JP2613921B2 - 光磁気メモリ装置 - Google Patents

光磁気メモリ装置

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JP2613921B2
JP2613921B2 JP63200847A JP20084788A JP2613921B2 JP 2613921 B2 JP2613921 B2 JP 2613921B2 JP 63200847 A JP63200847 A JP 63200847A JP 20084788 A JP20084788 A JP 20084788A JP 2613921 B2 JP2613921 B2 JP 2613921B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体に光ビームを投射して、こ
の光磁気記録媒体への情報を記録、記録された情報の消
去および再生等を行う光磁気メモリ装置に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
光磁気メモリ装置は、情報の記録および消去等の可能
な光磁気記録媒体に、光学ヘッドから光磁気記録媒体へ
1μm程度の径に集光したレーザ光を投射し、光磁気記
録媒体に対する情報の記録、記録されている情報の読み
出しおよび消去等を行い、信号検出回路により、光学ヘ
ッドより得られた再生信号からディジタル再生信号を得
るようになっている。信号検出回路は、再生信号におけ
る情報パルスのピーク位置を検出するピーク位置検出回
路、あるいは情報パルスの長さおよび間隔を検出する振
幅検出回路を有しており、これら何れかの回路によって
上記の再生信号からディジタル再生信号が得られるよう
になっている。
従来の光磁気メモリ装置は、第7図に示すように、光
磁気記録媒体としての光磁気ディスク101と、光磁気デ
ィスク101に対する情報の記録、記録されている情報の
読み出し、および消去等を行う光学ヘッド102とを備え
ている。
光学ヘッド102は、半導体レーザ111、ビームスプリッ
タ(ハーフミラー)112、対物レンズ113、1/2波長板11
6、検光子117、集光レンズ114、および光検出器115から
構成されている。半導体レーザ111から出射された光ビ
ームは、ビームスプリンタ(ハーフミラー)112を通っ
て対物レンズ113で集光され、光磁気ディスク101に照射
される。光磁気ディスク101で反射された再生光は対物
レンズ113を通って、ビームスプリッタ(ハーフミラ
ー)112により、その一部が直角に曲げられる。この光
は1/2波長板116によって偏光方向が所定の角度に傾けら
れ、検光子117を通り、集光レンズ114によって集光さ
れ、光検出器115に入射される。光検出器115において再
生光は電気信号に変換され、信号検出回路へ送られてデ
ータが再生される。
上記の光磁気ディスク101、即ち光磁気記録媒体は膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜を備えて
おり、この光磁気記録媒体への記録は以下のようにして
行われている。即ち、光学ヘッド102から光磁気記録媒
体の磁性薄膜にレーザ光が照射されると、レーザ光の照
射された部位は、局所的に温度が上昇して保持力が低下
する。そこで、この部位に外部から磁場を印加すると、
所望の方向へ磁化反転させることができ、これによって
情報の記録が行われる。
一方、再生動作は以下のようにして行われている。即
ち、記録時よりも弱い直線偏光のレーザ光を光磁気記録
媒体に投射すると、光磁気記録媒体からの反射光または
透過光である再生光の偏光面が光磁気記録媒体の磁化方
向に応じて所定角度回転する。この偏光面の回転は、透
過光についてはファラデー効果により、また反射光につ
いてはカー効果により生じる。例えば、光磁気記録媒体
のある磁化方向に対する反射光のベクトルをR+、上記
の磁化方向と反転している磁化方向に対する反射光のベ
クトルをR−とすると、第8図に示すように、これら反
射光R+、R−と対応する偏光面の回転角はそれぞれ入
射偏光面に対して+θ、−θとなる。そして、入射
偏光面に対して45゜に設定されている検波偏光面にて、
反射光R+、R−の検波偏光面成分Rα+、Rα−を検
波することにより、電気信号としての再生信号が得られ
るようになっている。このとき、Rα−がローレベル、
Rα+がハイレベルとなる。
上記のような原理による光磁気メモリ装置の動作を第
9図に基づいて具体的に説明すれば、以下の通りであ
る。
光磁気記録媒体には、例えば第9図に示すディジタル
データ(a)に対して、(b)に示す記録マークが磁化
反転によって記録される。ここで、記録マークからの反
射光のベクトルをR−、記録マーク以外の部位である非
マーク部からの反射光のベクトルをR+とすると、光磁
気記録媒体からの反射光を受けた光学ヘッド102から
は、再生信号(c)が得られる。この再生信号(c)に
おいては記録マークからの反射光R−により負方向のパ
ルスが発生し、非マーク部からの反射光R+によりハイ
レベルとなる。
次に、信号検出回路がピーク位置検出回路を有してい
る場合、上記の再生信号(c)を入力した信号検出回路
からは、負方向のピーク位置と立ち上がり部の一致する
ディジタル再生信号(d)が得られる。一方、信号検出
回路が振幅検出回路を有している場合、信号検出回路か
らは負方向のピーク位置に対して所定幅でハイレベルと
なるディジタル再生信号(e)が得られる。そして、こ
れらディジタル再生信号(d)または(e)から、再生
情報としてのディジタルデータ(f)を得るものとなっ
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記従来の構成では、光磁気記録媒体にお
ける記録密度を高め、記録容量の増大を図ることが困難
であるという問題点を有している。
即ち、上記の構成の場合、光磁気記録媒体の記録密度
を高めるためには記録マークの寸法をさらに小さくしな
ければならない。しかしながら、記録マークは小さくな
る程、光磁気記録媒体への記録が困難になる。例えば、
レーザ光を光磁気記録媒体上に集光して記録マークを記
録する場合、レーザビームの絞り込み度、光磁気記録媒
体の特性、および周囲温度等により、記録マークは小さ
くなるほど適切に形成することが困難となる。従って、
記録マークを小型化することにより記録密度を高めるの
は困難であり、従来の構成は記録密度を増大させるのに
不向きである。尚、説明の便宜上、記録マークは1個の
符号と対応した孤立マークとして説明しているが、記録
マークを複数個の符号と対応させ、記録マーク以外の部
位と同寸法となるように形成した場合であっても同様
に、記録密度を高める点においては不十分である。
〔課題を解決するための手段〕
上述の課題を解決するために、本発明は光学ヘッドに
対して相対移動可能に設けられ、情報としての記録マー
クが記録された光磁気記録媒体に、上記記録マークにお
けるトラック方向と直交する方向の幅以下の直径の集光
スポットを有し、所定の入射偏光方向を有する光ビーム
を照射する照射手段と、上記集光スポット内に記録マー
クと記録マークでない部分とが含まれるときに、光磁気
記録媒体より得られる上記両部分からの各再生光を互い
に逆位相の光とする光学手段と、この光学手段から得ら
れる再生光が記録マークと記録マークでない部分とで逆
位相となることによる信号レベルの変化に基づいて記録
マークの端部を検出して情報信号を再生するために、前
記所定の入射偏光方向に対して垂直な検波偏光方向を備
えた検出手段とを備えていることを特徴とする光磁気メ
モリ装置である。
〔作 用〕
上記の構成よれば、再生動作の際に、照射手段は、記
録マークの幅以下の直径の集光スポットを有する光ビー
ムを光磁気記録媒体に照射する。光学手段は、集光スポ
ット内に記録マークと記録マークでない部分とが含まれ
るときに、光磁気記録媒体より得られる上記両部分から
の各再生光を互いに逆位相の光とする。これにより、記
録マークと記録マークでない部分との再生光における干
渉によって情報パルスが再生信号に生じる。従って、信
号検出信号は、上記光学手段から得られる再生光が記録
マークと記録マークでない部分とで逆位相となることに
よる信号レベルの変化に基づいて、即ち上記情報パルス
に基づいて記録マークの端部を検出し、この端部を信号
として再生する。
このような構成により、1個の記録マークに多数の情
報を含ませることができるので、記録密度を高めること
が可能となる。尚、記録マークは再生時の光ビームにお
ける集光スポットよりも長さおよび幅が大きくなるよう
に形成すると上記の情報パルスが発生し易い。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第1図ないし第6図に基づいて以
下に説明する。
本発明に係る光磁気メモリ装置は、第1図に示すよう
に、光磁気記録媒体としての光磁気ディスク1と、光磁
気ディスク1に対する情報の記録、記録されている情報
の読み出しおよび消去等を行う照射手段としての光学ヘ
ッド2と、光学ヘッド2から得られた再生信号をディジ
タル再生信号に変換する信号検出手段としての信号検出
回路3とを備えている。
上記の光磁気ディスク1は、膜面に垂直な方向に磁化
容易軸を有する磁性薄膜を備え、磁化方向の反転により
情報としての記録マークの記録および消去等が可能であ
り、光学ヘッド2に対して移動可能となっている。
上記の光学ヘッド2においては、第2図に示すよう
に、半導体レーザ11から出射されたレーザ光は、光学手
段としての偏光ビームスプリッタ12を通り、対物レンズ
13で集光されて光磁気ディスク1に入射される。反射光
は再び対物レンズ13を通り、その一部は偏光ビームスプ
リッタ12によって光路が分散される。また、この偏光ビ
ームスプリッタ12は偏光面が入射偏光面と直角になるよ
うに配されていて、検光子の役目も兼ね備えている。こ
の反射光は集光レンズ14によって集光され、光検出器15
によって電気信号に変換されて、信号検出回路へ送られ
るようになっている。
光学ヘッド2は、光磁気ディスク1に光ビームとして
の直線偏光のレーザ光を投射して、光磁気ディスク1の
磁化方向を反転させることにより、情報としての記録マ
ークを記録するようになっている。この記録マークは、
光学ヘッド2との相対移動方向における端部、即ちエッ
ジ部が2個の符号からなるディジタル情報の第1符号に
囲まれた第2符号と対応するように記録される。本実施
例においては、第4図に示すように、ディジタル情報と
してのディジタルデータ(h)に対して、(i)に示す
記録マークが記録される。この記録マークはエッジ部
が、0と1との2個の符号からなるディジタルデータ
(h)の0に囲まれた1に対応している。0は第1符号
を成し、1は第2符号を成している。従って、記録マー
クにおけるエッジ部間の部位、および記録マーク以外の
部位である非マーク部が0と対応している。また、記録
マークは再生時のレーザ光における集光スポットの径よ
りも長さおよび幅の大きい長円形に形成されており、こ
のように形成されることにより、後述の情報パルスが発
生し易くなっている。
また、光学ヘッド2は、再生動作の際に、光磁気ディ
スク1の記録マークの幅以下の直径の集光スポットを有
するレーザ光を光磁気ディスク1に投射し、その反射光
を入力することにより再生信号を出力すると共に、レー
ザ光が記録マークのエッジ部に照射されたときの反射光
を入力することにより、記録マークと非マーク部とから
の反射光における干渉によって第2符号としての1に対
応した情報パルスを再生信号に生じるようになってい
る。本実施例においては、第3図に示すように、入射偏
光面に対して検波偏光面が垂直を成すように配された検
光子と、この検光子の出力を電気信号に変換する光検出
器とを光学ヘッド2が有している。そして、レーザ光が
記録マークのエッジ部に照射されたときに、記録マーク
と非マーク部とからの反射光の偏光面がレーザ光の入射
偏光面にてそれぞれ反対方向に回転し、両反射光の検波
偏光面成分が180゜位相のずれたものとなることによ
り、光検出器の出力である再生信号に情報パルスが生じ
るようになっている。
信号検出回路3は、光学ヘッド2から入力された再生
信号の情報パルスを1として検出し、再生信号をディジ
タル再生信号に変換する。即ち、信号検出回路3は、再
生信号における情報パルスのピーク位置を検出するピー
ク位置検出回路、あるいは情報パルスの長さおよび間隔
を検出する振幅検出回路を有しており、これら何れかの
回路によって上記の再生信号からディジタル再生信号が
得られるようになっている。
上記の構成において、本光磁気メモリ装置の記録動作
の際には、光学ヘッド2から光磁気ディスク1にレーザ
光が投射され、このレーザ光の照射部位の磁化反転によ
り、第4図に示すように、ディジタルデータ(h)に対
応して、(i)に示す記録マークが光磁気ディスク1に
記録される。このとき、ディジタルデータ(h)におけ
る0に囲まれた1に記録マークのエッジ部が対応するよ
うに記録される。
一方、再生動作の際には、光学ヘッド2から光磁気デ
ィスク1へ上記の記録マークの幅以下の径の集光スポッ
ト4を有するレーザ光が投射される。この反射光は光学
ヘッド2に入力され、再生信号(j)が得られる。
ここで、光学ヘッド2から投射されたレーザ光が光磁
気ディスク1の非マーク部に照射されたときには、カー
効果により非マーク部の磁化方向に応じて、第3図に示
すように、反射光の偏光面が+θだけ回転するものと
すると、反射光のベクトルはR+となる。そして、検光
子の検波偏光面がレーザ光の入射偏光面に対して垂直に
配されているので、反射光R+の検波偏光面成分である
Rα+が検光子での検波によって得られ、光検出器から
得られる再生信号(j)はハイレベルとなる。
また、レーザ光が記録マークのエッジ部間に照射され
ると、記録マークは非マーク部に対して磁化反転されて
いるので、反射光の偏光面は−θだけ回転し、反射光
のベクトルはR−となる。そして、反射光R−の検波偏
光面成分Rα−が検光子での検波によって得られ、光検
出器から得られる再生信号(j)はハイレベルとなる。
尚、このときの再生信号(j)のレベルが若干下がって
いるのは、記録マークからの反射光に対して非マーク部
からの反射光が多少干渉することによる。
また、レーザ光が第4図に示すように記録マークのエ
ッジ部に照射されたときには、記録マークと非マーク部
とからの反射光の偏光面がそれぞれ−θ、+θだけ
回転するので、両反射光の検波偏光面成分は180゜位相
のずれたものとなる。従って、レーザ光の集光スポット
4が記録マークと非マーク部とに均等に照射される時点
にて光検出器の出力は最小となり、再生信号(j)には
負方向の情報パルスが生じる。
ここで、第5図および第6図により、再生信号につい
ての計算機シミュレーションの結果の一例を示す。
第5図は第6図の再生信号についての計算機シミュレ
ーションにおける記録マークと集光スポット4との関係
を示す説明図である。同図において、記録マークは、長
さが4μm、幅がW、エッジ部の湾曲部が半径W/2の半
円である。集光スポット4はガウシアンビームであり、
その半径(ビーム中心強度の1/e2倍になる円における半
径)は、0.65μmである。集光スポット4の走査方向
は、記録マークの長軸方向であり、記録マーク中央と集
光スポット4の中心の距離を同図の上部に示す。また、
記録マークを形成した光ディスク1の基板の屈折率は1.
5、紙面縦方向における隣接トラックとのピッチは1.6μ
mであり、対物レンズの開口率は0.55、集光スポット4
を形成するレーザ光の波長は0.78μmである。
第6図はシミュレーション結果を示す図であって、横
軸が集光スポット4の走査方向であり、記録マーク中央
と集光スポット4の中心との距離を示す。縦軸は光検出
器へ入射する再生光の強度を示す。集光スポット4が完
全に記録マーク以外の部位にあるときを1.0、再生強度
が0のときを0.0にしてある。光検出器においては、こ
れに相当する再生信号が得られる。そして、記録マーク
の幅W(およびエッジ部の湾曲部の半径の2倍)を、0.
4μm、0.6μm、0.8μm、1.0μm、1.4μm、1.8μm
とし、これら7種について再生波形をシミュレーション
した。その結果、W=1.4μmおよび1.8μmのとき、記
録マークのエッジ部にてパルスが顕著であった。
記録マークの幅W(およびエッジ部の湾曲部の半径の
2倍)については、W=1.μmおよび1.4μmのとき、
情報パルスが顕著であり、W=1.0μmおよび0.8μmの
ときも、エッジ部でのパルスはまだ残っており、記録マ
ーク中央部のレベルが徐々に下がっていることが分か
る。
また、このシミュレーションは、上記のような条件下
にて行ったものであるが、これ以外に例えば基板の屈折
率、レーザ光の波長λ、あるいは対物レンズの開口率等
の条件が変われば、当然これに応じて最適な記録マーク
の幅も変化する。
次に、記録マークの幅Wを変えて記録する方法につい
て説明する。例えば、集光スポット4の径は同じにして
おき、外部から印加する磁場の強さを弱くする。そうす
れば、記録マークの幅を小さくして記録することができ
る。逆に、外部から印加する磁場を強くすると、記録マ
ークの幅は大きくなる。
また、磁場の強さを変化させる代わりに、記録時の集
光スポット4の光強度を変化させてもよい。つまり、光
強度を下げると記録マークの幅は小さくなり、逆に、光
強度を上げると記録マークの幅は大きくなる。
尚、集光スポット4を光磁気ディスク1上に集光する
ためのフォーカスサーボ系において、電気的にフォーカ
ス点をずらしても同様な効果がある。つまり、フォーカ
ス点にオフセットを加えることによって、集光スポット
4を広げることである。
次に、上記の再生信号(j)は信号検出回路3に入力
されるが、信号検出回路3がピーク位置検出回路を備え
ている場合、再生信号(j)の情報パルスにおける負方
向のピーク位置に対して立ち上がり部の一致するディジ
タル再生信号(k)が得られる。一方、信号検出回路3
が振幅検出回路を備えている場合、情報パルスにおける
負方向のピーク位置に対して所定幅でハイレベルとなる
ディジタル再生信号(l)が得られる。そして、このデ
ィジタル再生信号(k)または(l)のパルスはディジ
タルデータ(h)の1と対応しているので、この信号か
ら再生情報としてのディジタルデータ(m)が得られ
る。
尚、本実施例においては、レーザ光の入射偏光面に対
して検光子の検波偏光面が垂直になるように配した例に
ついて示したが、本発明においては記録マークのエッジ
部において記録マークからの反射光と非マーク部からの
反射光との間に干渉が生じればよいのであって、必ずし
も両者が垂直である必要はない。
〔発明の効果〕
本発明は光学ヘッドに対して相対移動可能に設けら
れ、情報としての記録マークが記録された光磁気記録媒
体に、上記記録マークにおけるトラック方向と直交する
方向の幅以下の直径の集光スポットを有し、所定の入射
偏光方向を有する光ビームを照射する照射手段と、上記
集光スポット内に記録マークと記録マークでない部分と
が含まれるときに、光磁気記録媒体より得られる上記両
部分からの各再生光を互いに逆位相の光とする光学手段
と、この光学手段から得られる再生光が記録マークと記
録マークでない部分とで逆位相となることによる信号レ
ベルの変化に基づいて記録マークの端部を検出して情報
信号を再生するために、前記所定の入射偏光方向に対し
て垂直な検波偏光方向を備えた検出手段とを備えている
ことを特徴とするものである。
それゆえ、1個の記録マークに多数の情報を含ませる
ことができるので、光磁気記録媒体における記録密度を
高めることが可能となり、記録容量の増大を図ることが
できる。また、単に記録マークを小型化することによっ
て記録密度を高めるものではないから、記録マークを大
きく形成することが可能となり、記録マークの形成が容
易になる。また、例えば第7図に示す1/2波長板116、検
光子117を省略して、ビームスプリッタ112の代わりに偏
光ビームスプリッタを配置することができる。従って、
部品点数を減らすことができ、光学系を簡略化すること
が可能となる等の効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第6図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第1図は光磁気メモリ装置の主要部を示す概略の
ブロック図、第2図は第1図に示した光磁気メモリ装置
の構成を具体的に示した説明図、第3図は光学ヘッドに
おける再生動作の説明図、第4図は記録マークと光磁気
メモリ装置の各部における信号波形との関係を示す説明
図、第5図は第6図に示した再生信号についての計算機
シミュレーションにおける記録マークと集光スポットと
の関係を示す説明図、第6図は計算機シミュレーション
の結果を示し、記録マーク上における集光スポットの位
置と光検出基へ入射する再生光強度との関係を示すグラ
フ、第7図ないし第9図は従来例を示すものであって、
第7図は光磁気メモリ装置の構成を示す説明図、第8図
は光学ヘッドにおける再生動作の説明図、第9図は記録
マークと光磁気メモリ装置の各部における信号波形との
関係を示す説明図である。 1は光磁気ディスク(光磁気記録媒体)、2は光学ヘッ
ド(照射手段)、3は信号検出回路(信号検出手段)、
4は集光スポット、12は偏光ビームスプリッタ(光学手
段)である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 出口 敏久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 寺島 重男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−169947(JP,A) 特開 昭62−84453(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光学ヘッドに対して相対移動可能に設けら
    れ、情報としての記録マークが記録された光磁気記録媒
    体に、上記記録マークにおけるトラック方向と直交する
    方向の幅以下の直径の集光スポットを有し、所定の入射
    偏光方向を有する光ビームを照射する照射手段と、 上記集光スポット内に記録マークと記録マークでない部
    分とが含まれるときに、光磁気記録媒体より得られる上
    記両部分からの各再生光を互いに逆位相の光とする光学
    手段と、 この光学手段から得られる再生光が記録マークと記録マ
    ークでない部分とで逆位相となることによる信号レベル
    の変化に基づいて記録マークの端部を検出して情報信号
    を再生するために、前記所定の入射偏光方向に対して垂
    直な検波偏光方向を備えた検出手段とを備えていること
    を特徴とする光磁気メモリ装置。
JP63200847A 1988-07-20 1988-08-10 光磁気メモリ装置 Expired - Lifetime JP2613921B2 (ja)

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KR1019890010309A KR920006314B1 (ko) 1988-07-20 1989-07-20 광자기 메모리 장치와 광메모리 장치
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