JP3394366B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種光記録媒体へ
の信号の記録または再生に使用される光ピックアップ装
置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図９に示すように、例えば、一般的なＭ
Ｄ（Mini Disk)用の光ピックアップ装置では、半導体レ
ーザ２１から出射された光ビームを光ディスク２７へ導
くとともに、光ディスク２７で反射された光ビームを受
光素子２９に導く光学素子として、ＰＢＳ(Polarizing
Beam Splitter)２４が使用されている。このＰＢＳ２４
は、２個の直角プリズム２５ａ・２５ｂのどちらか一方
の斜面に偏光膜２６が施され、上記直角プリズム２５ａ
・２５ｂが偏光膜２６を介して貼り合わされて形成され
ている。このような光ピックアップ装置では、光源であ
る半導体レーザ２１から出射された光ビームが、ＰＢＳ
２４のＰＢＳ膜２６を通過して、コリメートレンズ２２
により平行光に変換される。この光ビームは、対物レン
ズ２３により集光され、光ディスク２７の記録面上に光
スポットを形成する。そして、上記記録面で反射された
光ビームは、対物レンズ２３およびコリメートレンズ２
２を通過した後、ＰＢＳ膜２６で反射され、ウォラスト
ンプリズム２８を介して受光素子２９に受光される。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】一般に、半導体レーザ
は、光ビームの断面形状が楕円状となる。これは、θh
を半導体レーザの接合面に平行な方向の角度、θv を上
記接合面に垂直な方向の角度とし、θh 方向の光ビーム
強度分布の幅をWθh 、θv方向の光ビーム強度分布の幅
をWθv とした場合、光ビーム強度分布が、例えば、図
１０に示すように、Wθh ：Wθv ＝１：３程度の楕円状
となることによる。尚、半導体レーザは、異なる組成の
物質を層状に重ねた構造であり、上記接合面とは、上記
の物質間の境界面のことである。 【０００４】一方、ＰＢＳ２４は、通常、光ピックアッ
プ装置を小型化する目的で、図９に示したように半導体
レーザ２１とコリメートレンズ２２との間に配されてい
る。 【０００５】さらに、半導体レーザ２１から出射された
光ビームは発散光であるので、ＰＢＳ２４のＰＢＳ膜２
６への光ビームの入射角は、入射する位置により異な
る。また、一般にＰＢＳ２４の透過率特性は、図１２に
示すように、入射角が小さくなる程、ＰＢＳ２４に対す
る光ビームの透過率が低くなる一方、入射角が大きくな
る程、上記透過率が高くなる。例えば、同図において、
入射角が４５°で透過率が７０％の場合、周辺部の光ビ
ームである光ビーム２１ｂ・２１ｃがＰＢＳ膜２６に入
射する場合の透過率はそれぞれ約８０％、約６０％とな
る。尚、上記光ビーム２１ｂは入射角が４５°より大き
い場合、上記光ビーム２１ｃは入射角が４５°より小さ
い場合のものである。 【０００６】このため、ＰＢＳ２４透過後におけるθh
方向の光ビームの強度分布は、図１２に示した透過率特
性を反映したものとなる。即ち、同図において、光ビー
ム２１ｂ側では、光ビーム２１ｃ側に比べて透過率が高
いので、ＰＢＳ２４透過後におけるθh 方向の光ビーム
の強度分布は、図１３に示すように、同図に破線で示す
ＰＢＳ２４入射光に対し、実線で示すように左右非対称
なものとなる。しかしながら、ＰＢＳ２４透過後のθv
方向の光ビームの強度分布は変化せず、図１０に示した
通りのものとなる。 【０００７】このため、上記光ビームを対物レンズ２３
により集光して、光ディスク２７上に形成される光スポ
ット３１は、図１４に示すように、図１１に示した光ス
ポット３０に比べてθh 方向、即ち、図１２に示した光
ビーム２１ｃ側がより絞られていない形状となる。この
結果、光ディスク２７上の信号を読み取る際、ジッタが
大きくなり、光ディスク２７の信号の読み取り性能が低
下するという問題を有している。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１の発明の光ピックアップ装置は、光源か
ら出射された光ビームがビームスプリッタを透過して光
記録媒体に照射される光ピックアップにおいて、前記の
ビームスプリッタには、このビームスプリッタを透過し
た光ビームにおける透過率特性が光ビームの中心に対し
て左右対称となるように補正する透過率補正部が設けら
れており、前記のビームスプリッタが、光の透過率が入
射角に応じて変化するものであり、前記の透過率補正部
が、前記のビームスプリッタにおける光ビームの中心に
対する位置から相対的に透過率が高い側の領域の透過率
を一定量均一に抑制する一方、相対的に透過率が低い側
の領域の透過率を透過率が低いほど透過率抑制の程度を
低減するものであるととも に、前記の透過率補正部が、
光の透過を抑制する蒸着膜からなり、この蒸着膜が、前
記ビームスプリッタの透過率が高い側の前記領域に対応
する部分の厚さが一定に形成される一方、前記ビームス
プリッタの透過率が低い側の前記領域に対応する部分の
厚さが透過率が低くなるのに応じて漸次薄くなるように
形成されていることを特徴としている。 【０００９】上記構成によれば、光源から光記録媒体に
向けて出射された光ビームは、ビームスプリッタを透過
する。一方、このビームスプリッタには、透過した光ビ
ームの透過率特性が光ビームの中心に対して左右対称と
なるように補正する透過率補正部が設けられているの
で、上記ビームスプリッタを透過した光ビームの透過率
特性が光ビームの中心に対してほぼ左右対称となる。こ
のため、上記光ビームの強度分布がほぼ円形となるの
で、光記録媒体上に形成される光スポットの形状は、ほ
ぼ円形となる。 【００１０】この結果、光記録媒体の信号を読み取る
際、ジッタが小さくなるので、光ディスクの信号の読み
取り性能が向上する。 【００１１】また、透過率補正部は、ビームスプリッタ
における光ビームの中心に対する位置から相対的に透過
率が高い側の領域の透過率を一定量均一に抑制する一
方、相対的に透過率が低い側の領域の透過率を透過率が
低いほど透過率抑制の程度を低減している。従って、ビ
ームスプリッタ透過後の光ビームの透過率特性は、光ビ
ームの中心に対して左右対称となるので、上記光ビーム
の強度分布は円形となる。これにより、光記録媒体上に
形成される光スポットの形状は円形となる。 【００１２】この結果、光記録媒体の信号を読み取る
際、ジッタがより小さくなるので、光ディスクの信号の
読み取り性能がより一層向上する。 【００１３】さらに、透過率補正部は、金属等を蒸着す
ることにより蒸着膜を形成し、この蒸着膜の膜厚を変化
させることにより、ビームスプリッタの透過率を補正し
ている。 【００１４】この結果、透過率補正部は、蒸着により形
成されているので、容易に膜厚の厚さを変更できる。 【００１５】 【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１ないし
図７に基づいて以下に説明する。 【００１６】本ピックアップ装置は、図１に示すよう
に、光源としての半導体レーザ１、コリメートレンズ
２、対物レンズ３、ビームスプリッタであるＰＢＳ(Pol
arizingBeam Splitter)４、ウォラストンプリズム５、
および受光素子６を備えている。 【００１７】半導体レーザ１から光記録媒体としての光
ディスク７に至る光路に、半導体レーザ１、ＰＢＳ４、
コリメートレンズ２、および対物レンズ３がこの順に配
置されている。さらに、ＰＢＳ４と受光素子６との間
に、ウォラストンプリズム５は配置されている。 【００１８】半導体レーザ１は、光ディスク７に照射す
る光ビームを出射するものである。コリメートレンズ２
は、入射光を平行光に変換するものである。ＰＢＳ４
は、上記光ビームを光ディスク７へ導くとともに、光デ
ィスク７で反射された光ビームを受光素子６に導くもの
である。ウォラストンプリズム５は、上記光ビームを分
離するものである。受光素子６は、ウォラストンプリズ
ム５により分離された光ビームを受光するものである。 【００１９】上記ＰＢＳ４は、図２に示すように、ガラ
ス製の２個の直角プリズム８ａ・８ｂのどちらか一方の
斜面にＰＢＳ膜９が施され、上記直角プリズム８ａ・８
ｂがＰＢＳ膜９を介して貼り合わされて形成されてい
る。さらに、このＰＢＳ４には、入射光が入射する面、
即ち面イに透過率補正部としてのフィルタ１０が備えら
れている。このフィルタ１０は、ＰＢＳ膜９の透過率特
性により影響されるＰＢＳ４全体の透過率特性を補正し
て後述するようにＰＢＳ４全体の透過率特性を左右対称
で、かつ中心部の透過率に比べて周辺部の透過率を高く
するものである。 【００２０】光ディスク７上に形成される光スポット１
２の理想的な形状は、図６に示すように円形であり、円
形の光スポット１２を得るためには、図５に示すよう
に、ＰＢＳ４透過後の光ビームの強度分布を円形にしな
ければならない。 【００２１】このためには、同図において、ＰＢＳ４透
過後のθh 方向およびθv 方向の光ビームの強度分布を
それぞれ光ビームの中心、即ち光軸に対して対称にする
とともに、θh 方向の光ビームの強度分布の拡がり幅が
θv 方向の光ビームの強度分布の拡がり幅とほぼ同じに
なるようにする。 【００２２】ここで、図３（ｂ）に示すように、直角プ
リズム８ａ・８ｂを貼り合わしている面、即ち面アの透
過率特性は、入射角が大きくなるほど透過率が高くなっ
ている。このため、ＰＢＳ４にフィルタ１０を設けてい
ない場合、ＰＢＳ４を透過した光ビームのθh 方向にお
ける強度分布は、上記透過率特性を反映したものとな
る。即ち、上記強度分布は、ＰＢＳ膜９への入射角が大
きい側で強度が高く、ＰＢＳ膜９への入射角が小さい側
で強度が小さいものとなり、光軸に対して左右非対称と
なる。そこで、フィルタ１０としては、図３（ｃ）に示
すように、中心からＰＢＳ膜９への入射角が大きくなる
側で透過率が一定であり、中心からＰＢＳ膜９への入射
角が小さくなる側で、入射角が小さくなるほど透過率が
高くなるものとする。これにより、ＰＢＳ４全体の透過
率特性は、図３（ｄ）に示すように、左右対称で、かつ
中心部の透過率に比べて周辺部の透過率が高いものとな
る。 【００２３】この結果、ＰＢＳ４を透過したＰ軸方向の
光ビームのθh 方向における強度分布は、図４に示すよ
うに、フィルタ１０を設けていない場合のθh 方向にお
けるＰ軸方向の光ビームの強度分布に比べると、周辺部
のθh 方向におけるＰ軸方向の光ビームの強度分布が持
ち上がったものとなり、光軸に対して左右対称になる。 【００２４】上記フィルタ１０は、例えば、金属材料を
蒸着することにより形成されている。このフィルタ１０
は、図７に示すように、面イに楕円状である光ビームの
長軸１ａと一致する位置を中心１０ａとした場合、中心
１０ａから一方側の領域（図中の右側の領域）は一定の
膜厚で形成され、中心１０ａから他方側の領域（図中の
左側の領域）は膜厚が一様に減少するように形成されて
いいる。このような膜厚の変化は、金属材料の蒸着時に
被蒸着面の前に遮蔽物を置くなどの方法で実現できる。
上記一方側の領域は、ＰＢＳ膜９への入射角が大きい領
域に対応し、上記他方側の領域は、ＰＢＳ膜９への入射
角が小さい領域に対応している。尚、上記金属材料は、
ミラーの蒸着材料として一般的に使用されているアルミ
ニウムなどである。 【００２５】上記構成において、半導体レーザ１から出
射された光ビームの流れを以下に説明する。 【００２６】半導体レーザ１から出射された光ビームは
フィルタ１０およびＰＢＳ４を透過する。ＰＢＳ４は、
フィルタ１０を設けているので、ＰＢＳ４全体の透過率
特性は、図３（ｄ）に示すように、左右対称で、かつ中
心部の透過率に比べて周辺部の透過率が高いものとな
る。従って、上記光ビームの強度分布は、図５に示すよ
うに、ほぼ円形となっている。そして、この光ビーム
は、コリメートレンズ２により平行光に変換され、対物
レンズ３によりディスク７上に集光される。上述したよ
うに、光ビームも強度分布が円形となっているので、デ
ィスク７上に形成された光スポットは、図６に示すよう
に、円形となる。そして、ディスク７で反射された光ビ
ームは、再び、対物レンズ３およびコリメートレンズ２
を通過してＰＢＳ４のＰＢＳ膜９で反射される。この光
ビームは、ウォラストンプリズム５により分離され、受
光素子６に受光される。 【００２７】以上のように、フィルタ１０を設けたＰＢ
Ｓ４を使用することにより、このＰＢＳ４を透過した後
のＰＢＳ膜９への入射角が小さい側のθh 方向における
Ｐ軸方向の光ビームの強度分布は、フィルタ１０を設け
ていない場合のθh 方向におけるＰ軸方向の光ビームの
強度分布に比べると、持ち上がったものとなり、光軸に
対して左右対称となる。このため、Ｐ軸方向の光ビーム
の強度分布は円形なものとなる。従って、ディスク７上
に形成される光スポットの形状は円形となる。 【００２８】この結果、光ディスク７上の信号を読み取
る際、ジッタが小さくなり、信号の読み取り性能が向上
する。 【００２９】また、上記実施の形態においては、フィル
タ１０が図３（ａ）に示した面イに設けられていたが、
図８に示すように、斜面にフィルタ１０を設けた直角プ
リズム８ｂの斜面にフィルタ１０と、ＰＢＳ膜９を斜面
に設けている直角プリズム８ａとを接着剤層１１を介し
て接着してもよい。 【００３０】 【発明の効果】以上のように、請求項１の発明の光ピッ
クアップ装置は、光源から出射された光ビームがビーム
スプリッタを透過して光記録媒体に照射される光ピック
アップにおいて、前記のビームスプリッタには、このビ
ームスプリッタを透過した光ビームにおける透過率特性
が光ビームの中心に対して左右対称となるように補正す
る透過率補正部が設けられており、前記のビームスプリ
ッタが、光の透過率が入射角に応じて変化するものであ
り、前記の透過率補正部が、前記のビームスプリッタに
おける光ビームの中心に対する位置から相対的に透過率
が高い側の領域の透過率を一定量均一に抑制する一方、
相対的に透過率が低い側の領域の透過率を透過率が低い
ほど透過率抑制の程度を低減するものであるとともに、
前記の透過率補正部が、光の透過を抑制する蒸着膜から
なり、この蒸着膜が、前記ビームスプリッタの透過率が
高い側の前記領域に対応する部分の厚さが一定に形成さ
れる一方、前記ビームスプリッタの透過率が低い側の前
記領域に対応する部分の厚さが透過率が低くなるのに応
じて漸次薄くなるように形成されている構成である。 【００３１】これにより、光記録媒体の信号を読み取る
際、ジッタが小さくなるので、光ディスクの信号の読み
取り性能が向上する。 【００３２】また、光記録媒体の信号を読み取る際、ジ
ッタがより小さくなるので、光ディスクの信号の読み取
り性能がより一層向上する。 【００３３】さらに、透過率補正部は、蒸着により形成
されているので、容易に膜厚の厚さを変更できるという
効果を奏する。
の信号の記録または再生に使用される光ピックアップ装
置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図９に示すように、例えば、一般的なＭ
Ｄ（Mini Disk)用の光ピックアップ装置では、半導体レ
ーザ２１から出射された光ビームを光ディスク２７へ導
くとともに、光ディスク２７で反射された光ビームを受
光素子２９に導く光学素子として、ＰＢＳ(Polarizing
Beam Splitter)２４が使用されている。このＰＢＳ２４
は、２個の直角プリズム２５ａ・２５ｂのどちらか一方
の斜面に偏光膜２６が施され、上記直角プリズム２５ａ
・２５ｂが偏光膜２６を介して貼り合わされて形成され
ている。このような光ピックアップ装置では、光源であ
る半導体レーザ２１から出射された光ビームが、ＰＢＳ
２４のＰＢＳ膜２６を通過して、コリメートレンズ２２
により平行光に変換される。この光ビームは、対物レン
ズ２３により集光され、光ディスク２７の記録面上に光
スポットを形成する。そして、上記記録面で反射された
光ビームは、対物レンズ２３およびコリメートレンズ２
２を通過した後、ＰＢＳ膜２６で反射され、ウォラスト
ンプリズム２８を介して受光素子２９に受光される。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】一般に、半導体レーザ
は、光ビームの断面形状が楕円状となる。これは、θh
を半導体レーザの接合面に平行な方向の角度、θv を上
記接合面に垂直な方向の角度とし、θh 方向の光ビーム
強度分布の幅をWθh 、θv方向の光ビーム強度分布の幅
をWθv とした場合、光ビーム強度分布が、例えば、図
１０に示すように、Wθh ：Wθv ＝１：３程度の楕円状
となることによる。尚、半導体レーザは、異なる組成の
物質を層状に重ねた構造であり、上記接合面とは、上記
の物質間の境界面のことである。 【０００４】一方、ＰＢＳ２４は、通常、光ピックアッ
プ装置を小型化する目的で、図９に示したように半導体
レーザ２１とコリメートレンズ２２との間に配されてい
る。 【０００５】さらに、半導体レーザ２１から出射された
光ビームは発散光であるので、ＰＢＳ２４のＰＢＳ膜２
６への光ビームの入射角は、入射する位置により異な
る。また、一般にＰＢＳ２４の透過率特性は、図１２に
示すように、入射角が小さくなる程、ＰＢＳ２４に対す
る光ビームの透過率が低くなる一方、入射角が大きくな
る程、上記透過率が高くなる。例えば、同図において、
入射角が４５°で透過率が７０％の場合、周辺部の光ビ
ームである光ビーム２１ｂ・２１ｃがＰＢＳ膜２６に入
射する場合の透過率はそれぞれ約８０％、約６０％とな
る。尚、上記光ビーム２１ｂは入射角が４５°より大き
い場合、上記光ビーム２１ｃは入射角が４５°より小さ
い場合のものである。 【０００６】このため、ＰＢＳ２４透過後におけるθh
方向の光ビームの強度分布は、図１２に示した透過率特
性を反映したものとなる。即ち、同図において、光ビー
ム２１ｂ側では、光ビーム２１ｃ側に比べて透過率が高
いので、ＰＢＳ２４透過後におけるθh 方向の光ビーム
の強度分布は、図１３に示すように、同図に破線で示す
ＰＢＳ２４入射光に対し、実線で示すように左右非対称
なものとなる。しかしながら、ＰＢＳ２４透過後のθv
方向の光ビームの強度分布は変化せず、図１０に示した
通りのものとなる。 【０００７】このため、上記光ビームを対物レンズ２３
により集光して、光ディスク２７上に形成される光スポ
ット３１は、図１４に示すように、図１１に示した光ス
ポット３０に比べてθh 方向、即ち、図１２に示した光
ビーム２１ｃ側がより絞られていない形状となる。この
結果、光ディスク２７上の信号を読み取る際、ジッタが
大きくなり、光ディスク２７の信号の読み取り性能が低
下するという問題を有している。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１の発明の光ピックアップ装置は、光源か
ら出射された光ビームがビームスプリッタを透過して光
記録媒体に照射される光ピックアップにおいて、前記の
ビームスプリッタには、このビームスプリッタを透過し
た光ビームにおける透過率特性が光ビームの中心に対し
て左右対称となるように補正する透過率補正部が設けら
れており、前記のビームスプリッタが、光の透過率が入
射角に応じて変化するものであり、前記の透過率補正部
が、前記のビームスプリッタにおける光ビームの中心に
対する位置から相対的に透過率が高い側の領域の透過率
を一定量均一に抑制する一方、相対的に透過率が低い側
の領域の透過率を透過率が低いほど透過率抑制の程度を
低減するものであるととも に、前記の透過率補正部が、
光の透過を抑制する蒸着膜からなり、この蒸着膜が、前
記ビームスプリッタの透過率が高い側の前記領域に対応
する部分の厚さが一定に形成される一方、前記ビームス
プリッタの透過率が低い側の前記領域に対応する部分の
厚さが透過率が低くなるのに応じて漸次薄くなるように
形成されていることを特徴としている。 【０００９】上記構成によれば、光源から光記録媒体に
向けて出射された光ビームは、ビームスプリッタを透過
する。一方、このビームスプリッタには、透過した光ビ
ームの透過率特性が光ビームの中心に対して左右対称と
なるように補正する透過率補正部が設けられているの
で、上記ビームスプリッタを透過した光ビームの透過率
特性が光ビームの中心に対してほぼ左右対称となる。こ
のため、上記光ビームの強度分布がほぼ円形となるの
で、光記録媒体上に形成される光スポットの形状は、ほ
ぼ円形となる。 【００１０】この結果、光記録媒体の信号を読み取る
際、ジッタが小さくなるので、光ディスクの信号の読み
取り性能が向上する。 【００１１】また、透過率補正部は、ビームスプリッタ
における光ビームの中心に対する位置から相対的に透過
率が高い側の領域の透過率を一定量均一に抑制する一
方、相対的に透過率が低い側の領域の透過率を透過率が
低いほど透過率抑制の程度を低減している。従って、ビ
ームスプリッタ透過後の光ビームの透過率特性は、光ビ
ームの中心に対して左右対称となるので、上記光ビーム
の強度分布は円形となる。これにより、光記録媒体上に
形成される光スポットの形状は円形となる。 【００１２】この結果、光記録媒体の信号を読み取る
際、ジッタがより小さくなるので、光ディスクの信号の
読み取り性能がより一層向上する。 【００１３】さらに、透過率補正部は、金属等を蒸着す
ることにより蒸着膜を形成し、この蒸着膜の膜厚を変化
させることにより、ビームスプリッタの透過率を補正し
ている。 【００１４】この結果、透過率補正部は、蒸着により形
成されているので、容易に膜厚の厚さを変更できる。 【００１５】 【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１ないし
図７に基づいて以下に説明する。 【００１６】本ピックアップ装置は、図１に示すよう
に、光源としての半導体レーザ１、コリメートレンズ
２、対物レンズ３、ビームスプリッタであるＰＢＳ(Pol
arizingBeam Splitter)４、ウォラストンプリズム５、
および受光素子６を備えている。 【００１７】半導体レーザ１から光記録媒体としての光
ディスク７に至る光路に、半導体レーザ１、ＰＢＳ４、
コリメートレンズ２、および対物レンズ３がこの順に配
置されている。さらに、ＰＢＳ４と受光素子６との間
に、ウォラストンプリズム５は配置されている。 【００１８】半導体レーザ１は、光ディスク７に照射す
る光ビームを出射するものである。コリメートレンズ２
は、入射光を平行光に変換するものである。ＰＢＳ４
は、上記光ビームを光ディスク７へ導くとともに、光デ
ィスク７で反射された光ビームを受光素子６に導くもの
である。ウォラストンプリズム５は、上記光ビームを分
離するものである。受光素子６は、ウォラストンプリズ
ム５により分離された光ビームを受光するものである。 【００１９】上記ＰＢＳ４は、図２に示すように、ガラ
ス製の２個の直角プリズム８ａ・８ｂのどちらか一方の
斜面にＰＢＳ膜９が施され、上記直角プリズム８ａ・８
ｂがＰＢＳ膜９を介して貼り合わされて形成されてい
る。さらに、このＰＢＳ４には、入射光が入射する面、
即ち面イに透過率補正部としてのフィルタ１０が備えら
れている。このフィルタ１０は、ＰＢＳ膜９の透過率特
性により影響されるＰＢＳ４全体の透過率特性を補正し
て後述するようにＰＢＳ４全体の透過率特性を左右対称
で、かつ中心部の透過率に比べて周辺部の透過率を高く
するものである。 【００２０】光ディスク７上に形成される光スポット１
２の理想的な形状は、図６に示すように円形であり、円
形の光スポット１２を得るためには、図５に示すよう
に、ＰＢＳ４透過後の光ビームの強度分布を円形にしな
ければならない。 【００２１】このためには、同図において、ＰＢＳ４透
過後のθh 方向およびθv 方向の光ビームの強度分布を
それぞれ光ビームの中心、即ち光軸に対して対称にする
とともに、θh 方向の光ビームの強度分布の拡がり幅が
θv 方向の光ビームの強度分布の拡がり幅とほぼ同じに
なるようにする。 【００２２】ここで、図３（ｂ）に示すように、直角プ
リズム８ａ・８ｂを貼り合わしている面、即ち面アの透
過率特性は、入射角が大きくなるほど透過率が高くなっ
ている。このため、ＰＢＳ４にフィルタ１０を設けてい
ない場合、ＰＢＳ４を透過した光ビームのθh 方向にお
ける強度分布は、上記透過率特性を反映したものとな
る。即ち、上記強度分布は、ＰＢＳ膜９への入射角が大
きい側で強度が高く、ＰＢＳ膜９への入射角が小さい側
で強度が小さいものとなり、光軸に対して左右非対称と
なる。そこで、フィルタ１０としては、図３（ｃ）に示
すように、中心からＰＢＳ膜９への入射角が大きくなる
側で透過率が一定であり、中心からＰＢＳ膜９への入射
角が小さくなる側で、入射角が小さくなるほど透過率が
高くなるものとする。これにより、ＰＢＳ４全体の透過
率特性は、図３（ｄ）に示すように、左右対称で、かつ
中心部の透過率に比べて周辺部の透過率が高いものとな
る。 【００２３】この結果、ＰＢＳ４を透過したＰ軸方向の
光ビームのθh 方向における強度分布は、図４に示すよ
うに、フィルタ１０を設けていない場合のθh 方向にお
けるＰ軸方向の光ビームの強度分布に比べると、周辺部
のθh 方向におけるＰ軸方向の光ビームの強度分布が持
ち上がったものとなり、光軸に対して左右対称になる。 【００２４】上記フィルタ１０は、例えば、金属材料を
蒸着することにより形成されている。このフィルタ１０
は、図７に示すように、面イに楕円状である光ビームの
長軸１ａと一致する位置を中心１０ａとした場合、中心
１０ａから一方側の領域（図中の右側の領域）は一定の
膜厚で形成され、中心１０ａから他方側の領域（図中の
左側の領域）は膜厚が一様に減少するように形成されて
いいる。このような膜厚の変化は、金属材料の蒸着時に
被蒸着面の前に遮蔽物を置くなどの方法で実現できる。
上記一方側の領域は、ＰＢＳ膜９への入射角が大きい領
域に対応し、上記他方側の領域は、ＰＢＳ膜９への入射
角が小さい領域に対応している。尚、上記金属材料は、
ミラーの蒸着材料として一般的に使用されているアルミ
ニウムなどである。 【００２５】上記構成において、半導体レーザ１から出
射された光ビームの流れを以下に説明する。 【００２６】半導体レーザ１から出射された光ビームは
フィルタ１０およびＰＢＳ４を透過する。ＰＢＳ４は、
フィルタ１０を設けているので、ＰＢＳ４全体の透過率
特性は、図３（ｄ）に示すように、左右対称で、かつ中
心部の透過率に比べて周辺部の透過率が高いものとな
る。従って、上記光ビームの強度分布は、図５に示すよ
うに、ほぼ円形となっている。そして、この光ビーム
は、コリメートレンズ２により平行光に変換され、対物
レンズ３によりディスク７上に集光される。上述したよ
うに、光ビームも強度分布が円形となっているので、デ
ィスク７上に形成された光スポットは、図６に示すよう
に、円形となる。そして、ディスク７で反射された光ビ
ームは、再び、対物レンズ３およびコリメートレンズ２
を通過してＰＢＳ４のＰＢＳ膜９で反射される。この光
ビームは、ウォラストンプリズム５により分離され、受
光素子６に受光される。 【００２７】以上のように、フィルタ１０を設けたＰＢ
Ｓ４を使用することにより、このＰＢＳ４を透過した後
のＰＢＳ膜９への入射角が小さい側のθh 方向における
Ｐ軸方向の光ビームの強度分布は、フィルタ１０を設け
ていない場合のθh 方向におけるＰ軸方向の光ビームの
強度分布に比べると、持ち上がったものとなり、光軸に
対して左右対称となる。このため、Ｐ軸方向の光ビーム
の強度分布は円形なものとなる。従って、ディスク７上
に形成される光スポットの形状は円形となる。 【００２８】この結果、光ディスク７上の信号を読み取
る際、ジッタが小さくなり、信号の読み取り性能が向上
する。 【００２９】また、上記実施の形態においては、フィル
タ１０が図３（ａ）に示した面イに設けられていたが、
図８に示すように、斜面にフィルタ１０を設けた直角プ
リズム８ｂの斜面にフィルタ１０と、ＰＢＳ膜９を斜面
に設けている直角プリズム８ａとを接着剤層１１を介し
て接着してもよい。 【００３０】 【発明の効果】以上のように、請求項１の発明の光ピッ
クアップ装置は、光源から出射された光ビームがビーム
スプリッタを透過して光記録媒体に照射される光ピック
アップにおいて、前記のビームスプリッタには、このビ
ームスプリッタを透過した光ビームにおける透過率特性
が光ビームの中心に対して左右対称となるように補正す
る透過率補正部が設けられており、前記のビームスプリ
ッタが、光の透過率が入射角に応じて変化するものであ
り、前記の透過率補正部が、前記のビームスプリッタに
おける光ビームの中心に対する位置から相対的に透過率
が高い側の領域の透過率を一定量均一に抑制する一方、
相対的に透過率が低い側の領域の透過率を透過率が低い
ほど透過率抑制の程度を低減するものであるとともに、
前記の透過率補正部が、光の透過を抑制する蒸着膜から
なり、この蒸着膜が、前記ビームスプリッタの透過率が
高い側の前記領域に対応する部分の厚さが一定に形成さ
れる一方、前記ビームスプリッタの透過率が低い側の前
記領域に対応する部分の厚さが透過率が低くなるのに応
じて漸次薄くなるように形成されている構成である。 【００３１】これにより、光記録媒体の信号を読み取る
際、ジッタが小さくなるので、光ディスクの信号の読み
取り性能が向上する。 【００３２】また、光記録媒体の信号を読み取る際、ジ
ッタがより小さくなるので、光ディスクの信号の読み取
り性能がより一層向上する。 【００３３】さらに、透過率補正部は、蒸着により形成
されているので、容易に膜厚の厚さを変更できるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における光ピックアップ装
置の概略構成を示す平面図である。 【図２】図１に示した光ピックアップ装置に備えられて
いるＰＢＳの光ビームの入射角と透過率との関係を示し
たグラフである。 【図３】同図（ａ）は、上記ＰＢＳの概略構成を示す平
面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）に示した面アの透過率
と入射角との関係を示すグラフ、同図（ｃ）は、同図
（ａ）に示した面イの透過率と入射角との関係を示すグ
ラフ、同図（ｄ）は、ＰＢＳ全体の透過率と入射角との
関係を示すグラフである。 【図４】図１に示した光ピックアップ装置に備えられて
いるＰＢＳ入射光の強度およびＰＢＳ透過光の強度と、
レーザの接合面に平行な方向の角度との関係を示すグラ
フである。 【図５】図２に示したＰＢＳを使用した場合のＰＢＳ４
透過後の光ビームの強度分布を示す説明図である。 【図６】図２に示したＰＢＳを使用した場合の光ディス
クに形成される光スポットを示す説明図である。 【図７】図２に示したＰＢＳに設けられているフィルタ
と、光ビームとの位置関係を示す説明図である。 【図８】本発明の他のＰＢＳの概略構成を示す平面図で
ある。 【図９】従来の光ピックアップ装置の概略構成を示す平
面図である。 【図１０】半導体レーザの光ビームの強度分布を示す説
明図である。 【図１１】図１０に示した半導体レーザが出射した光ビ
ームを対物レンズで集光して、光ディスク上に形成され
た光スポットの形状を示す説明図である。 【図１２】図９に示した光ピックアップ装置に備えられ
ているＰＢＳの光ビームの入射角と透過率との関係を示
したグラフである。 【図１３】図１２に示したＰＢＳ入射光の強度およびＰ
ＢＳ透過光の強度と、レーザの接合面に平行な方向の角
度との関係を示すグラフである。 【図１４】図１２に示したＰＢＳを使用した場合の光デ
ィスクに形成される光スポットを示す説明図である。 【符号の説明】 １ 半導体レーザ（光源） ４ ＰＢＳ（ビームスプリッタ） ７ 光ディスク（光記録媒体） １０ フィルタ（透過率補正部）
置の概略構成を示す平面図である。 【図２】図１に示した光ピックアップ装置に備えられて
いるＰＢＳの光ビームの入射角と透過率との関係を示し
たグラフである。 【図３】同図（ａ）は、上記ＰＢＳの概略構成を示す平
面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）に示した面アの透過率
と入射角との関係を示すグラフ、同図（ｃ）は、同図
（ａ）に示した面イの透過率と入射角との関係を示すグ
ラフ、同図（ｄ）は、ＰＢＳ全体の透過率と入射角との
関係を示すグラフである。 【図４】図１に示した光ピックアップ装置に備えられて
いるＰＢＳ入射光の強度およびＰＢＳ透過光の強度と、
レーザの接合面に平行な方向の角度との関係を示すグラ
フである。 【図５】図２に示したＰＢＳを使用した場合のＰＢＳ４
透過後の光ビームの強度分布を示す説明図である。 【図６】図２に示したＰＢＳを使用した場合の光ディス
クに形成される光スポットを示す説明図である。 【図７】図２に示したＰＢＳに設けられているフィルタ
と、光ビームとの位置関係を示す説明図である。 【図８】本発明の他のＰＢＳの概略構成を示す平面図で
ある。 【図９】従来の光ピックアップ装置の概略構成を示す平
面図である。 【図１０】半導体レーザの光ビームの強度分布を示す説
明図である。 【図１１】図１０に示した半導体レーザが出射した光ビ
ームを対物レンズで集光して、光ディスク上に形成され
た光スポットの形状を示す説明図である。 【図１２】図９に示した光ピックアップ装置に備えられ
ているＰＢＳの光ビームの入射角と透過率との関係を示
したグラフである。 【図１３】図１２に示したＰＢＳ入射光の強度およびＰ
ＢＳ透過光の強度と、レーザの接合面に平行な方向の角
度との関係を示すグラフである。 【図１４】図１２に示したＰＢＳを使用した場合の光デ
ィスクに形成される光スポットを示す説明図である。 【符号の説明】 １ 半導体レーザ（光源） ４ ＰＢＳ（ビームスプリッタ） ７ 光ディスク（光記録媒体） １０ フィルタ（透過率補正部）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/135
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】光源から出射された光ビームがビームスプ
リッタを透過して光記録媒体に照射される光ピックアッ
プにおいて、 前記のビームスプリッタには、このビームスプリッタを
透過した光ビームにおける透過率特性が光ビームの中心
に対して左右対称となるように補正する透過率補正部が
設けられており、 前記のビームスプリッタは、光の透過率が入射角に応じ
て変化するものであり、前記の透過率補正部は、前記の
ビームスプリッタにおける光ビームの中心に対する位置
から相対的に透過率が高い側の領域の透過率を一定量均
一に抑制する一方、相対的に透過率が低い側の領域の透
過率を透過率が低いほど透過率抑制の程度を低減するも
のであるとともに、 前記の透過率補正部は、光の透過を抑制する蒸着膜から
なり、この蒸着膜は、前記ビームスプリッタの透過率が
高い側の前記領域に対応する部分の厚さが一定に形成さ
れる一方、前記ビームスプリッタの透過率が低い側の前
記領域に対応する部分の厚さが透過率が低くなるのに応
じて漸次薄くなるように形成されて いることを特徴とす
る光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22086895A JP3394366B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22086895A JP3394366B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963109A JPH0963109A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3394366B2 true JP3394366B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=16757809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22086895A Expired - Fee Related JP3394366B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3394366B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000050716A (ko) * | 1999-01-14 | 2000-08-05 | 구자홍 | 광 픽업의 빔정형 장치 |
| JP2009205775A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP22086895A patent/JP3394366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0963109A (ja) | 1997-03-07 |
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