JP3320089B2

JP3320089B2 - 光磁気媒体のダイレクトベリファイ方法

Info

Publication number: JP3320089B2
Application number: JP01814292A
Authority: JP
Inventors: 昌邦山本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-01-06
Filing date: 1992-01-06
Publication date: 2002-09-03
Anticipated expiration: 2017-09-03
Also published as: JPH05182283A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気情報記録媒体に
情報を記録すると同時に該記録において情報が正しく記
録されたかどうかを確かめるダイレクトベリファイ方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光磁気情報記録媒体（「光磁気媒
体」と略称する）を用いる光磁気記録再生装置は、可搬
性があり、記憶容量が大きいこと、消去書き換えが可能
なことなどより、大きな期待が寄せられている。そして
更に性能を向上させるべく、データ転送速度を高めるた
めの重ね書き（オーバライト）の研究や、ダイレクトベ
リファイの研究が盛んである。

【０００３】図６は従来の光磁気記録再生装置の光ヘッ
ドの一例を示す。

【０００４】同図において、半導体レーザ２２を光源と
して、ここからの発散光をコリメータレンズ２３を介し
て平行光束とし、ビーム整形プリズム２４、偏光ビーム
スプリッタ２５を介して対物レンズ２６に導き、これに
より集光して光磁気媒体２７の磁性層に光スポットを形
成する。一方、該光スポットの位置に対し磁気ヘッド２
８により外部磁界が与えられる。

【０００５】光磁気媒体２７からの反射光は、再び対物
レンズ２６を介して偏光ビームスプリッタ２５に戻り、
ここでの反射光の一部が分離されて、制御光学系へと導
かれている。制御光学系では、分離光束を別に用意した
偏光ビームスプリッタ２９で更に分離し、そのうちの一
方を再生光学系３０に導いて再生信号を得、他方を集光
レンズ３６、ハーフプリズム３７を介して光検出器３８
へ、更にはナイフエッジ３９を介して光検出器４０へと
導き、光ヘッドのオートトラッキング、オートフォーカ
シング用の制御信号を得ている。

【０００６】再生光学系３０は、光束の偏光方向を４５
度回転させるための１／２波長板３１と、光束を集光す
る集光レンズ３２と、光束を分離する偏光ビームスプリ
ッタ３３と、該偏光ビームスプリッタ３３により分離さ
れた光束のそれぞれを検出する光検出器３４，３５とか
らなる。これら光検出器３４，３５からの差動検出信号
を用いて、再生信号を得ることができる。

【０００７】図７は、光磁気信号がどの様に得られるか
を説明するものである。

【０００８】光磁気媒体では、磁化の向きの違いにより
情報を記録する。これに直線偏光の光を与えると、磁化
の向きの違いにより、直線偏光の偏光方向が右回りか左
回りかに回転する。

【０００９】例えば、ここで、光磁気媒体に入射する直
線偏光の偏光方向を図７に示す座標軸Ｐの方向とし、下
向き磁化に対する反射光は角度＋θ_K 回転したＲ₊ と
し、上向き磁化に対する反射光は角度−θ_K 回転したＲ
_- とする。図７で示すような方向に検光子をおくと、検
光子を透過してくる光は、Ｒ₊ に対しＡ，Ｒ_- に対しＢ
となり、これを光検出器で検出すると光強度の差として
情報を得ることができる。図６の従来例では、偏光ビー
ムスプリッタ３３が検光子の役目をしており、分離した
一方の光束に対しＰ軸から角度＋４５度の方向、他方の
光束に対しＰ軸から角度−４５度の方向の検光子とな
る。つまり、光検出器３４と光検出器３５とで得られる
信号成分は逆相となるので、これらの信号を差動するこ
とでノイズが軽減された再生信号を得ることができる。

【００１０】現在、商品化されている光磁気記録再生装
置では、情報の記録時に同一トラック上を３回走査して
いる。つまり以前に記録された情報を消去するための走
査、新規情報を記録するための走査、及びこの新規情報
の記録において情報が正しく記録されたかどうか確かめ
る走査である。このような３回もの走査のため記録時の
データ転送速度は遅く、記録時間の短縮が望まれる。

【００１１】記録時のデータ転送速度を向上させる技術
として、オーバライトとダイククトベリファイとがあ
る。

【００１２】オーバライトの方式としては、磁界変調方
式と光変調方式とが知られている。

【００１３】磁界変調方式は、図８に示すように、光磁
気媒体４３を挟んで磁気ヘッド４１と光ヘッドの対物レ
ンズ４２とが対向配置され、所定強度の光スポットを照
射した状態で磁気ヘッド４１により記録信号に応じて変
調した磁界を印加する方式である。磁界変調方式に使用
される光磁気媒体４３は、透明基板４８上に保護及び干
渉層４７、再生層４６、記録層４５、及び保護層４４が
積層された構造である。図９は、記録層４５と再生層４
６との温度に対する保磁力の特性を示すものであり、図
中、４９は記録層４５の特性曲線であり、５０は再生層
４６の特性曲線である。図９から明らかなように、記録
層４５は室温での保磁力Ｈ_C49 が大きく且つ低いキュリ
ー温度Ｔ_C49 を有し、再生層４６は記録層４５よりも室
温における保磁力Ｈ_C50 が小さく且つ高いキュリー温度
Ｔ_C50 を有する。なお、図９において、Ｔ_compは記録層
４５の補償点温度、Ｈ_W は変調磁界の大きさ、Ｔ_R は再
生時の温度、Ｔ_W ’はオーバライト時の温度の下限を示
す。

【００１４】次に、磁界変調方式による記録動作を、図
１０を参照して説明する。なお、図８の光磁気媒体４３
は、矢印Ｂの向きに移動しているものとする。磁界変調
方式では、光スポットの光強度を一定のパワーＰ_W で照
射し、光磁気媒体４３の磁性層の温度をＴ_W ’とＴ_C50
との間とする。この温度に上昇した状態で、光スポット
の照射部位に磁気ヘッド４１により記録信号に応じて±
Ｈ_W に変調した磁界を印加する。これにより、記録層４
５の磁化の向きが変調磁界の向きと同一になり、磁区が
形成されオーバライトを行なうことができる。この場
合、再生層４６の保磁力は小さいので、該再生層４６に
は記録層４５の磁化に対応した磁区が形成される。磁区
の形状は図１０に示すごとく矢羽根形状となり、その長
さＷ_m は変調磁界の長さＷ_m ’で決まる。

【００１５】一方、光変調方式は、図１１に示すよう
に、光磁気媒体５４を挟んで光ヘッドの対物レンズ５３
とバイアス磁石５２とが対向配置され、バイアス磁石５
２により所定強度の磁界を印加した状態で光ヘッドから
記録信号に応じて強度変調された光スポットを照射する
方式である。光変調方式に使用される光磁気媒体５４
は、透明基板５９上に保護及び干渉層５８、記録層５
７、記録補助層５６、及び保護層５５が積層された構造
である。また、初期化磁石５１は光磁気媒体５４の記録
補助層５６を初期化するための磁石である。

【００１６】図１２は、記録補助層５６と記録層５７と
の温度に対する保磁力の特性を示すものであり、図中、
６０は記録補助層５６の特性曲線であり、６１は記録層
５７の特性曲線である。図１２から明らかなように、記
録補助層５６は、室温では保磁力Ｈ_C60 が小さく且つ高
いキュリー温度Ｔ_C60 を有する。また、記録層５７は、
記録補助層５６よりも室温における保磁力Ｈ_C61 が大き
く且つ低いキュリー温度Ｔ_C61 を有する。なお、図１２
において、Ｔ_comp’は記録補助層５６の補償点温度、Ｈ
_ini は初期磁界の大きさ、Ｈ_W ’はバイアス磁界の大き
さ、Ｔ_R ’は再生時の温度、Ｔ_WL，Ｔ_WHはそれぞれオー
バライト時の光変調の際の低レベル温度及び高レベル温
度を示す。

【００１７】次に、光変調変調方式による記録動作を、
図１３を参照して説明する。なお、図１１の光磁気媒体
５４は、矢印Ｃの向きに移動しているものとする。光変
調方式では、まず初期化磁石５１の磁界Ｈ_ini により室
温で記録補助層５６を１つの向きに磁化する。次に、光
磁気媒体５４の情報記録部位がバイアス磁石５２を通過
する際、図１３に示すごとくバイアス磁界Ｈ_W ’を印加
し、同時に光ヘッドから光スポットを照射する。この光
スポットの光強度は記録信号に応じて低レベルのパワー
Ｐ_L と高レベルのパワーＰ_H とに変調され、これに応じ
て情報記録位置の温度がＴ_WLとＴ_WHとになる。この場
合、光パワーが高レベルパワーＰ_H であるとき、記録補
助層５６の温度Ｔ_WHがキュリー温度Ｔ_C60 を超えるの
で、その記録補助層５６の磁化の向きはバイアス磁界の
向きに反転する。また、光パワーが低レベルパワーＰ_L
であるときは、元の磁化の向きが維持される。このよう
にして、記録補助層５６に図１３で示すごとく磁区が形
成され、その後磁区は磁性層の冷却時に記録層５７に転
写される。磁区の形は、円形状または長円形状となる。

【００１８】これらのオーバライトの技術により、以前
に記録された情報の消去と新規情報の記録とを１回の走
査で行なうことができる。

【００１９】ダイレクトベリファイは、２つの光スポッ
トを光磁気媒体に照射し、先行する光スポットを用いて
前述したようなオーバライトを行ない、後行する光スポ
ットで直ちに新規記録情報の再生を行なうことにより、
なされる。

【００２０】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例のように２つの光スポットを用いてオーバライ
トとダイレクトベリファイとを行なう方式では、２つの
光ヘッドや或は２つの光スポットを作り出す素子等が必
要であった。また、２つの光スポットを同一のトラック
上に走査させるための制御が必要であった。これらのた
め、従来の装置は、寸法が大きく且つコストもかかると
いう欠点があった。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、前記課
題を解決するものとして、（１）光と磁気との相互作用
を利用して情報を記録する光磁気媒体に対し情報を記録
すると同時に正しく情報が記録されたかを確かめるダイ
レクトベリファイ方法において、記録用光スポットを光
磁気媒体に照射し情報の記録を行うと同時に、光磁気媒
体からの反射光の全体光量の変化を検知して、光磁気媒
体の反射率の所定値からのずれを検知することにより、
正しく情報が記録されたかどうかを確かめることを特徴
とする、光磁気情報記録媒体のダイレクトベリファイ方
法、及び、（２）高いキュリー温度と室温における低い
保磁力とを有する第１の磁性層と、低いキュリー温度と
室温における高い保磁力とを有する第２の磁性層とを少
なくとも含む光磁気媒体に対し情報を記録すると同時に
正しく情報が記録されたかを確かめるダイレクトベリフ
ァイ方法において、第１の磁性層側から一定パワーの光
スポットを照射し、磁性層群の温度を第２の磁性層のキ
ュリー温度近傍にしながら、情報に従って変調した外部
磁界を印加し、第２の磁性層に情報に対応した磁区を形
成していくと同時に、光磁気媒体からの反射光の全体光
量の変化をみて光磁気媒体の反射率の所定値からのずれ
を検知するとともに、光磁気媒体からの反射光の偏光状
態の所定状態からのずれを検知して、これら両方の検知
結果に基づき正しく情報が記録されたかどうかを確かめ
ることを特徴とする、光磁気情報記録媒体のダイレクト
ベリファイ方法、が提供される。

【００２２】また、本発明によれば、光磁気媒体のあら
かじめ定められた場所に記録されている基準信号及び光
磁気媒体のあらかじめ定められた記録情報を再生し、こ
れに基づき光磁気特性の経時劣化がないことと保存保証
期間内であることとを確かめた後に、上記（１）または
（２）の記録動作に進むことを特徴とする、光磁気情報
記録媒体のダイレクトベリファイ方法、が提供される。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。

【００２４】図１は、本発明のダイレクトベリファイ方
法の一実施例を説明する図である。

【００２５】同図において、３０は上記図６で示した光
磁気記録再生装置の光ヘッドにおけると同様な再生光学
系であり、光磁気媒体からの反射光の偏光方向を４５度
回転させるための１／２波長板３１と、光束を集光する
集光レンズ３２と、光束を分離する偏光ビームスプリッ
タ３３と、分離された光束のそれぞれを検出する光検出
器３４，３５とからなる。１は光検出器３４，３５で得
られた信号の差信号を検出するアンプであり、その出力
２は反射光の偏光状態を示す信号となる。再生時には、
図７に関し説明したとおり、この信号が再生信号とな
る。３は光検出器３４，３５で得られた信号の和信号を
検出するアンプであり、その出力４は全体光量に対応す
るため光磁気媒体の反射率を示す信号となる。

【００２６】まず、図１に示した検出系を用いて、記録
時に、光磁気媒体からの反射光の全体光量を検出し、光
磁気媒体の反射率の変化をみることにより、正しく情報
が記録されたかどうかを確かめるダイレクトベリファイ
について説明する。

【００２７】光磁気媒体に腐食またはキズやゴミによる
欠陥がなければ、正しい磁区が形成される。光磁気媒体
は、使用温度内では、磁性層の磁化の状態に関係なく反
射率はほぼ一定である。しかしながら腐食などにより磁
性層が変質すると、その部分の反射率が周囲より低くな
るかまたは高くなるかしてしまう。またキズやゴミの付
着が光磁気媒体に生じると、光スポットは散乱され、み
かけ上、反射率が低下してしまう。従って、反射率を検
知することにより、光磁気媒体上の腐食またはキズやゴ
ミによる欠陥を検出することができる。

【００２８】上記図８〜図１０に関し説明した磁界変調
オーバライト方式での記録は、一定パワーの光スポット
を光磁気媒体に照射し、記録情報に従って外部磁界を変
調し、磁区を記録層に形成することで行っている。この
磁界変調方式では、図１で示した出力４の信号は、通常
は一定レベルの信号として検出されるが、記録場所に欠
陥があると、その大きさに従って信号にゆらぎが生じ
る。この信号のゆらぎの程度により、磁区が正しく記録
されたか、その磁区は局所的に記録されはしなかったが
エラー訂正処理を行なうことで再生可能な程度か、また
は、記録もされなかったしエラー訂正処理によっても再
生不可能な状態かを、知ることができる。再生不可能な
状態の場合には、他の場所に情報の記録をやり直すよう
にし、エラー訂正を行なえば再生可能な場合には、その
頻度がある一定値以上になれば他の場所に情報の記録を
やり直すようにする。信号のゆらぎが許容値内の場合に
は、正しく磁区が記録されたと判定し、順次記録を行な
っていく。

【００２９】上記図１１〜図１３に関し説明した光変調
オーバライトでの記録は、一定のバイアス磁界を光磁気
媒体に印加した状態で、記録情報に従って光スポットの
強度を低レベルと高レベルとに切り替えて照射し、記録
補助層に磁区を形成し、さらに冷却時に記録層にその磁
区を転写することで行なっている。この光変調方式で
は、低レベルと高レベルの２値のパワーの光スポットを
照射しているので、図１で示した出力４の信号は、通常
は記録信号と同様２値の信号として検出される。この波
形は記録情報から前もって知ることができるので、その
波形からの差として信号のゆらぎが検出される。これ以
後の処理は上記磁界変調の場合と同じである。

【００３０】以上のように、反射率の所定値からのずれ
を検知することで、正しく磁区が記録されたかどうかを
確かめることができるが、さらに磁性層の不均一による
光磁気特性のムラがあるかどうかを検出することによ
り、記録時の確度を一層向上させることができる。

【００３１】図２は、以上の様な媒体反射率の違いの検
出と光磁気特性のムラの検出とに基づきダイレクトベリ
ファイを行なう方式に適した光磁気媒体の構成を示す。
同図において、光磁気媒体は、透明基板５上に保護層
６、再生層（第１の磁性層）７、調整層８、記録層（第
２の磁性層）９、保護層１０、反射層１１が積層された
構造である。光ヘッドの対物レンズ１２と磁気ヘッド１
３とは、光磁気媒体を挟んで対向配置されている。

【００３２】図３は、図２の光磁気媒体の再生層７、調
整層８及び記録層９の温度に対する保磁力の特性を示す
ものである。図３において、１４は再生層７の特性曲線
を示すものであり、１５は調整層８の特性曲線を示すも
のであり、１６は記録層９の特性曲線を示すものであ
る。図３から明らかなように、再生層７は、室温での保
磁力Ｈ_C14 が小さく且つ高いキュリー温度Ｔ_C14 を有す
るものである。記録層９は、室温での保磁力Ｈ_C16 が大
きく且つ低いキュリー温度Ｔ_C16 を有するものである。
また調整層８は、室温での保磁力Ｈ_C15 及びキュリー温
度Ｔ_C15 がともに他より小さいものである。図中、Ｈ_EX
は記録時に印加する外部磁界の大きさである。Ｔ_W は記
録時の光スポット近傍の磁性層の温度範囲であり、記録
層９のキュリー温度Ｔ_C16 の近傍である。

【００３３】次に、再生層７と記録層９との交換結合
力、及び調整層８の働きについて説明する。再生時の磁
性層の温度は、調整層８のキュリー温度Ｔ_C15 より低い
温度とする。この場合、調整層８の磁化は垂直磁化とし
て存在する、そのため、記録層９と再生層７との交換結
合力は強められ、記録層９に記録されている磁区が再生
層７に転写された状態となる。記録時の磁性層の温度
は、Ｔ_W の温度範囲まで上昇させる。この場合、光スポ
ットの近傍は、調整層８のキュリー温度Ｔ_C15 以上とな
るので調整層８の磁化は消失する。そのため、記録層９
と再生層７との交換結合力は遮断され、再生層７の保磁
力よりも大きな外部変調磁界±Ｈ_EXを印加すると、再生
層７の磁化の向きは外部変調磁界の向きと同一になる。

【００３４】図４を用いて、上記光磁気媒体に対するオ
ーバライト及びダイレクトベリファイについて説明す
る。光ヘッド及び磁気ヘッドについては、上記図６で示
したものと同等なものを使用する。また検出系は、図１
で示したものを使用する。図４の（ａ）は光磁気媒体の
一部分を表面から見た図であり、図４の（ｂ）はそれを
断面から見た図である。

【００３５】図４において、１７は光磁気媒体上の情報
が記録されているトラックである。光磁気媒体は矢印Ａ
の向きに移動しているものとする。１８（１８’）は記
録時の光スポット照射領域を示すものである。光スポッ
ト１８により磁性層の温度が上昇する。２０（２０’）
は図３で示したＴ_W の温度範囲にある交換結合力遮断領
域である。前述したように、この交換結合力遮断領域で
は、調整層８の磁化は消失し、再生層７と記録層９との
交換結合力は遮断される。１９（１９’）はＴ_W の温度
範囲内の高温領域であり、磁気ヘッド１３により印加さ
れる外部変調磁界±Ｈ_EXによって記録層９の磁化が反転
することが可能な記録可能領域である。

【００３６】このように一定パワーの光スポット１８を
走査することにより、記録可能領域１９と、これら光ス
ポット１８と記録可能領域１９とを含む交換結合力遮断
領域２０とを作った状態で、記録情報に従って、磁気ヘ
ッド１３により外部磁界を＋Ｈ_EXまたは−Ｈ_EXに変調
し、おおむね交換結合力遮断領域２０を含む領域に印加
する。この結果、記録層９の記録可能領域に新しい情報
の磁区がオーバライトされる。その磁区形状は上記図１
０で示した様に矢羽根形状となる。２１ａが以前に記録
された情報の磁区であり、２１ｂが新規に記録された情
報の磁区である。一方、交換結合力遮断領域２０内の再
生層７の磁化は外部磁界の変調に合わせてその向きを変
える。つまり、記録層９にオーバライトしている磁区の
磁化の向きと同じ向きである。その時の光磁気媒体から
の反射光を図１の検出系で受けると、出力２の信号とし
て反射光の偏光状態を検出することができる。この方式
では、一定パワーの光スポットを照射しており且つ予め
記録情報は分っているので、理想的に記録された場合の
出力２の偏光状態検出信号が分っている。そこで、これ
と実際検出される信号との差を見ることにより、光磁気
媒体の光磁気特性のムラを検知することができる。一
方、出力４の全体光量検出信号からは、前述したよう
に、光磁気媒体の反射率変化を検知することができる。
この光磁気媒体の光磁気特性のムラの程度と反射率の所
定値からのずれの程度とにより、磁区が正しく記録され
たか、その磁区は局所的に記録されはしなかったがエラ
ー訂正処理を行なうことで再生可能な程度か、または、
記録もされなかったしエラー訂正処理によっても再生不
可能な状態かを、知ることができる。再生不可能な状態
の場合には、他の場所に情報の記録をやり直すように
し、エラー訂正を行なえば再生可能な場合には、その頻
度がある一定値以上になれば他の場所に情報の記録をや
り直すようにする。光磁気特性のムラと反射率ずれとが
許容値内の場合には、正しく磁区が記録されたと判定
し、順次記録を行なっていく。

【００３７】以上のように、光磁気特性のムラと反射率
のずれとの双方を検知することで、正しく磁区が記録さ
れたかどうかを確かめられ、記録時の確度を一層向上さ
せることができる。

【００３８】次に、本発明の光磁気媒体全体の光磁気特
性の経時的劣化がないことを検知し、また、当分の間劣
化の可能性がないことを検知した後、上述したような、
ダイレクトベリファイを行なう手順について図５を用い
て説明する。

【００３９】図５において、まず使用者が光磁気媒体を
光磁気記録再生装置に挿入する（ＳＴ１）。光磁気記録
再生装置は、光磁気媒体上のあらかじめ決められた場所
に記録されている光磁気特性の劣化を調べるための基準
信号と光磁気媒体の製造年月日や情報保存保証期間等の
情報とを読み取る（ＳＴ２）。

【００４０】読み取った製造年月日や情報保存保証期間
等の情報を使用者に示すとともに、保証期間が過ぎてい
ないかどうか調べ（ＳＴ３）、過ぎている場合には情報
の記録及び再生の操作に誤りが生じる可能性があること
更には情報のバックアップをする必要があることなどの
警告を使用者に出す（ＳＴ４）。また、保証期間が間近
にせまっている場合にも同様な警告を出すようにしても
よい。

【００４１】次に、保証期間が過ぎていない場合には、
読み取った基準信号の再生信号より光磁気特性の劣化が
ないかどうかを調べる（ＳＴ５）。基準信号としては、
一定周期の信号や、あらかじめ決められたランダム信号
または劣化が生じた時に再生誤りが生じやすい信号等を
記録しておく。劣化がないかどうかを調べる方法として
は、読み取った再生信号の振幅の大きさを調べ初期値と
比べる方法や、基準信号に他の普通の情報よりもエラー
訂正能力を下げたエラー訂正用コードを付加して記録し
ておき、再生時にエラーが生じるかどうかを調べる方法
がある。光磁気特性の劣化が一定以上の場合は、情報の
記録及び再生の操作に誤りが生じる可能性が大きいこと
更には情報のバックアップが行なえる状態にあるかない
か等の警告を使用者に出し（ＳＴ６）、自動的に光磁気
媒体を搬出して（ＳＴ８）操作を終える。

【００４２】また、光磁気特性の劣化がない場合は、記
録及び前述したようなダイレクトベリファイを行なう
（ＳＴ７）。全ての記録及びベリファイの操作が終る
と、自動的に光磁気媒体を搬出して（ＳＴ８）、操作を
終える。

【００４３】ＳＴ６で警告が出された光磁気媒体に対
し、警告を無視して情報の記録を行う場合やバックアッ
プのための再生を行う場合は、同じ光磁気媒体を２回続
けて挿入した時にＳＴ６で警告を出した後にステップ７
に進み、記録や再生を行なうようにしてもよい。また、
ＳＴ４やＳＴ６での警告の内容や警告が出た光磁気媒体
の製造番号や警告が出た年月日等の情報を、光磁気媒体
上及び光磁気記録再生装置に記憶するようにしてもよ
い。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、記録用光スポット
を光磁気媒体に照射し情報の記録を行うと同時に、光磁
気媒体からの反射光の全体光量の変化を検知して、光磁
気媒体の反射率の所定値からのずれにより光磁気媒体に
欠陥があるかないかを判断し、欠陥がなければ情報が正
しく記録されたとすることにより、１つの光スポットに
よりダイレクトベリファイが行なえ、データ転送速度が
向上するとともに装置が小型化でき、コストも下げられ
るという効果がある。

【００４５】また、少なくとも高いキュリー温度と室温
における低い保磁力とを有する第１の磁性層と、低いキ
ュリー温度と室温における高い保磁力とを有する第２の
磁性層とを含む光磁気媒体に対し、第１の磁性層側から
一定パワーの光スポットを照射し、磁性層群の温度を第
２の磁性層のキュリー温度近傍にしながら、情報に従っ
て変調した外部磁界を印加し、第２の磁性層に情報に対
応した磁区を形成していくと同時に、光磁気媒体からの
反射光の全体光量の変化を検知し、光磁気媒体の反射率
の所定値からのずれにより、光磁気媒体に欠陥があるか
ないかを判断するとともに、光磁気媒体からの反射光の
偏光状態の所定状態からのずれを検知し、光磁気媒体の
光磁気特性の欠陥があるかないかを判断し、両方の欠陥
がなければ情報が正しく記録されたとすることにより、
記録時の確度をさらに向上できるという効果がある。

【００４６】さらに、光磁気媒体を情報の記録を行なう
装置に挿入した際に、該光磁気媒体のあらかじめ定めら
れた場所に記録されている基準信号や光磁気媒体の製造
年月日や保存保証期間等の情報を再生し、これに基づき
光磁気特性の劣化がないことと保存保証期間内であるこ
ととを確かめた後に記録動作に進むようにすることによ
り、記録の確度をさらに一層向上できるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法の実施に使用される光磁気記録再生
装置の再生検出系を示す図である。

【図２】本発明方法の実施に使用される光磁気媒体を示
す図である。

【図３】本発明方法の実施に使用される光磁気媒体の磁
性層の特性を示す図である。

【図４】本発明方法の一例の説明図である。

【図５】本発明方法の一例を説明するフローチャートで
ある。

【図６】従来の光磁気記録再生装置の説明図である。

【図７】光磁気記録再生方式の説明図である。

【図８】従来の磁界変調オーバライト方式に使用される
光磁気媒体を示す図である。

【図９】従来の磁界変調オーバライト方式に使用される
光磁気媒体の磁性層の特性を示す図である。

【図１０】従来の磁界変調オーバライト方式の説明図で
ある。

【図１１】従来の光変調オーバライト方式に使用される
光磁気媒体を示す図である。

【図１２】従来の光変調オーバライト方式に使用される
光磁気媒体の磁性層の特性を示す図である。

【図１３】従来の光変調オーバライト方式の説明図であ
る。

【符号の説明】

５透明基板６保護層７再生層８調整層９記録層１０保護層１１反射層１２対物レンズ１３磁気ヘッド１７トラック１８光スポット１９高温領域２０交換結合力遮断領域３０再生光学系３１１／２波長板３２集光レンズ３３偏光ビームスプリッタ３４，３５光検出器

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光と磁気との相互作用を利用して情報を
記録する光磁気媒体に対し情報を記録すると同時に正し
く情報が記録されたかを確かめるダイレクトベリファイ
方法において、記録用光スポットを光磁気媒体に照射し情報の記録を行
うと同時に、光磁気媒体からの反射光の全体光量の変化
を検知して、光磁気媒体の反射率の所定値からのずれを
検知することにより、正しく情報が記録されたかどうか
を確かめることを特徴とする、光磁気媒体のダイレクト
ベリファイ方法。
【請求項２】高いキュリー温度と室温における低い保
磁力とを有する再生層と、低いキュリー温度と室温にお
ける高い保磁力とを有する記録層と、キュリー温度及び
室温における保磁力が前記再生層及び前記記録層のいず
れよりも低い調整層とを少なくとも含む光磁気媒体に対
し情報を記録すると同時に正しく情報が記録されたかを
確かめるダイレクトベリファイ方法において、再生層側から一定パワーの光スポットを照射し、前記光
磁気媒体の温度を前記記録層のキュリー温度近傍で且つ
前記調整層のキュリー温度以上に昇温せしめながら、情
報に従って変調した外部磁界を印加し、記録層に情報に
対応した磁区を形成していくと同時に、光磁気媒体から
の反射光の全体光量の変化をみて光磁気媒体の反射率の
所定値からのずれを検知するとともに、光磁気媒体から
の反射光の偏光状態の所定状態からのずれを検知して、
これら両方の検知結果に基づき正しく情報が記録された
かどうかを確かめることを特徴とする、光磁気媒体のダ
イレクトベリファイ方法。
【請求項３】光磁気媒体のあらかじめ定められた場所
に記録されている基準信号及び光磁気媒体のあらかじめ
定められた記録情報を再生し、これに基づき光磁気特性
の経時劣化がないことと保存保証期間内であることとを
確かめた後に記録動作に進むことを特徴とする、請求項
１または請求項２に記載の光磁気媒体のダイレクトベリ
ファイ方法。