JP2511232B2 - 光磁気記憶再生装置 - Google Patents
光磁気記憶再生装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁性膜を記憶媒体とし、
レーザ光等の光ビームを前記記憶媒体に照射することに
より情報の記録、再生、消去を行う光磁気記憶再生装置
に関する。
レーザ光等の光ビームを前記記憶媒体に照射することに
より情報の記録、再生、消去を行う光磁気記憶再生装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光メモリ装置は高密度で大容量の
メモリ装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが、光のビーム径だけで決まるため１μｍ程度の大き
さにすることが可能なためである。
メモリ装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが、光のビーム径だけで決まるため１μｍ程度の大き
さにすることが可能なためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの事は光メモ
リ装置に多くの制限を加えることになる。即ちある定ま
った場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場
所に記録された情報を再生したりするためには光ビーム
を極めて正確に位置決めしなければならない。一般に再
生専用メモリでは記録したビットに予め番地情報を入れ
ておくことができるので記録情報を再生しながら位置決
めすることができるが、追加記録メモリあるいは書き換
え可能なメモリでは情報記録時に番地情報まで一緒に記
録することは困難であるので、メモリ基板に予め何等か
のガイド信号及びガイド番地を入れておくという方法が
考えられる。例えば図１に従来の追加記録メモリ基板の
一部斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形
成しておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生す
る。又、上記凹凸の溝は円周方向に断続した形状を有し
これが溝の番地を示すビット情報を与えるのである。
リ装置に多くの制限を加えることになる。即ちある定ま
った場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場
所に記録された情報を再生したりするためには光ビーム
を極めて正確に位置決めしなければならない。一般に再
生専用メモリでは記録したビットに予め番地情報を入れ
ておくことができるので記録情報を再生しながら位置決
めすることができるが、追加記録メモリあるいは書き換
え可能なメモリでは情報記録時に番地情報まで一緒に記
録することは困難であるので、メモリ基板に予め何等か
のガイド信号及びガイド番地を入れておくという方法が
考えられる。例えば図１に従来の追加記録メモリ基板の
一部斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形
成しておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生す
る。又、上記凹凸の溝は円周方向に断続した形状を有し
これが溝の番地を示すビット情報を与えるのである。
【０００４】本発明は以上の従来技術に改良を加えるも
ので、光磁気記憶素子における番地情報の品質向上を目
的とするものである。
ので、光磁気記憶素子における番地情報の品質向上を目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は番地信号を凹凸で記録した番地信号記録領
域と情報信号を光磁気記録した情報信号記録領域とを有
する光磁気記憶素子に、光ビームを照射することで情報
の記録、再生、消去を行う光磁気記憶再生装置におい
て、前記光磁気記憶素子の番地信号記録領域に対応する
部分に形成されたタイミングマーカーを検出するための
タイミングマーカー検出部を備えたことを特徴とする光
磁気記憶再生装置である。
め、本発明は番地信号を凹凸で記録した番地信号記録領
域と情報信号を光磁気記録した情報信号記録領域とを有
する光磁気記憶素子に、光ビームを照射することで情報
の記録、再生、消去を行う光磁気記憶再生装置におい
て、前記光磁気記憶素子の番地信号記録領域に対応する
部分に形成されたタイミングマーカーを検出するための
タイミングマーカー検出部を備えたことを特徴とする光
磁気記憶再生装置である。
【０００６】また、本発明は上記タイミングマーカー検
出部がタイミングマーカーを検出している間、情報信号
の記録、再生、消去を行わないようになしたことを特徴
とする光磁気記憶再生装置である。
出部がタイミングマーカーを検出している間、情報信号
の記録、再生、消去を行わないようになしたことを特徴
とする光磁気記憶再生装置である。
【０００７】
【作用】本発明は上記構成を用いることにより、両面光
磁気記憶素子の番地信号の品質向上が図れるとともに、
番地信号と情報信号の重複が回避され誤って番地信号を
読み取るといった誤動作を回避でき信頼性の高い光磁気
記憶再生装置の達成が可能となる。
磁気記憶素子の番地信号の品質向上が図れるとともに、
番地信号と情報信号の重複が回避され誤って番地信号を
読み取るといった誤動作を回避でき信頼性の高い光磁気
記憶再生装置の達成が可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係る光磁気記憶素子の実施例
について説明する。図２は本発明に係る光磁気記憶素子
を用いて光磁気記録再生装置を構成した構成説明図であ
る。同図で１は記録、再生、消去に必要な所定の強度光
ビームを射出するレーザ光源、２は光ビームを偏光させ
るための偏光子、３はビームスプリッタ、４は光ビーム
を記憶媒体５上に集光するための絞りレンズ、６は上記
記憶媒体５を内部に備える光磁気記憶素子、７は光磁気
記憶素子６からの反射光を検出する検光子、８は光検出
器である。上記光磁気記憶素子６は図示しない駆動機構
によって所定の速度で回転する。又上記絞りレンズ４は
トラッキング制御信号により作動する図示しない駆動機
構により移動し、光ビームを記憶媒体５上の所定の位置
に導く。
について説明する。図２は本発明に係る光磁気記憶素子
を用いて光磁気記録再生装置を構成した構成説明図であ
る。同図で１は記録、再生、消去に必要な所定の強度光
ビームを射出するレーザ光源、２は光ビームを偏光させ
るための偏光子、３はビームスプリッタ、４は光ビーム
を記憶媒体５上に集光するための絞りレンズ、６は上記
記憶媒体５を内部に備える光磁気記憶素子、７は光磁気
記憶素子６からの反射光を検出する検光子、８は光検出
器である。上記光磁気記憶素子６は図示しない駆動機構
によって所定の速度で回転する。又上記絞りレンズ４は
トラッキング制御信号により作動する図示しない駆動機
構により移動し、光ビームを記憶媒体５上の所定の位置
に導く。
【０００９】次に上記光磁気記録再生装置を用いて情報
の再生を行う場合の作用原理を説明する。レーザ光源１
から一定の強度の光ビームが射出される。射出された光
ビームは偏光子２を通り図３に示すＡ0方向の偏光Ａと
なる。この偏光Ａは記憶媒体５上をスポット照射する。
そして当該照射点の記憶媒体５の磁化状態に応じて、い
わゆるカー効果で知られる磁気光学効果を受けてカー回
転角αだけ偏波面に回転した図３の偏光Ｓ1若しくはＳ2
となって反射される。そして検光子７の透過軸をθに設
定すれば検光子７を通過する光はＳ1’若しくはＳ2’と
なる。従って記憶媒体５の磁化方向が反転を繰り返して
いる領域を光ビームが走査した場合、光検出器８にて得
られる光出力は図４の波形図に示される信号波形とな
る。上記Ｓ1’とＳ2’の信号の大きさの比率は例えばカ
ー回転角α＝０.５度、検光子７の方位角θ＝５度の時
Ｓ1’：Ｓ2’＝１.５：１の比が得られる。
の再生を行う場合の作用原理を説明する。レーザ光源１
から一定の強度の光ビームが射出される。射出された光
ビームは偏光子２を通り図３に示すＡ0方向の偏光Ａと
なる。この偏光Ａは記憶媒体５上をスポット照射する。
そして当該照射点の記憶媒体５の磁化状態に応じて、い
わゆるカー効果で知られる磁気光学効果を受けてカー回
転角αだけ偏波面に回転した図３の偏光Ｓ1若しくはＳ2
となって反射される。そして検光子７の透過軸をθに設
定すれば検光子７を通過する光はＳ1’若しくはＳ2’と
なる。従って記憶媒体５の磁化方向が反転を繰り返して
いる領域を光ビームが走査した場合、光検出器８にて得
られる光出力は図４の波形図に示される信号波形とな
る。上記Ｓ1’とＳ2’の信号の大きさの比率は例えばカ
ー回転角α＝０.５度、検光子７の方位角θ＝５度の時
Ｓ1’：Ｓ2’＝１.５：１の比が得られる。
【００１０】次にガイド信号（トラッキング信号）及び
番地信号を得るための構成について説明する。図５は光
磁気記憶素子６の一部側面断面図である。９はガイドト
ラック部、１０は信号トラック部を示しており、信号ト
ラック部１０に絞りレンズ４によって集光された光ビー
ム１１が照射されている。同図に示される如くガイドト
ラック部９の信号トラック部１０との間には段差が設け
られ該段差における回折光を利用してガイド信号を得
る。上記回折光によって得られるガイド信号の信号効率
が最大になるのは上記段差の深さがレーザ光波長の１／
（８ｎ）（ｎ：基板の屈折率）の長さである時である。
番地信号を得るための構成について説明する。図５は光
磁気記憶素子６の一部側面断面図である。９はガイドト
ラック部、１０は信号トラック部を示しており、信号ト
ラック部１０に絞りレンズ４によって集光された光ビー
ム１１が照射されている。同図に示される如くガイドト
ラック部９の信号トラック部１０との間には段差が設け
られ該段差における回折光を利用してガイド信号を得
る。上記回折光によって得られるガイド信号の信号効率
が最大になるのは上記段差の深さがレーザ光波長の１／
（８ｎ）（ｎ：基板の屈折率）の長さである時である。
【００１１】図６は光磁気記憶素子６の一部拡大平面図
である。同図ではＭは通常の情報記録部分、Ｎは番地信
号記録部分である。通常の情報記録部分Ｍにおいては信
号トラック部１０に記録領域即ち磁化反転領域１０ａと
それ以外の領域即ち初期磁区のままの領域１０ｂが存在
する。一方番地信号記録部分Ｎにおいては信号トラック
部１０を形成する凹部分を欠損させた部分１２（以下平
ビットという）及び信号トラック部１０を形成する凹部
を設けた部分１３（以下凹ビットという）が存在する。
この構成によれば同一の光検出器で通常の情報信号と番
地信号の両方を読み取ることができる。ここで凹ビット
１３に光ビーム１１が照射された時の反射光をＲ1、平
ビット１２に光ビーム１１が照射された時の反射をＲ2
とする。当然Ｒ1＜Ｒ2である。凹ビット１３と平ビット
１２は交互に並び番地信号が形成されている。従ってこ
れらの上を光ビーム１１が走査されることにより番地信
号を読み取ることができる。上記反射光Ｒ1とＲ2の大き
さの比率は例えば絞りレンズ４のレンズ開口ＮＡ＝０.
６、凹ビット１３の深さがレーザ光波長の１／（８ｎ）
（ｎ：基板の屈折率）、凹ビット１３の幅が１μｍ、レ
ーザ光ッスポットの直径が１.２μｍ（但しレーザ光ス
ポットの半径はレーザ光スポット中心強度の１/ｅ2強度
になる径で定義する。）で、Ｒ1：Ｒ2＝１：１.２であ
る。
である。同図ではＭは通常の情報記録部分、Ｎは番地信
号記録部分である。通常の情報記録部分Ｍにおいては信
号トラック部１０に記録領域即ち磁化反転領域１０ａと
それ以外の領域即ち初期磁区のままの領域１０ｂが存在
する。一方番地信号記録部分Ｎにおいては信号トラック
部１０を形成する凹部分を欠損させた部分１２（以下平
ビットという）及び信号トラック部１０を形成する凹部
を設けた部分１３（以下凹ビットという）が存在する。
この構成によれば同一の光検出器で通常の情報信号と番
地信号の両方を読み取ることができる。ここで凹ビット
１３に光ビーム１１が照射された時の反射光をＲ1、平
ビット１２に光ビーム１１が照射された時の反射をＲ2
とする。当然Ｒ1＜Ｒ2である。凹ビット１３と平ビット
１２は交互に並び番地信号が形成されている。従ってこ
れらの上を光ビーム１１が走査されることにより番地信
号を読み取ることができる。上記反射光Ｒ1とＲ2の大き
さの比率は例えば絞りレンズ４のレンズ開口ＮＡ＝０.
６、凹ビット１３の深さがレーザ光波長の１／（８ｎ）
（ｎ：基板の屈折率）、凹ビット１３の幅が１μｍ、レ
ーザ光ッスポットの直径が１.２μｍ（但しレーザ光ス
ポットの半径はレーザ光スポット中心強度の１/ｅ2強度
になる径で定義する。）で、Ｒ1：Ｒ2＝１：１.２であ
る。
【００１２】本発明において特に問題となるのは光磁気
記記憶素子の初期磁化の方向である。光磁気記憶素子は
記憶媒体（膜面に垂直名方向に磁化容易軸を有する。）
を予め一方向に一様に磁化しその後光ビームによって熱
磁気記録する。上記予め一方向に一様に磁化することを
イニシャライズという。記憶媒体の磁化方向イニシャラ
イズする場合、カー効果によって偏波面回転させられた
反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる方向（図
３においてＳ1′の光強度を得る磁化方向）にイニシャ
ライズする方向と、カー効果によって偏波面が回転させ
られた反射光が検光子を通った後の光強度が弱くなる方
向（図３においてＳ2′の光強度を得る磁化方向）にイ
ニシャライズする方法とが考えられる。次にいずれの方
法が優れているかについて説明を行う。
記記憶素子の初期磁化の方向である。光磁気記憶素子は
記憶媒体（膜面に垂直名方向に磁化容易軸を有する。）
を予め一方向に一様に磁化しその後光ビームによって熱
磁気記録する。上記予め一方向に一様に磁化することを
イニシャライズという。記憶媒体の磁化方向イニシャラ
イズする場合、カー効果によって偏波面回転させられた
反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる方向（図
３においてＳ1′の光強度を得る磁化方向）にイニシャ
ライズする方向と、カー効果によって偏波面が回転させ
られた反射光が検光子を通った後の光強度が弱くなる方
向（図３においてＳ2′の光強度を得る磁化方向）にイ
ニシャライズする方法とが考えられる。次にいずれの方
法が優れているかについて説明を行う。
【００１３】図７は記憶媒体５のイニシャライズの方向
が図３においてＳ1′の光強度（強い光強度）を得る方
向である場合の磁化状態と、反射光に基ずく検出信号状
態とを示す説明図、図８は記憶媒体５のイニシャライズ
の方向が図３においてＳ2′の光強度（弱い光強度）を
得る方向である場合の磁化状態と、反射光に基ずく検出
信号状態とを示す説明図である。図７及び図８で斜線は
Ｓ2′の光強度を得る方向に磁化されている記憶媒体５
を示す。図７について説明すれば、通常の情報記録部分
Ｍを光ビームが走査する時、光検出器８にて得られる光
出力は磁化反転領域においてはＳ2′であり初期磁化の
ままの領域においてはＳ1である。又、番地信号記録部
分Ｎを光ビームが走査する時、光検出器３にて得られる
光出力は凹ビット１３の位置での光出力Ｒ1は上記初期
磁化のままの領域における光出力Ｓ１′と同一であり、
平ビット１２での光出力Ｒ２はＲ2＝Ｓ1′×ｋ（ｋ：Ｒ
2／Ｒ1）である。よって番地信号記録部分Ｎを光ビーム
が走査する時光検出器８にて得られる信号の交流成分は
Ｒ2ーＲ1＝Ｓ1′×ｋーＳ1′＝Ｓ1′（ｋー１）であ
る。
が図３においてＳ1′の光強度（強い光強度）を得る方
向である場合の磁化状態と、反射光に基ずく検出信号状
態とを示す説明図、図８は記憶媒体５のイニシャライズ
の方向が図３においてＳ2′の光強度（弱い光強度）を
得る方向である場合の磁化状態と、反射光に基ずく検出
信号状態とを示す説明図である。図７及び図８で斜線は
Ｓ2′の光強度を得る方向に磁化されている記憶媒体５
を示す。図７について説明すれば、通常の情報記録部分
Ｍを光ビームが走査する時、光検出器８にて得られる光
出力は磁化反転領域においてはＳ2′であり初期磁化の
ままの領域においてはＳ1である。又、番地信号記録部
分Ｎを光ビームが走査する時、光検出器３にて得られる
光出力は凹ビット１３の位置での光出力Ｒ1は上記初期
磁化のままの領域における光出力Ｓ１′と同一であり、
平ビット１２での光出力Ｒ２はＲ2＝Ｓ1′×ｋ（ｋ：Ｒ
2／Ｒ1）である。よって番地信号記録部分Ｎを光ビーム
が走査する時光検出器８にて得られる信号の交流成分は
Ｒ2ーＲ1＝Ｓ1′×ｋーＳ1′＝Ｓ1′（ｋー１）であ
る。
【００１４】次に図８について説明すれば、通常の情報
記録部分Ｍを光ビームが走査する時、光検出器８にて得
られる光出力は磁化反転領域においてはＳ1′であり初
期磁化のままの領域においてはＳ2′である。又、番地
信号記録部分Ｎを光ビームが走査する時光検出器８にて
得られる光出力が凹ビット１８での光出力Ｒ1は上記初
期磁化のままの領域のままの領域における光出力Ｒ2′
と同一であり、平ビット１２での光出力Ｒ2はＲ2＝
Ｓ2′×ｋである。よって番地信号記録部分Ｎを光ビー
ムが走査する時光検出器８にて得られる信号の交流成分
はＲ2−Ｒ1＝Ｓ2′×ｋーＳ2′＝Ｓ2′（ｋー１）であ
る。
記録部分Ｍを光ビームが走査する時、光検出器８にて得
られる光出力は磁化反転領域においてはＳ1′であり初
期磁化のままの領域においてはＳ2′である。又、番地
信号記録部分Ｎを光ビームが走査する時光検出器８にて
得られる光出力が凹ビット１８での光出力Ｒ1は上記初
期磁化のままの領域のままの領域における光出力Ｒ2′
と同一であり、平ビット１２での光出力Ｒ2はＲ2＝
Ｓ2′×ｋである。よって番地信号記録部分Ｎを光ビー
ムが走査する時光検出器８にて得られる信号の交流成分
はＲ2−Ｒ1＝Ｓ2′×ｋーＳ2′＝Ｓ2′（ｋー１）であ
る。
【００１５】以上の結果から、Ｓ1′の光強度を得る方
向にイニシャライズする場合の番地信号の交流成分はＳ
2′の光強度を得る方向にイニシャライズする場合の番
地信号の交流成分のＳ1′／Ｓ2′倍である。前述の如く
Ｓ1′：Ｓ２′＝１．５：１の場合は１．５倍の大きさ
になる。以上のように記録媒体の磁化方向をイニシャラ
イズする場合はカー効果によって偏波面が回転させられ
た反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる方向に
イニシャライズする方が番地信号の品質向上のために適
している。本発明に係る光磁気記憶素子のイニシャライ
ズは反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる方向
に行われる。
向にイニシャライズする場合の番地信号の交流成分はＳ
2′の光強度を得る方向にイニシャライズする場合の番
地信号の交流成分のＳ1′／Ｓ2′倍である。前述の如く
Ｓ1′：Ｓ２′＝１．５：１の場合は１．５倍の大きさ
になる。以上のように記録媒体の磁化方向をイニシャラ
イズする場合はカー効果によって偏波面が回転させられ
た反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる方向に
イニシャライズする方が番地信号の品質向上のために適
している。本発明に係る光磁気記憶素子のイニシャライ
ズは反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる方向
に行われる。
【００１６】以上の実施例は光磁気記憶素子内部に一種
の記憶媒体５を存在させて片面からの記録再生を行うも
のであった。しかし両面からの記録・再生を行う両面型
光磁気記憶素子においても本発明を適用することが可能
である。図８は本発明に係る光磁気記憶素子の他の実施
例の一部側面断面図を示す。同図において１４は支持基
板、１５，１５′はイニシャライズ済みの記憶媒体（同
図の矢印はイニシャライズの方向を示す。）、１６は接
着層である。上記記憶媒体１５，１５′は夫々イニシャ
ライズを行ってから互いに接着する。勿論上記イニシャ
ライズは反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる
方向に行われている。
の記憶媒体５を存在させて片面からの記録再生を行うも
のであった。しかし両面からの記録・再生を行う両面型
光磁気記憶素子においても本発明を適用することが可能
である。図８は本発明に係る光磁気記憶素子の他の実施
例の一部側面断面図を示す。同図において１４は支持基
板、１５，１５′はイニシャライズ済みの記憶媒体（同
図の矢印はイニシャライズの方向を示す。）、１６は接
着層である。上記記憶媒体１５，１５′は夫々イニシャ
ライズを行ってから互いに接着する。勿論上記イニシャ
ライズは反射光が検光子を通った後の光強度が強くなる
方向に行われている。
【００１７】次に通常の情報信号の記録，再生，消去時
において通常の情報信号と番地信号との重複を回避する
ための手法について説明する。図１０は光時期記憶素子
を回転駆動用モーターに結合した状態を示し同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は側面断面図である。１７は回転
駆動用モーター１８は磁気光学ヘッドである。光磁気記
憶素子６には情報信号ビット領域１９及び番地信号ビッ
ト２０が存在する。又番地信号ビット領域２０に対応す
る光磁気記憶素子６の面上の外周部分にはタイミングマ
ーカー２１が形成される。２２はタイミングマーカー２
１を検出するマーカー検出器である。
において通常の情報信号と番地信号との重複を回避する
ための手法について説明する。図１０は光時期記憶素子
を回転駆動用モーターに結合した状態を示し同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は側面断面図である。１７は回転
駆動用モーター１８は磁気光学ヘッドである。光磁気記
憶素子６には情報信号ビット領域１９及び番地信号ビッ
ト２０が存在する。又番地信号ビット領域２０に対応す
る光磁気記憶素子６の面上の外周部分にはタイミングマ
ーカー２１が形成される。２２はタイミングマーカー２
１を検出するマーカー検出器である。
【００１８】上記タイミングマーカー２１の位置は番地
信号ビット領域２０のタイミングさえ検出できればよい
ので光磁気記憶素子６の面上の内周部分でもよく、外周
側面部分でもよい。又、マーカー検出器２２の位置はタ
イミングマーカー２１の位置に対応して種々変更可能で
ある。上記タイミングマーカー２１をマーカー検出器２
２が検知している間、通常の情報信号の記録，再生，消
去はカットされる。換言すれば上記タイミングマーカー
２１をマーカー検出器２２が検知している間は番地信号
のみが読み取られる。こうして番地信号ビット領域２０
において誤って通常の情報信号の記録，再生，消去を行
ったり、あるいは情報信号ビット領域１９において誤っ
て番地信号を読み取るといった誤動作を回避できるもの
である。
信号ビット領域２０のタイミングさえ検出できればよい
ので光磁気記憶素子６の面上の内周部分でもよく、外周
側面部分でもよい。又、マーカー検出器２２の位置はタ
イミングマーカー２１の位置に対応して種々変更可能で
ある。上記タイミングマーカー２１をマーカー検出器２
２が検知している間、通常の情報信号の記録，再生，消
去はカットされる。換言すれば上記タイミングマーカー
２１をマーカー検出器２２が検知している間は番地信号
のみが読み取られる。こうして番地信号ビット領域２０
において誤って通常の情報信号の記録，再生，消去を行
ったり、あるいは情報信号ビット領域１９において誤っ
て番地信号を読み取るといった誤動作を回避できるもの
である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば番地信号を簡単な構造の
磁気光学ヘッドによっても精度良く得ることができるも
のである。
磁気光学ヘッドによっても精度良く得ることができるも
のである。
【００２０】更に本発明は上記効果のみならず、差動光
学系を用いた磁気光学ヘッドを用いた場合、どちらの面
を再生するときにも同一の信号処理系で処理することが
できることになり、装置の簡略化が可能であるという効
果もある。
学系を用いた磁気光学ヘッドを用いた場合、どちらの面
を再生するときにも同一の信号処理系で処理することが
できることになり、装置の簡略化が可能であるという効
果もある。
【図１】従来の追加記録メモリー基板の一部斜視図面で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る光磁気記録再生装置の構成説明図
である。
である。
【図３】本発明に係る各光ビームの偏光状態を示すベク
トル図である。
トル図である。
【図４】本発明に係る信号波形図である。
【図５】本発明に係る光磁気記憶素子の一実施例の一部
側面断面図である。
側面断面図である。
【図６】図５の一部拡大平面図である。
【図７】本発明の磁化状態と検出信号状態を説明する説
明図である。
明図である。
【図８】本発明の磁化状態と検出信号状態を説明する説
明図である。
明図である。
【図９】本発明に係る光磁気記憶素子の他の実施例の一
部側面断面図である。
部側面断面図である。
【図１０】同図（ａ）は本発明に係る光磁気記憶素子を
回転駆動用モーターに結合した状態を示す平面図、同図
（ｂ）は同じく側面断面図である。
回転駆動用モーターに結合した状態を示す平面図、同図
（ｂ）は同じく側面断面図である。
１：レーザ光源、２：偏光子、３：ビームスプリッタ、
４：絞りレンズ、５：記憶媒体、６：光磁気記憶素子、
７：検光子、８：光検出器、９：ガイドトラック部、１
０：信号トラック部、１１：光ビーム、１２：平ビー
ム、１３：凹ビット、１４：支持基板、１５：記憶媒
体、１６：接着層、１７：回転駆動用モーター、１８：
光学ヘッド、１９：情報信号ビット、２０：番地信号ビ
ット、２１：タイミングマーカー、２２：マーカー検出
器。
４：絞りレンズ、５：記憶媒体、６：光磁気記憶素子、
７：検光子、８：光検出器、９：ガイドトラック部、１
０：信号トラック部、１１：光ビーム、１２：平ビー
ム、１３：凹ビット、１４：支持基板、１５：記憶媒
体、１６：接着層、１７：回転駆動用モーター、１８：
光学ヘッド、１９：情報信号ビット、２０：番地信号ビ
ット、２１：タイミングマーカー、２２：マーカー検出
器。
フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 広兼 順司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 小林 省三 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−114343（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】番地信号を凹凸で記録した番地信号記録領
域と情報信号を光磁気記録した情報信号記録領域とを有
する光磁気記憶素子に、光ビームを照射することで情報
の記録、再生、消去を行う光磁気記憶再生装置におい
て、 前記光磁気記憶素子の番地信号記録領域に対応する部分
に形成されたタイミングマーカーを検出するためのタイ
ミングマーカー検出部を備えたことを特徴とする光磁気
記憶再生装置。 - 【請求項２】前記光磁気記録再生装置は前記タイミグマ
ーカー検出部がタイミングマーカーを検出している間、
情報信号の記録、再生、消去を行わないようになしたこ
とを特徴とする請求項１記載の光磁気記憶再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001193A JP2511232B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 光磁気記憶再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001193A JP2511232B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 光磁気記憶再生装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18845382A Division JPS5977648A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 光磁気記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250754A JPH05250754A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2511232B2 true JP2511232B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=11738462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1001193A Expired - Lifetime JP2511232B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 光磁気記憶再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511232B2 (ja) |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP1001193A patent/JP2511232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05250754A (ja) | 1993-09-28 |
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