JPS61273756A - 光デイスク - Google Patents

光デイスク

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Publication number
JPS61273756A
JPS61273756A JP60116122A JP11612285A JPS61273756A JP S61273756 A JPS61273756 A JP S61273756A JP 60116122 A JP60116122 A JP 60116122A JP 11612285 A JP11612285 A JP 11612285A JP S61273756 A JPS61273756 A JP S61273756A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
layer
reflected light
transparent dielectric
multiple reflected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60116122A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Nishiwaki
青児 西脇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60116122A priority Critical patent/JPS61273756A/ja
Publication of JPS61273756A publication Critical patent/JPS61273756A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度記録を実現する光ディスクに関するもの
である。
従来の技術 第5図は従来の光ディスクの記録媒体構造を示す説明図
である。1はインジェクションによって溝転写されたデ
ィスク基材であり、その記録面上にアモルファス等の記
録材料が蒸着もしくはスパッタリングされ記録層2が形
成される。これにUV樹脂等の接着剤3を一様に塗布し
て裏面ディスク基材4をはりあわせ一枚の光ディスクと
なる。
第6図aは記録面をレーザー照射側から見た説明図であ
り、案内溝S上に熱記録により記録ドツト6が形成され
ている。記録ドツト6は他の記録面に比べ反射率が高く
透過率は小さい。第6図すは案内溝S上をレーザービー
ムスポット7が走査スることにより、光学系の検出部で
検知される反射信号を示す説明図であり、未記録部8で
の反射率Id、 R()、記録ドツト6ではR1、記録
ドツト間の未記録部9ではR2の反射率である。
同様に第7図aは記録面をレーザー照射側から見た説明
図であり、記録ドツト6′は他の記録面に比べ反射率が
低く透過率は大きい。第7図すは案内溝6′上をレーザ
ービームスポット7′が走査することによシ、光学系の
検出部で検知される反射信号を示す説明図であシ、未記
録部8′での反射率はR0′、記録ドープト6’ではR
1/、記録ドツト間の未記録部ではR2′の反射率であ
る。信号の記録は基材1側から高出力の絞られたレーザ
ービームを照射することで記録ドツト6(又は6′)を
形成′し、再生は低出力のレーザービームスポット7(
又は7′)を照射し記録ド・フト6(又は6′)と記録
ドツト間9(又は9′)との反射率変動を読みとること
で実現される。信号振幅(R1−R2)又は(R2/ 
 R1′)は一般にS/Nと比例関係にあり、記録層の
膜厚と案内溝形状との最適設計によりある程度のS/N
向上を図ることが出来る。
発明が解決しようとする問題点 光ディスクは記録の信頼性を高めるためにはS/Hの高
い方がよく、また記録保存性も要求される。一般に高S
/Nと記録保存性とは記録材料によって決定される相反
する特性であり、S/Nを高くすれば記録保存性が損わ
れ、記録保存性を保証すればS/N低下をまねく。特に
画像ファイルや文書ファイル更にはコンピューター外部
メモリに応用される光ディスクには10年以上の記録保
存性が要求されており、そのためS/Nの低い記録材料
の選定を余儀なくされている。また第8図は記録媒体の
断面図であり、レーザービームAにより記録層2“は熱
記録され相転移をおこし記録ドツト6“を形成する。記
録層2“は基材1″。
接着材3“に比べ一般に熱伝導性が良いため記録ドツト
6“は記録面方向に広がりやすく記録領域と未記録領域
との不鮮明さの原因となり、また一方向からのみビーム
が照射されるため記録層2″の接着剤3“側の相転移が
不十分で不均質となりこれらはいずれも信号振幅低下、
S/N低下の原因となる。
本発明の目的は信号振幅を増大させ、また記録ドツトの
鮮明化、均質化を行うことでS/N向上を実現するもの
である。
問題点を解決するための手段 この目的を達成させるために、本発明は次のような構成
としている。すなわち光ディスクの記録面に形成された
記録媒体構造を照射光源側から見て記録層、透明誘電体
層、アルミ等の反射層の三層構造とし、記録層の表面、
裏面のみが関与する多重反射光と、反射層からの反射光
が関与する三層間多重反射光との位相差をπだけずらし
互いに打ち消し合うように透明誘電体層の膜厚を設定し
ている。
作  用 この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、記録によって記録層の反射率が大きく透過率
が小さくなる場合、未記録部では反射層からの多重反射
光による干渉の影響は大きく、記録部では透過率が小さ
く反射層からの多重反射光量が低減するため干渉の影響
は小さい。すなわち未記録部反射率の減少幅は記録部反
射率の減少幅より大きく、信号振幅は増大する。また同
様に記録によって記録層の反射率が小さく透過率が大き
くなる場合、記録部では干渉の影響が大きく、未記録部
では影響が小さい。すなわち記録部反射率の減小幅は未
記録部反射率の減少幅より大きく、信号振幅は増大する
。また透明誘電体層、反射層は一般に熱伝導性が良いた
め記録面方向に伝わる熱量が減少し記録領域と未記録領
域との不鮮明さはなくなり、更に記録層はレーザ光源側
、反射層側の両方向から照射されるため相転移が均質に
行なわれる。
この結果従来と同じ記録材料を用いながらS/N向上を
図ることが出来る。
実施例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。なお、第6図と同一名称のものは同一番号を付して
説明する。第1図において1はインジェクションによっ
て溝転写されたディスク基材であシ、その記録面上にア
モルファス等の記録材料が蒸着もしくはスパッタリング
され記録層2が形成される。これに3102等を蒸着し
て透明誘電体層10を形成し、さらにAA等を蒸着して
反射層11を形成する。これにUV樹脂等の接着剤3を
一様に塗布して裏面ディスク基材4をはりあわせ一枚の
光ディスクとする。透明誘電体層10の膜厚は記録層2
の表面、裏面のみが関与する多重反射光と、反射層11
からの反射光が関与する記録層表面、裏面及び反射層表
面の三面間の多重反射光との位相差がπだけずれ、互い
に打消し合うように設定する。第2図aは記録面をレー
ザー照射側から見た説明図であり、案内溝5上に熱記録
により記録ドツト6が形成されている。記録ド1.トロ
は他の記録面に比べ反射率が高く透過率は小さい。第2
図すは案内溝S上をレーザービームスポット7が走査す
ることにより、光学系の検出部で検知される反射信号を
示す説明図であり、未記録部8での反射率は(RO−Δ
Ro)、記録ド、フト6では(R−ΔR1)、記録ドツ
ト間の未記録部9では(R−ΔR2)の反射率であり、
同じ記録層厚、案内溝形状の従来構造のものに比べ、そ
れぞれΔR0,ΔR1,ΔR2だけ反射率が低い。未記
録部8では反射層からの多重反射光による干渉の影響が
大きく、記録ドツト6では透過率が小さく反射層からの
多重反射光量が低減する念め干渉の影響は小さく、記録
ドツト間の未記録部9での干渉の影響はそれらの中間的
なものとなる。したがって一般にΔR0〉ΔR2〉ΔR
1〉oの関係が成り立つ。信号振幅は(R1−ΔR1)
−(R2−ΔR2)であるから従来構造での信号振幅(
R1−R2)  に比べΔR2−ΔR1(>O)だけ大
きくなシ、信号のS/N向上となる。同様に第3図aは
記録面をレーザー照射側から見た説明図であり、記録ト
ンポット7′が走査することにより、光学系の検出部で
検知される反射信号を示す説明図であり、未記録部8′
での反射率は(R0′−41g)、記録ドツト6′では
(R1′−ΔR1′)、記録ド・7)間の未記録部9′
では(R2′−ΔR2′)の反射率であり、同じ記録層
厚、案内溝形状の従来構造のものに比べ、それぞれΔR
0′、ΔR1′、ΔR4′ だけ反射率が低い。未記録
部8′では反射層からの多重反射光による干渉の影響は
小さく、記録ドツト6′では透過率が大きく反射層から
の多重反射光量が増大するため干渉の影響は大きく、記
録ドツト間の未記録部9′での干渉の影響はそれらの中
間的なものとなる。したがって一般に0〈ΔR6<ΔR
4<ΔRイの関係が成り立つ。信号振幅は(R21−Δ
R4)−(R′−ΔR1′)であるから、従来構造での
信号振幅(R7R4′)に比べΔRイーΔR21(〉o
)だけ大きくなり、信号のS/N向上となる。また第4
図は記録媒体の断面図であシ、レーザービームAおよび
反射層11“からの多重反射光Bにより記録層2“は熱
記録され相転移をおこし記録ドツト6“を形成する。誘
電体層1o“及び反射層11″は一般に熱伝導性が良い
ため記録面方向に伝わる熱量が減少し記録領域と未記録
領域との不鮮明さはなくなシ、また記録層2“はビーム
A、Bにより両面から照射されるため相転移が均質に行
なわれ、これらはいずれも信号振幅向上、S/N向上に
むすびつく。
発明の効果 本発明は光ディスクの記録面に形成された記録媒体構造
を照射光源側から見て記録層、透明誘電体層、アルミ等
の反射層の三層構造とし、記録層の表面、裏面のみが関
与する多重反射光と、反射層からの反射光が関与まる三
層間多重反射光との位相差をπだけずらし互いに打ち消
し合うように透明誘電体層の膜厚を設定することで、記
録信号振幅を増大させ、記録領域と未記録領域の不鮮明
さをなくし、記録部の相転移を均質化させることができ
、記録のS/N向上を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第4図は本発明の一実施例における光ディス
クの断面図、第2図a及び第3図aは同光ディスクの記
録面のレーザー照射側から見た平面図、第2図す及び第
3図すは同光デイスク説明のための光学系検出部で検知
される反射信号を示す特性図、第6図及び第8図は従来
の光ディスクの記録媒体構造を示す断面図、第6図a及
び第7図aは同光ディスクの記録面のレーザー照射側か
ら見た平面図、第6図す及び第7図すは従来の光学系検
出部で検知される反射信号を示す特性図である。 2 、 2//・・・・・・記録層、10.10“・・
・・・・透明誘電体層、11.11“・・・・・・反射
層、5,6′・・・・・・案内溝、6 、6/ 、 6
//・・・・・・記録ドツト、7.7′・・・・・・レ
ーザービームスポー7ト、3,3“・・・・・・接着層
、1 、1”、 4.4“・・・・・・基材、A・・・
・・・レーザービーム、B・・・・・・反射ビーム〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名菓 
1 図 ビームイi1 第3図 ビームイ立屓 第5図 第6図 q ビーム位1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高密度記録を実現する光ディスクの記録面に形成された
    記録媒体構造を照射光源側から見て記録層、透明誘電体
    層、アルミ等の反射層の三層構造とし、前記記録層に熱
    による相転移をおこす材料を用い、前記記録層の表面、
    裏面のみが関与する多重反射光と、前記反射層からの反
    射光が関与する三層間多重反射光との位相差をπだけず
    らし互いに打ち消し合うように前記透明誘電体層の膜厚
    を設定することを特徴とした光ディスク。
JP60116122A 1985-05-29 1985-05-29 光デイスク Pending JPS61273756A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60116122A JPS61273756A (ja) 1985-05-29 1985-05-29 光デイスク

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JP60116122A JPS61273756A (ja) 1985-05-29 1985-05-29 光デイスク

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JPS61273756A true JPS61273756A (ja) 1986-12-04

Family

ID=14679238

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JP60116122A Pending JPS61273756A (ja) 1985-05-29 1985-05-29 光デイスク

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JP (1) JPS61273756A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63214938A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 Fuji Electric Co Ltd 光記録媒体
JPH0287342A (ja) * 1988-09-24 1990-03-28 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体
JPH04229429A (ja) * 1990-07-13 1992-08-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 光学記録媒体及び光学データ記録ディスクドライブシステム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63214938A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 Fuji Electric Co Ltd 光記録媒体
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