプッシュプル方式がある。
プッシュプル方式とは、光情報記録媒体からの反射光を
2分割光検出器にて検出し、2分割光検出器を構成する
第1の光検出素子で検出された反射光強度をI1、第2
の光検出素子で検出された反射光強度をI2.ミラー面
(光情報記録媒体の平坦部)からの反射光強度をIoと
したとき、III I21/IOにて定義される信号(
プッシュプル信号)をしてトラッキングを行う方式であ
る。
2分割光検出器にて検出し、2分割光検出器を構成する
第1の光検出素子で検出された反射光強度をI1、第2
の光検出素子で検出された反射光強度をI2.ミラー面
(光情報記録媒体の平坦部)からの反射光強度をIoと
したとき、III I21/IOにて定義される信号(
プッシュプル信号)をしてトラッキングを行う方式であ
る。
このプッシュプル方式のトラッキング信号検出方式を用
いた場合には、トラッキングエラーを防止するため、前
記プッシュプル信号の大きさを、2分割ディテクタを装
置した標準ドライブを用いたときに。
いた場合には、トラッキングエラーを防止するため、前
記プッシュプル信号の大きさを、2分割ディテクタを装
置した標準ドライブを用いたときに。
0.4≦l I x −I z l / I 0≦0.
65の範囲に収める必要がある。
65の範囲に収める必要がある。
前記プッシュプル信号は、案内溝の幅および深さによっ
て変動する。然るに、前記した従来の光情報記録媒体は
、案内溝の幅寸法が規制されていないため、前記のプッ
シュプルトラッキング信号検出方式を適用した場合、前
記所定のプッシュプル信号を得ることができず、安定し
たトラッキング特性を得られない場合がある。
て変動する。然るに、前記した従来の光情報記録媒体は
、案内溝の幅寸法が規制されていないため、前記のプッ
シュプルトラッキング信号検出方式を適用した場合、前
記所定のプッシュプル信号を得ることができず、安定し
たトラッキング特性を得られない場合がある。
また、従来より、光磁気記録媒体駆動装置には、記録/
再生用レーザ光の偏光面を案内溝と平行に向けて直線偏
光を照射するものと、記録/再生用レーザ光の偏光面を
案内溝と直角に向けて直線偏光を照射するものとがある
が、案内溝に対する偏光面の向きによってプッシュプル
信号の大きさが変動するため、いずれかの駆動装置に装
着した場合に前記所定のプッシュプル信号を得られた光
情報記録媒体であっても、他方の駆動装置に装着したと
きに前記所定のプッシュプル信号を得られないというこ
とがある。
再生用レーザ光の偏光面を案内溝と平行に向けて直線偏
光を照射するものと、記録/再生用レーザ光の偏光面を
案内溝と直角に向けて直線偏光を照射するものとがある
が、案内溝に対する偏光面の向きによってプッシュプル
信号の大きさが変動するため、いずれかの駆動装置に装
着した場合に前記所定のプッシュプル信号を得られた光
情報記録媒体であっても、他方の駆動装置に装着したと
きに前記所定のプッシュプル信号を得られないというこ
とがある。
さらに、従来より知られている光情報記録媒体には、光
磁気記録媒体のほか、透明基板上に熱変形性の下地膜を
介してライトワンス形の記録膜を積層したもの、透明基
板上に当該透明基板よりも大きな屈折率をする透明中間
膜を介して相変化型光記録膜を積層したもの、それに透
明基板上に色素系光記録膜を直接スピンコートしたもの
などがあり、光入射光路の屈折率によってプッシュプル
信号が変動するが、いずれの光情報記録媒体についても
前記所定のプッシュプル信号を得られるようにする必要
がある。
磁気記録媒体のほか、透明基板上に熱変形性の下地膜を
介してライトワンス形の記録膜を積層したもの、透明基
板上に当該透明基板よりも大きな屈折率をする透明中間
膜を介して相変化型光記録膜を積層したもの、それに透
明基板上に色素系光記録膜を直接スピンコートしたもの
などがあり、光入射光路の屈折率によってプッシュプル
信号が変動するが、いずれの光情報記録媒体についても
前記所定のプッシュプル信号を得られるようにする必要
がある。
従って1本発明の第1の目的は、プッシュプル方式のト
ラッキング信号検出手段をもつ駆動装置に装着して所定
のプッシュプル信号を得ることができ、安定なトラッキ
ング特性を得ることができる光情報記録媒体を提供する
ことにある。
ラッキング信号検出手段をもつ駆動装置に装着して所定
のプッシュプル信号を得ることができ、安定なトラッキ
ング特性を得ることができる光情報記録媒体を提供する
ことにある。
また1本発明の第2の目的は、直線偏光の向きが異なる
いかなる駆動装置に装着された場合にも所定のプッシュ
プル信号を得ることができ、安定なトラッキング特性を
得ることができる光磁気記録媒体を提供することにある
。
いかなる駆動装置に装着された場合にも所定のプッシュ
プル信号を得ることができ、安定なトラッキング特性を
得ることができる光磁気記録媒体を提供することにある
。
また、本発明の第3の目的は、所定のプッシュプル信号
を得ることができ、安定なトラッキング特性を得ること
ができる相変化形の光情報記録媒体を提供することにあ
る。
を得ることができ、安定なトラッキング特性を得ること
ができる相変化形の光情報記録媒体を提供することにあ
る。
また1本発明の第4の目的は、所定のプッシュプル信号
を得ることができ、安定なトラッキング特性を得ること
ができるライトワンス形の光情報記録媒体を提供するこ
とにある。
を得ることができ、安定なトラッキング特性を得ること
ができるライトワンス形の光情報記録媒体を提供するこ
とにある。
また、本発明の第5の目的は、所定のプッシュプル信号
を得ることができ、安定なトラッキング特性を得ること
ができる色素系の光情報記録媒体を提供することにある
。
を得ることができ、安定なトラッキング特性を得ること
ができる色素系の光情報記録媒体を提供することにある
。
本発明は前記第1の目的を達成するため、1.0μm以
上2.0μm以下の間隔で相隣接する案内溝の間にプリ
ピット列を形成して成るオンランド記録方式の光情報記
録媒体であって、前記案内溝の断面形状が略V字状に形
成され、かっこの案内溝および前記プリピット列が形成
された透明基板上に光記S膜を直接あるいは下地膜を介
して積層して成るものにおいて、情報の記録/再生に用
いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピックアップレン
ズの開口数をNA、透明基板の屈折率をnsとしたとき
、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,5−NA)≦W≦λ/(2,8−NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/8ns≦d≦λ/5ns に形成した。
上2.0μm以下の間隔で相隣接する案内溝の間にプリ
ピット列を形成して成るオンランド記録方式の光情報記
録媒体であって、前記案内溝の断面形状が略V字状に形
成され、かっこの案内溝および前記プリピット列が形成
された透明基板上に光記S膜を直接あるいは下地膜を介
して積層して成るものにおいて、情報の記録/再生に用
いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピックアップレン
ズの開口数をNA、透明基板の屈折率をnsとしたとき
、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,5−NA)≦W≦λ/(2,8−NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/8ns≦d≦λ/5ns に形成した。
また、前記第2の目的を達成するため、前記と同様の光
情報記録媒体であって、透明基板上に当該透明基板の屈
折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して光
磁気記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録/
再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピックア
ップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をnと
したとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,3・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/7.3n:ad≦λ/4.0n に形成した。
情報記録媒体であって、透明基板上に当該透明基板の屈
折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して光
磁気記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録/
再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピックア
ップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をnと
したとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,3・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/7.3n:ad≦λ/4.0n に形成した。
また、前記第3の目的を達成するため、前記と同様の光
情報記録媒体であって、透明基板上に当該透明基板の屈
折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して相
変化型記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録
/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピック
アップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をn
としたとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,3・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを。
情報記録媒体であって、透明基板上に当該透明基板の屈
折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して相
変化型記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録
/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピック
アップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をn
としたとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,3・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを。
λ/7.3n≦d≦λ/4.0n
に形成した。
また、前記第4の目的を達成するため、前記と同様の光
情報記録媒体であって、透明基板上に当該透明基板の屈
折率と略等しい屈折率を有する熱変形性の下地膜を介し
てライトワンス形の記録膜を積層して成るものにおいて
、情報の記録/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘ
ッドのピックアップレンズの開口数をNA、下地膜の屈
折率をnとしたとき、前記案内溝の幅Wを。
情報記録媒体であって、透明基板上に当該透明基板の屈
折率と略等しい屈折率を有する熱変形性の下地膜を介し
てライトワンス形の記録膜を積層して成るものにおいて
、情報の記録/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘ
ッドのピックアップレンズの開口数をNA、下地膜の屈
折率をnとしたとき、前記案内溝の幅Wを。
λ/(3,5・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/6.7n≦d≦λ/4.0n に形成した。
、当該案内溝の深さdを、 λ/6.7n≦d≦λ/4.0n に形成した。
また、前記第5の目的を達成するため、前記と同様の光
情報記録媒体であって、透明基板上に色素系光記録膜を
直接スピンコートして成るものにおいて、情報の記録/
再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピックア
ップレンズの開口数をNA、透明基板の屈折率をnsと
したとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,5・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/6.7ns≦d≦λ/5.2ns に形成した。
情報記録媒体であって、透明基板上に色素系光記録膜を
直接スピンコートして成るものにおいて、情報の記録/
再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピックア
ップレンズの開口数をNA、透明基板の屈折率をnsと
したとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3,5・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/6.7ns≦d≦λ/5.2ns に形成した。
プッシュプル信号は、案内溝の幅および偏光面の向きに
かかわらずほぼ一定の溝深さのところで極大値を示し、
その値は溝幅が大きくなるに従って大きくなる。また、
偏光面を案内溝と平行に向けると、偏光面を案内溝と垂
直に向けた場合に比べてプッシュプル信号の極大値が増
加する。
かかわらずほぼ一定の溝深さのところで極大値を示し、
その値は溝幅が大きくなるに従って大きくなる。また、
偏光面を案内溝と平行に向けると、偏光面を案内溝と垂
直に向けた場合に比べてプッシュプル信号の極大値が増
加する。
円偏光の場合も、溝幅が大きくなるとプッシュプル信号
の極大値が増加する。
の極大値が増加する。
また、これらの特性は、少なくともレーザ波長λが78
0〜830nm、レンズNAが0.5〜0.6の範囲で
同様であり、レーザ波長が630nm程度まで短波長化
された場合、およびトラックピッチの狭幅化に対応して
レーザビームスポットの直径が小径化された場合にも相
似的な関係が得られる。
0〜830nm、レンズNAが0.5〜0.6の範囲で
同様であり、レーザ波長が630nm程度まで短波長化
された場合、およびトラックピッチの狭幅化に対応して
レーザビームスポットの直径が小径化された場合にも相
似的な関係が得られる。
従って、案内溝の溝幅と溝深さを前記の値に規制するこ
とによって前記所定のプッシュプル信号を得ることがで
き、安定したトラッキング特性を得ることができる。
とによって前記所定のプッシュプル信号を得ることがで
き、安定したトラッキング特性を得ることができる。
まず1本発明の第1実施例を第1図ないし第3図に基づ
いて説明する。第1図は第1実施例に係る光磁気ディス
クの平面図、第2図はその要部拡大断面図、第3図はそ
のトラッキング特性図である。
いて説明する。第1図は第1実施例に係る光磁気ディス
クの平面図、第2図はその要部拡大断面図、第3図はそ
のトラッキング特性図である。
第1図に示すように、第1実施例に係る光磁気ディスク
は、センタ孔1を有する円板状に形成されており、その
平面部に前記センタ孔1の中心Pを中心とする渦巻状の
案内溝2が形成され、相隣接する案内溝2の間にプリピ
ット列3が所定の配列で形成されている。
は、センタ孔1を有する円板状に形成されており、その
平面部に前記センタ孔1の中心Pを中心とする渦巻状の
案内溝2が形成され、相隣接する案内溝2の間にプリピ
ット列3が所定の配列で形成されている。
第2図に示すように、この光磁気ディスクは、光磁気記
録膜6を内側にして2枚のディスク単板to、10aが
接着層11を介して貼り合され、両面記録形の光磁気デ
ィスクを構成している。各ディスク単板10−,10a
は、前記案内溝2およびプリピット列3が凹凸の形でプ
リフォーマットされた透明基板4の当該凹凸面上に、前
記透明基板4の屈折率よりも大きな屈折率を有する第1
の透明膜5と、光磁気記録膜6と、前記第1の透明膜5
と同様の高屈折率材料から成る第2の透明膜7と1反射
膜8と、保護膜9とを順次積層して戊る。
録膜6を内側にして2枚のディスク単板to、10aが
接着層11を介して貼り合され、両面記録形の光磁気デ
ィスクを構成している。各ディスク単板10−,10a
は、前記案内溝2およびプリピット列3が凹凸の形でプ
リフォーマットされた透明基板4の当該凹凸面上に、前
記透明基板4の屈折率よりも大きな屈折率を有する第1
の透明膜5と、光磁気記録膜6と、前記第1の透明膜5
と同様の高屈折率材料から成る第2の透明膜7と1反射
膜8と、保護膜9とを順次積層して戊る。
前記透明基板4は、例えばガラス(屈折率が約1.5)
や、ポリカーボネート(屈折率が約1.58)あるいは
ポリメチルメタクリレート(屈折率が約1.5)などの
透明樹脂材料をもって形成される。
や、ポリカーボネート(屈折率が約1.58)あるいは
ポリメチルメタクリレート(屈折率が約1.5)などの
透明樹脂材料をもって形成される。
前記案内溝2およびプリピット列3などのプリフォーマ
ットパターンは、この透明基板4の片面に直接形成する
こともできるし、紫外線硬化性樹脂(屈折率が約1.5
)を介して転写することもできる。
ットパターンは、この透明基板4の片面に直接形成する
こともできるし、紫外線硬化性樹脂(屈折率が約1.5
)を介して転写することもできる。
前記案内溝2は、第2図に示すように、断面形状が略V
字状に、トラックピッチpが1.6μmに形成されてお
り、レーザ波長が830nmでレンズNAが0.53の
光ピツクアップを用いた場合、その開口部の溝幅Wが5
IO±30nmに調整されている。また、開口部から底
部までの溝深さdが88±12nmに調整されている。
字状に、トラックピッチpが1.6μmに形成されてお
り、レーザ波長が830nmでレンズNAが0.53の
光ピツクアップを用いた場合、その開口部の溝幅Wが5
IO±30nmに調整されている。また、開口部から底
部までの溝深さdが88±12nmに調整されている。
ただし、一般に光情報記録媒体は、1枚の金型(スタン
バ)から多数複製されるので、案内溝2の溝幅W+溝深
さdには、約±5nm程度のバラツキがある。
バ)から多数複製されるので、案内溝2の溝幅W+溝深
さdには、約±5nm程度のバラツキがある。
前記の数値は、このバラツキの平均値を示している。
なお、断面形状が略V字状の案内溝2とは、開口部から
底部に至るに従って順次溝幅が狭くなる溝の総称であっ
て、各角部に丸みをもったもの。
底部に至るに従って順次溝幅が狭くなる溝の総称であっ
て、各角部に丸みをもったもの。
および開口部から底部に至る斜面が完全な平面になって
いないものも含む。
いないものも含む。
第1の透明膜5および第2の透明1II7は、当該膜の
界面で透明基板4より入射した直線偏光を多重反射し、
見掛は上のカー回転角を大きくして光磁気記録膜6の再
生感度を改善するものであって、屈折率が約2,0〜2
.3の透明材料によって形成される。この種の透明材料
としては、例えば酸化シリコン(Sin)、窒化アルミ
ニウム(AIN)、a化亜鉛(Z n S)など、記録
/再生用光のパワーによって熱的変形を生じない透明誘
電体が用いられる。
界面で透明基板4より入射した直線偏光を多重反射し、
見掛は上のカー回転角を大きくして光磁気記録膜6の再
生感度を改善するものであって、屈折率が約2,0〜2
.3の透明材料によって形成される。この種の透明材料
としては、例えば酸化シリコン(Sin)、窒化アルミ
ニウム(AIN)、a化亜鉛(Z n S)など、記録
/再生用光のパワーによって熱的変形を生じない透明誘
電体が用いられる。
光磁気記録膜6としては、例えば遷移金属と希土類金属
を主成分とする垂直磁化膜など、公知に属するものを用
いることができる。
を主成分とする垂直磁化膜など、公知に属するものを用
いることができる。
反射膜8は、光磁気?2録膜6からの透過光を透明基板
4側に反射させるものであって、例えばアルミニウムな
ど反射率の高い金属膜などによって形成される。
4側に反射させるものであって、例えばアルミニウムな
ど反射率の高い金属膜などによって形成される。
保護膜9は、腐蝕性の雰囲気から光磁気記録膜6を保護
するものであって1例えば紫外線硬化性樹脂によって形
成される。
するものであって1例えば紫外線硬化性樹脂によって形
成される。
接着剤11としては、エポキシ樹脂や紫外線硬化性樹脂
等が好適である。
等が好適である。
第3図に前記第1実施例に係る光磁気ディスクから読み
出されるトラッキング信号と案内溝2の幅および深さと
の関係を示す。試験機は、波長が830nmの直線偏光
を出射する光源と、レンズ開口数(NA)が0.53の
光ピツクアップと。
出されるトラッキング信号と案内溝2の幅および深さと
の関係を示す。試験機は、波長が830nmの直線偏光
を出射する光源と、レンズ開口数(NA)が0.53の
光ピツクアップと。
2分割光検出素子を備えたものを用いた。
このグラフ図の横軸は案内溝2の深さを、縦軸はプッシ
ュプル信号を示しており、直線偏光の偏光面を案内溝の
延長方向と平行に向けた場合のデータが0印およびΔ印
で、また直線偏光の偏光面を案内溝と垂直に向けた場合
のデータが・印およびΔ印で表示されている。
ュプル信号を示しており、直線偏光の偏光面を案内溝の
延長方向と平行に向けた場合のデータが0印およびΔ印
で、また直線偏光の偏光面を案内溝と垂直に向けた場合
のデータが・印およびΔ印で表示されている。
このグラフ図から明らかなように、溝幅が5IO±30
nm、溝深さが88±12nmの光磁気ディスクは、偏
光面の向きにかかわらず、いずれもプッシュプル信号お
よびトラッククロス信号が所定の仕様を満足し、充分に
大きな値が得られることが判る。
nm、溝深さが88±12nmの光磁気ディスクは、偏
光面の向きにかかわらず、いずれもプッシュプル信号お
よびトラッククロス信号が所定の仕様を満足し、充分に
大きな値が得られることが判る。
なお、光磁気記録膜6に代えて相変化型の記録膜を形成
した場合にも、案内溝2の溝幅Wおよび溝深さdを前記
第1実施例の光情報記録媒体と同じにすることによって
、所定のプッシュプル信号を得ることができ、安定なト
ラッキング特性を得ることかできる。
した場合にも、案内溝2の溝幅Wおよび溝深さdを前記
第1実施例の光情報記録媒体と同じにすることによって
、所定のプッシュプル信号を得ることができ、安定なト
ラッキング特性を得ることかできる。
次に、本発明の第2実施例を第4図ないし第6図に基づ
いて説明する。第4図は第2実施例に係る光ディスクの
断面図、第5図はその要部拡大断面図、第6図はそのト
ラッキング特性図である。
いて説明する。第4図は第2実施例に係る光ディスクの
断面図、第5図はその要部拡大断面図、第6図はそのト
ラッキング特性図である。
第4図に示すように、この光ディスクは、記録膜を内側
にし、かつ内周スペーサ21および外周スペーサ22を
介して2枚のディスク単板10゜10aが貼り合され、
両面記録形の光ディスクを構成している。各ディスク単
板10,10aは、第5図により詳細に示すように、透
明基板4の凹凸面上に、例えばニトロセルロースやポリ
テトラプルオロエチレンなど透明基板4の屈折率と略等
しい屈折率を有する熱変形性の下地膜23を被着し、こ
の下地膜23上に、例えばテルルとセレンを主成分とす
るライトワンス形の記録膜24を積層して成る。
にし、かつ内周スペーサ21および外周スペーサ22を
介して2枚のディスク単板10゜10aが貼り合され、
両面記録形の光ディスクを構成している。各ディスク単
板10,10aは、第5図により詳細に示すように、透
明基板4の凹凸面上に、例えばニトロセルロースやポリ
テトラプルオロエチレンなど透明基板4の屈折率と略等
しい屈折率を有する熱変形性の下地膜23を被着し、こ
の下地膜23上に、例えばテルルとセレンを主成分とす
るライトワンス形の記録膜24を積層して成る。
本実施例においては、透明基板4に凹設される案内溝2
の開口部の溝幅Wが500±50nmに調整され、また
、開口部から底部までの溝深さdが94±12nmに調
整されている。
の開口部の溝幅Wが500±50nmに調整され、また
、開口部から底部までの溝深さdが94±12nmに調
整されている。
その他、透明基板4の材質や形状等については、第1実
施例と同じである。
施例と同じである。
第6図に本第2実施例に係る光ディスクから読み出され
るトラッキング信号と案内溝2の幅および深さとの関係
を示す、試験機は、波長が830nmの円偏光を出射す
る光源と、レンズ開口数(N A)が0.53の光ピツ
クアップと、2分割光検出素子を備えたものを用いた。
るトラッキング信号と案内溝2の幅および深さとの関係
を示す、試験機は、波長が830nmの円偏光を出射す
る光源と、レンズ開口数(N A)が0.53の光ピツ
クアップと、2分割光検出素子を備えたものを用いた。
このグラフ図の横軸は案内溝2の深さを、縦軸はプッシ
ュプル信号を示しており、案内溝2の溝幅を変更した場
合の各データが表示されている。
ュプル信号を示しており、案内溝2の溝幅を変更した場
合の各データが表示されている。
このグラフ図から明らかなように、第2実施例の光ディ
スクは、案内溝の溝幅Wを500±50nmに、溝深さ
dを94±12nmにすることによってプッシュプル信
号を所定の仕様に適合させることができる。
スクは、案内溝の溝幅Wを500±50nmに、溝深さ
dを94±12nmにすることによってプッシュプル信
号を所定の仕様に適合させることができる。
次に1本発明の第3実施例を第7図に基づいて説明する
。第7図は第3実施例に係る光ディスクの要部拡大断面
図である。
。第7図は第3実施例に係る光ディスクの要部拡大断面
図である。
第7図に示すように、この光ディスクは、記録膜25を
内側にして2枚のディスク単板10.10aが接着層1
1を介して貼り合され、両面記録形の光ディスクを構成
している。各ディスク単板10.10aは、透明基板4
の凹凸面上に、有機色素系記録材料などから成る記録膜
25を直接スピンコートして成る。
内側にして2枚のディスク単板10.10aが接着層1
1を介して貼り合され、両面記録形の光ディスクを構成
している。各ディスク単板10.10aは、透明基板4
の凹凸面上に、有機色素系記録材料などから成る記録膜
25を直接スピンコートして成る。
本実施例においては、透明基板4に凹設される案内溝2
の開口部の溝幅Wが500±50nmにguされ、また
、開口部から底部までの溝深さdが94±12nmに調
整されている。
の開口部の溝幅Wが500±50nmにguされ、また
、開口部から底部までの溝深さdが94±12nmに調
整されている。
その他、透明基板4の材質や形状等については、第1お
よび第2実施例と同じである。
よび第2実施例と同じである。
本第3実施例の光ディスクも光学的には第2実施例の光
ディスクと同様であり、第6図に示したと同様のトラッ
キング特性を示す。よって、案内溝の溝幅Wを500±
50nmに、溝深さdを94±12nmにすることによ
って所定のプッシュプル信号を得ることができ、安定し
たトラッキング特性を得ることができる。
ディスクと同様であり、第6図に示したと同様のトラッ
キング特性を示す。よって、案内溝の溝幅Wを500±
50nmに、溝深さdを94±12nmにすることによ
って所定のプッシュプル信号を得ることができ、安定し
たトラッキング特性を得ることができる。
次に、案内溝のトラックピッチが1.5μmに形成され
た光情報記録媒体を、レーザ光の波長が780nmで光
ピツクアップのレンズNAが0゜55の光学系をもつ駆
動装置に装着した場合の。
た光情報記録媒体を、レーザ光の波長が780nmで光
ピツクアップのレンズNAが0゜55の光学系をもつ駆
動装置に装着した場合の。
案内溝の寸法と光情報記録媒体から検出されるプッシュ
プル信号との関係を、第8図に示す、なお、光情報記録
媒体の構造は、案内溝のトラックピッチが狭いほかは、
第2実施例の光情報記録媒体と同じである。
プル信号との関係を、第8図に示す、なお、光情報記録
媒体の構造は、案内溝のトラックピッチが狭いほかは、
第2実施例の光情報記録媒体と同じである。
第8図に示すように、本例の場合には、案内溝の開口部
の溝幅を450±50nmに調整し、案内溝の開口部か
ら底部までの溝深さを88±12nmに調整することに
よって、所定の値のプッシュプル信号を得ることができ
る。
の溝幅を450±50nmに調整し、案内溝の開口部か
ら底部までの溝深さを88±12nmに調整することに
よって、所定の値のプッシュプル信号を得ることができ
る。
すなわち、トラックピッチが狭幅化され、媒体上に照射
されるレーザビームスポットが小径化された場合でも、
透明基板に凹設される案内溝の開口部の溝幅Wを λ/(3,5・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、溝深さdを λ/6.7n:ad≦λ/4.0n とすることによって、安定なトラッキング特性を得るこ
とができる。
されるレーザビームスポットが小径化された場合でも、
透明基板に凹設される案内溝の開口部の溝幅Wを λ/(3,5・NA)≦W≦λ/(2,8・NA)とし
、溝深さdを λ/6.7n:ad≦λ/4.0n とすることによって、安定なトラッキング特性を得るこ
とができる。
なお、トラックピッチを狭幅化すると同時に案内溝の溝
幅を広くすると、より大きなプッシュプル信号を得るこ
とができるが、その反面、情報トラックとなるランド部
が狭くなって案内溝部からの光が光検出素子に多く入る
ようになり、再生信号のS/N比(信号対ノイズ比)が
低下するため、実用上案内溝の溝幅を前記の値に調整す
ることが好ましい。
幅を広くすると、より大きなプッシュプル信号を得るこ
とができるが、その反面、情報トラックとなるランド部
が狭くなって案内溝部からの光が光検出素子に多く入る
ようになり、再生信号のS/N比(信号対ノイズ比)が
低下するため、実用上案内溝の溝幅を前記の値に調整す
ることが好ましい。
なお、前記各実施例においては両面記録形の光ディスク
を例にとって説明したが、片面記録形としても同様の効
果がある。
を例にとって説明したが、片面記録形としても同様の効
果がある。
また、前記各実施例においては案内溝を渦巻状に形成し
た場合を例にとって説明したが、案内溝を同心円状に形
成した場合にも同様の効果がある。
た場合を例にとって説明したが、案内溝を同心円状に形
成した場合にも同様の効果がある。
さらに、本発明は、記録膜より光入射側の膜構造(屈折
率)を問題とするのであって、これと反対側の膜構造に
ついては前記実施例にかかわらず任意に形成することが
できる。
率)を問題とするのであって、これと反対側の膜構造に
ついては前記実施例にかかわらず任意に形成することが
できる。
以上説明したように、本発明の光情報記録媒体は、案内
溝の溝幅と溝深さとを最適化したので。
溝の溝幅と溝深さとを最適化したので。
実用上好ましい値のプッシュプル信号を得ることができ
、安定したトラッキング特性を得ることができる。
、安定したトラッキング特性を得ることができる。
第1図ないし第3図は本発明の第1実施例を説明するた
めの図であって、第1図は平面図、第2図は要部拡大断
面図、第3図はトラッキング特性図である。第4図ない
し第6図は本発明の第2実施例を説明するための図であ
って、第4図は全体構成を示す断面図、第5図は要部拡
大断面図、第6図はトラッキング特性図である。第7図
は本発明の第3実施例に係る光ディスクの要部拡大断面
図、第8図は案内溝を狭幅化したときのトラッキング特
性図である。 1・・・・・・センタ孔、2・・・・・・案内溝、3・
・・・・・プリピット列、4・・・・・・透明基板、5
・・・・・・第1の透明膜。 6・・・・・・光磁気記録膜6.7・・・・・・第2の
透明膜、8・・・・・・反射膜、9・・・・・・保護膜
、10,10a・・・・・・ディスク単板、11・・・
・・・接着層、23・・・・・・下地膜。 14・・・・・・ライトワンス形記録膜。 第 図 第 図 第 3 図 溝深ぎd (Hm ) 第4図 第 図 漬床でd(pm) 図 侠すレ27#割信テクタαゝ 汲表入=780nm レンズ”NA==0.55 F3@ty
めの図であって、第1図は平面図、第2図は要部拡大断
面図、第3図はトラッキング特性図である。第4図ない
し第6図は本発明の第2実施例を説明するための図であ
って、第4図は全体構成を示す断面図、第5図は要部拡
大断面図、第6図はトラッキング特性図である。第7図
は本発明の第3実施例に係る光ディスクの要部拡大断面
図、第8図は案内溝を狭幅化したときのトラッキング特
性図である。 1・・・・・・センタ孔、2・・・・・・案内溝、3・
・・・・・プリピット列、4・・・・・・透明基板、5
・・・・・・第1の透明膜。 6・・・・・・光磁気記録膜6.7・・・・・・第2の
透明膜、8・・・・・・反射膜、9・・・・・・保護膜
、10,10a・・・・・・ディスク単板、11・・・
・・・接着層、23・・・・・・下地膜。 14・・・・・・ライトワンス形記録膜。 第 図 第 図 第 3 図 溝深ぎd (Hm ) 第4図 第 図 漬床でd(pm) 図 侠すレ27#割信テクタαゝ 汲表入=780nm レンズ”NA==0.55 F3@ty
Claims (5)
- (1)1.0μm以上2.0μm以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピツト列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であつて、前記案内溝の断面
形状が略V字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピツト列が形成された透明基板上に光記録膜を直接
あるいは下地膜を介して積層して成るものにおいて、情
報の記録/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッド
のピックアップレンズの開口数をNA、透明基板の屈折
率をnsとしたとき、前記案内溝の幅Wを、λ/(3.
5・NA)≦W≦λ/(2.8・NA)とし、当該案内
溝の深さdを、 λ/8ns≦d≦λ/5ns に形成したことを特徴とする光情報記録媒体。 - (2)1.0μm以上2.0μm以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピツト列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であつて、前記案内溝の断面
形状が略V字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピット列が形成された透明基板上に当該透明基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して
光磁気記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記録
/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピック
アップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率をn
(n;1.8〜2.3)としたとき、前記案内溝の幅W
を、 λ/(3.3・NA)≦W≦λ/(2.8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/7.3n≦d≦λ/4.0n に形成したことを特徴とする光情報記録媒体。 - (3)1.0μm以上2.0μm以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピツト列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であつて、前記案内溝の断面
形状が略V字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピツト列が形成された透明基板上に当該透明基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有する透明中間膜を介して
相変化型記録膜を積層して成るものにおいて、情報の記
録/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピッ
クアップレンズの開口数をNA、透明中間膜の屈折率を
nとしたとき、前記案内溝の幅Wを、λ/(3.3・N
A)≦W≦λ/(2.8・NA)とし、当該案内溝の深
さdを、 λ/7.3n≦d≦λ/4.0n に形成したことを特徴とする光情報記録媒体。 - (4)1.0μm以上2.0μm以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピツト列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であつて、前記案内溝の断面
形状が略V字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピツト列が形成された透明基板上に当該透明基板の
屈折率と略等しい屈折率を有する熱変形性の下地膜を介
してライトワンス形の記録膜を積層して成るものにおい
て、情報の記録/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光
ヘッドのピックアップレンズの開口数をNA、下地膜の
屈折率をnとしたとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3.5・NA)≦W≦λ/(2.8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/6.7n≦d≦λ/5.2n に形成したことを特徴とする光情報記録媒体。 - (5)1.0μm以上2.0μm以下の間隔で相隣接す
る案内溝の間にプリピツト列を形成して成るオンランド
記録方式の光情報記録媒体であつて、前記案内溝の断面
形状が略V字状に形成され、かつこの案内溝および前記
プリピツト列が形成された透明基板上に色素系光記録膜
を直接スピンコートして成るものにおいて、情報の記録
/再生に用いるレーザ光の波長をλ、光ヘッドのピック
アップレンズの開口数をNA、透明基板の屈折率をns
としたとき、前記案内溝の幅Wを、 λ/(3.5・NA)≦W≦λ/(2.8・NA)とし
、当該案内溝の深さdを、 λ/6.7ns≦d≦λ/5.2ns に形成したことを特徴とする光情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-171203 | 1989-07-04 | ||
JP17120389 | 1989-07-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03130948A true JPH03130948A (ja) | 1991-06-04 |
JP3076585B2 JP3076585B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=15918934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02122961A Expired - Fee Related JP3076585B2 (ja) | 1989-07-04 | 1990-05-15 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3076585B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5694379A (en) * | 1995-08-29 | 1997-12-02 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and recording apparatus therefor |
EP0829866A2 (en) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP02122961A patent/JP3076585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5694379A (en) * | 1995-08-29 | 1997-12-02 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and recording apparatus therefor |
EP0829866A2 (en) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
EP0829866A3 (en) * | 1996-09-13 | 1999-07-28 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3076585B2 (ja) | 2000-08-14 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |