JP2935554B2 - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JP2935554B2 JP2935554B2 JP2279711A JP27971190A JP2935554B2 JP 2935554 B2 JP2935554 B2 JP 2935554B2 JP 2279711 A JP2279711 A JP 2279711A JP 27971190 A JP27971190 A JP 27971190A JP 2935554 B2 JP2935554 B2 JP 2935554B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光学的な手段を用いて情報の記録または／
かつ再生する情報記録再生装置の光ヘツドに関する。
かつ再生する情報記録再生装置の光ヘツドに関する。
［従来の技術］ 光学的な手段を用いて情報の記録または／かつ再生す
る情報記憶担体には再生専用のものや、金属薄膜や色素
系記録材料を用いた、追記型のもの又、光磁気記録方
式、相転位記録方式を用いた書き換え型のものなどがあ
る。またこれらの情報記憶担体の形態としては、デイス
ク状、カード状等がある。
る情報記憶担体には再生専用のものや、金属薄膜や色素
系記録材料を用いた、追記型のもの又、光磁気記録方
式、相転位記録方式を用いた書き換え型のものなどがあ
る。またこれらの情報記憶担体の形態としては、デイス
ク状、カード状等がある。
これらの情報記憶担体に情報を記録する方式には、ピ
ツトのセンターの位置に意味を持たせるピツト位置記録
と、ピツトのエツジの位置に意味を持たせるビットエツ
ジ記録とがある。
ツトのセンターの位置に意味を持たせるピツト位置記録
と、ピツトのエツジの位置に意味を持たせるビットエツ
ジ記録とがある。
第５図はこの両者の方法を説明するものである。同図
において、（ａ）はピツト位置記録でのピツト列を示
す。ピツトの大きさは近傍のビツトでおよそ一定であ
る。（ｂ）は（ａ）のピツト列を光学的に再生した検出
信号を示す。一方（ｃ）はピツトエツジ記録でのピツト
列で、（ｄ）は（ｃ）のピツト列を光学的に再生した検
出信号である。この信号よりピツトのエツジの位置を知
るには、例えば電気的にスライスレベルを設けて、
（ｄ）の検出信号がスライスレベルを横切る位置を求め
る。（ｅ）はそのエツジ検出信号を示す。
において、（ａ）はピツト位置記録でのピツト列を示
す。ピツトの大きさは近傍のビツトでおよそ一定であ
る。（ｂ）は（ａ）のピツト列を光学的に再生した検出
信号を示す。一方（ｃ）はピツトエツジ記録でのピツト
列で、（ｄ）は（ｃ）のピツト列を光学的に再生した検
出信号である。この信号よりピツトのエツジの位置を知
るには、例えば電気的にスライスレベルを設けて、
（ｄ）の検出信号がスライスレベルを横切る位置を求め
る。（ｅ）はそのエツジ検出信号を示す。
光学的手段を用いて、情報を記録すると、光スポツト
による熱に対しての、情報記憶担体のピツトが書かれる
感度がなだらかな場合、ピツトの大きさにばらつきが生
じてしまう。しかしピツトのセンターの位置は変らな
い。従来光学的手段を用いる情報記憶担体では、多くの
場合、ピツト位置記録が行なわれている。それに対し、
光スポツトによる熱に対しての情報記憶担体のピツトが
書かれる感度が急峻な場合、ピツトの大きさのばらつき
をある一定量以下にすることができるので、ピツトエツ
ジ記録が可能になり、記憶密度を増加させることができ
るようになる。現在、情報記憶担体の開発が行なわれて
おり、ピツト位置記録から、ピツトエツジ記録へ移行さ
れつつある。
による熱に対しての、情報記憶担体のピツトが書かれる
感度がなだらかな場合、ピツトの大きさにばらつきが生
じてしまう。しかしピツトのセンターの位置は変らな
い。従来光学的手段を用いる情報記憶担体では、多くの
場合、ピツト位置記録が行なわれている。それに対し、
光スポツトによる熱に対しての情報記憶担体のピツトが
書かれる感度が急峻な場合、ピツトの大きさのばらつき
をある一定量以下にすることができるので、ピツトエツ
ジ記録が可能になり、記憶密度を増加させることができ
るようになる。現在、情報記憶担体の開発が行なわれて
おり、ピツト位置記録から、ピツトエツジ記録へ移行さ
れつつある。
［発明が解決しようとしている課題］ 上記従来例では、情報記憶担体の感度が改善されれば
ピツトエツジ記録への移行が可能であるとしたが、最小
ピツトの大きさが、光スポツトの大きさと同程度かそれ
以下になってくると、光ヘツド等の伝達特性が劣化して
くるために、光学的手段により検出された信号におい
て、直流成分に変動が生じてしまい、一定のスライスレ
ベルでエツジを検知するとエツジシフトが生じるという
欠点があった。
ピツトエツジ記録への移行が可能であるとしたが、最小
ピツトの大きさが、光スポツトの大きさと同程度かそれ
以下になってくると、光ヘツド等の伝達特性が劣化して
くるために、光学的手段により検出された信号におい
て、直流成分に変動が生じてしまい、一定のスライスレ
ベルでエツジを検知するとエツジシフトが生じるという
欠点があった。
［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、複数のトラックを有する情報記憶担
体に対し、光学的手段を用いて情報を記録または／かつ
再生を行なう光ヘッドにおいて、前記情報記憶担体にい
たる直線偏光の平行光束の光路中に、前記直線偏光の平
行光束の偏光方向を回転させる回転手段と、前記回転手
段によって前記直線偏光の平行光束の偏光方向が回転し
た際に、入射した直線偏光の平行光束を互いに直交する
偏光成分の直線偏光の平行光束に分離した後、前記分離
した平行光束のどちらか一方の光束の一部の位相を他の
部分よりπずらせ、再び合成する手段を設け、情報の再
生時は、前記回転手段によって前記直線偏光の平行光束
の偏光方向を回転させることによって、前記情報記憶担
体上で、光軸中心の位置に第１の光スポットを作り、前
記第１の光スポットの両側に前記第１の光スポットと互
いに直交する偏光成分を有する第２及び第３の光スポッ
トを作り、情報の記録時は、前記回転手段によって前記
直線偏光の平行光束の偏光方向を回転させることなく、
前記情報記憶担体上で、光軸中心の位置に第１の光スポ
ットを作るものである。
体に対し、光学的手段を用いて情報を記録または／かつ
再生を行なう光ヘッドにおいて、前記情報記憶担体にい
たる直線偏光の平行光束の光路中に、前記直線偏光の平
行光束の偏光方向を回転させる回転手段と、前記回転手
段によって前記直線偏光の平行光束の偏光方向が回転し
た際に、入射した直線偏光の平行光束を互いに直交する
偏光成分の直線偏光の平行光束に分離した後、前記分離
した平行光束のどちらか一方の光束の一部の位相を他の
部分よりπずらせ、再び合成する手段を設け、情報の再
生時は、前記回転手段によって前記直線偏光の平行光束
の偏光方向を回転させることによって、前記情報記憶担
体上で、光軸中心の位置に第１の光スポットを作り、前
記第１の光スポットの両側に前記第１の光スポットと互
いに直交する偏光成分を有する第２及び第３の光スポッ
トを作り、情報の記録時は、前記回転手段によって前記
直線偏光の平行光束の偏光方向を回転させることなく、
前記情報記憶担体上で、光軸中心の位置に第１の光スポ
ットを作るものである。
そして、第１の光スポットを用いて情報の記録と光ヘ
ッドの制御信号の検出を行ない、第２及び第３の光スポ
ットに対する情報記憶担体からの反射光をそれぞれ光検
出器で検出し、差動検出することで、情報記憶担体上に
書かれたピットの境界を検知しようとしたものである。
また、前記回転手段によって、第１の光スポットと第２
及び第３の光スポットの光量比を変えることができるよ
うにしたものである。
ッドの制御信号の検出を行ない、第２及び第３の光スポ
ットに対する情報記憶担体からの反射光をそれぞれ光検
出器で検出し、差動検出することで、情報記憶担体上に
書かれたピットの境界を検知しようとしたものである。
また、前記回転手段によって、第１の光スポットと第２
及び第３の光スポットの光量比を変えることができるよ
うにしたものである。
［実施例］ 以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の光ヘツドを説明する図である。同図
において、半導体レーザ１から出た発散光は、コリメー
タレンズ２とビーム整形プリズム３を経ておよそ円形の
平行光束となる。この平行光束を紙面に対して平行方向
に偏光方向を持つ直線偏光（Ｐ偏光）とする。４はフア
ラデーセル、５はフアラデーセル４に外部磁界をかける
ための電磁石である。フアラデーセル４に外部磁界がか
けられると直線偏光の偏光方向が回転し、紙面に垂直な
偏光成分（Ｓ偏光成分）が生じる。外部磁界を変化させ
ることでＰ偏光成分と、Ｓ偏光成分の比率を変化させる
ことができる。外部磁界がないときには、Ｐ偏光のまま
で透過する。６は偏光ビームスプリツタで、Ｐ偏光に対
しほぼ100％透過、０％反射、Ｓ偏光に対し、ほぼ100％
反射、０％透過のものである。つまりＰ偏光成分はその
まま透過し、Ｓ偏光成分は反射され分離される。分離さ
れたＳ偏光成分はまず1/4波長板７を通過し円偏光とな
り位相フイルター８を経てミラー９で反射され、再び位
相フイルタ８、1/4波長板７を経てＰ偏光となる。今14
の情報記憶担体のトラツクの方向を図中のＡ方向とする
と、位相フイルタ８は、光軸より上の光束（斜線部）と
下の光束との間で往復するとπの位相差をつけるもので
ある。情報記憶担体14はＡ方向に平行に複数のトラツク
を有する。
において、半導体レーザ１から出た発散光は、コリメー
タレンズ２とビーム整形プリズム３を経ておよそ円形の
平行光束となる。この平行光束を紙面に対して平行方向
に偏光方向を持つ直線偏光（Ｐ偏光）とする。４はフア
ラデーセル、５はフアラデーセル４に外部磁界をかける
ための電磁石である。フアラデーセル４に外部磁界がか
けられると直線偏光の偏光方向が回転し、紙面に垂直な
偏光成分（Ｓ偏光成分）が生じる。外部磁界を変化させ
ることでＰ偏光成分と、Ｓ偏光成分の比率を変化させる
ことができる。外部磁界がないときには、Ｐ偏光のまま
で透過する。６は偏光ビームスプリツタで、Ｐ偏光に対
しほぼ100％透過、０％反射、Ｓ偏光に対し、ほぼ100％
反射、０％透過のものである。つまりＰ偏光成分はその
まま透過し、Ｓ偏光成分は反射され分離される。分離さ
れたＳ偏光成分はまず1/4波長板７を通過し円偏光とな
り位相フイルター８を経てミラー９で反射され、再び位
相フイルタ８、1/4波長板７を経てＰ偏光となる。今14
の情報記憶担体のトラツクの方向を図中のＡ方向とする
と、位相フイルタ８は、光軸より上の光束（斜線部）と
下の光束との間で往復するとπの位相差をつけるもので
ある。情報記憶担体14はＡ方向に平行に複数のトラツク
を有する。
1/4波長板７、位相フイルタ８、ミラー９を往復した
光束はＰ偏光となり、偏光ビームスプリツタ６を透過
し、10の1/4波長板を経て円偏光となり11のミラーで反
射され再び1/4波長板10を経て、Ｓ偏光にもどり、偏光
ビームスプリツタ６により反射され、もとの光束と合成
される。６の偏光ビームスピリツタを経たＰ及びＳ偏光
の光はハーフミラー12、対物レンズ13を経て、情報記憶
担体14上に光スポツトを結ぶ。この時Ｐ及びＳ偏光は互
いに直交する直線偏光であるので干渉することはない。
光束はＰ偏光となり、偏光ビームスプリツタ６を透過
し、10の1/4波長板を経て円偏光となり11のミラーで反
射され再び1/4波長板10を経て、Ｓ偏光にもどり、偏光
ビームスプリツタ６により反射され、もとの光束と合成
される。６の偏光ビームスピリツタを経たＰ及びＳ偏光
の光はハーフミラー12、対物レンズ13を経て、情報記憶
担体14上に光スポツトを結ぶ。この時Ｐ及びＳ偏光は互
いに直交する直線偏光であるので干渉することはない。
次に平行光束を対物レンズを用いて光スポツトにする
際に平行光束中に光束の半分の位相が他の半分よりπず
れるようなフイルターを入れた時と、入れない時との光
スポツトの分布について第２図を用いて考える。
際に平行光束中に光束の半分の位相が他の半分よりπず
れるようなフイルターを入れた時と、入れない時との光
スポツトの分布について第２図を用いて考える。
まずフイルターを入れない場合光スポツトの振幅及び
光強度はよく知られているように（ａ）及び（ｂ）のよ
うになる。
光強度はよく知られているように（ａ）及び（ｂ）のよ
うになる。
一方平行光束中に（ｅ）に示すような０−πフイルタ
ーを入れるとその時の光スポツトの振幅は（ｃ）及び
（ｄ）のようになる光強度となる。（波動光学第１刷28
5ページ久保田広著岩波書店刊1971年参照）つまり２つ
のピークを持つ光スポツトとなる。
ーを入れるとその時の光スポツトの振幅は（ｃ）及び
（ｄ）のようになる光強度となる。（波動光学第１刷28
5ページ久保田広著岩波書店刊1971年参照）つまり２つ
のピークを持つ光スポツトとなる。
ここで（ａ）（ｂ）の光束と（Ｃ）（ｄ）の光束が干
渉しないものとし、なんらかの手段でかさね合せた後、
対物レンズで光スポツトをつくれば、（ｆ）に示すよう
な光軸上とその両側とに３つのピークを持つ光スポツト
を作ることができる。
渉しないものとし、なんらかの手段でかさね合せた後、
対物レンズで光スポツトをつくれば、（ｆ）に示すよう
な光軸上とその両側とに３つのピークを持つ光スポツト
を作ることができる。
Ｐ偏光による光スポツトは位相が一様であるので第２
図（ａ），（ｂ）で示したものとなり光軸上に１つのピ
ークを持つものとなる。これを第１の光スポツトとす
る。
図（ａ），（ｂ）で示したものとなり光軸上に１つのピ
ークを持つものとなる。これを第１の光スポツトとす
る。
それに対しＳ偏光は上述したように光束内でπの位相
差を持つので第２図（ｃ），（ｄ）で示したものとなり
光軸の両側にピークを持つものとなる。これを第２及び
第３の光スポツトとする。
差を持つので第２図（ｃ），（ｄ）で示したものとなり
光軸の両側にピークを持つものとなる。これを第２及び
第３の光スポツトとする。
つまり情報記憶担体上に３つの光スポツトが形成され
第１の光スポツトは光軸上に中心があり、第２及び第３
の光スポットは第１の光スポットをはさみトラツクと平
行方向（Ａ方向）に並んでいる。情報記憶担体からの反
射光は再び対物レンズ13、ハーフミラー12を経て、反射
され15の偏光ビームスプリツタに至る。Ｐ偏光は透過
し、16の光束となり従来よく知られた検出方法により光
ヘツドのオートフオーカス用及びオートトラツキング用
の制御信号を検出するのに用いられる。
第１の光スポツトは光軸上に中心があり、第２及び第３
の光スポットは第１の光スポットをはさみトラツクと平
行方向（Ａ方向）に並んでいる。情報記憶担体からの反
射光は再び対物レンズ13、ハーフミラー12を経て、反射
され15の偏光ビームスプリツタに至る。Ｐ偏光は透過
し、16の光束となり従来よく知られた検出方法により光
ヘツドのオートフオーカス用及びオートトラツキング用
の制御信号を検出するのに用いられる。
一方Ｓ偏光は反射され、集光レンズ17を経て２分割光
検出器18に入る。２分割光検出器18は、分割線がトラツ
ク方向と垂直になるよう配置される。個々の光検出器18
−1,18−２によって検出された信号は、19の差動アンプ
により差動検出する。
検出器18に入る。２分割光検出器18は、分割線がトラツ
ク方向と垂直になるよう配置される。個々の光検出器18
−1,18−２によって検出された信号は、19の差動アンプ
により差動検出する。
次に第１図の光ヘツドを用いて情報の記録及び再生の
手順について述べる。
手順について述べる。
まず情報の記録時は、フアラデーセル駆動回路21によ
り外部磁界を切っておきＰ偏光のみとする。よって情報
記憶担体14上に形成されるのは前述した第１の光スポツ
トだけである。記録すべき信号22に従いレーザ駆動回路
23が半導体レーザ１のパワーを変調し、それにより第１
の光スポツトの強度が変調され、情報記憶担体14上に反
射率の違いなどによるピツトを形成し記録する。情報記
憶担体14からの反射光の一部は光束16となり光ヘツドの
制御信号検出用に用いられる。
り外部磁界を切っておきＰ偏光のみとする。よって情報
記憶担体14上に形成されるのは前述した第１の光スポツ
トだけである。記録すべき信号22に従いレーザ駆動回路
23が半導体レーザ１のパワーを変調し、それにより第１
の光スポツトの強度が変調され、情報記憶担体14上に反
射率の違いなどによるピツトを形成し記録する。情報記
憶担体14からの反射光の一部は光束16となり光ヘツドの
制御信号検出用に用いられる。
また情報の再生時は、フアラデセル駆動回路21により
外部磁界をかけ、Ｐ偏光とＳ偏光を作る。この時のパワ
ー比は、フアラデーセル駆動回路21により決定され、パ
ワーの大きさは、レーザ駆動回路23により決定される。
この光ヘツドでは反射率の違いによって形成されたピツ
トの境界を検知するものである。
外部磁界をかけ、Ｐ偏光とＳ偏光を作る。この時のパワ
ー比は、フアラデーセル駆動回路21により決定され、パ
ワーの大きさは、レーザ駆動回路23により決定される。
この光ヘツドでは反射率の違いによって形成されたピツ
トの境界を検知するものである。
第３図を用いて本発明の光ヘツドによるピツトの境界
の検知を説明する。今、前述した第２の光スポツトが第
３の光スポツトより先行した位置にあり、第２の光スポ
ツトによる反射光は、18−２によって検出され、第３の
光スポツトによる反射光は18−１によって検出されると
する。第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は高い反射率の領域か
ら低い反射率の領域へ第２、及び第３の光スポツトが移
動するときの２分割光検出器18上の強度分布を大まかに
示してある。（ａ）は両方の光スポツトとも高い反射率
の領域にある場合は、光検出器18−1,18−２上にはＹ軸
について対称な形で大きい強度の分布となる。逆に
（ｃ）は両方の光スポツトとも低い反射率の領域にある
場合で、光検出器18−1,18−２上にはＹ軸について対称
な形で小さい強度の分布となる。（ａ）（ｃ）両方の場
合、光検出器18−1,18−２の個々で検出される強度は同
じであるから、差動アンプ19により差動検出すると、再
生信号０である。ところが（ｂ）の場合のように第２の
光スポツトが低い反射率の領域に入り第３の光スポツト
がまだ高い反射率の領域にいる時は、光検出器18−１上
には大きい強度の分布となり光検出器18−２上には小さ
い強度の分布となる。これを差動検出すると、正の値の
信号が得られる。つまり高い反射率の領域から低い反射
率の領域に移動する際、その境界で正のピーク信号が再
生信号として得られる。
の検知を説明する。今、前述した第２の光スポツトが第
３の光スポツトより先行した位置にあり、第２の光スポ
ツトによる反射光は、18−２によって検出され、第３の
光スポツトによる反射光は18−１によって検出されると
する。第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は高い反射率の領域か
ら低い反射率の領域へ第２、及び第３の光スポツトが移
動するときの２分割光検出器18上の強度分布を大まかに
示してある。（ａ）は両方の光スポツトとも高い反射率
の領域にある場合は、光検出器18−1,18−２上にはＹ軸
について対称な形で大きい強度の分布となる。逆に
（ｃ）は両方の光スポツトとも低い反射率の領域にある
場合で、光検出器18−1,18−２上にはＹ軸について対称
な形で小さい強度の分布となる。（ａ）（ｃ）両方の場
合、光検出器18−1,18−２の個々で検出される強度は同
じであるから、差動アンプ19により差動検出すると、再
生信号０である。ところが（ｂ）の場合のように第２の
光スポツトが低い反射率の領域に入り第３の光スポツト
がまだ高い反射率の領域にいる時は、光検出器18−１上
には大きい強度の分布となり光検出器18−２上には小さ
い強度の分布となる。これを差動検出すると、正の値の
信号が得られる。つまり高い反射率の領域から低い反射
率の領域に移動する際、その境界で正のピーク信号が再
生信号として得られる。
（ｄ）（ｅ）（ｆ）は逆に両方の光スポツトが低い反
射率の領域から、高い反射率の領域に移動するときの様
子を示している。（ｄ）は両光スポツトとも低い領域、
（ｆ）は高い領域のもので、それぞれ（ｃ）及び（ａ）
同様再生信号は０となる。ところが（ｅ）の場合のよう
に第２の光スポツトが高い反射率の領域に入り、第３の
光スポツトがまだ低い反射率の領域にいる時は、光検出
器18−１上には小さい強度の分布となり、光検出器18−
２上には大きい強度の分布となる。これを差動検出する
と負の値の信号が得られる。つまり低い反射率の領域か
ら高い反射率に移動する際、その境界で負のピーク信号
が再生信号として得られる。
射率の領域から、高い反射率の領域に移動するときの様
子を示している。（ｄ）は両光スポツトとも低い領域、
（ｆ）は高い領域のもので、それぞれ（ｃ）及び（ａ）
同様再生信号は０となる。ところが（ｅ）の場合のよう
に第２の光スポツトが高い反射率の領域に入り、第３の
光スポツトがまだ低い反射率の領域にいる時は、光検出
器18−１上には小さい強度の分布となり、光検出器18−
２上には大きい強度の分布となる。これを差動検出する
と負の値の信号が得られる。つまり低い反射率の領域か
ら高い反射率に移動する際、その境界で負のピーク信号
が再生信号として得られる。
第４図に本発明の光ヘツドによる再生信号20（エツジ
検出信号）を示す。同図（ａ）は、ピツトエツジ記録方
式によるピツト列を示す。黒いチエツクの部分を反射率
の低い領域とすると再生信号として、（ｂ）のエツジ検
出信号が得られる。この信号より正及び負のピークの位
置を検出することにより、エツジの位置を知ることがで
きる。
検出信号）を示す。同図（ａ）は、ピツトエツジ記録方
式によるピツト列を示す。黒いチエツクの部分を反射率
の低い領域とすると再生信号として、（ｂ）のエツジ検
出信号が得られる。この信号より正及び負のピークの位
置を検出することにより、エツジの位置を知ることがで
きる。
この方法によればピツト上での信号は常に０となり境
界でのみピーク信号を持つので、ピツトの大きさの違い
による光ヘツド等の伝達特性の違いの影響が従来法に比
べ非常に小さく、そのため直流成分の変動も小さく、エ
ツジシストの問題もなくなる。
界でのみピーク信号を持つので、ピツトの大きさの違い
による光ヘツド等の伝達特性の違いの影響が従来法に比
べ非常に小さく、そのため直流成分の変動も小さく、エ
ツジシストの問題もなくなる。
［発明の効果］ 以上説明したように情報記憶担体上で、光軸の中心の
位置に第１の光スポツトを作りその両側でトラツクと平
行な方向に第２及び第３の光スポツトを作る手段を設
け、第１の光スポツトは、情報の記録と制御信号を検出
するのに用い、第２及び第３の光スポツトは、差動検出
して情報の再生に用いることでピツトのエツジを検出す
る際に、光ヘツド等の伝達特性の影響をあまり受けず
に、検出できるという効果がある。
位置に第１の光スポツトを作りその両側でトラツクと平
行な方向に第２及び第３の光スポツトを作る手段を設
け、第１の光スポツトは、情報の記録と制御信号を検出
するのに用い、第２及び第３の光スポツトは、差動検出
して情報の再生に用いることでピツトのエツジを検出す
る際に、光ヘツド等の伝達特性の影響をあまり受けず
に、検出できるという効果がある。
第１図は本発明の光ヘツドを説明する図、 第２図は３スポツトを作る手順を説明する図、 第３図、第４図は本発明による再生信号を説明する図、 第５図は従来のピツト位置記録とピツトエツジ記録を説
明する図である。 １……半導体レーザ ２……コリメータレンズ ３……ビーム整形プリズム ４……フアラデーセル ５……電磁石 6,15……偏光ビームスプリツタ 7,10……1/4波長板 ８……位相フイルタ 9,11……ミラー 12……ハーフミラー 13……対物レンズ 14……情報記憶担体 16……制御信号検出用の光束 17……集光レンズ 18……２分割光検出器 19……差動アンプ 20……再生信号 21……フアラデーセル駆動回路 22……記録信号 23……レーザ駆動回路
明する図である。 １……半導体レーザ ２……コリメータレンズ ３……ビーム整形プリズム ４……フアラデーセル ５……電磁石 6,15……偏光ビームスプリツタ 7,10……1/4波長板 ８……位相フイルタ 9,11……ミラー 12……ハーフミラー 13……対物レンズ 14……情報記憶担体 16……制御信号検出用の光束 17……集光レンズ 18……２分割光検出器 19……差動アンプ 20……再生信号 21……フアラデーセル駆動回路 22……記録信号 23……レーザ駆動回路
フロントページの続き (72)発明者 山口 英司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 松村 進 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−287825（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−123523（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−141938（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−22449（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−224057（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/135
Claims (1)
- 【請求項１】複数のトラックを有する情報記憶担体に対
し、光学的手段を用いて情報を記録または／かつ再生を
行なう光ヘッドにおいて、 前記情報記憶担体にいたる直線偏光の平行光束の光路中
に、 前記直線偏光の平行光束の偏光方向を回転させる回転手
段と、 前記回転手段によって前記直線偏光の平行光束の偏光方
向が回転した際に、入射した直線偏光の平行光束を互い
に直交する偏光成分の直線偏光の平行光束に分離した
後、前記分離した平行光束のどちらか一方の光束の一部
の位相を他の部分よりπずらせ、再び合成する手段を設
け、 情報の再生時は、前記回転手段によって前記直線偏光の
平行光束の偏光方向を回転させることによって、前記情
報記憶担体上で、光軸中心の位置に第１の光スポットを
作り、前記第１の光スポットの両側に前記第１の光スポ
ットと互いに直交する偏光成分を有する第２及び第３の
光スポットを作り、 情報の記録時は、前記回転手段によって前記直線偏光の
平行光束の偏光方向を回転させることなく、前記情報記
憶担体上で、光軸中心の位置に第１の光スポットを作る
ことを特徴とする光ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2279711A JP2935554B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2279711A JP2935554B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155630A JPH04155630A (ja) | 1992-05-28 |
| JP2935554B2 true JP2935554B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=17614815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2279711A Expired - Fee Related JP2935554B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2935554B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110926380B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-09 | 苏州迅镭激光科技有限公司 | 一种测量激光切割头光学元件同轴度的方法 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2279711A patent/JP2935554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04155630A (ja) | 1992-05-28 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |