JP2840427B2 - 光ヘッド - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は情報記憶担体に対し、光学的な手段を用いて
情報の記録または／かつ再生を行う光ヘツドに関する。
情報の記録または／かつ再生を行う光ヘツドに関する。
光学的な手段を用いて情報の記録または／かつ再生を
行なう情報記憶担体には、再生専用のものや金属薄膜や
色素系記録材料を用いた追記型のもの、また、光磁気記
録方式、相転位記録方式を用いた書き換え型のものなど
がある。
行なう情報記憶担体には、再生専用のものや金属薄膜や
色素系記録材料を用いた追記型のもの、また、光磁気記
録方式、相転位記録方式を用いた書き換え型のものなど
がある。
第７図に、従来の書き換え可能な光磁気記録方式の情
報記憶担体用の光ヘツドを示す。
報記憶担体用の光ヘツドを示す。
同図において、半導体レーザ19を光源として、ここか
らの発散光をコリメータレンズ20を介して平行光束と
し、ピーム整形プリズム21、偏光ビームスプリツタ22を
介して対物レンズ23に与え、ここで集光して情報記憶担
体24の磁性層にスポツトを形成する。一方磁気ヘツド25
により外部磁界が与えられる。
らの発散光をコリメータレンズ20を介して平行光束と
し、ピーム整形プリズム21、偏光ビームスプリツタ22を
介して対物レンズ23に与え、ここで集光して情報記憶担
体24の磁性層にスポツトを形成する。一方磁気ヘツド25
により外部磁界が与えられる。
情報記憶担体24からの反射光は再び対物レンズ23を介
して偏光ビームスプリツタ22に戻し、ここで反射光の一
部を分離して、制御光学系へともたらしている。制御光
学系では、分離光束を別に用意した、偏光ビームスプリ
ツタ26で更に分離し、一方を再生光学系27に与えて情報
信号を得、他方を集光レンズ33、ハーフプリズム34を介
して光検出器35およびナイフエツジ36を介して光検出器
37へ与えて光ヘツドの制御信号を得る。
して偏光ビームスプリツタ22に戻し、ここで反射光の一
部を分離して、制御光学系へともたらしている。制御光
学系では、分離光束を別に用意した、偏光ビームスプリ
ツタ26で更に分離し、一方を再生光学系27に与えて情報
信号を得、他方を集光レンズ33、ハーフプリズム34を介
して光検出器35およびナイフエツジ36を介して光検出器
37へ与えて光ヘツドの制御信号を得る。
再生光学系27は、光束の偏光方向を45度回転させるた
めの1/2波長板28と、光束を集光する集光レンズ29と、
光束を分離する偏光ビームスプリツタ30と、偏光ビーム
スプリツタ30により分離された光束のそれぞれを検出す
る光検出器31、及び32とからなる。再生信号は、光検出
器31と32からの信号を差動動検出した信号を用いて得ら
れる。
めの1/2波長板28と、光束を集光する集光レンズ29と、
光束を分離する偏光ビームスプリツタ30と、偏光ビーム
スプリツタ30により分離された光束のそれぞれを検出す
る光検出器31、及び32とからなる。再生信号は、光検出
器31と32からの信号を差動動検出した信号を用いて得ら
れる。
第８図は、光磁気信号がどの様に得られるかを説明す
るものである。
るものである。
光磁気記録の情報記憶担体では、磁化の方向の違いに
より情報を記録する。これに直線偏光の光を与えると、
磁化の方向の違いにより直線偏光の偏光方向が右回りか
左回りかに回転する。
より情報を記録する。これに直線偏光の光を与えると、
磁化の方向の違いにより直線偏光の偏光方向が右回りか
左回りかに回転する。
例えば今、情報記憶担体に入射する直線偏光の偏光方
向を第８図に示す座標軸Ｐ方向とし、下向き磁化に対す
る反射光は、＋θｋ回転したR+、上向き磁化に対する反
射光はθｋ回転したR-とすると、第８図で示すような方
向に検光子をおくと、検光子を透過してくる光はR+に対
しＡ、R-に対しＢとなり、これを光検出器で検出すると
光強度の差として、情報を得ることができる。第７図の
従来例では偏光ビームスプリツター30が検光子の役目を
していて、分離した一方の光束に対し、Ｐ軸から＋45
度、他方の光束に対し、Ｐ軸から−45度の方向の検光子
となる。つまり光検出器31と32で得られる信号成分は逆
相となるので、個々の信号を差動検号することで、ノイ
ズが軽減された再生信号を得ることができる。
向を第８図に示す座標軸Ｐ方向とし、下向き磁化に対す
る反射光は、＋θｋ回転したR+、上向き磁化に対する反
射光はθｋ回転したR-とすると、第８図で示すような方
向に検光子をおくと、検光子を透過してくる光はR+に対
しＡ、R-に対しＢとなり、これを光検出器で検出すると
光強度の差として、情報を得ることができる。第７図の
従来例では偏光ビームスプリツター30が検光子の役目を
していて、分離した一方の光束に対し、Ｐ軸から＋45
度、他方の光束に対し、Ｐ軸から−45度の方向の検光子
となる。つまり光検出器31と32で得られる信号成分は逆
相となるので、個々の信号を差動検号することで、ノイ
ズが軽減された再生信号を得ることができる。
これらの情報記録担体に磁化の方向の違いとしてピツ
トを成形するのであるが、その方法にはピツトのセンタ
ーの位置に情報の意味を持たせるピツト位置記録方式
と、ピツトのエツジの位置に情報の意味を持たせるピツ
トエツジ記録方式とがある。
トを成形するのであるが、その方法にはピツトのセンタ
ーの位置に情報の意味を持たせるピツト位置記録方式
と、ピツトのエツジの位置に情報の意味を持たせるピツ
トエツジ記録方式とがある。
第９図は、この両者の方法を説明するものである。同
図において（ａ）はピツト位置記録でのピツト列を示
す。ピツトの大きさは、近傍のピツトでおよそ一定であ
る。（ｂ）は（ａ）のピツト列を光学的に再生した検出
信号を示す。一方（ｃ）はピツトエツジ記録でのピツト
列（ｄ）は（ｃ）のピツト列を光学的に再生した検出信
号である。この信号よりピツトのエツジの位置を知るに
は例えば電気的にスライスレベルを設けて（ｄ）の検出
信号がスライスレベルを横切る位置を求める。（ｅ）は
そのエツジ検出信号を示す。
図において（ａ）はピツト位置記録でのピツト列を示
す。ピツトの大きさは、近傍のピツトでおよそ一定であ
る。（ｂ）は（ａ）のピツト列を光学的に再生した検出
信号を示す。一方（ｃ）はピツトエツジ記録でのピツト
列（ｄ）は（ｃ）のピツト列を光学的に再生した検出信
号である。この信号よりピツトのエツジの位置を知るに
は例えば電気的にスライスレベルを設けて（ｄ）の検出
信号がスライスレベルを横切る位置を求める。（ｅ）は
そのエツジ検出信号を示す。
光学的手段を用いて情報を記録すると、光スポツトに
よる熱に対して情報記憶担体のピツトが書かれる記録感
度がなだらかな場合、ピツトの大きさにばらつきが生じ
てしまう。しかし、ピツトのセンターの位置は変らな
い。従来、光学的手段を用いる情報記憶担体では多くの
場合、ピツト位置記録が行なわれている。それに対し、
光スポツトによる熱に対して情報記憶担体のピツトが書
かれる記録感度が急峻な場合、ピツトの大きさのばらつ
きをある一定量以下にすることができるので、ピツトエ
ツジ記録が可能になり記憶密度を増加させることができ
るようになる。現在、情報記憶担体の開発が行なわれて
おり、ピツト位置記録からピツトエツジ記録へ移行され
つつある。
よる熱に対して情報記憶担体のピツトが書かれる記録感
度がなだらかな場合、ピツトの大きさにばらつきが生じ
てしまう。しかし、ピツトのセンターの位置は変らな
い。従来、光学的手段を用いる情報記憶担体では多くの
場合、ピツト位置記録が行なわれている。それに対し、
光スポツトによる熱に対して情報記憶担体のピツトが書
かれる記録感度が急峻な場合、ピツトの大きさのばらつ
きをある一定量以下にすることができるので、ピツトエ
ツジ記録が可能になり記憶密度を増加させることができ
るようになる。現在、情報記憶担体の開発が行なわれて
おり、ピツト位置記録からピツトエツジ記録へ移行され
つつある。
次に光スポツトが第10図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す順
に下向き磁化のピツトから境界領域に移り、さらに上向
き磁化のピツトへと移る際の光検出器31及び32上での光
の分布について考える。第８図で示したように下向き磁
化に対してR+、上向き磁化に対してR-とし、それぞれの
Ｐ軸,S軸成分を（P+,S+），（P+,S-）とする。
に下向き磁化のピツトから境界領域に移り、さらに上向
き磁化のピツトへと移る際の光検出器31及び32上での光
の分布について考える。第８図で示したように下向き磁
化に対してR+、上向き磁化に対してR-とし、それぞれの
Ｐ軸,S軸成分を（P+,S+），（P+,S-）とする。
まずＰ軸成分について考える、第10図の（ａ）（ｂ）
（ｃ）と光スポツトが移行する際Ｐ軸成分はほとんど変
わらずP+である。よって光検出器31及び32上で光の振幅
の分布（大きさは無視して形だけを見る）第11図（ａ）
の様になり、光の強度の分布は（大きさは無視して形だ
けを見る）第11図（ｂ）の様になり、ほとんど変わらな
い。次にＳ軸成分について考える。第10図の（ａ）と
（ｃ）では、光スポツト内でS+かまたはS-の一様な分布
となるので、光検出器31及び32上での光の振幅の分布
（大きさは無視して形だけを見る）と強度の分布（大き
さは無視して形だけを見る）はＰ軸成分同様、第11図の
（ａ）と（ｂ）になる。しかし第10図（ｂ）のようにピ
ツトのエツジが光スポツト内にある場合には、S+とS-の
２つの成分が存在する。S+,S-は大きさが同じで位相が
πずれた成分である。この場合の前記第７図に示した光
検出器31及び32上での振幅の分布（大きさは無視して形
だけを見る）と強度の分布（大きさは無視して形だけを
見る）は第11図（ｃ）と（ｄ）のようになる。（波動光
学 第１刷285ページ 久保田広著 岩波書店刊 1971
年参照） 〔発明が解決しようとしている課題〕 上記従来例では、情報記憶担体の感度が改善されれ
ば、ピツトエツジ記録への移行が可能であるとしたが最
小ピツトの大きさが光スポツトの大きさと同程度か、そ
れ以下になってくると、光ヘツド等の伝達特性が劣化し
てくるために光学的手段により検出された信号におい
て、直流成分に変動が生じてしまい一定のスライスレベ
ルでエツジを検知するとエツジシフトが生じるという欠
点があった。
（ｃ）と光スポツトが移行する際Ｐ軸成分はほとんど変
わらずP+である。よって光検出器31及び32上で光の振幅
の分布（大きさは無視して形だけを見る）第11図（ａ）
の様になり、光の強度の分布は（大きさは無視して形だ
けを見る）第11図（ｂ）の様になり、ほとんど変わらな
い。次にＳ軸成分について考える。第10図の（ａ）と
（ｃ）では、光スポツト内でS+かまたはS-の一様な分布
となるので、光検出器31及び32上での光の振幅の分布
（大きさは無視して形だけを見る）と強度の分布（大き
さは無視して形だけを見る）はＰ軸成分同様、第11図の
（ａ）と（ｂ）になる。しかし第10図（ｂ）のようにピ
ツトのエツジが光スポツト内にある場合には、S+とS-の
２つの成分が存在する。S+,S-は大きさが同じで位相が
πずれた成分である。この場合の前記第７図に示した光
検出器31及び32上での振幅の分布（大きさは無視して形
だけを見る）と強度の分布（大きさは無視して形だけを
見る）は第11図（ｃ）と（ｄ）のようになる。（波動光
学 第１刷285ページ 久保田広著 岩波書店刊 1971
年参照） 〔発明が解決しようとしている課題〕 上記従来例では、情報記憶担体の感度が改善されれ
ば、ピツトエツジ記録への移行が可能であるとしたが最
小ピツトの大きさが光スポツトの大きさと同程度か、そ
れ以下になってくると、光ヘツド等の伝達特性が劣化し
てくるために光学的手段により検出された信号におい
て、直流成分に変動が生じてしまい一定のスライスレベ
ルでエツジを検知するとエツジシフトが生じるという欠
点があった。
また、光スポツトがピツトのエツジを通過する際、光
の分布の変化が生じるが従来例では大きく光の分布全体
をまとめて検出していたために、その光の分布の変化を
検出することができないという欠点があった。
の分布の変化が生じるが従来例では大きく光の分布全体
をまとめて検出していたために、その光の分布の変化を
検出することができないという欠点があった。
本発明によれば、情報記憶担体からの反射光を検出す
るために情報記憶担体のトラツクに垂直な方向に対応す
る分割線を有する２分割光検出器を有し、ピツト位置記
録方式の場合は、前記２分割光検出器の和信号を再生信
号とし、ピツトエツジ記録方式の場合、前記２分割光検
出器の差信号を再生信号とすることで、どちらの方式に
も対応可能な光ヘツドを提供しようとするものである。
るために情報記憶担体のトラツクに垂直な方向に対応す
る分割線を有する２分割光検出器を有し、ピツト位置記
録方式の場合は、前記２分割光検出器の和信号を再生信
号とし、ピツトエツジ記録方式の場合、前記２分割光検
出器の差信号を再生信号とすることで、どちらの方式に
も対応可能な光ヘツドを提供しようとするものである。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
情報記憶担体として光磁気用のものについて説明する。
情報記憶担体は複数のトラツクを有する。
情報記憶担体として光磁気用のものについて説明する。
情報記憶担体は複数のトラツクを有する。
第１図は本発明の光ヘツドの再生光学系を示す。他の
部分は従来例第７図で示したものを用いることができ
る。第１図において1,2,3はそれぞれ従来例第７図の28,
29,30と同じで、１は1/2波長板、２は集光レンズ、３は
偏光ビームスプリツタである。4,5は２分割光検器でそ
の分割線は、情報記憶担体のトラツクに垂直な方向に対
応した方向となる（つまりトラツクを光ヘツドを用いて
２分割検出器に投影すると、分割線と垂直になる）。6,
7,8は差動検出用のアンプであり、９は再生信号であ
る。
部分は従来例第７図で示したものを用いることができ
る。第１図において1,2,3はそれぞれ従来例第７図の28,
29,30と同じで、１は1/2波長板、２は集光レンズ、３は
偏光ビームスプリツタである。4,5は２分割光検器でそ
の分割線は、情報記憶担体のトラツクに垂直な方向に対
応した方向となる（つまりトラツクを光ヘツドを用いて
２分割検出器に投影すると、分割線と垂直になる）。6,
7,8は差動検出用のアンプであり、９は再生信号であ
る。
第２図は、第10図で示した様に光スポツトが下向き磁
化のピツトから、磁化の反転する境界を経て上向き磁化
のピツトへ移行するときの２分割光検出器４及び５上で
の光強度の強化を説明するものである。第２図（ａ）
（ｂ）（ｃ）は２分割光検出器４についてのものであ
り、（ｄ）（ｅ）（ｆ）は２分割光検出器５についての
ものである。
化のピツトから、磁化の反転する境界を経て上向き磁化
のピツトへ移行するときの２分割光検出器４及び５上で
の光強度の強化を説明するものである。第２図（ａ）
（ｂ）（ｃ）は２分割光検出器４についてのものであ
り、（ｄ）（ｅ）（ｆ）は２分割光検出器５についての
ものである。
それぞれＸ軸はその下に示す２分割光検出器上の位置
を示し、Ｙ軸は強度の大きさを示し、２分割光検出器の
分割線上にる。
を示し、Ｙ軸は強度の大きさを示し、２分割光検出器の
分割線上にる。
光スポツトが下向き磁化のピツト上にある場合、２分
割光検出器4,5上の光強度の分布は（ａ）と（ｄ）とな
る。それぞれ分布の形はＹ軸について対称であり、また
強度のピークはＹ軸上にある。ピークは（ａ）の方が大
きい。この場合は、２分割光検出器4,5の個々の光検出
器４−１と４−２また５−１と５−２で得られる検出信
号はそれぞれ同じであるので差動検出アンプ６また７を
用いて得た信号はどちらも０となる故に差動検出アンプ
８で得られる信号も０となる。
割光検出器4,5上の光強度の分布は（ａ）と（ｄ）とな
る。それぞれ分布の形はＹ軸について対称であり、また
強度のピークはＹ軸上にある。ピークは（ａ）の方が大
きい。この場合は、２分割光検出器4,5の個々の光検出
器４−１と４−２また５−１と５−２で得られる検出信
号はそれぞれ同じであるので差動検出アンプ６また７を
用いて得た信号はどちらも０となる故に差動検出アンプ
８で得られる信号も０となる。
逆に光スポツトが上向き磁化のピツト上ある場合、２
分割光検出器4,5上の光強度の分布は（ｃ）と（ｆ）と
なり、（ａ）と（ｄ）が逆転した形となる。しかしこの
場合も、個々の光検出器４−１と４−２、また５−１と
５−２で得られる検出信号はそれぞれ同じであるので、
差動検出アンプ6,7及び８で得られる信号は０となる。
分割光検出器4,5上の光強度の分布は（ｃ）と（ｆ）と
なり、（ａ）と（ｄ）が逆転した形となる。しかしこの
場合も、個々の光検出器４−１と４−２、また５−１と
５−２で得られる検出信号はそれぞれ同じであるので、
差動検出アンプ6,7及び８で得られる信号は０となる。
光スポツトが第10図（ｂ）のように下向き磁化から上
向き磁化に反転する位置にある場合、２分割光検出器4,
5上の光強度の分布は（ｂ）と（ｅ）となる。分布のピ
ークはＹ軸を中心にＸ軸の＋側と−側に分かれるピーク
の大きさは（ｂ）の方は−側が大きく、（ｅ）の方は逆
に＋側が大きくなる。差動アンプ６は（４−２）−（４
−１）の信号が得られるので、負の値の信号が得られ
る。差動アンプ７は（５−２）−（５−１）の信号が得
られるので正の値の信号が得られる。さらに差動アンプ
８は（差動アンプ７）−（差動アンプ６）の信号が得ら
れるので、正の値の信号が得られる。
向き磁化に反転する位置にある場合、２分割光検出器4,
5上の光強度の分布は（ｂ）と（ｅ）となる。分布のピ
ークはＹ軸を中心にＸ軸の＋側と−側に分かれるピーク
の大きさは（ｂ）の方は−側が大きく、（ｅ）の方は逆
に＋側が大きくなる。差動アンプ６は（４−２）−（４
−１）の信号が得られるので、負の値の信号が得られ
る。差動アンプ７は（５−２）−（５−１）の信号が得
られるので正の値の信号が得られる。さらに差動アンプ
８は（差動アンプ７）−（差動アンプ６）の信号が得ら
れるので、正の値の信号が得られる。
つまり、下向きの磁化からの上向きの磁化に光スポツ
トが移行する際、磁化の反転する位置で再生信号９は正
の値のピーク信号が得られる。逆に上向きの磁化から下
向きの磁化に光スポツトが移行する際も同様に説明で
き、この場合は反転する位置で負の値のピーク信号が得
られる。この方法によると、ピツト上での信号は常に０
となり、境界でのみピークを持つのでピツトの大きさの
違いによる光ヘツト等の伝達特性の違いの影響が従来法
に比べ非常に小さく、そのため直流成分の変動も小さく
エツジシフトの問題もなくなる。
トが移行する際、磁化の反転する位置で再生信号９は正
の値のピーク信号が得られる。逆に上向きの磁化から下
向きの磁化に光スポツトが移行する際も同様に説明で
き、この場合は反転する位置で負の値のピーク信号が得
られる。この方法によると、ピツト上での信号は常に０
となり、境界でのみピークを持つのでピツトの大きさの
違いによる光ヘツト等の伝達特性の違いの影響が従来法
に比べ非常に小さく、そのため直流成分の変動も小さく
エツジシフトの問題もなくなる。
第３図に本発明の光ヘツドによる再生信号９（エツジ
検出信号）を示す。同図（ａ）はピツトエツジ記録方式
によるピツト列を示す。黒いチエツクの部分を上向き磁
化、その他を下向き磁化とすると、再生信号として
（ｂ）のエツジ検出信号が得られる。この信号により正
及び負のピークの位置を検出することにより、エツジの
位置を知ることができる。（もちろん1/2波長板１と偏
光ビームスプリツタの設定のし方の違いにより、ピーク
の正、負の極性は変ることもある。） 以上ここまでピツトエツジ記録に対応できる光ヘツド
について説明してきたが、使用者によっては情報記憶担
体がピツト位置記録用なのかまたはピツトエツジ記録用
なのかを意識せずに使用することが望ましく、またどち
らのものであっても同一の光ヘツドで記録または／かつ
再生が行なえることが望ましい。そこで次に、この情報
記憶担体がピツト位置記録用なのか、ピツトエツジ記録
用なのかを示す情報を情報記憶担体か又はそれを保護す
るケースに持たせ、情報記録再生装置に装着されるとど
ちらの記録用なのかを識別し、それに合った記録再生を
自動的に行なえる実施例について説明する。
検出信号）を示す。同図（ａ）はピツトエツジ記録方式
によるピツト列を示す。黒いチエツクの部分を上向き磁
化、その他を下向き磁化とすると、再生信号として
（ｂ）のエツジ検出信号が得られる。この信号により正
及び負のピークの位置を検出することにより、エツジの
位置を知ることができる。（もちろん1/2波長板１と偏
光ビームスプリツタの設定のし方の違いにより、ピーク
の正、負の極性は変ることもある。） 以上ここまでピツトエツジ記録に対応できる光ヘツド
について説明してきたが、使用者によっては情報記憶担
体がピツト位置記録用なのかまたはピツトエツジ記録用
なのかを意識せずに使用することが望ましく、またどち
らのものであっても同一の光ヘツドで記録または／かつ
再生が行なえることが望ましい。そこで次に、この情報
記憶担体がピツト位置記録用なのか、ピツトエツジ記録
用なのかを示す情報を情報記憶担体か又はそれを保護す
るケースに持たせ、情報記録再生装置に装着されるとど
ちらの記録用なのかを識別し、それに合った記録再生を
自動的に行なえる実施例について説明する。
ここでは、第４図に示すようにケースの一部にマーク
をつけ、どちらの記録方式かを示すものとする。第４図
において、10は光磁気記録用の情報記憶担体、11は保護
用ケースの一部、12はマーク、13はLED、14は光検出器
である。今マーク３をピツトエツジ記録用はピツト位置
記録用より高反射率のものとする。情報記憶担体10が情
報記録再生装置に装着されると、LED13と光検出器14に
よりマーク12を照明し、その反射光量を検出する。その
大きさにより、どちらの記録用なのかが判断できる。
をつけ、どちらの記録方式かを示すものとする。第４図
において、10は光磁気記録用の情報記憶担体、11は保護
用ケースの一部、12はマーク、13はLED、14は光検出器
である。今マーク３をピツトエツジ記録用はピツト位置
記録用より高反射率のものとする。情報記憶担体10が情
報記録再生装置に装着されると、LED13と光検出器14に
よりマーク12を照明し、その反射光量を検出する。その
大きさにより、どちらの記録用なのかが判断できる。
第５図はこの時の情報記録再生装置の動きを説明する
ものである。
ものである。
ステツプ１で本発明の光磁気デイスクが情報記録再生
装置に装着される。
装置に装着される。
ステツプ２で情報記録再生装置が自動的に光磁気デイ
スクのケースのマークを調べる。
スクのケースのマークを調べる。
ステツプ３でマークよりピツト位置記録用なのか、ピ
ツトエツジ記録用なのかを判断する。
ツトエツジ記録用なのかを判断する。
ピツト位置記録用のときはステツプ４に進み、またピ
ツトエツジ記録用のときはステツプ５に進む。
ツトエツジ記録用のときはステツプ５に進む。
第６図はステツプ4,ステツプ５のおのおのにおいて、
情報の記録再生を行なえる本発明の光ヘツドである。第
１図で示した光ヘツドに対し、和信号を検出するアンプ
15,16と、差動検出するアンプ17を加えたものである。
これらにより18から得られる再生信号は、従来例第９図
（ｂ）で説明したような、ピツト位置記録に対する検出
信号と同等のものとなる。
情報の記録再生を行なえる本発明の光ヘツドである。第
１図で示した光ヘツドに対し、和信号を検出するアンプ
15,16と、差動検出するアンプ17を加えたものである。
これらにより18から得られる再生信号は、従来例第９図
（ｂ）で説明したような、ピツト位置記録に対する検出
信号と同等のものとなる。
つまり、ピツト位置記録用の場合、ステツプ４での再
生信号は18の信号を用い、ピツト位置記録用の場合、ス
テツプ５での再生信号は９の信号を用いることで行なえ
る。もちろん、電気回路等はステツプ4,ステツプ５でそ
れぞれピツト位置記録用、ピツトエツジ記録用に切り替
えて記録または再生を行う。
生信号は18の信号を用い、ピツト位置記録用の場合、ス
テツプ５での再生信号は９の信号を用いることで行なえ
る。もちろん、電気回路等はステツプ4,ステツプ５でそ
れぞれピツト位置記録用、ピツトエツジ記録用に切り替
えて記録または再生を行う。
以上ここまで光磁気記録用の情報記憶担体について説
明してきたが、反射率の違いによってピツトを形成する
相転位記録用の情報記憶担体についても、本発明は適応
できる。この場合、第１図で示したような1/2波長板１
や偏光ビームスプリツタ３は必要でなく、また２分割光
検出器と差動検出用アンプもそれぞれ１つでよい。つま
り、情報記憶担体からの反射光束の一部を集光レンズに
より集光し、その光を情報記憶担体のトラツクに垂直な
方向に対応する分割線を有する２分割光検出器で検出
し、差動を行なうことで高反射率と低反射率の境界の位
置で、正または負のピーク信号を得ることができる。
明してきたが、反射率の違いによってピツトを形成する
相転位記録用の情報記憶担体についても、本発明は適応
できる。この場合、第１図で示したような1/2波長板１
や偏光ビームスプリツタ３は必要でなく、また２分割光
検出器と差動検出用アンプもそれぞれ１つでよい。つま
り、情報記憶担体からの反射光束の一部を集光レンズに
より集光し、その光を情報記憶担体のトラツクに垂直な
方向に対応する分割線を有する２分割光検出器で検出
し、差動を行なうことで高反射率と低反射率の境界の位
置で、正または負のピーク信号を得ることができる。
以上説明したように、情報記憶担体からの反射光を検
出するために情報記憶担体のトラツクに垂直な方向に対
応する分割線を有する２分割光検出器を有し、ピツト位
置記録方式の場合は、前記２分割光検出器の和信号を再
生信号とし、ピツトエツジ記録方式の場合、前記２分割
光検出器の差信号を再生信号とすることでどちらの方式
にも対応でき、光ヘツド等の伝達特性の劣化の影響をほ
とんど受けずに再生信号を得ることができるという効果
がある。
出するために情報記憶担体のトラツクに垂直な方向に対
応する分割線を有する２分割光検出器を有し、ピツト位
置記録方式の場合は、前記２分割光検出器の和信号を再
生信号とし、ピツトエツジ記録方式の場合、前記２分割
光検出器の差信号を再生信号とすることでどちらの方式
にも対応でき、光ヘツド等の伝達特性の劣化の影響をほ
とんど受けずに再生信号を得ることができるという効果
がある。
第１図は本発明の光ヘツドの再生光学系を説明する図、 第２図は光スポツトがピツトの境界を通過する時に２分
割光検出器上で、どのように光強分布が変化するかを説
明する図、 第３図は本発明の光ヘツドで得られる再生信号を説明す
る図、 第４図は本発明の実施例に用いる情報記憶担体の一例、 第５図は本発明の実施例に用いる情報記録再生装置の動
きの一例、 第６図は本発明の光ヘツドの実施例、 第７図は従来の光磁気記録用の光ヘツド、 第８図は従来の光磁気信号の再生方法を説明する図、 第９図は従来のピット位置記録再生とピツトエツジ記録
再生を説明する図、 第10図は光磁気記録のピツト上を光スポツトが移動する
様子を説明する図、 第11図は光スポツトが移動する際の光の分布の形を説明
する図である。 １……1/2波長板 ２……集光レンズ ３……偏光ビームスプリツタ 4,5……２分割光検出器 6,7,8,17……差動検出用アンプ ９……ピツトエツジ検出、再生信号 15,16……和信号検出用アンプ 18……ピツト位置検出、再生信号
割光検出器上で、どのように光強分布が変化するかを説
明する図、 第３図は本発明の光ヘツドで得られる再生信号を説明す
る図、 第４図は本発明の実施例に用いる情報記憶担体の一例、 第５図は本発明の実施例に用いる情報記録再生装置の動
きの一例、 第６図は本発明の光ヘツドの実施例、 第７図は従来の光磁気記録用の光ヘツド、 第８図は従来の光磁気信号の再生方法を説明する図、 第９図は従来のピット位置記録再生とピツトエツジ記録
再生を説明する図、 第10図は光磁気記録のピツト上を光スポツトが移動する
様子を説明する図、 第11図は光スポツトが移動する際の光の分布の形を説明
する図である。 １……1/2波長板 ２……集光レンズ ３……偏光ビームスプリツタ 4,5……２分割光検出器 6,7,8,17……差動検出用アンプ ９……ピツトエツジ検出、再生信号 15,16……和信号検出用アンプ 18……ピツト位置検出、再生信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 英司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 松村 進 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−313335（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−207434（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−62475（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 G11B 7/00
Claims (1)
- 【請求項１】複数のトラックを有し、磁化の向きの違い
により情報を記録するか、又は反射率の違いにより情報
を記録する情報記憶担体に対して、光学的手段を用いて
情報を記録又は／かつ再生する光ヘッドにおいて、 前記情報記憶担体からの反射光を検出するために、前記
情報記憶担体のトラックに垂直な方向に対応する分割線
を有する２分割光検出器を有し、 前記情報記憶担体に情報を記録する方式がピット位置記
録方式の場合、前記２分割光検出器の和信号を再生信号
とし、 前記情報記憶担体に情報を記録する方式がピットエッジ
記録方式の場合、前記２分割光検出器の差信号を再生信
号とすることを特徴とする光ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27971090A JP2840427B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光ヘッド |
| US08/282,768 US5712840A (en) | 1990-03-16 | 1994-07-29 | Optical information recording/reproduciing apparatus having two-division detectors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27971090A JP2840427B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155640A JPH04155640A (ja) | 1992-05-28 |
| JP2840427B2 true JP2840427B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17614801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27971090A Expired - Fee Related JP2840427B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-10-17 | 光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2840427B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610897A (en) * | 1992-08-31 | 1997-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information reproducing apparatus |
| JP3239962B2 (ja) * | 1992-09-10 | 2001-12-17 | キヤノン株式会社 | 光学的情報記録再生装置 |
| JP3639607B2 (ja) * | 1992-10-21 | 2005-04-20 | キヤノン株式会社 | 光磁気情報記録再生装置 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP27971090A patent/JP2840427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04155640A (ja) | 1992-05-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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