JP2946489B2 - 情報記録再生装置 - Google Patents

情報記録再生装置

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【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は光と磁気の相互効果を用いて情報を情報記録
媒体に記録及び/または再生する情報記録再生装置に関
するものである。
[従来の技術] 光磁気ディスク装置は、記録容量が大きいこと、消去
書き換えが可能なことなどにより注目さされている。さ
らにデータ転送速度を高めるためのオーバーライトの検
討や記録容量を上げるための検討がなされている。
オーバライトの方法には、一定のレーザパワーを照射
しながら記録情報に応じて外部磁界を変調し、媒体に印
加することにより、記録層の磁化を反転してピットを形
成する磁界変調方式や、一定の外部磁界を印加しながら
記録と消去に対応した2値のレーザのパワーを記録情報
に応じて変調し、媒体に照射することにより、記録層の
磁化を反転してピットを形成する光変調方式がある。
しかしながら、磁界変調方式では、磁気ヘッドと記録
層との距離が大きいため、大きな磁界を高速に変調して
媒体に印加するのが困難であった。また原理上、形成さ
れるピットの形は矢羽形状となり、このためエッジ変動
や消し残しの問題があり、ピット長記録が困難であっ
た。
光変調方式でも、消し残しの問題があり、C/N比の低
下やピット長記録が困難であった。また記録、消去、再
生の3値のパワーを必要とするので半導体レーザの制御
が複雑であった。
G.H.May(IBM Technical Disclosure Bulletin Vol.1
6 No.17 December 1973 Page 2365〜2366)は保磁力の
違う2層構成の酸化鉄系のディスクに対して、情報の記
録は保磁力の低い記録伝達層に従来の磁気トランスデュ
ーサにより従来のパターンのトラックを記録し、その狭
い部分を保磁力の高い主記録層に、レーザ光源を用い従
来のサーモマグネチックトランスファープロセスにより
記録し、また、情報の読み出しは主記録層より、記録伝
達層に情報を転写し、従来の磁気トランスジューサによ
り読みとる方式を提案した。
しかしながら、G.H.Mayの提案においては、全体的に
詳しく述べられておらず、特に2層の各層を構成する磁
性材のキューリ温度の関係、磁気ヘッドの種類、磁気ヘ
ッドとレーザスポットとの位置関係、情報の読み取り方
式について明確に述べられれていなかった。
これらの問題点を解決するものとして、本出願人は公
開特許公報昭和63−276731号においてCo−Cr合金薄膜
と、Tb−Fe薄膜の2層構成のディスクに対して、情報の
記録は磁気ヘッドで記録し、かつ光ヘッドで転写するこ
とで行ない、情報の再生は光ヘッドで行なう提案をして
いる。
一方、日本電気光エレクトロニクス研究所(日経エレ
クトロニクス1988.11.14 No.460 Page 107)は、超解像
現象を利用て、光スポット径を20%低減し、光ディスク
の高密度記録を提案している。
[発明が解決しようとしている課題] 高密度化に従来の超解像現象を利用した場合、コリメ
ート光径の20%程度を常時、遮蔽するため、情報の記録
に必要なパワーを得るには、高出力の半導体レーザを必
要とする欠点があった。
また、記録時,再生時において、超解像現象を使い分
けることができる方法があれば、便利であった。
[課題を解決するための手段] 本発明の目的は、上記課題を解決し、比較的簡便な方
法で高密度化を可能にする情報記録再生装置を提供する
ことにある。
本発明の情報記録再生装置は、複数のトラックを有す
る情報記録媒体に光ヘッドを用い、超解像現象を利用し
て情報を記録及び/または再生する情報記録再生装置で
あって、 前記光ヘッドの平行光束中に光軸を中心として、前記
トラックに対し略垂直方向に帯状に光束の強度及び/ま
たは位相を変換する手段と、前記変換の有無を制御する
制御手段とを有することを特徴とする。
また、本発明によれば、少なくとも2層以上の磁性層
群を有し、複数のトラックを有する情報記録媒体を用
い、情報の記録は、磁気ヘッドにより第1の層に情報を
磁区列として記録した後、光ヘッドによる光スポットに
より、第2の層の所望のトラックに第1の層の磁区列に
対応した磁区列を転写して行ない、情報の再生は、光ス
ポットにより第2の層の所望のトラックを走査し、その
反射光の差異を検出することにより行なう情報記録再生
装置において、 磁気ヘッドにより第1の層に記録される磁区列のトラ
ックと垂直方向の幅をトラックの幅より大きくし、磁区
列を消去することなく重ね書きした後、光スポットで第
2の層に転写するか、あるいは磁区列を転写して後消去
することにより、トラックと平行方向の大きさは、磁気
ヘッドによりサブミクロンとなり、トラックと垂直方向
の大きさは光スポットによる1μm程度の磁区列が転写
され、トラックピッチも従来の光磁気ディスクと同程度
の記録が容易に行なえるようにしたものである。
また、トラックに対し略垂直方向に帯状に光束の強度
及び/または位相を変換する手段と、前記変換の有無を
制御する制御手段を設けることにより、半導体レーザに
負担を与えることなく、超解像現象を利用してピットの
線密度及び記録容量の増大が可能になる。
また、光ヘッドの情報を読み取る検出器の前で情報記
録媒体上の光スポットと結像関係にある位置付近に結像
される像のトラックと垂直方向にスリットを置くことに
より、トラックと平行方向の分解能を向上し、さらに、
再生時のみ超解像を用いて、高出力の半導体レーザを用
いず、高密度記録及び再生を行なうことができる。
[実施例] 以下、本発明に係る情報記録再生装置について具体的
な実施例に基づき詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明する図である。
第1図(a)において、1は垂直磁気ヘッド、2は光
ヘッド内の対物レンズ、3は光磁気ディスク、4は透明
基板、5は保護層及び干渉層、6は記録用磁性層(主記
録層)、7は記録補助用磁性層(補助層)、8は保護層
である。第1図(b)は磁性層の温度に対する保磁力の
特性を示すものである。曲線9は補助層7の特性を示
す。つまり補助層7は、室温では保磁力Hc1は小さく、
キューリー温度Tc1は、大きいものである。一方、曲線1
0は、主記録層6の特性を示すものである。つまり、補
助層よりも室温における保磁力Hc2は大きく、キューリ
ー温度Tc2は小さいものである。曲線9のTcompは補償点
温度である。
このような構成の光磁気ディスクが第1図(a)に示
すように矢印A方向に移動しているとする。光ヘッドに
よる光束は基板側から入射し、磁性層上で光スポットを
結ぶ。この光スポットで所望のトラックを走査させるた
めのオートフォーカシング、オートトラッキングは従来
よく知られている方法で行なわれる。
一方、垂直磁気ヘッド1は、基板側とは、逆側に近接
して配置されていて、光スポットで走査している所望の
トラック上で光スポットより先行した位置にある。その
距離は、少なくとも光スポットによる熱の影響を受ける
範囲と、垂直磁気ヘッドによる磁界の影響をうける範囲
が重なり相互作用が生じない程度以上離れている必要が
ある。また、垂直磁気ヘッドのオートトラッキングは、
光ヘッドにより、検出したトラッキングエラー信号を用
いて行なう。
次に第2図、第3図を用いて、情報の記録方法につい
て説明する。
第2図(a)は記録媒体の模式的な断面図、(b)は
平面図である。
(a)においてまず垂直磁気ヘッド1を用い、記録情
報に応じて磁界を変調させる。この時、磁性層上での磁
界絶対値の最大の大きさが室温における補助層7と主記
録層6のそれぞれの保磁力Hc1とHc2の間で適当な値をと
るようにすると、磁界の変調に従い、補助層7に上向
き、下向きの違いによる、垂直磁区列としてピットが形
成される。しかしながら主記録層6においては、保磁力
以下なので影響をうけず前の状態が保たれる。
垂直磁気ヘッドによるピットのトラックに並行な方向
の幅はサブミクロンの大きさが形成でき、光ヘッドによ
る従来のピットよりも線密度を上げることができる。ま
た、トラックに垂直な方向のは幅は、数〜十数トラック
分とし、垂直磁気ヘッドのトラッキングをゆるくしてい
る。
第2図(b)において、11a〜11eの破線は隣接するト
ラックでその幅は1〜2μmである。垂直磁気ヘッド1
で記録されるピットは、実線で示す磁区列となる。今記
録しようとしているトラックを11cとすると、磁区列
は、およそ11cを中心として数〜十数トラックまたがっ
て、前のデータを消去することなく重ね書きされる。
第3図(a)に示すように垂直磁気ヘッド1で磁区列
を記録した後、光ヘッド2のスポット12が所望のトラッ
ク11c上を走査する。この時の磁性層での上昇温度が補
助層7と主記録層6のそれぞれのキューリー温度Tc1とT
c2の間の適当な温度になるように光強度をディスク回転
数に従って制御すると、光スポット12により、キューリ
ー温度Tc2以上に熱っせられた主記録層6の所望のトラ
ック11cでは、磁化が消失することにより、前に記録さ
れていた情報が消される。光スポットが通り過ぎ、キュ
ーリー温度Tc2以下に熱が下がると補助層7の磁化に対
応した磁化が現われる。つまり、第3図(b)の主記録
層6の斜線の領域に補助層7の磁区列に対応した磁区列
が転写され情報が書き込まれる。最終ピット形状はおよ
そ四角形となり、トラックに平滑方向の幅は垂直磁気ヘ
ッドにより決まるサブミクロンとなり、トラックに垂直
方向の幅は、光ヘッドの光スポットにより決まる1μm
前後となる。
次に第4図、第5図を用いて、情報の再生方法につい
て述べる。
第4図において、半導体レーザ13から出た光はコリメ
ータレンズ14、ビーム整形プリズム15を経て平行光束28
となる。今、平行光束28は、紙面に対して平行方向(P
偏光)の直線偏光とする。光束28は光束変換手段16、第
1の偏光ビームスプリッタ17、対物レンズ2を通り、光
ディスク3の磁性層に光スポットを結ぶ。光スポットの
ほとんどは主記録面6で反射し、主記録面6の磁化の向
きの違いにより直線偏光が右か左に回転する。反射光は
再び対物レンズ2により平行光束となり第1の偏光ビー
ムスプリッタ17に入射する。第1の偏光ビームスプリッ
タ17は、P偏光成分についてはおよそ、60%〜70%透
過、40%〜30%反射、S偏光成分については100%反射
するものである。第1の偏光ビームスプリッタ17により
反射された光束は、第2の偏光ビームスプリッタ18に入
射する。第2の偏光ビームスプリッタ18は、P偏光成分
についておよそ80%透過、20%反射、S偏光成分につい
ては100%透過するものである。第2の偏光ビームスプ
リッタ18で反射した光束19は、従来の方法でトラッキン
グ及びフォーカシングのエラー信号を検出し、それによ
り、オートトラッキング、オートフォーカシングを行な
う。第2の偏光ビームスプリッタ18を透過した光束は、
1/2波長板20により偏光角を45度回転した後、第3の偏
光ビームスプリッタ21に入射する。第3の偏光ビームス
プリッタは、P.S偏光成分について両方とも50%反射、5
0%透過のものである。第3の偏光ビームスプリッタ21
を透過した光束は集光レンズ22、スリット24を経て光検
出器26に入射する。一方、第3の偏光ビームスプリッタ
21を反射した光束は集光レンズ23、スリット25を経て光
検出器27に入射する。光検出器26,27からの電気信号を
差動検出することで光磁気ディスク3上の情報が再生さ
れる。なお、70は光束変換手段16を所定時に動作させる
制御回路、72はレーザ駆動回路、71は制御回路70へ指令
の信号を送るCPUである。
第5図において、光束変換手段16と、スリット24,25
の作用について詳しく述べる。
光束変換手段16は電気的なスイッチングをオンにする
ことにより、斜線部29を通過する光の位相または強度を
変換するものである。位相変換の場合は、まわりの光と
位相をπずらす。強度変換の場合は光を遮蔽するもので
ある。これにより、光磁気ディスク3上に作られる光ス
ポットは、スイッチがオフの時は、第5図(b)に示す
ような従来のスポット形状となるが、スイッチがオンの
時は、第5図(c)のように、トラックと平行な方向
(A方向)が超解像スポットとなる。この場合、メイン
ビーム31のトラックと垂直な方向(B方向)の径は
(b)の従来のスポットの径とほぼ同じであるが、トラ
ックと平行方向の径は、従来のスポット径より小さくす
ることができる。しかしながら、サイドロブ32,33が生
じ、また、メインロブの強度が従来のスポットより小さ
くなる。そこで、ここでは、情報の記録時は、スイッチ
をオフにして従来のスポットを用いて行ない、情報の再
生時はスイッチをオンにして超解像スポットを用いる。
再生時のパワーは、磁性層の最大上昇温度がTc2以下に
なるようにする。超解像スポットは対物レンズ2と集光
レンズ22,23により、等倍または拡大してスリット24,25
の位置付近で再び結像される。スリット24,25はメイン
ビーム31のみを通し、サイドロブ32,33をカットするよ
うに配置され、光検出器26,27に入る光は、メインビー
ム31のみとなる。これにより、従来の方法より、トラッ
クの平行方向の分解能を上げることができる。
なお、光束変換手段16を用いず、スリットのみによ
り、従来スポットのトラックに平行方向の一部をカット
することでも従来法よりは分解能は上げられる。
光束変換手段として位相を変換するものは例えば、電
気−光学素子や液晶を用いたものが可能であり強度を変
換するものとしては例えば強誘電液晶と検光子を用いた
ものが可能である。
位相を変換するものとしては、例えば、第8図に示す
ようなものである。光束28中に一軸性結晶LiNbO350を入
れる。51,52は電極で、Z方向に電圧をかけることによ
り、X方向、Z方向成分の光の位相を変調することがで
きる。今、X方向の直線偏光がY方向に進むとする。電
圧をかけない場合、結晶50は光束28に何ら影響を与えな
いようにし、電圧をかけた場合、結晶50を通った光が通
らないまわりの光と位相の差がおよそπになるように設
計する。
これにより、電圧をかけることで先に説明した超解像
を得ることができる。
一方強度を変換するものとしては、例えば、第9図に
示すようなものがある。54,56はガラスの透明基板、55
は強誘電性液晶、57,58はそれぞれ強誘電性液晶55と、
透明基板54,56の間に形成された透明電極、59は検光子
である。
今、X方向の直線偏光がY方向に進むとする。検出子
59の透過軸をX方向とする。
透明電極57,58に+Y方向に電圧をかけた時、X方向
の直線偏光は、強誘電性液晶55によって何ら影響をうけ
ないものとし、ほとんどの光が検光子59を透過する。−
Y方向に電圧をかけた時、X方向の直線偏光がZ方向の
直線偏光に変換され、検光子59によりほとんどの光が吸
収されるように設計する。
これにより−Y方向に電圧をかけた時に強度の変換を
うけ先に説明した超解像を得ることができる。
[他の実施例] 第6図(a)(b)は、本発明に用いる光磁気ディス
クの他の構成を示し、(c)は、温度に対する各層の保
磁力の特性を示す。
第6図(a)は、前述した光磁気ディスクの構成の補
助層7と主記録層6の間に交換力調整層34を配したもの
である。この層の室温での保磁力Hc3とキューリー温度T
c3は、第6図(c)の曲線36のような特性になってい
る。この層は室温では面内方向に磁化されていて、記録
時の光スポットのパワーで温度が上がると補助層7の磁
化の方向と同じ垂直磁化を有するか、磁化が消滅する特
徴があり、室温での補助層7と主記録層6との交換結合
力を弱める働きがあるが、そのため記録時の磁界の強さ
をよりHc1側に下げることができる。
第6図(b)においては、さらに(a)の構成の主記
録層6と保護及び干渉層5との間に再生層35を配したも
のである。再生時のカー効果によるカー回転角は、キュ
ーリー温度の大きい磁性層の方が大きい。再生層35の保
磁力Hc4とキューリー温度Tc4は、第6図(c)の曲線37
のような特性になっている。この再生層35は、再生時の
光スポットのパワーにより上昇した温度において、主記
録層6との交換結合力により主記録層6のピットの磁化
に対応した垂直磁化が現われる。再生時の光の反射は、
ほとんど再生層35の表面で行なわれるのでカー回転角
は、主記録層6での反射の時に比べ大きくなる。
以上ここまで補助層7、主記録層6の特性として第1
図に示したように室温以上で補助層7は補償点があり
(曲線9)、主記録層6は補償点がない(曲線10)につ
いて説明してきたが、第7図の(a),(b),(c)
に示すように、補助層7(曲線9′)も主記録層6(曲
線10)も補償点を持たないもの(第7図(a))、補助
層7(曲線9′)は補償点を持たないが主記録層6(曲
線10′)は補償点を持つもの(第7図(b))、補助層
7(曲線9)も主記録層6(曲線10′)も補償点を持つ
もの(第7図(c))であってもよい。
また、第1図(b)で示す曲線9と10の交点の温度を
NN0とすると、記録時の光スポットのパワーによる磁性
層の最大上昇温度をTWOとTCの間とし、再生時の光スポ
ットのパワーによる磁性層の最大上昇温度をTWO以下に
なるようにしてもよい。
磁性層群の各層の具体的な材料は、遷移金属希土類金
属の各1種類以上の組み合せによる光磁気記録媒体によ
り可能である。例えば遷移金属としては主にFe Co Ni、
希土類金属としては主にGd,Tb,Dy,Ho,Nd,Smがある。
また、補助層の材料は、Co−Cr系、Ba−Ferrite系、M
n Bi系、酸化鉄、Coドープ酸化鉄系、CrO2系、Ni−Co
系、Fe−Ni−Co系の磁気記録媒体やPt Mn Sbなどのホイ
スラー合金であってもよい。
また補助層は、面内磁化を有する磁性層の時は、面内
磁気ヘッドを用いてもよい。
基板4は、ガラス材やPC,PMMAなどのプラスチック材
であり、厚くハードなものであってもよいし、薄くフレ
キシブルなものでもよい。
以上光磁気ディスクについて説明してきたが、カード
状、テープ状の情報記録媒体であってもよい。
また、磁気ヘッドと光ヘッドとは、本実施例で説明し
たように互いに反対側に限定されるものではなく、例え
ば第1図において、光ヘッドが磁気ヘッドと記録担体に
対して同じ側にあってもよい。このような配置において
は、主記録層6と補助層7の配置は、第1図のままでも
よく、この2層が第1図において上下逆になった構成で
も良い。
[発明の効果] 以上、説明したように、光ヘッドの平行光束中に光軸
を中心として、前記トラックに対し略垂直方向に帯状に
光束の強度及び/または位相を変換する手段と、前記変
換の有無を制御する制御手段と有することにより、超解
像を用いて効率的に記録情報の高密度化が図れる。
また情報の再生は、情報を読み取る検出器の前で情報
記録媒体上の光スポットと結像関係にある位置付近にス
リットを置き、さらに再生時のみ超解像を用いることに
より、半導体レーザに負担を与えることなく、さらにピ
ットの線密度及び記録容量の増大が可能なオーバライト
が行なえる。
また、上記2つの効果は記録媒体が接近して設けられ
た少なくとも2層以上の磁性層群を有し、情報の記録
は、まず、磁気ヘッドにより第1の層に情報を磁区別と
して記録した後、光ヘッドによる光スポットにより第2
の層の所望のトラックに前記磁区列に対応した磁区列を
転写して行なう方法を採用する場合に特に顕著な効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a),(b)は、それぞれ本発明の記録再生装
置とそれに用いる情報記録媒体を説明する図である。 第2図(a),(b)及び第3図(a),(b)は本発
明の記録再生装置の記録方法を説明する図である。 第4図は、本発明に係る記録再生装置の光ヘッドの構成
を説明する図である。 第5図(a)は本発明の記録再生装置に用いる光束変換
手段の説明図、(b),(c)はそれぞれ超解像スポッ
トを説明するための図である。 第6図(a),(b),(c)及び第7図(a),
(b),(c)はそれぞれ本発明の記録再生装置に用い
る情報記録媒体の他の構成を説明する図である。 第8図及び第9図は、それぞれ本発明に係る光束変換手
段の構成の一例を示す図である。 16……光束変換手段、70……制御回路、 24,25……スリット、1……垂直磁気ヘッド、 2……対物レンズ、3……光磁気ディスク、 6……主記録層、7……補助層、 11a〜11e……トラック、 31……メインビーム、 32,33……サイドロブ、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 和也 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ャノン株式会社内 (72)発明者 飯島 克己 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−84458(JP,A) 特開 昭64−52240(JP,A) 特開 昭63−193354(JP,A) 特開 昭60−74131(JP,A) 実開 昭63−78313(JP,U)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のトラックを有する情報記録媒体上に
    光ヘッドにより光スポットを照射し、情報の記録及び再
    生を行う情報記録再生装置において、 前記トラックと平行方向の前記光スポットの径を縮小さ
    せるため、前記光ヘッドの平行光束中に配置され前記光
    束中の一部の位相を変換する位相変換手段と、前記位相
    変換手段による変換のオン、オフを制御する手段とを備
    え、前記制御手段は、前記記録時に前記変換をオフに
    し、前記再生時に前記変換をオンにすることを特徴とす
    る情報記録再生装置。
  2. 【請求項2】前記情報記録媒体が接近して設けられた少
    なくとも2層以上の磁性層群を有し、情報の記録は、ま
    ず、磁気ヘッドにより第1の層に情報を磁区列として記
    録した後、前記光ヘッドによる光スポットにより第2の
    層の所望のトラックに前記磁区列に対応した磁区列を転
    写して行う方法を採用する請求項1記載の情報記録再生
    装置。
  3. 【請求項3】前記光ヘッドの情報を読み取る検出器の前
    で、情報記録媒体での前記光スポットと結像関係にある
    位置付近に、結像される像のトラックと略垂直方向にス
    リットを置くことを特徴とする請求項1又は2に記載の
    情報記録再生装置。
  4. 【請求項4】前記位相変換手段は、強誘電液晶または電
    気−光学結晶であることを特徴とする請求項1乃至3の
    いずれか1項に記載の情報記録再生装置。
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