JPH0581977B2 - - Google Patents
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- JPH0581977B2 JPH0581977B2 JP57191281A JP19128182A JPH0581977B2 JP H0581977 B2 JPH0581977 B2 JP H0581977B2 JP 57191281 A JP57191281 A JP 57191281A JP 19128182 A JP19128182 A JP 19128182A JP H0581977 B2 JPH0581977 B2 JP H0581977B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は磁性薄膜を記憶媒体とし、レーザ光等
の光ビームを記憶媒体に照射することにより情報
の記録、再生、消去を行なう光磁気記憶装置に関
する。
の光ビームを記憶媒体に照射することにより情報
の記録、再生、消去を行なう光磁気記憶装置に関
する。
＜従来技術＞
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが、光のビーム径だけで決まるため1μ
ｍ程度の大きさにすることが可能なためである。
しかしこの事は光メモリ装置に多くの制限を加え
る事になる。即ちある定まつた場所に情報を記録
したり、あるいはある定まつた場所に記録された
情報を再生したりするためには光ビームを極めて
正確に位置決めしなければならない。一般に再生
専用メモリでは記録したビツトに予め番地情報を
入れておく事ができるので記録情報を再生しなが
ら光ビームの位置決めをすることができるが、追
加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリでは
情報記録時に番地情報迄一緒に記録する事は困難
であるので、メモリ基板に予め何等かのガイド信
号及び番地情報を固定的に入れておくという方法
が採られる。例えば第１図に従来のメモリ基板の
一部斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の
溝を形成しておきこの溝に沿つて情報を記録ある
いは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝
は円周方向の一部に断続した形状を有しこれが溝
の番地を示す固定ビツト情報を与えるのである。
第２図は上記メモリ基板の一部平面図である。１
はガラス材料、あるいはPMMA等の透明高分子
材料からなるデイスク基板、２は該デイスク基板
１上に刻設された（深さはλ／8n、但しｎ：デイス ク基板の屈折率、λ：レーザ光の波長）光ビーム
案内用トラツク、３は上記デイスク基板上に断続
的に刻設された（深さは上記光ビーム案内用トラ
ツクと同じ）トラツク番地信号記録部である。光
ビームスポツトは上記光ビーム案内用トラツク２
内を円周方向に相対的に移動する。そして光ビー
ムスポツトが光ビーム案内用トラツク２から外れ
かけた時は光ビームの反射光量変化現象が生じ該
現象を検出することによつてサーボ処理により光
ビームスポツトを正規の位置に案内するものであ
る。同様に光ビームスポツトがトラツク番地信号
記録部３をトレースする時はその刻設ピツト列に
応じた反射光量変化を読み取ることによつて番地
情報を得るものである。このトラツク番地信号は
上記光メモリ装置をフアイリングシステムの記憶
装置として使う場合、情報検索の為に必要であ
る。しかし上記トラツク番地信号記録部３がある
為にその分だけ通常の情報記録部分の使用可能面
積が減少し記憶容量が低下する。
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが、光のビーム径だけで決まるため1μ
ｍ程度の大きさにすることが可能なためである。
しかしこの事は光メモリ装置に多くの制限を加え
る事になる。即ちある定まつた場所に情報を記録
したり、あるいはある定まつた場所に記録された
情報を再生したりするためには光ビームを極めて
正確に位置決めしなければならない。一般に再生
専用メモリでは記録したビツトに予め番地情報を
入れておく事ができるので記録情報を再生しなが
ら光ビームの位置決めをすることができるが、追
加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリでは
情報記録時に番地情報迄一緒に記録する事は困難
であるので、メモリ基板に予め何等かのガイド信
号及び番地情報を固定的に入れておくという方法
が採られる。例えば第１図に従来のメモリ基板の
一部斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の
溝を形成しておきこの溝に沿つて情報を記録ある
いは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝
は円周方向の一部に断続した形状を有しこれが溝
の番地を示す固定ビツト情報を与えるのである。
第２図は上記メモリ基板の一部平面図である。１
はガラス材料、あるいはPMMA等の透明高分子
材料からなるデイスク基板、２は該デイスク基板
１上に刻設された（深さはλ／8n、但しｎ：デイス ク基板の屈折率、λ：レーザ光の波長）光ビーム
案内用トラツク、３は上記デイスク基板上に断続
的に刻設された（深さは上記光ビーム案内用トラ
ツクと同じ）トラツク番地信号記録部である。光
ビームスポツトは上記光ビーム案内用トラツク２
内を円周方向に相対的に移動する。そして光ビー
ムスポツトが光ビーム案内用トラツク２から外れ
かけた時は光ビームの反射光量変化現象が生じ該
現象を検出することによつてサーボ処理により光
ビームスポツトを正規の位置に案内するものであ
る。同様に光ビームスポツトがトラツク番地信号
記録部３をトレースする時はその刻設ピツト列に
応じた反射光量変化を読み取ることによつて番地
情報を得るものである。このトラツク番地信号は
上記光メモリ装置をフアイリングシステムの記憶
装置として使う場合、情報検索の為に必要であ
る。しかし上記トラツク番地信号記録部３がある
為にその分だけ通常の情報記録部分の使用可能面
積が減少し記憶容量が低下する。
また、基板に凹凸の溝を形成してこの溝に沿つ
て情報を記録すると共に、消去ビームで消去でき
ないように、トラツク番号を機械的に記録した記
録媒体を使用する光磁気記録装置の情報再生方法
が特開昭57−117106に記載されている。ところが
この方法では、トラツク番号を検出するためのデ
イテクタに入射する光と記録情報を再生するため
のデイテクタに入射する光とをビームスプリツタ
によつて分割しているために、一方の光量を大き
くすると他方の光量が低下してしまい、トラツク
番号と記録情報との両方を、同時に、高いSNで
検出することが出来ないという問題があつた。
て情報を記録すると共に、消去ビームで消去でき
ないように、トラツク番号を機械的に記録した記
録媒体を使用する光磁気記録装置の情報再生方法
が特開昭57−117106に記載されている。ところが
この方法では、トラツク番号を検出するためのデ
イテクタに入射する光と記録情報を再生するため
のデイテクタに入射する光とをビームスプリツタ
によつて分割しているために、一方の光量を大き
くすると他方の光量が低下してしまい、トラツク
番号と記録情報との両方を、同時に、高いSNで
検出することが出来ないという問題があつた。
＜目的＞
本発明は、記憶媒体側に特別な処置を施すこと
なく比較的容易な信号処理手段を採用することに
よつてトラツク番地信号記録部においても通常の
情報記録を可能ならしめると同時に、トラツク番
地信号と記録情報とを高い信号品質で再生するこ
とを可能ならしめた新規・有用な光磁気記憶装置
を提供することを目的とするものである。
なく比較的容易な信号処理手段を採用することに
よつてトラツク番地信号記録部においても通常の
情報記録を可能ならしめると同時に、トラツク番
地信号と記録情報とを高い信号品質で再生するこ
とを可能ならしめた新規・有用な光磁気記憶装置
を提供することを目的とするものである。
＜実施例＞
以下、本発明に係る光磁気記憶装置の一実施例
について図面を用いて詳細に説明する。
について図面を用いて詳細に説明する。
第３ は本発明に係る光磁気記憶素子の一例の
一部側面断面図である。同図の光磁気記憶素子は
第２図の透明基板１上に記録媒体を形成したもの
である。１はデイスク基板、４は透明なSiO膜、
５は記録媒体となるスパツタリングによつて形成
されたGdTbFe、TbFe、GdDyFe、GdTbDyFe
等のアモルフアス垂直磁化膜、６は透明なSiO2
膜、７はCu反射膜である。又、８は接着層、９
は透明基板である。以上の第３図に記載された光
磁気記憶素子は記録媒体であるアモルフアス垂直
磁化膜５の一部にレーザ光を照射したキユリー点
温度付近迄温度上昇せしめその部分の磁化の向き
を外部磁界を印加して反転させる（熱磁気記録）
方式で記録を行ない、又記録情報を読み出す時は
上記アモルフアス垂直磁化膜５にコヒーレントな
光を照射し、その光のカー効果による偏波面の回
転を検光子（偏光ビームスプリツタ）などを通す
ことによつて上記アモルフアス垂直磁化膜５の磁
化状態の変化を光の強弱として検出し記録情報を
読み出すものである。上記SiO膜４及びSiO2膜６
及びCu反射膜７は上記アモルフアス垂直磁化膜
５によるカー回転角を増加させる為に設けられた
ものである。
一部側面断面図である。同図の光磁気記憶素子は
第２図の透明基板１上に記録媒体を形成したもの
である。１はデイスク基板、４は透明なSiO膜、
５は記録媒体となるスパツタリングによつて形成
されたGdTbFe、TbFe、GdDyFe、GdTbDyFe
等のアモルフアス垂直磁化膜、６は透明なSiO2
膜、７はCu反射膜である。又、８は接着層、９
は透明基板である。以上の第３図に記載された光
磁気記憶素子は記録媒体であるアモルフアス垂直
磁化膜５の一部にレーザ光を照射したキユリー点
温度付近迄温度上昇せしめその部分の磁化の向き
を外部磁界を印加して反転させる（熱磁気記録）
方式で記録を行ない、又記録情報を読み出す時は
上記アモルフアス垂直磁化膜５にコヒーレントな
光を照射し、その光のカー効果による偏波面の回
転を検光子（偏光ビームスプリツタ）などを通す
ことによつて上記アモルフアス垂直磁化膜５の磁
化状態の変化を光の強弱として検出し記録情報を
読み出すものである。上記SiO膜４及びSiO2膜６
及びCu反射膜７は上記アモルフアス垂直磁化膜
５によるカー回転角を増加させる為に設けられた
ものである。
第４図は第３図の光磁気記憶素子に対してレー
ザ光を照射し、情報の記録・再生・消去を行なう
本発明に係る磁気光学ヘツドの一例の構成説明図
である。１０は所定の強度のレーザ光を射出でき
るレーザ装置、１１は射出レーザ光を平行光に変
換するコリメートレンズ、１２は所定の方位の偏
光のみを透過する偏光子、１３は光磁気記憶素子
１４からの反射情報光を検出系側に導くととも
に、光磁気記憶素子１４の磁化状態の変化に応じ
て生ずる磁気光学回転角を増大させる機能を有す
るハーフプリズム、１５はアモルフアス垂直磁化
膜５上に微小スポツトを結像させる対物レンズ、
１６は反射情報光を２分するハーフプリズムであ
る。該ハーフプリズム１６はＳ波、Ｐ波夫々の反
射率及び透過率が１：１に近く且つＳ波、Ｐ波間
の位相ずれが小さいという光学特性を有する。１
７，１８は反射情報光の偏光方位を所定の方向に
回転できる1/2波長板である。１９，２０は反射
情報光を後述する各光検出器上に所定の大きさ及
び形状で光ビームを投射するためのスポツトレン
ズ、２１，２２はＳ波、Ｐ波を分離する偏光ビー
ムスプリツタ、２３はシリンドリカルレンズ、２
４は上記対物レンズ１５と光磁気記憶素子１４と
の間の相対距離の変化をスポツトレンズ２０とシ
リンドリカルレンズ２３との相乗作用によつて検
出する複合素子型光検出器である。また２５は光
磁気記憶素子１４に刻設された光ビーム案内用ト
ラツク２と光スポツトとの相対的な位置ずれを検
出する複合素子型光検出器である。上記複合素子
型光検出器２４，２５によつて得た相対誤差信号
は図示しない駆動機構にフイードバツク入力され
その駆動機構により対物レンズ１５あるいは光学
ヘツド全体が駆動される。この対物レンズ１５あ
るいは光学ヘツド全体の駆動によつて光ビームス
ポツトは上記光ビーム案内用トラツク２上を所定
の大きさで走査される。２６，２７はメモリ情報
信号検出用光検出器である。
ザ光を照射し、情報の記録・再生・消去を行なう
本発明に係る磁気光学ヘツドの一例の構成説明図
である。１０は所定の強度のレーザ光を射出でき
るレーザ装置、１１は射出レーザ光を平行光に変
換するコリメートレンズ、１２は所定の方位の偏
光のみを透過する偏光子、１３は光磁気記憶素子
１４からの反射情報光を検出系側に導くととも
に、光磁気記憶素子１４の磁化状態の変化に応じ
て生ずる磁気光学回転角を増大させる機能を有す
るハーフプリズム、１５はアモルフアス垂直磁化
膜５上に微小スポツトを結像させる対物レンズ、
１６は反射情報光を２分するハーフプリズムであ
る。該ハーフプリズム１６はＳ波、Ｐ波夫々の反
射率及び透過率が１：１に近く且つＳ波、Ｐ波間
の位相ずれが小さいという光学特性を有する。１
７，１８は反射情報光の偏光方位を所定の方向に
回転できる1/2波長板である。１９，２０は反射
情報光を後述する各光検出器上に所定の大きさ及
び形状で光ビームを投射するためのスポツトレン
ズ、２１，２２はＳ波、Ｐ波を分離する偏光ビー
ムスプリツタ、２３はシリンドリカルレンズ、２
４は上記対物レンズ１５と光磁気記憶素子１４と
の間の相対距離の変化をスポツトレンズ２０とシ
リンドリカルレンズ２３との相乗作用によつて検
出する複合素子型光検出器である。また２５は光
磁気記憶素子１４に刻設された光ビーム案内用ト
ラツク２と光スポツトとの相対的な位置ずれを検
出する複合素子型光検出器である。上記複合素子
型光検出器２４，２５によつて得た相対誤差信号
は図示しない駆動機構にフイードバツク入力され
その駆動機構により対物レンズ１５あるいは光学
ヘツド全体が駆動される。この対物レンズ１５あ
るいは光学ヘツド全体の駆動によつて光ビームス
ポツトは上記光ビーム案内用トラツク２上を所定
の大きさで走査される。２６，２７はメモリ情報
信号検出用光検出器である。
次に光磁気記憶素子１４にて反射された光がハ
ーフプリズム１３を通過した後、メモリ情報信号
検出用光検出器２６，２７に至るまでの光ビーム
の偏光状態変化を第５図のベクトル図を用いて説
明する。同図において矢印の方向は偏向方位を表
わし矢印の長さが光強度を表わす。又、光磁気記
憶素子１４に入射するレーザ光の偏光状態はＰの
方向とする。同図ａはハーフプリズム１６を透過
した光の偏光状態を示し同図ｂはハーフプリズム
１６にて反射した光の偏光状態を示す。同図にお
いてM+、M-は光磁気記憶素子１４における磁化
情報に対応した反射情報光の偏光状態を示す。但
しハーフプリズム１６においては反射の際にＰ波
とＳ波との相対的な位相ずれが約180゜存在するの
で透過側ａと反射側ｂとでは反射情報光M+、M-
の方位が互いに異なるものとなつている。上記1/
２波長板１７，１８の構造はその光学軸に平行に
切断され、所定の厚さに仕上げられた水晶板ある
いは雲母板であり、互いに直交する偏波面をもつ
偏光の位相を相対的に180゜ずらすことができる。
従つて、入射偏光の方位だけを変化させることが
可能である。
ーフプリズム１３を通過した後、メモリ情報信号
検出用光検出器２６，２７に至るまでの光ビーム
の偏光状態変化を第５図のベクトル図を用いて説
明する。同図において矢印の方向は偏向方位を表
わし矢印の長さが光強度を表わす。又、光磁気記
憶素子１４に入射するレーザ光の偏光状態はＰの
方向とする。同図ａはハーフプリズム１６を透過
した光の偏光状態を示し同図ｂはハーフプリズム
１６にて反射した光の偏光状態を示す。同図にお
いてM+、M-は光磁気記憶素子１４における磁化
情報に対応した反射情報光の偏光状態を示す。但
しハーフプリズム１６においては反射の際にＰ波
とＳ波との相対的な位相ずれが約180゜存在するの
で透過側ａと反射側ｂとでは反射情報光M+、M-
の方位が互いに異なるものとなつている。上記1/
２波長板１７，１８の構造はその光学軸に平行に
切断され、所定の厚さに仕上げられた水晶板ある
いは雲母板であり、互いに直交する偏波面をもつ
偏光の位相を相対的に180゜ずらすことができる。
従つて、入射偏光の方位だけを変化させることが
可能である。
今、反射情報光M+、M-に対して1/2波長板１
７，１８の位相の遅れる軸の方位をそれぞれ第５
図のＡ，Ｂの様に設定すると、1/2波長板１７，
１８を通過してくる偏光は同図のａ，ｂのM+A、
M-A、M+B、M-Bの様に表わされる。尚前記1/2
波長板１７，１８の遅延軸の方位Ａ、Ｂは光磁気
記憶素子１４への入射偏光の方位に対して−π／
８〜π/8の間に設定される。
７，１８の位相の遅れる軸の方位をそれぞれ第５
図のＡ，Ｂの様に設定すると、1/2波長板１７，
１８を通過してくる偏光は同図のａ，ｂのM+A、
M-A、M+B、M-Bの様に表わされる。尚前記1/2
波長板１７，１８の遅延軸の方位Ａ、Ｂは光磁気
記憶素子１４への入射偏光の方位に対して−π／
８〜π/8の間に設定される。
以上の設定により互いに直交する偏波面をもつ
光を２分する偏光ビームスプリツタ２１，２２の
それぞれの偏光軸を同図のＳ，Ｐとすると該偏光
ビームスプリツタ２１，２２を経た光は、光磁気
記憶素子１４の磁化状態に応じて強度変調された
もの（X1、X2又はY1、Y2）となる。
光を２分する偏光ビームスプリツタ２１，２２の
それぞれの偏光軸を同図のＳ，Ｐとすると該偏光
ビームスプリツタ２１，２２を経た光は、光磁気
記憶素子１４の磁化状態に応じて強度変調された
もの（X1、X2又はY1、Y2）となる。
以上の様に偏光ビームスプリツタ２１，２２の
それぞれの反射側に設置されたメモリ情報信号検
出用光検出器２６，２７により得られる磁化情報
信号は互いに逆位相の信号が得られる。
それぞれの反射側に設置されたメモリ情報信号検
出用光検出器２６，２７により得られる磁化情報
信号は互いに逆位相の信号が得られる。
一方、トラツク番地信号記録部３を光ビームス
ポツトが走査する場合には刻設ピツトのある個所
とない個所とでは反射光量が変化する。この変化
信号は偏光度の変化と関係なく変化するものであ
るから、メモリ情報信号検出用光検出器２６，２
７においては互いに同位相の信号変化として得ら
れる。
ポツトが走査する場合には刻設ピツトのある個所
とない個所とでは反射光量が変化する。この変化
信号は偏光度の変化と関係なく変化するものであ
るから、メモリ情報信号検出用光検出器２６，２
７においては互いに同位相の信号変化として得ら
れる。
以上の結果から理解される如くメモリ情報信号
検出用検出器２６，２７の検知信号を互いに減算
することによつてトラツク番地信号の影響を受け
ないで磁化情報信号を得ることができ、上記検知
信号を互いに加算することによつて磁化情報信号
の影響を受けないでトラツク番地信号を得ること
ができるものである。第６図はトラツク番地信号
記録部３の上に磁化情報信号を重複して記録した
場合におけるメモリ情報信号検出用検出器２６，
２７において得られる出力信号を模式的に示した
説明図である。同図で２８はレーザ光スポツト、
２９はトラツク番地信号ピツト、３０は磁化情報
信号ビツトである。又、Ｘはメモリ情報信号検出
用検出器２６にて検出される信号波形、Ｙはメモ
リ情報信号検出用検出器２７にて検出される信号
波形である。同図に示される如くＸ＋Ｙはトラツ
ク番地信号に対応した信号波形になつており、Ｘ
−Ｙは磁化情報信号に対応した信号波形になつて
いる。
検出用検出器２６，２７の検知信号を互いに減算
することによつてトラツク番地信号の影響を受け
ないで磁化情報信号を得ることができ、上記検知
信号を互いに加算することによつて磁化情報信号
の影響を受けないでトラツク番地信号を得ること
ができるものである。第６図はトラツク番地信号
記録部３の上に磁化情報信号を重複して記録した
場合におけるメモリ情報信号検出用検出器２６，
２７において得られる出力信号を模式的に示した
説明図である。同図で２８はレーザ光スポツト、
２９はトラツク番地信号ピツト、３０は磁化情報
信号ビツトである。又、Ｘはメモリ情報信号検出
用検出器２６にて検出される信号波形、Ｙはメモ
リ情報信号検出用検出器２７にて検出される信号
波形である。同図に示される如くＸ＋Ｙはトラツ
ク番地信号に対応した信号波形になつており、Ｘ
−Ｙは磁化情報信号に対応した信号波形になつて
いる。
本発明に係る光磁気記憶装置は以上の実施形態
以外に種々の構成を取り得るものである。例えば
光磁気記憶素子１４内の光ビーム案内用トラツク
あるいはトラツク番地信号記録部に関する構成は
凹凸の溝状のもの以外に反射率の変化を利用する
構成あるいは両者を混合した変化を利用する構成
であつてもよい。
以外に種々の構成を取り得るものである。例えば
光磁気記憶素子１４内の光ビーム案内用トラツク
あるいはトラツク番地信号記録部に関する構成は
凹凸の溝状のもの以外に反射率の変化を利用する
構成あるいは両者を混合した変化を利用する構成
であつてもよい。
＜効果＞
以上のように、本発明は記憶媒体の記録情報を
読み取る磁気光学ヘツドに、反射情報光を第１の
情報光と第２の情報光とに分離する光学手段を設
けるとともに、第１と第２の二つの検光子を第１
の情報光及び第２の情報光のそれぞれから互いに
逆位相の磁化情報信号が得られるように配設し、
この第１と第２との検光子から得られる検出信号
の減算によつて記録情報信号を、加算によつて番
地信号を得る信号処理手段を備えているので、ト
ラツク番地信号記録部においても通常の情報記録
ができるとともに、前記２つの検光子から得られ
る検出信号を減算あるいは加算することによつて
トラツク番地信号と記録情報信号とを得るので、
両信号を高い信号品質で再生することが可能とな
り、記憶容量の有効箇所の減少を防ぎ光メモリ装
置の大容量化に大きく貢献し得るものである。
読み取る磁気光学ヘツドに、反射情報光を第１の
情報光と第２の情報光とに分離する光学手段を設
けるとともに、第１と第２の二つの検光子を第１
の情報光及び第２の情報光のそれぞれから互いに
逆位相の磁化情報信号が得られるように配設し、
この第１と第２との検光子から得られる検出信号
の減算によつて記録情報信号を、加算によつて番
地信号を得る信号処理手段を備えているので、ト
ラツク番地信号記録部においても通常の情報記録
ができるとともに、前記２つの検光子から得られ
る検出信号を減算あるいは加算することによつて
トラツク番地信号と記録情報信号とを得るので、
両信号を高い信号品質で再生することが可能とな
り、記憶容量の有効箇所の減少を防ぎ光メモリ装
置の大容量化に大きく貢献し得るものである。
第１図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第２
図は上記メモリ基板の一部平面図、第３図は本発
明に係る光磁気記憶素子の一例の一部側面断面
図、第４図は本発明に係る磁気光学ヘツドの一例
の構成説明図、第５図は光ビームの偏光状態変化
を示すベクトル図、第６図はメモリ情報信号検出
用検出器にて得られる出力信号の説明図である。 図中、１：デイスク基板 ２：光ビーム案内用
トラツク ３：トラツク番地信号記録部 ４：
SiO膜 ５：アモルフアス垂直磁化膜 ６：SiO2
膜 ７：Cu反射膜 ８：接着層 ９：透明基板
１０：レーザ装置 １１：コリメートレンズ
１２：偏光子 １３：ハーフプリズム １４：光
磁気記憶素子 １５：対物レンズ １６：ハーフ
プリズム １７，１８：1/2波長板 １９，２
０：スポツトレンズ ２１，２２：偏光ビームス
プリツタ ２３：シリンドリカルレンズ ２４：
複合素子型光検出器 ２５：複合素子型光検出器
２６，２７：メモリ情報信号検出用光検出器。
図は上記メモリ基板の一部平面図、第３図は本発
明に係る光磁気記憶素子の一例の一部側面断面
図、第４図は本発明に係る磁気光学ヘツドの一例
の構成説明図、第５図は光ビームの偏光状態変化
を示すベクトル図、第６図はメモリ情報信号検出
用検出器にて得られる出力信号の説明図である。 図中、１：デイスク基板 ２：光ビーム案内用
トラツク ３：トラツク番地信号記録部 ４：
SiO膜 ５：アモルフアス垂直磁化膜 ６：SiO2
膜 ７：Cu反射膜 ８：接着層 ９：透明基板
１０：レーザ装置 １１：コリメートレンズ
１２：偏光子 １３：ハーフプリズム １４：光
磁気記憶素子 １５：対物レンズ １６：ハーフ
プリズム １７，１８：1/2波長板 １９，２
０：スポツトレンズ ２１，２２：偏光ビームス
プリツタ ２３：シリンドリカルレンズ ２４：
複合素子型光検出器 ２５：複合素子型光検出器
２６，２７：メモリ情報信号検出用光検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性膜を記憶媒体とし、該記憶媒体を有する
光磁気記憶素子の基板に凹凸等を形成することに
よつて情報信号用トラツクと該情報信号用トラツ
クに沿うガイドトラツクとを形成し、前記情報信
号用トラツクの延長上に所定の形状の凹凸等を形
成することによつて番地信号を固定的に記憶した
番地信号記録部分を形成し、レーザ光等の光ビー
ムを前記記憶媒体に照射することにより前記情報
信号用トラツク及び／あるいは前記番地信号記録
部分に対して情報の記録、再生、消去を行う光磁
気記憶装置において、 前記記憶媒体の記録情報を読み取る磁気光学ヘ
ツドに反射情報光を第１の情報光と第２の情報光
とに分離する光学手段と、 前記第１の情報光及び第２の情報光のそれぞれ
から互いに逆位相の磁化情報信号が得られるよう
に配設された第１の検光子と第２の検光子とを有
し、 前記第１と第２との検光子から得られる検出信
号の減算によつて記録情報信号を、前記第１と第
２との検光子から得られる検出信号の加算によつ
て番地信号を得る信号処理手段を備えたことを特
徴とする光磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191281A JPS5982646A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 光磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191281A JPS5982646A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 光磁気記憶装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401011A Division JPH04102248A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 光磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982646A JPS5982646A (ja) | 1984-05-12 |
| JPH0581977B2 true JPH0581977B2 (ja) | 1993-11-17 |
Family
ID=16271944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57191281A Granted JPS5982646A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 光磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982646A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60129954A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスクレコ−ダ |
| JPH0664765B2 (ja) * | 1984-06-29 | 1994-08-22 | 株式会社日立製作所 | 情報記録再生装置 |
| JPS6185653A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-05-01 | Sharp Corp | 光磁気メモリ素子 |
| JPH0664767B2 (ja) * | 1984-10-12 | 1994-08-22 | 株式会社東芝 | 光情報記録方法及び光情報記録装置 |
| JPS6260147A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS6379255A (ja) * | 1986-06-10 | 1988-04-09 | Nec Home Electronics Ltd | 光磁気記録再生装置 |
| JPS63102031U (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-02 | ||
| JPH0329138A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 情報読取装置 |
| JPH04102248A (ja) * | 1990-12-10 | 1992-04-03 | Sharp Corp | 光磁気記憶装置 |
| JP2566111B2 (ja) * | 1994-01-31 | 1996-12-25 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリ素子 |
| KR100924051B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2009-10-27 | 소니 가부시끼 가이샤 | 기록 매체 및 그 재생 장치, 재생 방법, 기록 매체 제조 장치 및 기록 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788540A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Olympus Optical Co Ltd | Method and apparatus for information read-in of optical magnetic recording medium |
| JPS57117106A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | Optical magnetic recording and reproducing method |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57191281A patent/JPS5982646A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788540A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Olympus Optical Co Ltd | Method and apparatus for information read-in of optical magnetic recording medium |
| JPS57117106A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | Optical magnetic recording and reproducing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5982646A (ja) | 1984-05-12 |
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