JPS61206951A - 同時消録型の光磁気記録兼再生装置のピツクアツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は同時消録型光磁気記録方式に使用する記録兼再
生装置のピックアンプに関するものである。

（発明の背景） 光磁気記録方式とは、光磁気記録再生方式から由来した
術語であり、光熱磁気記録方式とも呼ぶことができる。

この光磁気記録方式とは９例えばＧｄＣｏ、　ＧｄＴｂ
Ｆｅの如き垂直磁化膜からなる光磁気記録媒体の磁化の
方向を予め強力な外部磁場により膜面に対し上向きか又
は下向きかのいずれか一方に揃えておく　（この作業を
初期化という）。その上でこの媒体に反対向きの垂直磁
化を有するピットを形成することにより、２値化された
情報を記録して行くものである。このピットを形成する
には直径を１〜２ミクロン程度に絞ったレーザービーム
を照射して、その部分の温度を磁化膜のキュリ一点付近
に上昇させ、それにより、その部分の保磁力をゼロ又は
ほとんどゼロにし、同時に反対向きの弱い外部磁場（バ
イアス磁場）を印加して磁化の向きを反転させ、その上
でレーザービームの照射を止めると、自然に冷却されて
常温に戻り。

反転した磁化の向きが固定される。こうして磁化の向き
が反対のピットが形成される。従って２例えば元の向き
を「０」とすれば、「１」のピットが形成され、２硫化
された情報は、このピントの有無又はピット長として記
録される。

こうして記録された２値化情報は、記録媒体に対して直
線偏光（レーザービーム）を照射して。

その反射光や透過光の偏光面の回転状況が磁化の向きに
よって相違する現象（磁気カー効果及びファラデー効果
）を利用して読み取られる。つまり。

入射光に対して磁化の向きが上向きのとき２反射光や透
過光の偏光面が入射光の偏光面に対してθに度回転した
とすると、入射光に対して磁化の向きが下向きのときは
一θに度回転する。従って２反射光や透過光の先に偏光
子（アナライザーとも呼ばれる）の主軸を一θに変面に
ほぼ直交するように置いておくと、下向き磁化の部分か
らの光はアナライザーをほとんど透過せず、上向きの磁
化の部分からの光はｓｉｎ”２θにの分だけ透過するの
で。

アナライザーの先にディテクター（光電変換手段）を設
置しておけば、記録媒体を高速でスキャンニングして行
くと、記録された磁気的情報に基づいて電流の強弱信号
（電気的情報）が再生される。

ところで記録済みの媒体を再使用するには、（イ）再び
初期化装置で初期化するか、　（ロ）別に消去用のヘッ
ドを併設するか、　（ハ）予め前段処理として記録ヘッ
ドを用いて消去する必要がある。しかしながら、初期化
装置は大型で高価であり、記録装置に付随させることは
実用上無理である。別に消去用のヘッドを併設すること
も、それだけ製造コストが上昇する。また、予め記録装
置を用いて消去することも、消去に記録時と同じ時間が
かかるので実用的な魅力に乏しい。

従って、簡単に記録済みの情報を消すと同時に新しい情
報を記録できると好都合である。このように同時消録す
るには、記録媒体の磁化の向きが上向き、下向きのいず
れを向いていても、希望する磁化の向きを有するピット
を形成できなければならない。そのためには、バイアス
磁場が一方向だけでなく、希望に応じて上向き、下向き
のいずれにも変えられなければならない。しかもその変
化の速度（変調周波数）は、記録速度を高めるため、メ
ガＨｚ（１０ｈサイクル／秒）程度必要である。もし、
そうでなければ、この光磁気記録再生方式は他の記録再
生方式に比べて魅力が失なわれることになる。

他方、バイアス磁場を得るには、永久磁石か電磁石を使
用する訳であるが、磁化の向きをメガＨｚの頻度で変化
（変調）させるには電磁石しか考えられない。何故なら
ば、永久磁石をメガＨｚの顧度で機械的に反転させるの
は相当に困難であるからである。しかし、電磁石でも、
記録媒体の垂直磁化膜に対し非接触で十分な磁場を及ぼ
すには相当に大きな電流を電磁石に流す必要があり、こ
の電流の方向をメガＨｚの頻度で変調させるのは相当に
困難である。

従って、現在のところ、バイアス磁場は定磁場の方式し
か考えられておらず、結局、光磁気記録方式は別に消去
−ラドを併設しない限り同時消録が不可能と考えられて
いる。

ところで光磁気記録媒体は９通常円盤状であるので同心
円又は渦巻き状の記録領域（Ａｗ）を持ち、隣接の記録
領域（Ａ　ｗ）との重複を避けるため、記録領域（Ａ　
ｗ）と記録領域（Ａｗ）との間に非記録領域（Ａｍ）を
有する（第２Ａ図参照）。

また第２Ａ図のようにトラッキングの溝を形成すること
で記録領域（Ａｗ）と非記録領域（Ａｍ）をあらかじめ
区別することをしない媒体でも。

トラック間のクローストークを防ぐために、記録トラッ
ク間に十分な非記録領域（Ａｍ）を設けるのが普通であ
る。

そして、記録領域（Ａｗ）に垂直磁化膜を形成する際に
非記録領域（Ａｍ）に垂直磁化膜を形成させないように
するのは非常に面倒なので、一般には全体に垂直磁化膜
を形成してしまう。そのため、非記録領域（Ａｍ）が常
に一方に揃った垂直磁化を持つことになり、しかも、記
録領域（Ａｗ）に非記録領域（Ａｍ）が隣接するため、
記録領域（Ａ　ｗ）には第２Ｂ図に破線で示すように非
記録領域（Ａｍ）からの浮遊磁場が及ぶことになる。

本発明者は、他の発明者と共に先に垂直磁化膜の温度を
メガＨｚ程度の頻度で変調することが可能な点に注目し
、温度によって変わる非記録領域（Ａｍ）からの浮遊磁
場をバイアス磁場として利用することにより同時消録を
可能にした光磁気記録方式を発明し、特許出願した（特
願昭５９−９１３６０号）。

但し、垂直磁化膜の材料によっては、温度を高温、低温
の２段階に設定したとき、その垂直磁化の向きがいずれ
の温度段階に於いても同じ場合や。

２つの温度段階の間に補償温度があり、そのため磁化の
向きが異なる場合でも、上向き又は下向きのいずれか一
方の向きの垂直磁化の大きさが不十分で、そこからの浮
遊磁場が記録に十分な記録用磁場ＩＨｗｌより弱い場合
には、補助としてバイアス定磁場を印加することにより
、変調される浮遊磁場との和によって、記録が可能にな
る。一般には、高温時の浮遊磁場をＨｔ、低温時の浮遊
磁ア 場をＨ６＋　バイパス定磁場をＨｂとすれば。

ＩＨ，＋　　Ｈｂｌ≧ＩＨＷＩ ＩＨ０＋　　Ｈｂｌ≧ＩＨＷ１ でなければならない。

従って、先願発明では垂直磁化膜からなる記録領域（Ａ
ｗ）と一方の向きに揃った垂直磁化を示す非記録領域（
Ａｍ）とを有する光磁気記録媒体に対して、第３図に示
すように。

該媒体（Ｓ）をモーター（３３）で回転させながら、前
記記録領域（Ａｗ）には、その保磁力がゼロまたは相当
に小さくなる温度に上げるのに十分な光強度を有する主
ビーム（Ｂｗ）を記録中常時照射し、同時に必要に応じ
て永久磁石、または電磁石（４０）により記録領域（Ａ
ｗ）にバイアス定磁場を印加し。

他方、非記録領域（Ａｍ）には、別の副ビーム（Ｂｍ）
の強度を高強度と低強度（ゼロを含む）との間で（３９
）により変調して照射して非記録領域（Ａｍ）の温度を
高温と低温との間で変調し。

それにより非記録領域（Ａ　ｍ）の垂直磁化を変調し。

この変調された垂直磁化からの浮遊磁場と必要に応じて
印加されるバイアス定磁場との和によって互いに向きの
異なる記録用磁場を作り出し、それにより記録領域（Ａ
ｗ＞に上向きの磁化を有するピット（ｐｏ　）と下向き
の磁化を有するピット（Ｐｌ）とを形成し、それらのピ
ットにより記録を行なうのである。

（発明の目的） 本発明の目的は、上述の如き同時消録型光磁気記録方式
に適した記録及び再生の両方に兼用できる記録再生装置
のピックアップを提供することにある。

（発明の概要） 本発明は、主ビーム（Ｂｍ）を記録兼再生に使用するも
ので、その特徴をするところは。

（１）記録領域（Ａｗ）を照射する波長λｗの偏光ビー
ム（ＢＹ）光源 （２）　　非記録領域（Ａｍ）を照射する波長λ。とは
異なる波長λｗの偏光ビーム（Ｂ　ｍ）光源（３）　　
ビームスプリッター。

（４）第１面に１／４波長板及びその外側に反射層が設
けられ、第２面に１／４波長板及びその外側にビーム（
Ｂｍ）を透過し、ビーム（Ｂｗ）を反射する。第１干渉
フィルターを設けた第１偏光ビームスプリッタ−であっ
て、媒体からの反射光（Ｂｍ）を第１光と第２光とに分
割するもの。

（５）　　第２偏光ビームスプリッタ−１（６）　　ビ
ーム（Ｂｍ）を透過し、ビーム（Ｂｗ）を透過しない第
２干渉フィルター。

（η　第１光を受光する第１光電変換手段、及び（８）
第２光を受光する第２光電変換手段からなり。

記録時には。

・ビーム（Ｂｍ）は、前記ビームスプリッタ−を経て、
記録媒体に垂直に入射させ。

・ビーム（Ｂ　ｗ）は第２偏光ビームスプリッタ−をは
Ｌ’　１００％透過させて第１偏光ビームスプリッタ−
の第３面に入射させ、第１面に設けられた反射層で反射
させた後、第２面に設けられた第１干渉フィルターで更
に反射させ、その反射光を第４面より出射させて、前記
ビームスプリッタ−を経て記録媒体に垂直入射させ。

再生時には ビーム（Ｂｍ）を前記ビームスプリッターを経て記録媒
体に垂直入射させ、該媒体で反射されたビーム（Ｂｍ）
を前記ビームスプリッタ−を経て前記第１偏光ビームス
プリッタ−の第４面に入射させ、そして第１光と第２光
とに分割し、第１光を第３面より出射させて、第２偏光
ビームスプリッタ−に入射させ、そこでほぼ１００％反
射させて第２干渉フィルターを通って第１光電変換手段
に受光させ、第２光を第２面より出射させて１／４波長
板及び第１干渉フィルターを通って第２光電変換手段に
受光させる ことを特徴とする同時消録型光磁気記録兼再生装置のピ
ックアップにある。

以下９本発明を実施例により具体的に説明するが２本発
明はこれに限定されるものではない。

（光磁気記録媒体の一例） 厚さ１．２簡の円形ガラス基板に厚さ３０００人のＧｄ
！４＋　　（Ｆｅｙｓｃｏｘｓ）？＆の垂直磁化膜（第
１層）を形成し、その上に厚さ２０００人のＴｂ、１．
Ｆｅ６６の垂直磁化膜（第２層）を形成することにより
作られたもので１元素記号の右下の数字は原子数％によ
る組成を表す（以下同じ）。

ここでは、簡単のために特に基板に溝を設けることはせ
ず、巾１ミクロンの記録領域（Ａ　ｗ）と。

その隣りに巾３ミクロンの非記録領域（Ａｍ）とを渦巻
き状に設定しである。

この媒体は予め＋１５にエルステッド（Ｏｅ）の外部磁
場を印加して初期化する。（なお、これ以後数値の前に
十とあるのは上向きの磁場又は磁化を、−とあるのは下
向きの磁場又は磁化を示す。）初期化により非記録領域
（Ａｍ）は、第１層が一６４ガウス（Ｇ）、第２層が＋
２４０Ｇの垂直磁化を示し、他方記録領域（Ａｗ）に記
録するのに十分な記録用磁場ｌＨｗｌは２０００ｅであ
る。

（実施例１） 第１図は本実施例の光磁気記録兼再生装置のピックアッ
プの構成を示す概念図（レンズ系は省略）である。

第１図に於いて、（１）は波長λ−＝７８０ｎｍの偏光
ビーム（Ｂｗ）を発するレーザー光源であり。

（２）はλ−＝８３０ｎｍの偏光ビーム（Ｂ　ｍ　）を
発するレーザー光源である。（３）はビーム（Ｂｍ）及
び（Ｂｗ）の記録媒体（Ｓ）への照射光の光軸を一致さ
せるためのビームスプリッターであり、（４）は第１偏
光ビームスプリッタ−である。

偏光ビームスプリッタ−（Ｐ　Ｂ　Ｓ）とは３例えばウ
オーラストンプリズム、ローションプリズム。

トムソンプリズム、薄膜型偏光ビームスプリッタ２つの
偏光の強度比はそのＰＢＳの方位と入射偏光の基準偏光
面との成す角度（γ）によって決まａ）が設けてあり？
１／４波長板（４ａ）を２度通ると偏光面が９０度回転
する。１／４波長板（４ａ）の外側には更に反射層（４
ｂ）を設けである。更に第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４）の第
２面には同じく１／４波長板（４ｃ）、その外側にビー
ム（Ｂｍ）を透過しビーム（Ｂｗ）を反射する第１干渉
フィルター（４ｄ）が設けである。第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　
（４）はビーム（Ｂ　ｍ　）を第１光と第２光に分割す
る。

（５）は第：２　Ｐ　Ｂ　Ｓであり、（６）はビーム（
Ｂｍ）を透過しビーム（Ｂ　ｗ）を透過しない第２干渉
フィルターであり、（７）は第１光を受光する第１光電
変換手段、（８）は第２光を受光する第２光電変換手段
である。（Ｓ）は前述の記録媒体である。

ビームスプリッター（３）と第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４）
は、方位（Ｔ）が４５≧γ〉θ度量に傾けて配置され、
他方第１ＰＢＳｆ４）と第２　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（５）とは
方位を一致させである。

主ビーム（Ｂ　ｗ）は記録媒体（Ｓ）の記録領域（Ａ　
ｗ）を照らし、照射面が直径１μｍの円となるように設
計され、副ビーム（Ｂ　ｍ）は同心の直径５μｍの円と
なるように設計され、従って、副ビーム（Ｂｍ）は記録
領域（Ａ　Ｗ）及びその両側に設けられ゛た非記録領域
（Ａｍ）を照らす。（第４図参照） 圓Ｉ司 記録時には、光源（１）からの主ビーム（Ｂ　ｗ）を第
２　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（５）→第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４）→
ビームスプリッター（３）を経て媒体（Ｓ）に垂直入射
させる。

もうすこし詳しく説明すると、光源（１）より第１図紙
面に平行な振動面を有する偏光ビーム（ＢＸ）を発振さ
せ１次いで第２　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（５）をほり１００％透
過させた後、第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４１の第３面より第
１Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４）に入射させる。ビーム（Ｂりは第
１ＰＢ　Ｓ　（４）をはＶ１００％透過して！／４波長
板（４ａ）に達し２反射層（４ｂ）で反射されて再び１
／４波長板（４ａ）を通る。この間にビーム（ＢＷ）は
１／４波長板（４ａ）を２度通るので振動面は９０度回
転して第１図紙面に垂直な振動面を持つ。そのためビー
ム（Ｂｗ）は今度は第１ＰＢＳ（４）で反射されて第１
　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４）の第２面を通って１／４波長板（
４Ｃ）に達し第１干渉フィルター（４ｄ）で反射されて
再び←１／４波長板（４Ｃ）を通る。この間にビーム（
Ｂ　ｗ）は１７４波長板（４Ｃ）を２度通るので振動面
は９０度回転して再び第１図紙面内に平行な振動面を持
つ、そのためビーム（Ｂｗ）は今度は第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ
　（４）をほぼ１００％透過して第４面より出射して、
ビームスプリッタ−（３）にはいり、それを透過して媒
体（Ｓ）に垂直入射する。

主ビーム（Ｂｗ）は記録時常時照射し続け、その強度は
垂直磁化膜の温度が１５０〜１６０℃に達する強度とす
る。そうすると記録領域（Ａｗ）の保磁力はほとんどゼ
ロになる。主ビーム（ＢＷ）は媒体（Ｓ）で反射されて
も、その反射光は第１干渉フィルター（４ｄ）及び第２
干渉フィルター（６）でカットされる。

それに対し、副ビーム（Ｂｍ）は光源（２）で発光させ
てビームスプリッター（３）で反射させて、その反射光
を媒体（Ｓ）に垂直入射させる。主ビーム（Ｂ　Ｗ）と
副ビーム（Ｂｍ）とは主光線が一致しており９両者の媒
体面上のスポット外径形状は同一円の関係にあり、主ビ
ーム（Ｂｗ）のスポットは小さく、副ビーム（Ｂｍ）の
スポットは大きい。

副ビーム（Ｂ　ｗ）の強度は、変調手段（図示していな
い）によって光源（２）をコントロールすることにより
、記録したい２値化情報に従い変調する。

変調強度は、高強度時で非記録領域（Ａｍ）の垂直磁化
膜の温度が１００〜１１０℃に達する強度とし、低強度
時はゼロとする。

その結果、副ビーム（Ｂｍ）の強度が高強度の時には記
録領域（Ａ　ｗ）に対して周囲の非記録領域（Ａｍ）か
ら−２０００ｇの浮遊磁場（主ビーム（Ｂｗ）の当たっ
ている点に於ける値）が及ぼされて、下向きの垂直磁化
を有するピットが形成され、副ビーム（Ｂ　ｍ　）の強
度が低強度の時には同じ＜−２０００ｅの浮遊磁場が及
ぼされて上向きのピットが形成される。こうして、上向
きのピットと下向きのピットにより所望の２値化情報が
記録されて行く。

ところで、媒体（Ｓ）で反射された副ビーム（Ｂｍ）は
、非記録領域（Ａｍ）からの反射光。

これから記録しようとする記録領域（Ａ％）のピット（
先行ピット）からの反射光、及び今記録し終ったピット
（後行ビット）からの反射光を含んでいるので、副ビー
ム（Ｂｍ）の反射光は、制御光及び先行、後行モニター
光として利用することが奔できる。先行モニターとは９
例えばそのセクターやトラックが記録してもよいものか
否かを示す媒体上の固有信号を検地するものであり、後
行モニターとは、今記録したピットが所望のピットに形
成され、たか否かを調べるものである。いずれにせよ、
モニターすべきピットからの反射光をそれぞれ独自に電
気信号に変換する必要があるので。

副ビーム（Ｂｍ）で照らされた媒体面を光電変換手段の
受光面又はきれと等価な面に投影ないし結像させる投゛
影光学系ないし結像光学系が反射光路中に必要である（
図示せず）。

制御、先行、後行モニターのいずれか１つに利用すると
きには、受光面又はこれと等価な面に利用したい反射光
だけを通すマスクを置き、その透過光を単に光電変換手
段（７）又は（８）のいずれか一方又は両方に受光させ
るか、又はマスクの代わりに利用したい反射光だけを受
光する形状、配置の光電変換手段（７）又は（８）のい
ずれか一方又は両方に受光させる。

しかし、制御、先行モニター、後行モニターのいずれか
２以上に利用するときには、マスクの代りに利用したい
反射光だけを受光する形状、配置の受光素子２以上から
なる光電変換手段（７）及び／ス（− であり、　（８ａ）は先行モニター用、（８ｂ）は現在
記録中のピットからの反射光を受光するもの。

（８ｃ）は後行モニター用、　　（８ｄ）及び（８ｅ）
は制御用である。（８ａ）中の想像線は、これから記録
しようとする領域にある先行ビットの投影像ないし結像
実像であり、　　（８ｃ）中の想像線は、今記録し終っ
た領域にある後行ピットの投影像ないし結像実像である
。

モニターは、　　（８ａ）、　　（８ｃ）に結像された
ピットの磁化が上向きか下向きかを調べることになるが
、副ビーム（Ｂｍ）の先行又は後行ピットからの反射光
は偏光面がθｋか一θｋに回転することで、その磁化の
向きを教えているので、このθｋか−θｋかを区別する
には、媒体からの反射光（Ｂｍ）を第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　
（４）で光量変化に変換する必要がある。光量変化が出
れば、それを受光素子で電気信号の強弱に変換すること
ができ、θｋか−θｋかを区別できる。

第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４１で光量変化に変換するには、
基準偏光方向に対し、第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４）の方位
角（ｒ）を４５≧γ〉Ｏとなるように傾けると、ＰＢＳ
によって分割された第１光と第２光の各光量差（コント
ラスト・−・−・−この値が大きいほど情報をとり易＜
、Ｓ／Ｎ比が上がる）の値が変わり、０度では光が一方
にはｓｌ　Ｑ％（１／２・ｓｉｎ”　＆θｋ）他方には
り１００％（１００％−１／　２・ｓｉｎ”　８θｋ）
の割合で分割されるものの、１００％の方の光は光量差
を示さず、どちらからも情報をとることかでり、他方の
光のそれは、最小となる。γを２〜３度から４５度に増
加させるに従い、第１光、第２光の光量変化は接近し、
４５度では光量、光量変化上ともに一致する。

一般には、第１光、第２光のうち光量変化（コントラス
ト）の大きい方の光を情報光として光電変換手段に受光
させれば、そこでは情報に従って強弱に変調された振幅
のより大きい電気信号が得られる。ところが光源の光強
度のゆらぎを除去する目的、その他の目的から差動法な
る再生法が知られており、その場合には、第１光と第２
光との変換された各電気信号の差をとって情報成分を得
る。他方、制御光としては、光量変化の少ない方の光だ
けを利用してもよいし、第１光と第２光の両者を利用し
てもよい。制御光としては、光量の多い方が好ましい。

それに対し、情報光としては。

光量変化が大きい方が好ましい。

一般にはＰＢＳでの入射再生光の分割態様は。

ＰＢＳ方位の角度（γ）で分けると９例えば２〜３度、
１０度、４５度の３通りに分けられ、それぞれによって
１分割された光（第１光と第２光）の処理は上述の如く
違ってくるし、同一の分割態様でも分割光の処理は上述
の如く何通りかに分けられる。例えば、４５度差動法で
は、光電変換手段（７）及び（８）はいずれも、制御及
びモニターの両方に利用する場合、第６図の如きそれぞ
れ独立した受光素子群からなる光電変換手段であること
が必要であるが、２〜３度又は１０度差動法では、一方
に第６図の如き手段、他方に単一の大きな受光素子から
なる手段でよい。

ところで記録中にモニターするので照射する副ビーム（
Ｂ　ｍ）は２元々ｆｍ（ｔ）に変調されている。従って
、先行モニターの場合には、光電変換手段（７１，（８
１で変換されたモニター電気信号Ｘ（ｔ）にはｆ、＊（
ｔ）が含まれるので、　Ｘ（ｔ）をｆ、（ｔ）で割って
、得られる商Ｘ／ｆ、（ｔ）が真の固有信号となり、こ
れを常法に従い処理して、その意味するところを知得し
なければならない。

同様に後行モニターの場合、光電変換手段（７）。

（８）で変換されたモニター電気信号５（ｔ）をｆ、（
ｔ）で割って、得られる商５（ｔ）　／ｆ、　（ｔ）が
真の情報信号となるので、これをｆ、（を−Δｔ）と比
較し。

両者が一致すれば正しく記録されていることが知られる
。′ 眞■岨 再生時には、主ビーム（Ｂ　Ｗ）は消灯して副ビーム（
Ｂｍ）のみを強度を落として同様に媒体（Ｓ）に照射さ
せる。媒体（Ｓ）で反射されたビーム（Ｂ、ｍ）は偏光
面がθｋ又は−〇に回転しており、ビームスプリッター
（３）を通して第１　ＰＢＳ（４）に入射させると、こ
こで第１光と第２光に分割され、第２光は１／４波長板
（４ｃ）、第１干渉フィルター（４ｄ）を経て第２光電
変換手段（８）に受光させ、第１光は第１ＰＢＳ（４１
の第３面より出射させて、第２　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（５１で
はＶ１００％反射させて干渉フィルター（６）を経て 第１光電変換手段（７）に受光させる。光電変換手段（
７）、　（８）で受光され、変換された信号をどのよう
に処理して、情報取出し、制御に利用するか否かは、記
録時の副ビーム（Ｂ　ｍ）の反射光の利用で述べたこと
と同じになる。第１　Ｐ　Ｂ　Ｓ　（４）の方向を１０
度として差動法をとる場合には、結像ないし投影光学系
を設けて副ビーム（Ｂｍ）で照らされた媒体面を受光素
子面に結像ないし投影し、専ら非記録領域（Ａ　ｍ　）
からの反射光を受光する光電変換手段（７）と専ら非記
録領域（Ａｗ）からの反射光を受光する光電変換手段（
８）を配置し、情報信号をとるには手段（７）、（８）
で変換された信号の差動をとり、制御信号をとるには手
段（７）の信号をそのまま利用する。この場合１手段（
８）は第６図に示す如く５個の独立した受光素子からな
る光電変換手段を使用してもよく、その場合には同一の
ビットからの反射光が受光素子（８ａ）、　　（８ｂ）
、　　（８Ｃ）で次々と時間差を以って受光され、それ
ぞれ電気信号に変換される。そこで差動を取って情報信
号を得た後、遅延回路を使って、ある時刻に３者を足し
合わせれば、１つのピットからの情報信号強度は３倍に
なるので、Ｓ／Ｎ比は６８倍向上する。この方法は２本
出願人の先願：特訓昭和５８−１５２８３９号の明細書
に詳しく開示されである。

（実施例２） 本実施例は実施例１の変形例であり、その構成を第５図
に示す。配置が多少変っただけで本質的には実施例１と
変らない。

（発明の効果） 以上の通り１本発明によれば、主ビーム（ＢＷ）と副ビ
ーム（Ｂｍ）との波長を違えることによって、後の処理
がし易くなり、また１つの装置で再生にも使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本願発明の実施例工にかかるピックアップの
全体構成を示す概念図である。 第２Ａ図は、記録媒体の概略垂直断面図である。 第２Ｂ図は、記録媒体の記録領域（Ａ　ｗ）に対して非
記録領域（Ａｍ）から浮遊磁場が印加される様子を示す
概念図である。 第３図は、先Ｓ：特願昭５９−９１３６０号の発明にか
かる同時消録型光磁気記録装置の全体構成を示す概念図
である。 第４図は、記録媒体にビーム（Ｂｗ）、　　（Ｂｍ）を
照射した様子を示す説明図である。 第５図は実施例２にかかるピックアップの全体構成図を
示す概念図である。 第６図は、独立した多数の受光素子（８ａ〜８ｅ）から
なる光電変換手段の受光面に、投影された副ビーム（Ｂ
ｍ）の様子を説明する概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 垂直磁化膜からなる記録領域（Ａｗ）と一方の向きに揃
   った垂直磁化を示す非記録領域（Ａｍ）とを有する光磁
   気記録媒体に対して、 （１）前記記録領域（Ａｗ）を照射する波長λ＿ｗの偏
   光ビーム（Ｂｗ）光源、 （２）前記非記録領域（Ａｍ）を照射する、波長λ＿ｗ
   とは異なる波長λ＿ｍの偏光ビーム（Ｂｍ）光源、 （３）ビームスプリッター、 （４）第１面に１／４波長板及びその外側に反射層が設
   けられ、第２面に１／４波長板及びその外側にビーム（
   Ｂｍ）を透過しビーム（Ｂｗ）を反射する第１干渉フィ
   ルターを設けた第１偏光ビームスプリッターであって、
   媒体からの反射光（Ｂｍ）を第１光と第２光とに分割す
   るもの （５）第２偏光ビームスプリッター、 （６）ビーム（Ｂｍ）を透過し、ビーム（Ｂｗ）を透過
   しない第２干渉フィルター、 （７）第１光を受光する第１光電変換手段、及び （８）第２光を受光する第２光電変換手段 からなり、記録時には、 ・ビーム（Ｂｍ）は前記ビームスプリッターを経て記録
   媒体に垂直に入射させ、 ・ビーム（Ｂｗ）は第２偏光ビームスプリッターをほゞ
   １００％透過させて第１偏光ビームスプリッターの第３
   面に入射させ、第１面に設けられた反射層で反射させた
   後、第２面に設けられた第１干渉フィルターで更に反射
   させ、その反射光を第４面より出射させて、前記ビーム
   スプリッターを経て記録媒体に垂直入射させ、再生時に
   は、ビーム（Ｂｍ）を前記ビームスプリッターを経て記
   録媒体に垂直入射させ、該媒体で反射されたビーム（Ｂ
   ｍ）を前記ビームスプリッターを経て前記第１偏光ビー
   ムスプリッターの第４面に入射させ、そして第１光と第
   ２光とに分割し、第１光を第３面より出射させて、第２
   偏光ビームスプリッターに入射させ、そこでほぼ１００
   ％反射させて第２干渉フィルターを通って第１光電変換
   手段に受光させ、第２光を第２面より出射させて、１／
   ４波長板及び第１干渉フィルターを通って第２光電変換
   手段に受光させることを特徴とする同時消録型の光磁気
   記録兼再生装置のピックアップ