JPS5977648A - 光磁気記憶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は磁性膜を記憶媒体とし、レーザ光等の光ビーム
を前記記憶媒体に照射することにより情報の記録、再生
、消去を行う光磁気記憶素子に関する。

〈従来技術〉 近年、光メモリ装置は制密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるピントが、光のビー
ム径だけで決まるため１μｍ程度の大きさにすることが
可能なためである。しかしこの事は光メモリ装置に多く
の制限を加える１１になる。即ちある定ま−・た場１９
Ｉに情報を記録したり、あるいはある定まった場所に記
録された情報を再生したりするためには光ビームを極め
て正確に位ｉＩ′ｊｉ決めしなければならｌＪい。−Ｉ
ｌｌつに山生山用メモリでは記録したビットに予め番地
情報を入れておく事ができるので記録情報を再生しなが
ら位置決めすることができるが、追加記録メモリあるい
は書き換え可能なメモリでは情報記録時に番地情報名−
緒に記録する事は困難であるので、−メモリ基板に予め
何等かのガイド信案及びカイト市地を入れておくという
方法が採られる。例えば第１図に従来の追加記録メモリ
基板の一部斜視図を示すが同図を示す如く基板に凹凸の
溝を形成しておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再
生する。

又、上記凹凸の溝は円周方向に断続した形状を有しこれ
が溝の番地を示すビット情報を与えるのである。

〈目的〉 本発明は以上の従来技術に改良を加えるもので、光磁気
記憶素子における番地情報の品り：向上を目的とするも
のである。

〈実施例〉 以下、本発明に係る光磁気記憶素子の実軸ノ４例につい
て説明する。

第２図は本発明に係る光磁気記憶素子を用いて光磁気記
録再生装置を構成した４Ｗｉ成説明図である。

同図で１は記録、再生、消去に必要な所定の強度の光ビ
ームを射出するレーザ光源、２は光ヒームを偏光せしめ
る偏光子、３はビームスプリッタ、４は光ビームを記憶
媒体５上に集光する為の絞りレンズ、６は上記記憶媒体
５を内部に備える光磁気記憶素子、７は光磁気記憶素子
６からの反則光を検光する検光子、８は光検出器である
。」−配光磁気記憶素子６は図示しない駆動機構によ−
）で所定の速度で回転する。父上記絞りレンズ４はトラ
ッキング制御信号により作動する図示しない駆動機構に
より移動し、光ビームを記憶媒体５上の所定の位置に導
く。

次に上記光磁気記録再生装置を用いて情報の再生を行な
う場合の作用原理を説明する。

レーザ光源１から一定の強度の光ビームカ稍、１出され
る。射出された光ビームは偏光子２を通り第３図に示ず
Ａ。の方向の偏光へとなる。この偏光Ａは記憶媒体５上
をスポット照射する。そして当該照射点の記憶媒体５の
磁化状態に応じて、いわゆるカー効果で知られる磁気光
学効果をＶ−りてカー回転角αだけ偏波面に回転した第
３図の偏光Ｓ１若しくはＳ２　　となって反則される。

そして検光子７の通過軸をθに設定すれば検光子７を通
過する光はＳ、／若しくはＳ２’　きなる。従−って記
憶奴体５の磁化方向が反転を繰り返している領域を光ヒ
ームが走査した場合、光検出器８にて得られる光出力は
第４図の波形図に示される信号波形となる。

上記８１′　と８２′の信号の大きさの比率は例えはカ
ー回転角α−０，５度、検光子７の方位角θ−５度の時
Ｓ、’　　：　Ｓ２’　−１，５：　Ｉの比が得られる
。

次にガイド信号（トラッキンク信号）及び番地信号を得
る為の構成について説明する。

第５図は光磁気記憶素子６の一部側面断面図である。９
はガイドトラック部、１０は信号トラック部を示してお
り、信号トラック部１０に絞りレンズ４によって集光さ
れた光ヒームＩＩが照射されている。同図に示される如
くガイドトラック部９の信号トラック部１０との間には
段差が設けられ該段差における回折光を利用してガイド
信号を得る。上記回折光によって得られるガイド信号の
信号効率が最大になるのは上記段差の深さがレーる時で
ある。

第６図は光磁気記憶素子６の一部拡大平面図である。同
図でＭは通常の情報記録部分、Ｎは番地信号記録部分で
ある。通常の情報記録部分Ｍにおいては信号トラック部
１０に記録領域即ち磁化反転領域１０３とそれ以外の領
域即ち初期磁区のままの領域１０ｂが存在する。一方番
地信号記録部分Ｎにおいては信号トランク部１０を形成
する凹部を欠損させた部分＋２（Ｊ２Ｊ、上平ビットと
いう）及び信号トラック部１０を形成する凹部を設けた
部分１３（以下間ヒツトという）が存在する。この構成
によれは同一の光検出器で通常の情報信号と番地信号の
両方を読み取ることができる。ここで凹ヒツト１３に光
ビーム１１が照射された時の反η、１光をＲ１、平ビッ
ト■２に光ヒーム１１が照射された時の反射光をＲ２と
する。当然Ｒ，＜Ｒ。

である。凹ヒント１３と平ヒツト１２は交ＩＶ、に並ひ
占地（４号が形成されている。従ってこれらの」−を光
ビーム１１が走査されることにより番地信号を読み取る
ことかできる。」１記反射光Ｒ，とＲ２の大きさの比率
は例えは絞りレンズ４のレンズ開口Ｎ　Ａ　＝　０．６
、凹ビット１３の深さかレーザ光波長の　１（ｎ、基板
の屈折率）、凹ビット１３の１１ 幅が１μｍ１　レーザ光スポットの直径が１．２１Ｌｍ
（但しレーザ光スポットの半径はレーザ光スポット中心
強度の１／　強度になる径で定義する。）２ で、Ｒ，：　Ｒ２＝］　：　１．２である。

本発明において特に問題となるのは光磁気記憶素子の初
期磁区の方向である。光磁気記憶素子は記憶媒体（膜面
に垂直な方向に磁化容易軸を有する。）を予め一方向に
一様に磁化しその後光ビームによって熱、磁気記録する
。上記予め一方向に一様に磁化することをイニシャライ
ズという。記憶媒体の磁化方向をイニシャライズする場
合、カー効果によって偏波面が回転せしめられた反射光
が検光子を通った後の光強度が強くなる方向（第３図に
おいて５．／の光強度を得る磁化方向）にイニシャライ
ズする方法と、カー効果によって偏波面が回転せしめら
れた反射光が検光子を通った後の光強度が弱くなる方向
（第３図においてＳ′の光強度を得る磁化方向）にイニ
シャライズする方法とが考えられる。次にいずれの方法
が優れているかについて説明を行なう。

第７図は記憶媒体５のイニシャライズの方向が第３図に
おいて５．／の光強度（強い光強度）を得る方向である
場合の磁化状態と、反則光に基ずく検出信号状態とを示
す説明図、第８図は記憶媒体５のイニシャライズの方向
が第３図において８２′の光強度（弱い光強度）を得る
方向である場合の磁化状前止、反射光に基ずく検出信号
状態表を示す説明図である。第７図及び第８図で斜線は
８２′の光強度を得る方向に磁化されている記憶媒体５
を示す。第７図について説明すれは、通常の情報記録部
分Ｍを光ビームが走査する時光検出器８にて得られる光
出力は磁化反転領域においては８２′であり初期磁区の
ままの領域においては５．／である。又、番地信号記録
部分Ｎを光ビームが走査する時光検出器８にて得られる
光出力は凹ヒツト１３の位置での光出力Ｒ１は上記初期
磁１区のままの領る。よって番地信号記録部分Ｎを光ビ
ームが走査する時光検出器８にて得られる信号の交流成
分はＲ２−Ｒ、＝Ｓ、”Ｘ　ｋ−５，’　＝Ｓ、’　（
ｋ−１）　　テある。

次に第８図について説明すれば、通常の情報記録部分Ｍ
を光ビームが走査する時光検出器８にて得られる光出力
は磁化反転領域においてはＳ、／であり初期磁区のまま
の領域においては８２′である。

又、番地信号記録部分Ｎを光ビームが走査する時光検出
器８にて得られる光出力は凹ヒツト１３での光出力Ｒ１
は上記初期磁区のままの領域のままの領域における光出
力８２′と同一であり、平ビット１２での光出力Ｒ２は
Ｒ２＝Ｓ２１Ｘｋである。

よって番地信号記録部分Ｎを光ビームが走査する時光検
出器８にて得られる信号の交流成分はＲ２−Ｒ１＝Ｓ２
’　Ｘ　ｋ−５２’＝Ｓ２’　（ｋ−１）である。

以、」二の結果から、Ｓ、／の光強度を得る方向にイニ
シャライズする場合の番地信号の交流成分は８２′の光
強度を得る方向にイニシャライズする場合の番地信号の
交流成分の５　、／　／　Ｓ２／　　倍である。前述の
如＜Ｓ、’　　：８２′＝１．５：　Ｉの場合は１５倍
の大きさになる。以上の様に記憶媒体の磁化方向をイニ
シ・ライズする場合はカー効果によって偏波面が回転せ
しめられた反射光が検光子を通った後の光強度が強くな
る方向にイニシャライズする方が番地信号の品質向上の
為に適している。本発明に係る光磁気記憶素子のイニシ
ャライズは反ｇ＝＋光が検光子を通った後の光強度が強
くなる方向に行なわれる。

以上の実施例は光磁気記憶素子内部に一睡の記憶媒体５
を存在せしめ片面からの記録再生を行なうものであった
。しかし・両面からの記録・再生を行なう両面型光磁気
記憶素子においても本発明を適用することが可能である
。第９図は本発明に係る光磁気配・「キ素子の他の実施
例の一部側面断面トＩを示す。同図において１４は支持
基板、１５．１５′はイニシャライズ済みの記憶媒体（
同図の矢印はイニシャライズの方向を示す。）、１６は
接着層である。上記記憶媒体１５．１５’は夫々イニン
ヤライズを行なってから互いに接着する。勿論」二記イ
ニシ・、・ライズは反射光が検光子を辿−）だ後の光強
度が強くなる方向に行なわれている。

次に通常の情報信号の記録、再生、消去時において通常
の情報信号と番地信号との重複を回避する為の手法につ
いて説明づる。第１Ｏ図は光磁気記憶素子を回転駆動用
モーターに結合した状態を示し同図［ａ）は平面図、同
図（１））は側面断面図である。

１７は回転駆動用モータ、１８は磁気光学ヘッドである
。光磁気記憶素子６には情報信号ビット領域１９及び番
地信号ビット領域２０が存在する。

又番地信号ヒツト領域２０に対応する光磁気記憶素子６
の面」二の外周部分にはタイミンクマーカー２１が形成
される。２２は上記タイミングマーカー２１を検出する
マーカー検出器である、７上記タイミンクマーカー２１
の位置は番地信号ヒント領・　域２０のタイミングさえ
検出できれ（Ｊよいので光磁気記憶素子６の面」二の内
周部分でもよく、外周側面部分でもよい。又、マーカー
検出器２２の位置はタイミングマーカー２１の位置に対
応して種々変更可能である。上記タイミングマーカー２
１をマーカー検出器２２が検知している間、通常の情報
信号の記録、再生、消去はカットされる。換言すれば上
記タイミングマーカー２１をマーカー検出器２２が検知
している間は借地信号のみが読み取られる。こうして番
地信号ビット領域２ｏにおいて誤って通常の情報信号の
記録、再生、消去を行な−）たり、あるいは情報信号ビ
ット領域１９において誤って番地信号を読み取るといっ
た誤動作を回避できるものである。

ぐ効果） 本発明によれば番地信号をｆｉｏ車な構造の磁気光学ヘ
ッドによっても精度良く得ることかできるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の追加記録メモリ基板の一部斜視図、第２
図は本発明に係る光磁気記録再生装置の４１’ｌ−成説
明図、第３１図は各光ビームの偏）し状、ζｊとづ一部
すベクトル図、第４図は信号波形図、第５図は本発明に
係る光磁気記憶素子の一実施例の一部側面１彷ｎＪｊＩ
ｆｆ＜１、第６図はその一部拡大平面図、第７図。 第８図は磁化状態と検出信号状謔を説明する説明図、第
９図は本発明に係る光磁気記憶素子の他の実施例の一部
側面断面図、第１０図は光磁気記憶素子を回転駆動用モ
ーターに結合した状態を示し同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は側面断面図を示す。 図中、１：レーザ光源、２：偏光子、３；ビームスプリ
ッタ、４：絞りレンズ、５：記憶媒体、６：光磁気記憶
素子、７：検光子、８：光検出器、９・ガイドトラック
部、］Ｏ：（ｒｊ’ｉトラック部、１１　、光ビーム、
１２：平ビット、１３二凹ヒツト、１４：支持基板、１
５：記憶媒体、１６：接着層、１７：回転駆動用モータ
ー、１８：磁気光学ヘッド、１９：情報信号ビット領域
、２０：番地信号ビット領域、２１：タイミングマーカ
ー、２２：マーカー検出器。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）第　２は Ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＭＩ“ 第　７図 子、６図 Ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｍ
時−晩 第８ド１ ！！５ ｔσノ （ｂ） 第１頁の続き ０発　明　者　高橋明 大阪市阿倍野区長池町２２番２２号 シャープ株式会社内 ０発　明　者　山岡秀嘉 大阪市阿倍野区長池町２２番２２号 シャープ株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、磁性膜を記憶媒体とし、レーザ光等の光ビームを前
   記記憶媒体に照射することにより情報の記録、再生、消
   去を行う光磁気記憶素子において、該素子の基板に段差
   を持たせることによって信号トラックと該信号トラック
   に沿うガイドトラックとを形成し、前記信号トラックの
   延長上に所定の形状の凹凸を形成することによって番地
   信号を固定的に記録した番地信号記録部分を形成し、前
   記記憶媒体の全体の初期イばに化方向を反射光ビームの
   検光子通過後の光強度か大きい方の磁化方向に設定した
   ことを特徴とする光磁気記憶素子。