JPH0416865B2 - - Google Patents

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JPH0416865B2
JPH0416865B2 JP57188453A JP18845382A JPH0416865B2 JP H0416865 B2 JPH0416865 B2 JP H0416865B2 JP 57188453 A JP57188453 A JP 57188453A JP 18845382 A JP18845382 A JP 18845382A JP H0416865 B2 JPH0416865 B2 JP H0416865B2
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JP
Japan
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magneto
signal
optical
light beam
recording
Prior art date
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Application number
JP57188453A
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JPS5977648A (ja
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Yoshikazu Fujii
Hiroyuki Katayama
Toshihisa Deguchi
Kenji Oota
Junji Hirokane
Shozo Kobayashi
Akira Takahashi
Hideyoshi Yamaoka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP18845382A priority Critical patent/JPS5977648A/ja
Publication of JPS5977648A publication Critical patent/JPS5977648A/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form

Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は磁性膜を記憶媒体とし、レーザ光等の
光ビームを前記記憶媒体に照射することにより情
報の記録,再生,消去を行う光磁気記憶素子に関
する。
<従来技術> 近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが、光のビーム径だけで決まるため1μm
程度の大きさにすることが可能なためである。し
かしこの事は光メモリ装置に多くの制限を加える
事になる。即ちある定まつた場所に情報を記録し
たり、あるいはある定まつた場所に記録された情
報を再生したりするためには光ビームを極めて正
確に位置決めしなければならない。一般に再生専
用メモリでは記録したビツトに予め番地情報を入
れておく事ができるので記録情報を再生しながら
位置決めすることができるが、追加記録メモリあ
るいは書き換え可能なメモリでは情報記録時に番
地情報迄一緒に記録する事は困難であるので、メ
モリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番
地を入れておくという方法が採られる。例えば第
1図に従来の追加記録メモリ基板の一部斜視図を
示すが同図を示す如く基板に凹凸の溝を形成して
おきこの溝に沿つて情報を記録あるいは再生す
る。又、上記凹凸の溝は円周方向に継続した形状
を有しこれが溝の番地を示すビツト情報を与える
のである。
<目的> 本発明は以上の従来技術に改良を加えるもの
で、光磁気記憶素子における番地情報の品質向上
を目的とするものである。
<実施例> 以下、本発明に係る光磁気記憶素子の実施例に
ついて説明する。
第2図は本発明に係る光磁気記憶素子を用いて
光磁気記録再生装置を構成した構成説明図であ
る。同図で1は記録,再生,消去に必要な所定の
強度の光ビームを射出するレーザ光源、2は光ビ
ームを偏光せしめる偏光子、3はビームスプリツ
タ、4は光ビームの記憶媒体5上に集光する為の
絞りレンズ、6は上記記憶媒体5を内部に備える
光磁気記憶素子、7は光磁気記憶素子6からの反
射光を検光する検光子、8は光検出器である。上
記光磁気記憶素子6は図示しない駆動機構によつ
て所定の速度で回転する。又上記絞りレンズ4は
トラツキング制御信号により作動する図示しない
駆動機構により移動し、光ビームを記憶媒体5上
の所定の位置に導く。
次に上記光磁気記録再生装置を用いて情報の再
生を行なう場合の作用原理を説明する。
レーザ光線1から一定の強度の光ビームが射出
される。射出された光ビームは偏光子2を通り第
3図に示すA0の方向の偏光Aとなる。この偏光
Aは記憶媒体5上をスポツト照射する。そして当
該照射点の記憶媒体5の磁化状態に応じて、いわ
ゆるカー効果で知られる磁気光学効果を受けてカ
ー回転角αだけ偏波面に回転した第3図の偏光S1
若しくはS2となつて反射される。そして検光子7
の通過軸をθに設定すれば検光子7を通過する光
はs1′若しくはs2′となる。従つて記憶媒体5の磁
化方向が反転を繰り返している領域を光ビームが
走査した場合、光検出器8にて得られる光出力は
第4図の波形図に示される信号波形となる。上記
S1′とS2′の信号の大きさの比率は例えばカー回転
角α=0.5度、検光子7の方位角θ=5度の時
S1′:S2′=1.5:1の比が得られる。
次にガイド信号(トラツキング信号)及び番地
信号を得る為の構成について説明する。
第5図は光磁気記憶素子6の一部側面断面図で
ある。9はガイドトラツク部、10は信号トラツ
ク部を示しており、信号トラツク部10に絞りレ
ンズ4によつて集光された光ビーム11が照射さ
れている。同図に示される如くガイドトラツク部
9の信号トラツク部10との間には段差が設けら
れ該段差における回折光を利用してガイド信号を
得る。上記回折光によつて得られるガイド信号の
信号効率が最大になるのは上記段差の深さがレー
ザ光波長の1/8n(n:基板の屈折率)の長さであ る時である。
第6図は光磁気記憶素子6の一部拡大平面図で
ある。同図でMは通常の情報記録部分、Nは番地
信号記録部分である。通常の情報記録部分Mにお
いては信号トラツク部10に記録領域即ち磁化反
転領域10aをそれ以外の領域即ち初期磁区のま
まの領域10bが存在する。一方番地信号記録部
分Nにおいては信号トラツク部10を形成する凹
部を損させた部分12(以下平ビツトという)及
び信号トラツク部10を形成する凹部を設けた部
分13(以下凹ビツトという)が存在する。この
構成によれば同一の光検出器で通常の情報信号と
番地信号の両方を読み取ることができる。ここで
凹ビツト13に光ビーム11が照射された時の反
射光をR1、平ビツト12に光ビーム11が照射
された時の反射光をR2とする。当然R1<R2であ
る。凹ビツト13と平ビツト12は交互に並び番
地信号が形成されている。従つてこれらの上を光
ビーム11が走査されることにより番地信号を読
み取ることができる。上記反射光R1とR2の大き
さの比率は例えば絞りレンズ4のレンズ開口NA
=0.6、凹ビツト13の深さがレーザ光波長の1/8n (n:基板の屈折率)、凹ビツト13の幅が1μm、
レーザ光スポツトの直径が1.2μm(但しレーザ光
スポツトの半径はレーザ光スポツト中心強度の
1/e2強度になる径で定義する。)で、R1:R2
1:1.2である。
本発明において特に問題となるのは光磁気記憶
素子の初期磁区の方向である。光磁気記憶素子は
記憶媒体(膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る。)を予め一方向に一様に磁化しその後光ビー
ムによつて熱磁気記録する。上記予め一方向に一
様に磁化することをイニシヤライズという。記憶
媒体の磁化方向をイニシヤライズする場合、カー
効果によつて偏波面が回転せしめられた反射光が
検光子を通つた後の光強度が強くなる方向(第3
図においてS1′の光強度を得る磁化方向)にイニ
シヤライズする方法と、カー効果によつて偏波面
が回転せしめられた反射光が検光子を通つた後の
光強度が弱くなる方向(第3図においてS2′の光
強度を得る磁化方向)にイニシヤライズする方法
とが考えられる。次にいずれの方法が優れている
かについて説明を行なう。
第7図は記憶媒体5のイニシヤライズの方向が
第3図においてS1′の光強度(強い光強度)を得
る方向である場合の磁化状態と、反射光に基ずく
検出信号状態とを示す説明図、第8図は記憶媒体
5のイニシヤライズの方向が第3図において
S2′の光強度(弱い光強度)を得る方向である場
合の磁化状態と、反射光に基ずく検出信号状態と
を示す説明図である。第7図及び第8図で斜線は
S2′の光強度を得る方向に磁化されている記憶媒
体5を示す。第7図について説明すれば、通常の
情報記録部分Mを光ビームが走査する時光検出器
8にて得られる光出力は磁化反転領域においては
S2′であり初期磁区のままの領域においてはS1′で
ある。又、番地信号記録部分Nを光ビームが走査
する時光検出器8にて得られる光出力は凹ビツト
13の位置での光出力R1は上記初期磁区のまま
の領域における光出力S1′と同一であり、平ビツ
ト12での光出力R2はR2=S1′×k(k:R2/R1)で ある。よつて番地信号記録部分Nを光ビームが走
査する時光検出器8にて得られる信号の交流成分
はR2−R1=S1′×k−S1′=S1′(k−1)である。
次に第8図について説明すれば、通常の情報記録
部分Mを光ビームが走査する時光検出器8にて得
られる光出力は磁化反転領域においてはS1′であ
り初期磁区のままの領域においてはS2′である。
又、番地信号記録部分Nを光ビームが走査する時
光検出器8にて得られる光出力は凹ビツト13で
の光出力R1は上記初期磁区のままの領域のまま
の領域における光出力S2′と同一であり、平ビツ
ト12での光出力R2はR2=S2′×kである。よつ
て番地信号記録部分Nを光ビームが走査する時光
検出器8にて得られる信号の交流成分はR2−R1
=S2′×k−S2′=S2′(k−1)である。以上の結
果から、S1′の光強度を得る方向にイニシヤライ
ズする場合の番地信号の交流成分はS2′の光強度
を得る方向にイニシヤライズする場合の番地信号
の交流成分のS1′/S2′倍である。前述の如くS1′:
S2′=1.5:1の場合は1.5倍の大きさになる。以上
の様に記憶媒体の磁化方向をイニシヤライズする
場合はカー効果によつて偏波面が回転せしめられ
た反射光が検光子を通つた後の光強度が強くなる
方向にイニシヤライズする方が番地信号の品質向
上の為に適している。本発明に係る光磁気記憶素
子のイニシヤライズは反射光が検光子を通つた後
の光強度が強くなる方向に行なわれる。
以上の実施例は光磁気記憶素子内部に一種の記
憶媒体5を存在せしめ片面からの記録再生を行な
うものであつた。しかし両面からの記録・再生を
行なう両面型光磁気記憶素子においても本発明を
適用することが可能である。第9図は本発明に係
る光磁気記憶素子の他の実施例の一部側面断面図
を示す。同図において14は支持基板、15,1
5′はイニシヤライズ済みの記憶媒体(同図の矢
印はイニシヤライズの方向を示す。)、16は接着
層である。上記記憶媒体15,15′は夫々イニ
シヤライズを行なつてから互いに接着する。勿論
上記イニシヤライズは反射光が検光子を通つた後
の光強度が強くなる方向に行なわれている。
次に通常の情報信号の記録,再生,消去時にお
いて通常の情報信号と番地信号との重複を回避す
る為の手法について説明する。第10図は光磁気
記憶素子を回転駆動用モーターに結合した状態を
示し同図aは平面図、同図bは側面断面図であ
る。17は回転駆動用モータ、18は磁気光学ヘ
ツドである。光磁気記憶素子6には情報信号ビツ
ト領域19及び番地信号ビツト領域20が存在す
る。又番地信号ビツト領域20に対応する光磁気
記憶素子6の面上の外周部分にはタイミングマー
カー21が形成される。22は上記タイミングマ
ーカー21を検出するマーカー検出器である。上
記タイミングマーカー21の位置は番地信号ビツ
ト領域20のタイミングさえ検出できればよいの
で光磁気記憶素子6の面上の内周部分でもよく、
外周側面部分でもよい。又、マーカー検出器22
の位置はタイミングマーカー21の位置に対応し
て種々変更可能である。上記タイミングマーカー
21をマーカー検出器22が検知している間、通
常の情報信号の記録,再生,消去はカツトされ
る。換言すれば上記タイミングマーカー21をマ
ーカー検出器22が検知している間は番地信号の
みが読み取られる。こうして番地信号ビツト領域
20において誤つて通常の情報信号の記録,再
生,消去を行なつたり、あるいは情報信号ビツト
領域19において誤つて番地信号を読み取るとい
つた誤動作を回避できるものである。
<効果> 本発明によれば番地信号を簡単な構造の磁気光
学ヘツドによつても精度良く得ることができるも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の追加記録メモリ基板の一部斜視
図、第2図は本発明に係る光磁気記録再生装置の
構成説明図、第3図は各光ビームの偏光状態を示
すベクトル図、第4図は信号波形図、第5図は本
発明に係る光磁気記憶素子の一実施例の一部側面
断面図、第6図はその一部拡大平面図、第7図,
第8図は磁化状態と検出信号状態を説明する説明
図、第9図は本発明に係る光磁気記憶素子の他の
実施例の一部側面断面図、第10図は光磁気記憶
素子を回転駆動用モーターに結合した状態を示し
同図aは平面図、同図bは側面断面図を示す。 図中、1……レーザ光源、2……偏光子、3…
…ビームスプリツタ、4……絞りレンズ、5……
記憶媒体、6……光磁気記憶素子、7……検光
子、8……光検出器、9……ガイドトラツク部、
10……信号トラツク部、11……光ビーム、1
2……平ビツト、13……凹ビツト、14……支
持基板、15……記憶媒体、16……接着層、1
7……回転駆動用モーター、18……磁気光学ヘ
ツド、19……情報信号ビツト領域、20……番
地信号ビツト領域、21……タイミングマーカ
ー、22……マーカー検出器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性
    膜を記録媒体とし、該記録媒体側を貼り合わせた
    両面型素子を用い、光ビームを前記記録媒体に照
    射する唯一の光学系によつて情報の記録、再生、
    消去を行う光磁気記憶素子において、 該素子の基板に段差を持たせることによつて信
    号トラツクと該信号トラツクに沿うガイドトラツ
    クとを形成し、前記信号トラツクの延長上に所定
    の形状の凹凸を形成することによつて番地信号を
    固定的に記録した番地信号記録部分を形成し、 前記両面の記憶媒体が共に、初期磁化方向を反
    射光ビームの検光子通過後の光強度が大きくなる
    よう設定したことを特徴とする光磁気記憶素子。
JP18845382A 1982-10-26 1982-10-26 光磁気記憶素子 Granted JPS5977648A (ja)

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